磁盤裝置、前置放大器以及控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請(qǐng)享受W日本特許出愿2014-158031號(hào)（申請(qǐng)日：2014年8月1日）為在先 申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過參照該在先申請(qǐng)而包含其全部?jī)?nèi)容。
[0002] 本發(fā)明的實(shí)施方式設(shè)及磁盤裝置、前置放大器W及控制方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 近年來，作為能夠進(jìn)行高密度磁記錄的技術(shù)，熱輔助記錄方式受到矚目。熱輔助記 錄方式中，用光照射元件（近場(chǎng)光元件）將在光源（激光二極管）產(chǎn)生的激光轉(zhuǎn)換成近場(chǎng) 光而向磁盤的記錄層的一部分照射，局部地提高磁盤的溫度。而且，用磁場(chǎng)產(chǎn)生元件向溫度 上升了的部分附加磁場(chǎng)而對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行磁記錄。希望提高W熱輔助記錄方式記錄的數(shù)據(jù)的可 靠性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的實(shí)施方式提供例如能夠提高數(shù)據(jù)的可靠性的磁盤裝置、前置放大器W及 控制方法。 陽(yáng)0化]根據(jù)1個(gè)實(shí)施方式，提供具有光源、光照射元件和控制部的磁盤裝置。光源與驅(qū)動(dòng) 信號(hào)相應(yīng)地發(fā)光。光照射元件接受來自光源的光并向磁盤照射光?？刂撇浚谙虼疟P記錄 寫入數(shù)據(jù)的高頻圖案時(shí)，將驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的有效電平維持為基準(zhǔn)電平。有效電平是有助于光 源的發(fā)光的電平?？刂撇吭谙虼疟P記錄寫入數(shù)據(jù)的低頻圖案時(shí)，使驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的有效電平 從基準(zhǔn)電平階梯性地降低。
【附圖說明】
[0006] 圖1是表示第1實(shí)施方式所設(shè)及的磁盤裝置的構(gòu)成的圖。
[0007] 圖2是表示與第1實(shí)施方式中的RDC相關(guān)聯(lián)的構(gòu)成的圖。
[0008] 圖3是表示第1實(shí)施方式中的RDCW及前置放大器的構(gòu)成的圖。
[0009] 圖4是表示第1實(shí)施方式所設(shè)及的磁盤裝置的工作的波形圖。
[0010] 圖5是表示第1實(shí)施方式所設(shè)及的磁盤裝置的工作的波形圖。
[0011] 圖6是表示第1實(shí)施方式中的再現(xiàn)信號(hào)品質(zhì)與振幅設(shè)定值的關(guān)系的圖。
[0012] 圖7是表示第1實(shí)施方式所設(shè)及的磁盤裝置的工作的波形圖。
[0013] 圖8是表示第1實(shí)施方式中的再現(xiàn)信號(hào)品質(zhì)與衰減率設(shè)定值的關(guān)系的圖。
[0014] 圖9是表示第1實(shí)施方式的變形例所設(shè)及的磁盤裝置的工作的波形圖。
[0015] 圖10是表示第2實(shí)施方式所設(shè)及的磁盤裝置的工作的波形圖。
[0016] 圖11是表示第2實(shí)施方式所設(shè)及的磁盤裝置的工作的波形圖。
[0017] 圖12是表示第3實(shí)施方式所設(shè)及的磁盤裝置的工作的波形圖。
[0018] 圖13是表示第4實(shí)施方式中的RDCW及前置放大器的構(gòu)成的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019] W下參照附圖對(duì)實(shí)施方式所設(shè)及的磁盤裝置進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，本發(fā)明并不由 運(yùn)些實(shí)施方式限定。
[0020] (第1實(shí)施方式）
[0021] 使用圖1W及圖2對(duì)第1實(shí)施方式所設(shè)及的磁盤裝置100的概要進(jìn)行說明。圖1 是表示實(shí)施方式所設(shè)及的磁盤裝置的構(gòu)成的圖。圖2是表示與由實(shí)施方式所設(shè)及的磁盤裝 置所進(jìn)行的數(shù)據(jù)記錄相關(guān)聯(lián)的構(gòu)成的圖。
[0022] 磁盤50是記錄各種信息的記錄介質(zhì)，由主軸電動(dòng)機(jī)103驅(qū)動(dòng)而旋轉(zhuǎn)。磁盤50具 有例如W主軸電動(dòng)機(jī)103的旋轉(zhuǎn)中屯、附近為中屯、的同屯、圓狀的多個(gè)磁道。
[0023] 向磁盤50的讀寫由在臂107的頂端的磁頭滑塊104設(shè)置的磁頭5進(jìn)行。磁頭5 包含記錄頭5wW及再現(xiàn)頭5r。
[0024] 磁頭5-邊利用由磁盤50的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的升力而維持從磁盤50的表面稍稍懸浮的 狀態(tài)，一邊在磁道下行方向上相對(duì)于磁盤50的表面相對(duì)移動(dòng)。記錄頭5w用后述的磁場(chǎng)產(chǎn) 生元件5d在磁盤50記錄信息。
[00巧]此時(shí)，如圖2所示，記錄頭5w中按照熱輔助記錄方式，通過波導(dǎo)化將在光源（例 如，LD:激光二極管）5a產(chǎn)生的激光向近場(chǎng)光元件（光照射元件）5c引導(dǎo)。激光在近場(chǎng)光元 件5c轉(zhuǎn)換成近場(chǎng)光而向磁盤50的表面的一部分照射。記錄頭5w，用磁場(chǎng)產(chǎn)生元件5d向溫 度通過來自近場(chǎng)光元件5c的近場(chǎng)光而局部地上升了的磁盤50的部分施加磁場(chǎng)而對(duì)信息進(jìn) 行磁記錄。例如，磁場(chǎng)產(chǎn)生元件5d-邊根據(jù)應(yīng)寫入的數(shù)據(jù)的位值是1還是0而使磁場(chǎng)的方 向反向一邊將數(shù)據(jù)寫入磁盤50。目P，記錄頭5w相對(duì)于磁盤50用在熱輔助記錄方式的寫入 工作中。另外，光源5a如果構(gòu)成為能夠經(jīng)由波導(dǎo)化向近場(chǎng)光元件（光照射元件）5c供給 激光，則也可W設(shè)置于磁頭5的外部。再現(xiàn)頭5r用磁阻元件5e讀出被記錄于磁盤50的信 息。目P，再現(xiàn)頭5r在對(duì)于磁盤50的讀取工作中使用。
[00%] 通過在圖1所示的臂107的另一端設(shè)置的音圈電動(dòng)機(jī)102,臂107在W軸108為中 屯、的圓弧上轉(zhuǎn)動(dòng)。由此，記錄頭5wW及再現(xiàn)頭Sr在磁盤50的磁道橫跨方向上尋道移動(dòng)， 被定位于讀寫對(duì)象的磁道。磁盤50、磁頭5、音圈電動(dòng)機(jī)102、主軸電動(dòng)機(jī)103被收納于殼體 101。
[0027] 另外，磁盤裝置100具有磁記錄控制部120。磁記錄控制部120具有磁頭控制部 (前置放大器）123、功率控制部121、讀寫通道（RDC) 124、硬盤控制部（皿0122W及存儲(chǔ)部 125。磁頭控制部123具有寫入電流控制部123a、再現(xiàn)信號(hào)檢測(cè)部123bW及熱輔助控制部 123c。功率控制部121具有主軸電動(dòng)機(jī)控制部121aW及音圈電動(dòng)機(jī)控制部12化。存儲(chǔ)部 125例如包括非易失性存儲(chǔ)器（ROM、閃存、化RAM、MRAM、ReRAM、PRAM等）。 陽(yáng)02引皿C122,與從主機(jī)服經(jīng)由主機(jī)I/F122a接受的命令化及/或者數(shù)據(jù)1相應(yīng)地，生 成預(yù)定的命令W及/或者數(shù)據(jù)51而向RDC124輸出。RDC124進(jìn)行與所輸入的預(yù)定的命令 W及/或者數(shù)據(jù)51相應(yīng)的控制。例如，RDC124,在接受了寫入命令的情況下，生成應(yīng)向磁盤 50寫入的數(shù)據(jù)(p54而向前置放大器123輸出。
[0029] 存儲(chǔ)部125存儲(chǔ)設(shè)定參數(shù)群125a。設(shè)定參數(shù)群125a包含成為應(yīng)在后述的參數(shù)調(diào) 整中使用的候補(bǔ)的多個(gè)參數(shù)。
[0030] 如圖3所示，畑C124具有時(shí)鐘生成電路157、數(shù)據(jù)生成電路135、基準(zhǔn)脈沖生成電 路136、第I延遲電路140W及第2延遲電路142。圖3是表示畑C124W及前置放大器123 的構(gòu)成的圖。時(shí)鐘生成電路157產(chǎn)生寫入時(shí)鐘（WriteClock) 而向數(shù)據(jù)生成電路135 W及基準(zhǔn)脈沖生成電路136供給。數(shù)據(jù)生成電路135,與寫入時(shí)鐘同步地，與命令W及 /或者數(shù)據(jù)51相應(yīng)地生成應(yīng)向磁盤50寫入的寫入數(shù)據(jù)（Writedata)(P度4,數(shù)據(jù)生成電路 135用第1延遲電路140使所生成的寫入數(shù)據(jù)(|)54延遲地向前置放大器123供給?；鶞?zhǔn)脈 沖生成電路136,與寫入時(shí)鐘同步地生成基準(zhǔn)脈沖聲20化，基準(zhǔn)脈沖(|):200是成為前 置放大器123生成光源（LD) 5a的驅(qū)動(dòng)電流(p58時(shí)的基準(zhǔn)的脈沖，是規(guī)定應(yīng)在高電平與低 電平之間躍遷的定時(shí)的脈沖?；鶞?zhǔn)脈沖Cp:2:〇0具有一定的振幅W及一定的周期?；鶞?zhǔn)脈沖 生成電路136例如能夠生成寫入時(shí)鐘(p62而作為基準(zhǔn)脈沖聲200?；鶞?zhǔn)脈沖生成電路136 用第2延遲電路142使所生成的基準(zhǔn)脈沖帶200延遲地向前置放大器123供給。
[0031] 在熱輔助記錄方式中，有時(shí)用對(duì)光源（LD) 5a脈沖驅(qū)動(dòng)而產(chǎn)生的近場(chǎng)光對(duì)磁盤50 進(jìn)行加熱，對(duì)來自磁場(chǎng)產(chǎn)生元件5d的磁場(chǎng)進(jìn)行調(diào)制，從而進(jìn)行向磁盤50記錄信息的控制。 此時(shí)，考慮假設(shè)W磁盤50的記錄溫度（WriteTemperature)變?yōu)橐欢ǖ姆绞竭M(jìn)行控制的情 況。 陽(yáng)03引在該情況下，前置放大器123接受與寫入時(shí)鐘tp給同步的基準(zhǔn)脈沖921)0。前 置放大器123通過將與基準(zhǔn)脈沖巧20§相對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)（LD脈沖信號(hào)）958向光源 (LD) 5a供給從而對(duì)光源（LD) 5a進(jìn)行脈沖驅(qū)動(dòng)。此時(shí)，進(jìn)行W磁盤50的記錄溫度（Write Temperature)變?yōu)橐欢ǖ姆绞竭M(jìn)行控制，寫入數(shù)據(jù){p54被記錄于磁盤50。
[0033] 但是，在運(yùn)樣的使用了光源（LD)5a的脈沖驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)記錄中，有時(shí)與寫入數(shù)據(jù) (p54的圖案相應(yīng)地，各記錄位的適當(dāng)?shù)挠涗洔囟炔煌Ｒ虼?，如果W磁盤50的記錄溫度變 為一定的方式進(jìn)行，則再現(xiàn)信號(hào)品質(zhì)有可能劣化。
[0034] 例如，寫入數(shù)據(jù)中包含高頻圖案HFP W及低頻圖案LFP(參照?qǐng)D4)。高頻圖 案HFP是包含預(yù)定的周期（例如，1個(gè)位周期1T)的量的極性剛反向后的同極性的位的圖 案。低頻圖案LFP是相繼于高頻圖案HFP的圖案。目P，低頻圖案LFP是從極性反向起同極 性的位持續(xù)預(yù)定周期（例如，1個(gè)位周期1T)后同極性的位持續(xù)的圖案。在低頻圖案LFP的 記錄中，具有隨著從緊前的位BO變?yōu)樵诤蟮奈籅l~B4,適當(dāng)?shù)挠涗洔囟茸兊偷膬A向。
[0035]例如，在用"位標(biāo)識(shí)符（位值）"表示的情況下，考慮位B30 (0)、位BO(1)、位Bl(1)、 位B2(l)、位B3(l)、位B4(l)依次排列的位圖案。在該位圖案中，位BO(I)與高頻圖案HFP 相對(duì)應(yīng)，位Bl(I)~位B4(l)與低頻圖案LFP相對(duì)應(yīng)。在記錄溫度相對(duì)于高頻圖案W及低 頻圖案一定的情況下（圖4D中用虛線表示的情況下），在高頻圖案HFP的記錄中，位BO的 記錄溫度得到適當(dāng)化。另一方面，在低頻圖案LFP的記錄中，在各位Bl~B4中記錄溫度未 適當(dāng)化。因此，與寫入數(shù)據(jù)(p54相對(duì)應(yīng)的再現(xiàn)數(shù)據(jù)(P巧的波形化ea