減少eeprom的擦寫次數(shù)的方法及裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于信息技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及減少EEPROM的擦寫次數(shù)的方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦除可編程只讀存儲器)主要用來存儲用戶的重要數(shù)據(jù)。在一些設(shè)備不慎斷電后，用戶往往希望設(shè)備能存儲斷電前的數(shù)據(jù)，而EEPROM正是能實現(xiàn)這項功能的重要芯片。
[0003]EEPROM可用擦寫次數(shù)是有限的，一般是10萬次左右。假設(shè)每天對EEPROM進行10次擦寫操作，則EEPROM的壽命是3年多?，F(xiàn)有的對EEPROM進行擦除和寫入的方式主要有兩種:第一種方式是每隔預設(shè)時間對EEPROM進行擦寫操作；第二種方式是在存儲數(shù)據(jù)發(fā)生變化時對EEPROM進行擦寫操作。在第一種方式中，EEPROM的可用擦寫次數(shù)將很快被用完；在第二種方式中，EEPROM的壽命取決于用戶對設(shè)備的操作次數(shù)。
[0004]綜上，現(xiàn)有技術(shù)對EEPROM的擦寫操作較頻繁，導致EEPROM的壽命較短。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種減少EEPROM的擦寫次數(shù)的方法及裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)對EEPROM的擦寫操作較頻繁，導致EEPROM的壽命較短的問題。
[0006]第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種減少EEPROM的擦寫次數(shù)的方法，包括:
[0007]獲取電容充放電電路的充放電狀態(tài)；
[0008]當所述電容充放電電路處于放電狀態(tài)時，對電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM執(zhí)行擦寫操作。
[0009]第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種減少EEPROM的擦寫次數(shù)的裝置，包括:
[0010]充放電狀態(tài)獲取單元，用于獲取電容充放電電路的充放電狀態(tài)；
[0011]擦寫單元，用于當所述電容充放電電路處于放電狀態(tài)時，對電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM執(zhí)行擦寫操作。
[0012]本發(fā)明實施例與現(xiàn)有技術(shù)相比存在的有益效果是:本發(fā)明實施例通過設(shè)置電容充放電電路，并持續(xù)獲取電容充放電電路的充放電狀態(tài)，當電容充放電電路處于放電狀態(tài)時，對EEPROM執(zhí)行擦寫操作，由此僅在發(fā)生斷電時才對EEPROM執(zhí)行擦寫操作，大大減少了EEPROM的擦寫次數(shù)，從而延長了 EEPROM的壽命。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1是本發(fā)明實施例提供的減少EEPROM的擦寫次數(shù)的方法的實現(xiàn)流程圖；
[0015]圖2是本發(fā)明另一實施例提供的減少EEPROM的擦寫次數(shù)的方法的實現(xiàn)流程圖；
[0016]圖3是本發(fā)明實施例提供的減少EEPROM的擦寫次數(shù)的裝置的結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實施方式】
[0017]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0018]圖1示出了本發(fā)明實施例提供的減少EEPROM的擦寫次數(shù)的方法的實現(xiàn)流程圖，參照圖1:
[0019]在步驟S101中，獲取電容充放電電路的充放電狀態(tài)；
[0020]在步驟S102中，當電容充放電電路處于放電狀態(tài)時，對電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM執(zhí)行擦寫操作。
[0021]在本發(fā)明實施例中，MCU(Microcontroller Unit，微控制單元)獲取電容充放電電路的充放電狀態(tài)。電容充放電電路的充放電狀態(tài)包括充電狀態(tài)和放電狀態(tài)。在設(shè)備斷電前，電容充放電電路處于充電狀態(tài)，當設(shè)備發(fā)生斷電時，電容充放電電路由充電狀態(tài)轉(zhuǎn)為放電狀態(tài)。當電容充放電電路由充電狀態(tài)轉(zhuǎn)為放電狀態(tài)時，MCU對EEPROM執(zhí)行擦寫操作，以在電容放電的時間段內(nèi)對EEPROM中發(fā)生改變的數(shù)據(jù)進行存儲。
[0022]優(yōu)選地，在所述獲取電容充放電電路的充放電狀態(tài)之前，所述方法還包括:
[0023]設(shè)置與第一引腳連接的電容充放電電路。
[0024]在本發(fā)明實施例中，設(shè)置電容充放電電路，電容充放電電路通過第一引腳與MCU連接，MCU通過第二引腳與EEPROM連接。
[0025]優(yōu)選地，所述獲取電容充放電電路的充放電狀態(tài)具體為:
[0026]通過第一引腳獲取電容充放電電路的充放電狀態(tài)。
[0027]在本發(fā)明實施例中，MCU通過第一引腳獲取電容充放電電路的充放電狀態(tài)，并在電容充放電電路處于放電狀態(tài)時，對EEPROM執(zhí)行擦寫操作。
[0028]可選地，所述獲取電容充放電電路的充放電狀態(tài)包括:
[0029]若第一引腳輸出高電平，則判定電容充放電電路處于充電狀態(tài)；
[0030]若第一引腳輸出低電平，則判定電容充放電電路處于放電狀態(tài)。
[0031]作為本發(fā)明的一個實施例，當電容充放電電路處于充電狀態(tài)時，第一引腳輸出高電平；當電容充放電電路處于放電狀態(tài)時，第一引腳輸出低電平。在本發(fā)明實施例中，設(shè)置第一引腳為低電平有效，即當?shù)谝灰_輸出低電平時，觸發(fā)MCU對EEPROM執(zhí)行擦寫操作。
[0032]圖2示出了本發(fā)明另一實施例提供的減少EEPROM的擦寫次數(shù)的方法的實現(xiàn)流程圖，參照圖2:
[0033]在步驟S201中，設(shè)置與第一引腳連接的電容充放電電路；
[0034]在步驟S202中，通過第一引腳獲取電容充放電電路的充放電狀態(tài)；
[0035]在步驟S203中，判斷第一引腳是否輸出低電平，若是，執(zhí)行步驟S204 ;若否，執(zhí)行步驟S205 ；
[0036]在步驟S204中，判定電容充放電電路處于放電狀態(tài)，并對EEPROM執(zhí)行擦寫操作；
[0037]在步驟S205中，判定電容充放電電路處于充電狀態(tài)。
[0038]應(yīng)理解，在本發(fā)明實施例中，上述各過程的序號的大小并不意味著執(zhí)行順序的先后，各過程的執(zhí)行順序應(yīng)以其功能和內(nèi)在邏輯確定，而不應(yīng)對本發(fā)明實施例的實施過程構(gòu)成任何限定。
[0039]本發(fā)明實施例通過設(shè)置電容充放電電路，并持續(xù)獲取電容充放電電路的充放電狀態(tài)，當電容充放電電路處于放電狀態(tài)時，對EEPROM執(zhí)行擦寫操作，由此僅在發(fā)生斷電時才對EEPROM執(zhí)行擦寫操作，大大減少了 EEPROM的擦寫次數(shù)，從而延長了 EEPROM的壽命。