存儲器拼片存取和選擇模式的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實施例總體上涉及集成電路且更具體來說涉及例如存儲器裝置的集成電路的存儲器拼片存取和選擇模式。
【背景技術(shù)】
[0002]存在許多不同類型的存儲器，包含隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)、同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDRAM)、電阻性存儲器和快閃存儲器等等。電阻性存儲器的類型包含相變存儲器、可編程導(dǎo)體存儲器和電阻性隨機(jī)存取存儲器(RRAM)等等。存儲器裝置用作需要高存儲器密度、高可靠性和無電力時的數(shù)據(jù)保持能力的多種多樣的電子應(yīng)用的非易失性存儲器。非易失性存儲器可以用于例如個人計算機(jī)、便攜式存儲棒、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)、數(shù)碼相機(jī)、蜂窩電話、便攜式音樂播放器例如MP3播放器、影片播放器和其它電子裝置。不同電阻性存儲器裝置可包含組織成交叉點架構(gòu)的單元陣列。在此類架構(gòu)中，存儲器單元可包含單元堆疊，其包括存儲組件，例如相變元件，所述存儲組件與選擇裝置串聯(lián)在一對導(dǎo)電線之間(例如存取線與數(shù)據(jù)/感測線之間)，所述選擇裝置例如是切換元件，例如雙向閾值切換器(0TS)或二極管。存儲器單元位于例如字線和位線的兩條導(dǎo)電線的交叉點處，并且可以經(jīng)由對其施加適當(dāng)電壓而被“選擇”。
【附圖說明】
[0003]說明書的結(jié)尾部分具體指出并且明確要求所要求的主題。然而，關(guān)于組織和/或操作方法以及其對象、特征和/或優(yōu)點兩方面，可以通過在與隨附圖式一起閱讀時參考以下詳細(xì)說明來被最佳地了解，在這些隨附圖式中:
[0004]圖1是描繪存儲器拼片的實例存儲器陣列的一部分的透視圖的圖示。
[0005]圖2是描繪用于在實例存儲器陣列的邊緣將字線和位線連接到其驅(qū)動器的套接區(qū)域的圖示。
[0006]圖3是描繪實例存儲器裝置的框圖的圖示。
[0007]圖4是描繪用于選擇存儲器陣列的存儲器位置的實例過程的圖示。
[0008]圖5是描繪用于選擇存儲器陣列的存儲器位置的另一實例過程的圖示。
[0009]圖6是描繪用于根據(jù)存取模式選擇存儲器陣列的存儲器位置的過程的圖示。
[0010]圖7是描繪用于選擇和存取存儲器拼片的存儲器位置的實例存取模式的圖示。
[0011]圖8是描繪用于將地址從一個地址空間轉(zhuǎn)換到另一地址空間的拼片映射器或定序器800的圖不。
[0012]以下詳細(xì)描述中參考附圖，附圖形成詳細(xì)描述的一部分，其中通篇中相同數(shù)字可以標(biāo)明相同部分以指示對應(yīng)或類似元件。應(yīng)了解，為圖示簡單和/或清晰起見，圖中說明的元件未必按比例繪制。舉例來說，為清楚起見，可相對于其它元件夸大一些元件的尺寸。此夕卜，應(yīng)理解可以利用其它實施例。此外，在不脫離所要求的主題的范圍的情況下，可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)性和/或邏輯改變。還應(yīng)當(dāng)指出，方向和/或參考(例如上、下、頂部、底部等)可以用于便于論述圖式，并且并不希望限制所要求的主題的應(yīng)用。因此，以下詳細(xì)描述并不應(yīng)理解為限制所要求的主題和/或等效物的范圍。
【具體實施方式】
[0013]在以下詳細(xì)描述中，闡述眾多具體細(xì)節(jié)以提供對所要求的主題的透徹理解。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，可在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實踐所要求的主題。在其它情況下，未詳細(xì)描述所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員已知的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)以便不會混淆所要求的主題。
[0014]
[0015]存儲器裝置可以利用包括交叉點陣列的存儲器拼片來高效地存儲和檢索數(shù)據(jù)。這些存儲器裝置可包含多個存儲器拼片，其中一個包括多個存儲組件(例如數(shù)千個存儲組件)的存儲器拼片陣列布置成陣列結(jié)構(gòu)。每一存儲器拼片可以包含交叉點陣列并且由一組地址限定，其中一個地址唯一地識別存儲器拼片的一個存儲組件。通過施加電壓到對應(yīng)于各個存儲組件的數(shù)字線導(dǎo)體和存取線導(dǎo)體，可以從存儲器拼片中選擇存儲器拼片的存儲組件。接著可以通過與存儲組件相關(guān)聯(lián)的存取電路來存取所選的存儲組件。
[0016]令人遺憾的是，存儲器拼片中的許多交叉點陣列會遭受干擾效應(yīng)。干擾效應(yīng)可以包含一些效應(yīng)，其中選擇和/或存取交叉點陣列的一個存儲組件，會不利地影響存儲器裝置在后續(xù)時間周期或存取事件內(nèi)成功地選擇和/或存取相同交叉點陣列的存儲組件的能力。舉例來說，當(dāng)交叉點陣列的存儲組件部分地由硫族化合物形成時，交叉點陣列可能展現(xiàn)出閾值恢復(fù)效應(yīng)，使得選擇一個交叉點陣列的存儲組件，會阻礙選擇連接到相同交叉點陣列的相同數(shù)字或存取線導(dǎo)體的存儲組件，直到存儲組件的閾值基本上恢復(fù)到初始閾值為止。先前選擇的存儲組件的狀態(tài)可能必須從選擇等級轉(zhuǎn)變成未選等級，并且先保持在未選狀態(tài)一段時間，然后才可以成功地選擇連接到相同數(shù)字或存取線導(dǎo)體的存儲組件。作為干擾效應(yīng)的另一實例，選擇一個交叉點陣列的存儲組件，可能會產(chǎn)生與相同交叉點陣列的在所選存儲組件或和/或數(shù)字或存取線導(dǎo)體的一段距離內(nèi)的其它存儲組件和/或數(shù)字或存取線導(dǎo)體的耦合效應(yīng)。耦合效應(yīng)可能導(dǎo)致不當(dāng)?shù)剡x擇存儲組件或不正確地存取存儲組件。作為干擾效應(yīng)的另一個實例，選擇存儲組件可能會引發(fā)溫度的局部臨時增加。這個溫度增加可能會影響一或多個存儲組件的適當(dāng)選擇和操作。
[0017]為了管理存儲器拼片的交叉點陣列中的干擾效應(yīng)，一些存儲器裝置選擇和存取一個存儲器拼片的一個存儲組件，并且接著移動到選擇和存取不同存儲器拼片的一個存儲組件。這些存儲器裝置繼續(xù)連續(xù)(例如，由于連續(xù)一或多個時鐘脈沖)選擇和存取多個不同存儲器拼片的一個存儲組件，直到最終返回到存取先前存取的存儲器拼片的存儲組件為止。然而，這種方法可能會限制存儲器裝置的效率和性能，這是因為從選擇和存取一個存儲器拼片轉(zhuǎn)變成選擇和存取下一個存儲器拼片，可能會造成開銷(例如，使用額外電路組件)和存儲器存取等待時間。此外，從選擇和存取一個存儲器拼片轉(zhuǎn)變成選擇和存取下一個存儲器拼片可能會消耗能量。
[0018]因此，在本發(fā)明的一些實施例中，提供能實現(xiàn)單個存儲器拼片內(nèi)的連續(xù)(例如，由于一或多個連續(xù)時鐘脈沖)選擇和存取的選擇和存取序列。選擇和存取序列有助于高性能存儲器裝置操作(例如，感測、復(fù)位脈沖、預(yù)調(diào)節(jié)脈沖等等)，方法是通過沿非鄰近模式(例如，比如對角線模式)給單個存儲器拼片的存儲組件的選擇和存取排序。所述選擇和存取序列可以選擇成能實現(xiàn)單個存儲器拼片的完整覆蓋，同時考慮到因為選擇和存取各個存儲組件而導(dǎo)致的干擾效應(yīng)。在干擾效應(yīng)導(dǎo)致的等待時間周期已經(jīng)過去之后，可以選擇單個存儲器拼片的鄰近位置。
[0019]在本公開的其它實施例中，公開了一種設(shè)備，例如存儲器裝置。所述設(shè)備包含多個存儲器拼片和選擇電路。每一存儲器拼片在多個數(shù)字線導(dǎo)體與多個存取線導(dǎo)體的交叉點處具有存儲組件陣列。所述選擇電路包含線路驅(qū)動器，其基于到存儲器拼片的存儲組件的對應(yīng)數(shù)字線導(dǎo)體和對應(yīng)存取線導(dǎo)體來選擇所述存儲組件。所述選擇電路可以先用連續(xù)方式選擇一個存儲器拼片的兩個或更多個存儲組件，然后選擇不同存儲器拼片的存儲組件。在一些實施方案中，可以與選擇所述存儲器拼片的兩個或更多個存儲組件并行地選擇不同存儲器拼片的存儲組件。
[0020]在本公開的另外的實施例中，一種例如存儲器裝置的設(shè)備包含控制器以及經(jīng)配置以存儲存儲器地址的存儲器。所述控制器根據(jù)與多個存儲器拼片的存儲組件的數(shù)字線導(dǎo)體和存取線導(dǎo)體相關(guān)聯(lián)的存儲器地址來切換多個切換裝置以選擇所述存儲組件。每一存儲器拼片在多個數(shù)字線導(dǎo)體和多個存取線導(dǎo)體的交叉點處具有唯一地可尋址的存儲組件的陣列。所述控制器至少部分地基于先前選擇的存儲器地址來確定要用多個切換裝置選擇的下一個存儲器地址，并且將所述下一個存儲器地址存儲在存儲器中。所述控制器可以先連續(xù)選擇一個存儲器拼片的兩個或更多個存儲組件，然后選擇不同存儲器拼片的存儲組件。
[0021]在本公開的另外其它實施例中，公開了一種操作存儲器裝置的方法。所述方法包含確定多個存儲器拼片中的一個存儲器拼片的存儲位置的存儲器地址。存儲器地址中的每一個具有對應(yīng)數(shù)字線導(dǎo)體和對應(yīng)存取線導(dǎo)體，并且每一存儲器拼片在多個數(shù)字線導(dǎo)體和多個存取線導(dǎo)體的交叉點處包含存儲組件陣列。此外，所述方法包含選擇到所述所確定的存儲位置的存儲器地址的對應(yīng)數(shù)字線導(dǎo)體和對應(yīng)存取線導(dǎo)體以存取存儲器拼片的存儲位置?？梢韵冗x擇一個存儲器拼片的至少兩個或更多個存儲組件，然后選擇不同存儲器拼片的存儲組件。
[0022]系統(tǒng)概沐
[0023]例如集成電路存儲器裝置的集成電路包含通常建構(gòu)在襯底上的多層材料。材料層包含導(dǎo)電金屬層，也被稱作金屬等級，其將電路裝置互連起來。集成電路中的金屬等級的細(xì)長導(dǎo)電線包含互連件以及電極，其充當(dāng)半導(dǎo)體裝置的電極(例如，用于尋址存儲器單元的存取線和數(shù)字線，其可包含切換器和/或存儲器存儲組件-存取線和數(shù)字線還可以被稱作字線和位線)。由相同豎直等級的一個層或多個層形成的導(dǎo)電線可以統(tǒng)稱為金屬等級，并且所述線可以稱為金屬線或?qū)Ь€，即使所述材料可能是由非金屬導(dǎo)體例如摻雜半導(dǎo)體層(例如，多晶硅)或金屬合金例如金屬氮化物、金屬碳化物和金屬硅化物形成時也是如此。形成于金屬等級之間的觸點可以被稱作豎直連接件。此類豎直連接件可以由它們連接的導(dǎo)電線分別形成，或者可以在雙重鑲嵌工藝中用上覆導(dǎo)電線同時形成。
[0024]本文中提高存