E-to-A檢測失敗的情況下，判斷為E電平的閾值電壓分布向A電平的閾值電壓分布的方向偏移，提高存儲器單元的讀取電壓電平來再次進行從存儲器單元的讀取(以下，記作熔絲只讀存儲器再讀)(步驟S3)。在該熔絲只讀存儲器再讀中，提高在存儲器單元的柵-源間施加的電壓來再次進行從存儲器單元的讀取。
[0046]接下來，使用在步驟S3中讀取的數(shù)據(jù)，再次進行E-to-A檢測(步驟S4)。在該情況下的E-to-A檢測中，也可以采用上述檢測方法I?3中的任意一個。上述步驟S3和S4對應于第2不良檢測部。
[0047]在步驟S4的E-to-A檢測失敗時，確定為熔絲只讀存儲器塊的檢查失敗(步驟S5，不良確定部)。在該情況下，包含該熔絲只讀存儲器塊的NAND型閃速存儲器視為不良品。
[0048]另一方面，在上述步驟S2的E-to-A檢測成功的情況下，進行在通常的上電讀出工作中進行的塊檢查(步驟S6，第3不良檢測部)。在該塊檢查中，例如，在向熔絲只讀存儲器塊內存儲壞塊信息和/或壞列信息等時，將這些信息作為互補數(shù)據(jù)進行存儲，讀取所存儲的互補數(shù)據(jù)，按位單位使構成互補數(shù)據(jù)的兩種數(shù)據(jù)相互比較，由此判斷有無讀取錯誤。不需要對熔絲只讀存儲器塊內的全部存儲器單元進行塊檢查，可以對特定的字線上的存儲器單元進行塊檢查。
[0049]在步驟S6的塊檢查失敗的情況下，進行步驟S3的熔絲只讀存儲器再讀，在塊檢查成功的情況下，判斷為熔絲只讀存儲器塊正常(步驟S7)。
[0050]同樣，在步驟S4的E-to-A檢測成功的情況下，也進行塊檢查(步驟S8，第3不良檢測部)，在該塊檢查失敗的情況下，確定為失敗(步驟S5)，在塊檢查成功的情況下，確定為熔絲只讀存儲器塊的檢查成功(步驟S7)。
[0051]在上述圖3的流程圖中，對組合有E-to-A檢測和變更了讀取電壓電平的熔絲只讀存儲器再讀的例子進行了說明，但也可以不進行E-to-A檢測而進行熔絲只讀存儲器再讀。在該情況下，取代步驟S2和S4的E-to-A檢測而進行現(xiàn)有的塊檢查即可。
[0052]另外，也可以不進行熔絲只讀存儲器再讀而僅進行E-to-A檢測。在該情況下，根據(jù)I次E-to-A檢測的結果來判斷熔絲只讀存儲器塊是否正常，因此，熔絲只讀存儲器塊的不良率有可能上升。因此，在想要降低熔絲只讀存儲器塊的不良率的情況下，希望進行上述的熔絲只讀存儲器再讀。
[0053]這樣，在第I實施方式中，在通過E-to-A檢測和/或塊檢查等判斷為熔絲只讀存儲器塊不良時，提高讀取電壓電平來再次判斷熔絲只讀存儲器塊是否不良，因此，即使因制造偏差等而使得存儲器單兀的E電平的閾值電壓分布朝A電平的閾值電壓分布側偏移些許，也不會將熔絲只讀存儲器塊判斷為不良就結束，能夠降低熔絲只讀存儲器塊的不良率。
[0054](第2實施方式)
[0055]在以下說明的第2實施方式中，在判斷為熔絲只讀存儲器塊不良時，進行熔絲只讀存儲器塊的刷新(refresh)。
[0056]第2實施方式的NAND型閃速存儲器具有與圖1同樣的塊結構，控制器8的處理工作與第I實施方式不同，因此，以下對控制器8的處理工作進行說明。
[0057]圖4是示出第2實施方式的熔絲只讀存儲器塊的不良檢查處理的流程圖。首先，進行熔絲只讀存儲器塊的不良檢查(步驟Sll，第I不良檢測部)。在該步驟Sll的不良檢查中，例如，將熔絲只讀存儲器塊內的特定的字線上的存儲器單元作為對象，進行上述現(xiàn)有的塊檢查?；蛘?，也可以采用上述E-to-A檢測方法I?3中的任意一種方法。
[0058]當在步驟Sll中判斷為熔絲只讀存儲器塊正常時，確定為熔絲只讀存儲器塊的檢查成功(步驟S19)，結束圖4的處理。在該情況下，不進行熔絲只讀存儲器塊的刷新。
[0059]另一方面，當在步驟Sll中判斷為熔絲只讀存儲器塊不良時，為了對備用熔絲只讀存儲器塊進行訪問而發(fā)布地址(步驟S12)，進行備用熔絲只讀存儲器塊的不良檢查(步驟S13，第2不良檢測部)。
[0060]在判斷為備用熔絲只讀存儲器塊不良時，不能有效地靈活運用備用熔絲只讀存儲器塊內的不良信息，因此判斷為進行熔絲只讀存儲器塊的刷新沒有意義，確定為熔絲只讀存儲器塊的檢查失敗(步驟S14)。在該情況下，包含該熔絲只讀存儲器塊的NAND型閃速存儲器視為不良品。
[0061]在判斷為備用熔絲只讀存儲器塊正常時，將熔絲只讀存儲器塊內的全部存儲器單元擦除(步驟S15，數(shù)據(jù)擦除部)。由此，向熔絲只讀存儲器塊內的全部存儲器單元寫入數(shù)據(jù)T。
[0062]在步驟S15的處理之后，暫時將備用熔絲只讀存儲器塊中存儲的全部不良信息鎖存到例如傳感放大器6內的數(shù)據(jù)鎖存電路7(步驟S16，暫時保持部)。
[0063]接下來，將步驟S16中暫時鎖存的備用熔絲只讀存儲器塊內的不良信息寫入到熔絲只讀存儲器塊(步驟S17，不良信息寫入部)。步驟S15?S17對應于刷新處理部。
[0064]步驟S17的寫入存在如下情況:向熔絲只讀存儲器塊中的、在步驟Sll中判斷為不良的字線上的存儲器單元也寫入不良信息；以及向判斷為不良的字線以外的字線上的存儲器單元寫入不良信息。在不良是因特定的存儲器單元內的結構上的故障而產生的情況下，希望不使用該存儲器單元，而在不良是因暫時的讀出干擾而產生的情況下，有時即使向發(fā)生不良的存儲器單元進行再次寫入也不會產生問題。因此，在本實施方式中，對一度判斷為不良的存儲器單元，也允許再次寫入。
[0065]在步驟S15?S17的刷新處理結束時，視為熔絲只讀存儲器塊沒有不良而確定為成功(步驟S18)。
[0066]圖5是示出在圖4的步驟S17中在刷新時再次向過去判斷為不良的存儲器單元寫入不良信息的情況下的時間圖。圖5示出了就緒(ready)/繁忙(busy)信號RB、熔絲只讀存儲器塊的字線WL15PB0、與該字線連接的存儲器單元的基板阱區(qū)域CPWELL PBO和備用熔絲只讀存儲器塊的字線WL15PB1的信號波形。
[0067]在就緒/繁忙信號RB從高電平轉變到低電平之后開始上電讀出工作，在上電讀出工作中進行刷新工作。首先，從熔絲只讀存儲器塊內的特定的字線(例如WL15)上的存儲器單元讀取數(shù)據(jù)(時刻tl)。在時刻tl，讀取熔絲只讀存儲器塊的WL15，設定為電壓VCGRV。
[0068]在根據(jù)讀取的數(shù)據(jù)判斷為熔絲只讀存儲器塊不良時，接下來，從備用熔絲只讀存儲器塊內的特定的字線(例如WL15)上的存儲器單元讀取數(shù)據(jù)(時刻t2)，判斷備用熔絲只讀存儲器塊是否存在不良。
[0069]在判斷為備用熔絲只讀存儲器塊正常時，將判斷為不良的熔絲只讀存儲器塊內的全部存儲器單元的數(shù)據(jù)擦除(時刻t3)。對進行了擦除的存儲器單元進行校驗(verify)來確認正確擦除的情況(時刻t4)。反復進行熔絲只讀存儲器塊內的存儲器單元的數(shù)據(jù)擦除和校驗，直到熔絲與只讀存儲器塊內的全部存儲器單元相應的量的數(shù)據(jù)擦除和校驗結束為止。
[0070]在熔絲只讀存儲器塊的數(shù)據(jù)擦除結束時，在從備用熔絲只讀存儲器塊讀取不良信息而暫時保持到傳感放大器內的鎖存電路后，將所保持的不良信息寫入到熔絲只讀存儲器塊(時刻t5)。接下來，進行是否能正常讀取所寫入的不良信息的校驗(時刻t6)。持續(xù)進行時刻t5和t6的處理，直到將備用熔絲只讀存儲器塊內的全部不良信息寫入到熔絲只讀存儲器塊為止。
[0071]也可以將表示是否進行過熔絲只讀存儲器塊的刷新的信息存儲到例如控制器8的內部的寄存器電路8a(參照圖1)。例如，也可以為:設置由能夠存儲至少I字節(jié)量的數(shù)據(jù)的SRAM等非易失性存儲器構成的寄存器電路(刷新歷史信息存儲部)8a，在I字節(jié)中的I位中存儲表示是否進行過熔絲只讀存儲器塊的刷新的信息，并能夠根據(jù)來自外部的特定的命令向外部輸出該寄存器電路8a的I字節(jié)的數(shù)據(jù)。由此，能夠從NAND型閃速存儲器的外部檢測過去是否進行過熔絲只讀存儲器塊的刷新的歷史信息，能夠根據(jù)該歷史信息來評價熔絲只讀存儲器塊的可靠性。
[0072]這樣，在第2實施方式中，在判斷為熔絲只讀存儲器塊不良時，將熔絲只讀存儲器塊內的全部存儲器單元的數(shù)據(jù)擦除之后，進行寫入備用熔絲只讀存儲器塊內的不良信息的刷新，因此，能夠提高熔絲只讀存儲器塊內的不良信息的可靠性，能夠降低熔絲只讀存儲器塊的不良率。
[0073](第3實施方式)
[0074]在以下說明的第3實施方式中，自動判別過去是否進行過熔絲只讀存儲器塊的刷新，過去進行過刷新的熔絲只讀存儲器塊不進行再次刷新。
[0075]第3實施方式的NAND型閃速存儲器具有與圖1同樣的塊結構，控制器8的處理工作與第I和第2實施方式不同，因此，以下對控制器8的處理工作進行說明。
[0076]圖6是示出第3實施方式的熔絲只讀存儲器塊的不良檢查處理的流程圖。首先，讀取熔絲只讀存儲器塊內的特定的字線上的存儲器單元的數(shù)據(jù)(步驟S31)。
[0077]特定的字線上的未使用的分段的全部存儲器單元全部為“I”。另一方面，如果未進行刷新的熔絲只讀存儲器塊內的特定的字線上的未使用的分段的全部存儲器單元在初始狀態(tài)中全部寫入“O”，則應該全部保持“O”。
[0078]因此，判定熔絲只讀存儲器塊內的特定的字線上的未使用的分段的存儲器單元的數(shù)據(jù)是否全部為“I”(步驟S32，刷新判定部)。如果全部為“I”，則判斷為過去進行過熔絲只讀存儲器塊的刷新，讀取熔絲只讀存儲器塊內的特定的字線以外的預定的字線上的存儲器單元的數(shù)據(jù)來判定是否存在不良(步驟S33)。此處，預先通過互補數(shù)據(jù)將壞塊信息和/或壞列信息等存儲到熔