晶圓級(jí)測(cè)試中閃存單元讀取電壓測(cè)試方法以及晶圓級(jí)測(cè)試的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種晶圓級(jí)測(cè)試中閃存單元讀取電壓測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]快閃存儲(chǔ)器(閃存)應(yīng)用于現(xiàn)今的多種應(yīng)用中，快閃存儲(chǔ)器可以讀取或者寫(xiě)入數(shù)據(jù)，而且存儲(chǔ)于其中的數(shù)據(jù)不需要依靠電源來(lái)維持，因此，適用于各種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的用途。
[0003]目前，現(xiàn)有技術(shù)中采用的對(duì)“一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)兩位數(shù)據(jù)”的形式的閃存單元進(jìn)行讀取電壓判斷的方法包括兩種。第一種方法是:存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)需要通過(guò)讀取電流獲得，電流大小需要同一個(gè)參考電流比較，參考電流可以使電路產(chǎn)生的恒流；第二種方法是:某幾個(gè)特定存儲(chǔ)單元的讀取電流再乘以各特定比例。
[0004]但是，上述兩種方法存在一些缺點(diǎn)。具體地，同一個(gè)存儲(chǔ)單元的“10”狀態(tài)的電流大小受“O”的編程深度影響很大；而同一個(gè)存儲(chǔ)單元的“11”狀態(tài)電流和固定電流均與編程深度無(wú)關(guān)。其次，批次之間編程性能的差異將導(dǎo)致編程深的批次良率損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠高效實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)測(cè)試中閃存單元讀取電壓測(cè)試的方法。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種晶圓級(jí)測(cè)試中閃存單元讀取電壓測(cè)試方法，其中每個(gè)閃存單元具有一個(gè)存儲(chǔ)單元具有兩位存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位。所述方法包括:第一狀態(tài)寫(xiě)入步驟:向閃存單元陣列中的每個(gè)存儲(chǔ)單元的兩位數(shù)據(jù)寫(xiě)入第一邏輯狀態(tài)組合；第一測(cè)試步驟:執(zhí)行讀取操作，其中向閃存單元陣列的每個(gè)存儲(chǔ)單元中的不被讀取的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的控制柵極施加逐漸加大的測(cè)試電壓，同時(shí)對(duì)寫(xiě)入了所述第一邏輯狀態(tài)組合的每個(gè)存儲(chǔ)單元中的被讀取的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位進(jìn)行讀取，從而確定每個(gè)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)讀取都正確的狀態(tài)下的最小測(cè)試電壓；第二狀態(tài)寫(xiě)入步驟:向閃存單元陣列中的每個(gè)存儲(chǔ)單元的兩位數(shù)據(jù)寫(xiě)入與所述第一邏輯狀態(tài)組合相反的第二邏輯狀態(tài)組合；第二測(cè)試步驟:在向閃存單元陣列的每個(gè)存儲(chǔ)單元中的不被讀取的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的控制柵極施加所述最小測(cè)試電壓的情況下讀取經(jīng)過(guò)寫(xiě)入了所述第二邏輯狀態(tài)組合的每個(gè)存儲(chǔ)單元中的被讀取的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的數(shù)據(jù)，并判斷讀取結(jié)果是否正確。
[0007]優(yōu)選地，判斷讀取結(jié)果是否正確指的是判斷從每個(gè)存儲(chǔ)單元讀出的數(shù)據(jù)是不是第二狀態(tài)寫(xiě)入步驟寫(xiě)入的數(shù)據(jù)。
[0008]優(yōu)選地，所述晶圓級(jí)測(cè)試中閃存單元讀取電壓測(cè)試方法還包括:在第二測(cè)試步驟中判斷從每個(gè)存儲(chǔ)單元中的被讀取的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位讀出的數(shù)據(jù)是第二狀態(tài)寫(xiě)入步驟寫(xiě)入的數(shù)據(jù)的情況下，將所述最小測(cè)試電壓與預(yù)定檔位電壓進(jìn)行比較；如果所述最小測(cè)試電壓小于或等于預(yù)定檔位電壓，則判斷閃存陣列通過(guò)晶圓級(jí)測(cè)試，設(shè)定不被讀取的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的控制柵極工作讀取電壓等于最小測(cè)試電壓；如果所述最小測(cè)試電壓大于預(yù)定檔位電壓，則判斷閃存陣列未通過(guò)晶圓級(jí)測(cè)試。
[0009]優(yōu)選地，所述晶圓級(jí)測(cè)試中閃存單元讀取電壓測(cè)試方法還包括:在第二測(cè)試步驟中判斷從每個(gè)存儲(chǔ)單元中的被讀取的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位讀出的數(shù)據(jù)不是第二狀態(tài)寫(xiě)入步驟寫(xiě)入的數(shù)據(jù)的情況下，針對(duì)寫(xiě)入了第二邏輯狀態(tài)組合的每個(gè)存儲(chǔ)單元，向閃存單元陣列的每個(gè)存儲(chǔ)單元中的不被讀取的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的控制柵極施加相對(duì)于所述最小測(cè)試電壓逐漸加大的測(cè)試電壓，同時(shí)對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元中的被讀取的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位進(jìn)行讀取，從而確定每個(gè)存儲(chǔ)單元中的被讀取的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的數(shù)據(jù)讀取都正確的狀態(tài)下的最小提升后測(cè)試電壓。
[0010]優(yōu)選地，所述晶圓級(jí)測(cè)試中閃存單元讀取電壓測(cè)試方法還包括:將所述最小提升后測(cè)試電壓與預(yù)定檔位電壓進(jìn)行比較；如果所述最小提升后測(cè)試電壓小于或等于預(yù)定檔位電壓，則判斷閃存陣列通過(guò)晶圓級(jí)測(cè)試，設(shè)定不被讀取的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的控制柵極工作讀取電壓等于最小提升后測(cè)試電壓；如果所述最小提升后測(cè)試電壓大于預(yù)定檔位電壓，則判斷閃存陣列未通過(guò)晶圓級(jí)測(cè)試。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述第一邏輯狀態(tài)組合為“ 10”，所述第二邏輯狀態(tài)組合為“01”。
[0012]優(yōu)選地，所述第一邏輯狀態(tài)組合為“01”，所述第二邏輯狀態(tài)組合為“ 10”。
[0013]本發(fā)明還提供了一種晶圓級(jí)測(cè)試，其采用了上述圓級(jí)測(cè)試中閃存單元讀取電壓測(cè)試方法。
[0014]由此，根據(jù)本發(fā)明的晶圓級(jí)測(cè)試中閃存單元讀取電壓測(cè)試方法提供了有效的測(cè)試方法來(lái)讀取及測(cè)試具有一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)兩位數(shù)據(jù)的形式的閃存存儲(chǔ)單元。
【附圖說(shuō)明】
[0015]結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中:
[0016]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓級(jí)測(cè)試中閃存單元讀取電壓測(cè)試方法的流程圖。
[0017]需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0019]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓級(jí)測(cè)試中閃存單元讀取電壓測(cè)試方法的流程圖。
[0020]其中，所述閃存單元具有一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)兩位數(shù)據(jù)的形式，即每個(gè)閃存單元具有一個(gè)存儲(chǔ)單元具有兩位存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位。
[0021]具體地，如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓級(jí)測(cè)試中閃存單元讀取電壓測(cè)試方法包括:
[0022]第一狀態(tài)寫(xiě)入步驟SI:向閃存單元陣列中的每個(gè)存儲(chǔ)單元的兩位數(shù)據(jù)寫(xiě)入第一邏輯狀態(tài)組合；具體地，所述第一邏輯狀態(tài)組合為“ 10”或者“01”。
[0023]第一測(cè)試步驟S2:執(zhí)行讀取操作，其中向閃存單元陣列的每個(gè)存儲(chǔ)單元中的不被讀取的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的控制柵極施加逐漸加大的測(cè)試電壓，同時(shí)對(duì)寫(xiě)入了所述第一邏輯狀態(tài)組合的每個(gè)存儲(chǔ)單元中的被讀取的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位進(jìn)行讀取，從而確定每個(gè)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)讀取都正確的狀態(tài)下的最小測(cè)試電壓；
[0024]第二狀態(tài)寫(xiě)入步驟S3:向閃存單元陣列中的每個(gè)存儲(chǔ)單元的兩位數(shù)據(jù)寫(xiě)入與所述第一邏輯狀態(tài)組合相反的第二邏輯狀態(tài)組合；
[0025]具體地，在所述第一邏輯狀態(tài)組合為“ 10”時(shí)，所述第二邏輯狀態(tài)組合為“01” ;在所述第一邏輯狀態(tài)組合為“01”時(shí)，所述第二邏輯狀態(tài)組合為“ 10” ；。
[0026]第二測(cè)試步驟S4:在向閃存單元陣列的每個(gè)存儲(chǔ)單元中的不被讀取的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的控制柵極施加所述最小測(cè)試電壓的情況下讀取經(jīng)過(guò)寫(xiě)入了所述第二邏輯狀態(tài)組合的每個(gè)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)，