Dram的初始化方法及裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DynamicRandom Access Memory，DRAM)的初始化方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]移動操作系統(tǒng)啟動時(shí)，在其引導(dǎo)裝載(bootloader)的預(yù)裝載(preloader)階段，會根據(jù)配置文件來初始化內(nèi)存的容量大小，并將初始化好的地址空間通過傳參方式傳給小內(nèi)核(Little Kernel，LK)使用，即，將DRAM的物理首地址、容量大小等信息存放在DRAM的指定區(qū)域，等待小內(nèi)核讀取并使用。
[0003]由于是根據(jù)配置文件來對DRAM的整個(gè)地址空間進(jìn)行初始化，因此，DRAM不允許存在壞塊，若DRAM的存儲陣列中存在壞塊，會影響移動操作系統(tǒng)的正常運(yùn)行，這樣一來，對于存在少量壞塊的DRAM，就無法被使用，在經(jīng)過廠商的封裝測試之后，只能被當(dāng)作廢棄品處理，造成了資源浪費(fèi)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了DRAM的初始化方法及裝置，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中存在少量壞塊的DRAM會導(dǎo)致移動操作系統(tǒng)無法正常運(yùn)行的問題。
[0005]第一方面，提供了一種動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的初始化方法，包括:
[0006]將DRAM的地址空間劃分為N個(gè)塊，所述N為大于I的整數(shù)；
[0007]根據(jù)所述劃分的結(jié)果，對所述DRAM進(jìn)行壞塊掃描，將掃描結(jié)果記錄在預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)表中；
[0008]根據(jù)所述數(shù)據(jù)表的記錄對所述DRAM進(jìn)行地址重映射，包括:將地址連續(xù)的非壞塊組合成塊區(qū)域，并獲取所述塊區(qū)域的首地址及容量大?。?br>[0009]根據(jù)所述劃分的結(jié)果，修改操作系統(tǒng)內(nèi)核的配置文件，以對內(nèi)核接收參數(shù)的空間進(jìn)行擴(kuò)大；
[0010]將所述塊區(qū)域的首地址及容量大小傳遞到內(nèi)核，以完成所述DRAM的初始化。
[0011 ]第二方面，提供了一種動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的初始化裝置，包括:
[0012]劃分單元，用于將DRAM的地址空間劃分為N個(gè)塊，所述N為大于I的整數(shù)；
[0013]掃描單元，用于根據(jù)所述劃分的結(jié)果，對所述DRAM進(jìn)行壞塊掃描，將掃描結(jié)果記錄在預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)表中；
[0014]映射單元，用于根據(jù)所述數(shù)據(jù)表的記錄對所述DRAM進(jìn)行地址重映射，包括:將地址連續(xù)的非壞塊組合成塊區(qū)域，并獲取所述塊區(qū)域的首地址及容量大小；
[0015]修改單元，用于根據(jù)所述劃分的結(jié)果，修改操作系統(tǒng)內(nèi)核的配置文件，以對內(nèi)核接收參數(shù)的空間進(jìn)行擴(kuò)大；
[0016]初始化單元，用于將所述塊區(qū)域的首地址及容量大小傳遞到內(nèi)核，以完成所述DRAM的初始化。
[0017]本發(fā)明實(shí)施例對DRAM的地址空間進(jìn)行重新映射，提取出DRAM中不存在壞塊的地址空間，并通過修改操作系統(tǒng)的配置文件，使得操作系統(tǒng)能夠在存在壞塊的DRAM上也得到正常運(yùn)行，有效地提高了存儲資源利用率。
【附圖說明】
[0018]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的DRAM的初始化方法的實(shí)現(xiàn)流程圖；
[0020]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的DRAM的初始化方法壞塊掃描的實(shí)現(xiàn)流程圖；
[0021 ]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的DRAM的初始化方法掃描結(jié)果記錄的實(shí)現(xiàn)流程圖；
[0022]圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的DRAM的初始化方法的實(shí)現(xiàn)流程圖；
[0023]圖5是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的DRAM的初始化方法的實(shí)現(xiàn)流程圖；
[0024]圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的DRAM的初始化裝置的結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]以下描述中，為了說明而不是為了限定，提出了諸如特定系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、技術(shù)之類的具體細(xì)節(jié)，以便透切理解本發(fā)明實(shí)施例。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，在沒有這些具體細(xì)節(jié)的其它實(shí)施例中也可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。在其它情況中，省略對眾所周知的系統(tǒng)、裝置、電路以及方法的詳細(xì)說明，以免不必要的細(xì)節(jié)妨礙本發(fā)明的描述。
[0026]圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的DRAM的初始化方法的實(shí)現(xiàn)流程，在本發(fā)明實(shí)施例中，DRAM的初始化，指的是操作系統(tǒng)在啟動過程中，根據(jù)配置文件來初始化DRAM的分塊情況、容量大小等相關(guān)參數(shù)，以使得在初始化完成之后，操作系統(tǒng)能夠在DRAM上正常運(yùn)行。其中，所述操作系統(tǒng)包括但不限于移動終端所采用的移動操作系統(tǒng)，例如android系統(tǒng)等。該方案的實(shí)現(xiàn)流程詳述如下:
[0027]在SlOl中，將DRAM的地址空間劃分為N個(gè)塊，所述N為大于I的整數(shù)。
[0028]以android系統(tǒng)為例，在終端設(shè)備開機(jī)，android系統(tǒng)bootloader的preloader階段，完成DRAM在該階段的初始化后，先將DRAM的整個(gè)地址空間劃分為N個(gè)塊，最終劃分出來的塊數(shù)由塊的大小決定，例如，每個(gè)塊的容量為IM，則512M的DRAM可以劃分出512個(gè)塊。
[0029]在S102中，根據(jù)所述劃分的結(jié)果，對所述DRAM進(jìn)行壞塊掃描，將掃描結(jié)果記錄在預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)表中。
[0030]對DRAM進(jìn)行壞塊掃描，其目的是為了區(qū)分并記錄DRAM存儲空間中的壞塊區(qū)域和非壞塊區(qū)域。具體的掃描過程如圖2所示:
[0031 ]在S201中，通過預(yù)設(shè)算法對所述N個(gè)塊中的每個(gè)塊分別進(jìn)行測試。
[0032]在S202中，若測試出某個(gè)塊存在至少一個(gè)錯誤，則將該塊記錄為壞塊，否則將該塊記錄為非壞塊。
[0033]例如，利用0x55555555、0xAAAAAAAA或者隨機(jī)數(shù)對DRAM進(jìn)行全盤讀寫，又例如，利用march X這樣一種有效測試DRAM故障的算法對每個(gè)塊分別進(jìn)行測試，只要某個(gè)塊的測試結(jié)果中存在至少一個(gè)錯誤，就將該塊記錄為壞塊，若某個(gè)塊通過預(yù)設(shè)算法測試之后沒有發(fā)現(xiàn)錯誤，則該塊就被判定為非壞塊。
[0034]具體的掃描結(jié)果記錄過程可以如圖3所示:
[0035]在S301中，通過二值法對所述N個(gè)塊中的每個(gè)塊進(jìn)行標(biāo)記。
[0036]通過“O — I” 二值來對壞塊和非壞塊進(jìn)行標(biāo)記，例如，將壞塊標(biāo)記為I，非壞塊標(biāo)記為O;或者，將壞塊標(biāo)記為O，非壞塊標(biāo)記為I，通過二值法來對掃描結(jié)果進(jìn)行標(biāo)記，能夠直觀便捷地區(qū)分出DRAM中的壞塊和非壞塊。
[0037]在S302中，在所述預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)表中寫入每個(gè)塊對應(yīng)的地址及標(biāo)記。
[0038]在預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)表中寫入DRAM中每個(gè)塊在DRAM中的地址及對應(yīng)的標(biāo)記，由此就可以完成對DRAM壞塊情況的記錄。此外，在預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)表中，顯然也可以僅寫入DRAM中的壞塊對應(yīng)的地址及標(biāo)記，那么沒有寫入DRAM中的地址空間顯然就是非壞塊所處的地址空間；或者僅寫入DRAM中的非壞塊對應(yīng)的地址及標(biāo)記，那么沒有寫入DRAM中的地址空間顯然就是壞塊所處的地址空間。
[0039]在S103中，根據(jù)所述數(shù)據(jù)表的記錄對所述DRAM進(jìn)行地址重映射，包括:將地址連續(xù)的非壞塊組合成塊區(qū)域，并獲取所述塊區(qū)域的首地址及容量大小。
[°04°]以android系統(tǒng)為例，在其boot loader的小內(nèi)核(LK)階段，根據(jù)數(shù)據(jù)表中記錄的壞塊和/或非壞塊情況，對DRAM進(jìn)行地址重映射，具體方式可以通過在小內(nèi)核解析preloader參數(shù)的源碼部分添加地址重映射函數(shù)來實(shí)現(xiàn)，根據(jù)數(shù)據(jù)表中的記錄，將DRAM中地址空間連續(xù)的非壞塊組合成一個(gè)新的塊區(qū)域，并根據(jù)數(shù)據(jù)表中記錄的地址信息，映射出該塊區(qū)域的首地址及容量大小。
[0041]在S104中，根據(jù)所述劃分的結(jié)果，修改操作系統(tǒng)內(nèi)核的配置文件，以對內(nèi)核接收參數(shù)的空間進(jìn)行擴(kuò)大。
[0042]對于android系統(tǒng)來說，由于內(nèi)核的配置文件默認(rèn)將DRAM的塊數(shù)配置為8，導(dǎo)致內(nèi)核最多只能接收8組DRAM的地址空間參數(shù)，因此，在本發(fā)明實(shí)施例中，需要將內(nèi)核默認(rèn)的塊數(shù)擴(kuò)大到與劃分的塊區(qū)域的數(shù)量相等。以512M的DRAM為例，劃分每個(gè)塊區(qū)域的大小為1M，那么DRAM的整個(gè)地址空間就被劃分成了 512塊，則需要將內(nèi)核默認(rèn)的塊數(shù)由8修改為512，此時(shí)，內(nèi)核最多可以接收512組D R A M地址空間參數(shù)。修改的方式如下:將內(nèi)核源碼的平臺(platform)配置文件的宏⑶NFIG_ARM_NR_BANKS的值修改為512，架構(gòu)的配置文件的ARM_NR_BANKS的默認(rèn)值修改為512，由此擴(kuò)大內(nèi)核接收LK參數(shù)的空間，內(nèi)核才能完全獲知DRAM每一個(gè)塊區(qū)域的首地址和容量大小。
[0043]在S105中，將所述塊區(qū)域的首地址及容量大小傳遞到內(nèi)核，以完成所述DRAM的初始化。
[0044]在完成了對內(nèi)核配置文件的修改之后，再將S103得到的塊區(qū)域的首地址及容量大小通過傳參的方式傳遞給內(nèi)核，從而完成DRAM的初始化，由此，操作系統(tǒng)可以在DRAM上正常運(yùn)行，有效地避免了少量壞塊的存在對系統(tǒng)運(yùn)行所帶來的不良影響。
[0045]進(jìn)一步地，為了提高終端設(shè)備的開機(jī)效率，避免每次系統(tǒng)啟動時(shí)都需要對DRAM進(jìn)行壞塊掃描，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在所述將掃描結(jié)果記錄在預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)表中之后，所述根據(jù)所述數(shù)據(jù)表的記錄對所述DRAM進(jìn)行地址重映射之前，還可以將所述數(shù)據(jù)表存儲至非易失性存儲器中，這樣一來，就可以利用非易失性存儲器掉電數(shù)據(jù)不丟失的特性，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)表的永久保存。其中，所述非易失性存儲器，包括但不限于只讀存儲器(Read Only Memory,ROM)，閃存(Flash)等。貝Ij相應(yīng)地，如圖4所示，在終端設(shè)備開機(jī)啟動的過程中，bootloader的小內(nèi)核階段，會首先檢測終端設(shè)備中的非易失性存儲器中是否存儲有數(shù)據(jù)表，如果其中并沒有存儲數(shù)據(jù)表，再從SlOl開始執(zhí)行本方案的相關(guān)步驟，若其中存儲了數(shù)據(jù)表，則直接從中讀取出數(shù)據(jù)表，從S103開始執(zhí)行本方案的相關(guān)步驟。
[0046]通過上述方案闡述可以看出，顯然，在對DRAM進(jìn)行塊劃分的過程中，塊的容量越小，劃分的塊數(shù)就越多，這樣一來，在進(jìn)行地址重映射時(shí)，對DRAM存儲陣列上的空間就越能達(dá)到充分利用，因此，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖5所示，在SlOl之前，所述方法還包括: