存儲(chǔ)器的測(cè)試裝置和測(cè)試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電學(xué)領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲(chǔ)器的測(cè)試裝置和測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在對(duì)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static RAM, SRAM)進(jìn)行讀取時(shí)，SRAM的存儲(chǔ)單元能夠提供的電流大小表征了對(duì)這個(gè)存儲(chǔ)單元的讀取的難易程度。SRAM的存儲(chǔ)單元能夠提供的電流越大，則讀取成功的可能性越高，反之讀取就越容易失敗。
[0003]在SRAM的測(cè)試電路中，測(cè)試存儲(chǔ)單元的電流大小并對(duì)存儲(chǔ)單元的電流大小做出統(tǒng)計(jì)，能夠幫助SRAM芯片的設(shè)計(jì)者和生產(chǎn)者快速判斷工藝制程的好壞，進(jìn)而對(duì)生產(chǎn)工藝或設(shè)計(jì)做出改進(jìn).
[0004]現(xiàn)今，專用集成電路(Applicat1nSpecific Integrated Circuit, ASIC)設(shè)計(jì)中SRAM的容量以兆比特計(jì)，即一顆SRAM芯片中可能存在幾百甚至上千萬的存儲(chǔ)單元。由于外部測(cè)試設(shè)備速度較慢，利用外部設(shè)備對(duì)所有存儲(chǔ)單元的電流進(jìn)行測(cè)試并做出統(tǒng)計(jì)將耗費(fèi)相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間，效率極低，且不具有實(shí)際可行性。而如果隨機(jī)挑選若干存儲(chǔ)單元進(jìn)行測(cè)試，則統(tǒng)計(jì)的結(jié)果將存在很大的誤差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有存儲(chǔ)器的測(cè)試方法效率較低或誤差較大。
[0006]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器的測(cè)試裝置，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)單元和與所述存儲(chǔ)單元連接的位線，所述存儲(chǔ)器的測(cè)試裝置還包括:比較單元，所述比較單元和位線一一對(duì)應(yīng)連接，所述比較單元包括至少兩個(gè)電壓比較器，所述電壓比較器的第一輸入端連接位線，所述電壓比較器的第二輸入端適于輸入基準(zhǔn)電壓，位于同一個(gè)比較單元中的電壓比較器的第二輸入端輸入的基準(zhǔn)電壓值不相同。
[0007]可選的，所述電壓比較器為電壓感應(yīng)放大器。
[0008]可選的，所述存儲(chǔ)器的測(cè)試裝置還包括:編碼器，所述編碼器與所述比較單元一一對(duì)應(yīng)連接，所述比較單元中的電壓比較器的輸出端連接所述編碼器的輸入端。
[0009]可選的，所述比較單元的數(shù)量為至少兩個(gè)，所述至少兩個(gè)比較單元的結(jié)構(gòu)相同。
[0010]本發(fā)明還提供一種存儲(chǔ)器的測(cè)試方法，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)單元和與所述存儲(chǔ)單元連接的位線，所述存儲(chǔ)器的測(cè)試方法包括:
[0011]激活需測(cè)試的存儲(chǔ)單元，同一次激活的存儲(chǔ)單元連接不同的位線；
[0012]存儲(chǔ)單元被激活后，獲得被激活的存儲(chǔ)單元在預(yù)定時(shí)刻對(duì)應(yīng)的第一數(shù)字編碼，所述第一數(shù)字編碼表征在預(yù)定時(shí)刻所述被激活的存儲(chǔ)單元連接的位線上的電壓值與至少兩個(gè)基準(zhǔn)電壓值的比較結(jié)果，所述至少兩個(gè)基準(zhǔn)電壓值不相同；
[0013]測(cè)量與不同的第一數(shù)字編碼對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元連接的位線上的電流值以獲得存儲(chǔ)單兀和電流值的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
[0014]可選的，所述存儲(chǔ)器的測(cè)試方法還包括:將第一數(shù)字編碼轉(zhuǎn)換為第二數(shù)字編碼，所述第二數(shù)字編碼的位數(shù)小于第一數(shù)字編碼。
[0015]可選的，所述存儲(chǔ)器的測(cè)試方法還包括:基于所述存儲(chǔ)單元和電流值的對(duì)應(yīng)關(guān)系計(jì)算全部需測(cè)試的存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的電流值的平均值及方差。
[0016]可選的，所述存儲(chǔ)器的測(cè)試方法還包括:基于所述存儲(chǔ)單元和電流值的對(duì)應(yīng)關(guān)系獲得不同電流值對(duì)應(yīng)的需測(cè)試的存儲(chǔ)單元數(shù)量。
[0017]可選的，獲得全部需測(cè)試的存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的第一數(shù)字編碼之后，執(zhí)行所述測(cè)量與不同的第一數(shù)字編碼對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元連接的位線上的電流值以獲得存儲(chǔ)單元和電流值的對(duì)應(yīng)關(guān)系的步驟。
[0018]可選的，所述需測(cè)試的存儲(chǔ)單元分多次進(jìn)行激活，在第一次激活并獲得第一數(shù)字編碼之后，或者在激活并獲得的第一數(shù)字編碼與前一次激活并獲得的第一數(shù)字編碼不相同時(shí)，執(zhí)行所述測(cè)量與不同的第一數(shù)字編碼對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元連接的位線上的電流值以獲得存儲(chǔ)單兀和電流值的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案對(duì)數(shù)量較多的存儲(chǔ)單元進(jìn)行測(cè)試，并且無需執(zhí)行較多次數(shù)的測(cè)量操作，從而降低了測(cè)量的誤差，效率也較高。
【附圖說明】
[0020]圖1是本發(fā)明存儲(chǔ)器的測(cè)試裝置的一結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2是本發(fā)明存儲(chǔ)器的測(cè)試裝置的另一結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3是本發(fā)明存儲(chǔ)器的測(cè)試裝置的又一結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4是本發(fā)明存儲(chǔ)器的測(cè)試方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。
[0025]本發(fā)明實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器的測(cè)試裝置，所述存儲(chǔ)器包括:存儲(chǔ)單元和與所述存儲(chǔ)單元連接的位線，所述存儲(chǔ)器的測(cè)試裝置還包括:比較單元，所述比較單元和位線一一對(duì)應(yīng)連接，所述比較單元包括至少兩個(gè)電壓比較器，所述電壓比較器的第一輸入端連接位線，所述電壓比較器的第二輸入端適于輸入基準(zhǔn)電壓，位于同一個(gè)比較單元中的電壓比較器的第二輸入端輸入的基準(zhǔn)電壓值不相同。在同一個(gè)比較單元中的電壓比較器的使能信號(hào)端可以接收同一個(gè)使能信號(hào)，即同一個(gè)比較單元中的電壓比較器同時(shí)工作或同時(shí)停止工作。
[0026]如圖1所示，存儲(chǔ)器包括位線BL，所述存儲(chǔ)器的測(cè)試裝置包括與位線BL對(duì)應(yīng)連接的比較單元1，比較單元1包括η個(gè)電壓比較器。所述η個(gè)電壓比較器的第一輸入端均連接與比較單元1連接的位線BL，第二輸入端分別輸入電壓值不同的基準(zhǔn)電壓。所述存儲(chǔ)器的測(cè)試裝置還可以包括電容C，所述電容C的第一端連接位線BL，第二端接地。所述電壓比較器可以為電壓感應(yīng)放大器。
[0027]具體的，所述η個(gè)電壓比較器包括:第1個(gè)電壓比較器SA1、第2個(gè)電壓比較器SA2、第3個(gè)電壓比較器SA3...第η個(gè)電壓比較器SAn。
[0028]第1個(gè)電壓比較器SA1的第一輸入端連接位線BL,第二輸入端適于輸入第1個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF1 ;第2個(gè)電壓比較器SA2的第一輸入端連接位線BL,第二輸入端適于輸入第2個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF2 ;第3個(gè)電壓比較器SA3的第一輸入端連接位線BL,第二輸入端適于輸入第3個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF3 ；……第η個(gè)電壓比較器SAn的第一輸入端連接位線BL，第二輸入端適于輸入第η個(gè)基準(zhǔn)電壓VREFn。其中，第1個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF1、第2個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF2、第3個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF3……第η個(gè)基準(zhǔn)電壓VREFn的電壓值均不相同。
[0029]電壓比較器可以根據(jù)位線BL上的電壓值和基準(zhǔn)電壓值之間的比較結(jié)果輸出數(shù)字編碼0或1。例如，位線BL上的電壓值大于基準(zhǔn)電壓值時(shí)輸出數(shù)字編碼1，位線BL上的電壓值小于基準(zhǔn)電壓值時(shí)輸出數(shù)字編碼0。第1個(gè)電壓比較器SA1輸出數(shù)字編碼D1、第2個(gè)電壓比較器SA2輸出數(shù)字編碼D2、第3個(gè)電壓比較器SA3輸出數(shù)字編碼D3…第η個(gè)電壓比較器SAn輸出數(shù)字編碼Dn。由于第1個(gè)電壓比較器SA1至第η個(gè)電壓比較器SAn輸入的基準(zhǔn)電壓值不相同，所以，輸出的數(shù)字編碼D1至Dn可能會(huì)有所不同，每個(gè)數(shù)字編碼代表位線BL上的電壓值與一個(gè)基準(zhǔn)電壓值的比較結(jié)果。
[0030]在比較單元1中，η個(gè)電壓比較器可以按照預(yù)定順序進(jìn)行排列，所述預(yù)定順序與輸入所述電壓比較器的基準(zhǔn)電壓值相關(guān)。假設(shè)，第1個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF1至第η個(gè)基準(zhǔn)電壓VREFn的電壓值逐漸增大，即第1個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF1的電壓值最小，第η個(gè)基準(zhǔn)電壓VREFn的電壓值最大，則電壓比較器可以按照輸入的基準(zhǔn)電壓值大小進(jìn)行排序，輸入第1個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF1的電壓比較器SA1排在第1位，輸入第2個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF2的電壓比較器SA2排在第2位，輸入第3個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF3的電壓比較器SA3排在第3位……輸入第η個(gè)基準(zhǔn)電壓VREFn的電壓比較器SAn排在第η位。第1個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF1至第η個(gè)基準(zhǔn)電壓VREFn的電壓值可以為等差數(shù)列。
[0031]存儲(chǔ)器可以包括多個(gè)位線和與其一一對(duì)應(yīng)的比較單元。例如，如圖2所示，存儲(chǔ)器包括呈2行3列排布的6個(gè)存儲(chǔ)單元和3條位線。其中，存儲(chǔ)單元11和存儲(chǔ)單元21連接第1條位線BL1，存儲(chǔ)單元12和存儲(chǔ)單元22連接第2條位線BL2，存儲(chǔ)單元13和存儲(chǔ)單元23連接第3條位線BL3。與該存儲(chǔ)器相對(duì)應(yīng)的，所述存儲(chǔ)器的測(cè)試裝置包括:與第1條位線BL1連