半導體存儲裝置及其操作方法
【專利摘要】一種半導體存儲裝置，可以包括：存儲區(qū)；以及控制器，包括寄存器，寄存器被配置為儲存參數設置數據，并且基于數據傳輸使能信號來將參數設置數據提供給存儲區(qū)，數據傳輸使能信號根據參數設置命令或參數獲取命令來使能。
【專利說明】半導體存儲裝置及其操作方法
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2015年3月19日向韓國知識產權局提交的申請?zhí)枮?0-2015-0038193的韓國專利申請的優(yōu)先權，其全部內容通過弓I用合并于此。
技術領域
[0003]各種實施例涉及一種半導體裝置，更具體地，涉及一種半導體存儲裝置及其操作方法。
【背景技術】
[0004]通過快閃存儲裝置呈現的非易失性存儲裝置能夠減小尺寸并增大容量。此外，非易失性存儲裝置具有高的數據處理速度。
[0005]近來，已經持續(xù)進行了各種研究以提升非易失性存儲裝置的性能。特別地，高速緩存操作已經被建議用來支持高速操作。當使用高速緩存操作時，在編程操作或讀取操作期間能夠通過管線(pipeline)方法來處理數據。
[0006]非易失性存儲器件可以根據制造工藝和使用計數而具有不同的操作特性。此外，最新的非易失性存儲裝置已經被設計為根據被應用了非易失性存儲裝置的設備來改變操作特性，由此保證兼容性。
[0007]可以將基于操作模式而定義操作特性的操作參數儲存在非易失性存儲裝置的特定區(qū)域中，以及可以基于儲存的操作參數來執(zhí)行編程操作、擦除操作或讀取操作。此外，當發(fā)生要改變操作參數的事件時，要被改變的操作參數可以首先被儲存然后被讀取。編程操作、擦除操作或讀取操作根據改變過的操作參數來執(zhí)行。

【發(fā)明內容】

[0008]在一個實施例中，一種半導體存儲裝置可以包括存儲區(qū)。該半導體存儲裝置也可以包括控制器，控制器包括寄存器，寄存器被配置為儲存參數設置數據，并且基于數據傳輸使能信號來將參數設置數據提供給存儲區(qū)，數據傳輸使能信號根據參數設置命令或參數獲取命令來使能。
[0009]在一個實施例中，提供一種半導體存儲裝置的操作方法，該半導體存儲裝置包括存儲區(qū)和用于控制存儲區(qū)的控制器。該操作方法可以包括儲存參數設置數據。該操作方法也可以包括根據數據傳輸使能信號來將參數設置數據提供給存儲區(qū)，數據傳輸使能信號響應于參數設置命令或參數獲取命令來使能。
[0010]在一個實施例中，一種半導體存儲裝置可以包括存儲區(qū)。該半導體存儲裝置也可以包括控制器，控制器被配置為接收參數設置命令或參數獲取命令，儲存數據或參數設置數據，以及根據參數設置命令或參數獲取命令來輸出參數設置數據。
【附圖說明】
[0011]圖1是根據本發(fā)明的一個實施例的半導體存儲裝置的配置圖；
[0012]圖2是根據一個實施例的寄存器的配置圖；
[0013]圖3是根據一個實施例的寄存器的電路圖；
[0014]圖4是根據本發(fā)明的一個實施例的數據傳輸使能信號發(fā)生電路的配置圖；
[0015]圖5和圖6是根據本發(fā)明的實施例的參數輸出控制信號發(fā)生電路的配置圖；
[0016]圖7是根據本發(fā)明的一個實施例的數據處理系統(tǒng)的配置圖；以及
[0017]圖8和圖9是根據實施例的電子系統(tǒng)的配置圖。
【具體實施方式】
[0018]將參照附圖來更詳細地描述示例性實施例。在本文中參照為示例性實施例和中間結構的示意圖的剖視圖來描述示例性實施例。這樣，可預期作為例如制造技術和/或容限的結果的來自示圖的形狀的變化。因此，實施例不應被解釋為局限于本文中圖示的區(qū)域的特定形狀，而可以包括由例如制造所導致的形狀偏差。在附圖中，可以為了清晰而夸大層和區(qū)域的長度和尺寸。在附圖中相同的附圖標記表示相同的元件。也要理解，當一層被稱作在另一層或襯底“上”時，其能夠直接在另一層或襯底上，或者可以存在中間層。也要注意，在說明書中，“連接/耦接”不僅指一個部件直接耦接到另一個部件，也指一個部件通過中間部件而間接地耦接到另一個部件。此外，只要未明確提及，則單數形式可以包括復數形式，反之亦然。
[0019]在本文中參照為示例性實施例的示意圖的剖視圖和/或平面圖來描述本發(fā)明構思。然而，實施例不應為限制性的或者不應被解釋為局限于本發(fā)明構思。盡管將示出并描述若干實施例，但本領域技術人員將明白，在不脫離本發(fā)明構思的原理和精神的情況下，可以在這些示例性實施例中做出改變。
[0020]參見圖1，描述了根據一個實施例的半導體存儲裝置的配置圖。
[0021]如圖1中所示，半導體存儲裝置100可以包括控制器110和存儲區(qū)120。
[0022]控制器110可以根據從外部提供的信號來控制存儲區(qū)120的全部操作。
[0023]特別地，控制器110可以從外部設備接收命令CMD和控制信號(CE(芯片使能)、CLE (命令鎖存使能)、ALE (地址鎖存使能)、RE (讀取使能)、WE (寫入使能)和RB (就緒/繁忙))。外部設備可以為例如主機設備?？刂破?10可以將數據1傳輸到外部設備或者從外部設備接收數據10。控制器110可以將命令CMD解碼并執(zhí)行與解碼結果相對應的操作。
[0024]輸入到控制器110的命令CMD可以包括參數設置命令SETPARA和/或參數獲取命令GETPARA。在這種情形下，根據參數設置命令SETPARA之后接收到的地址信號和數據，控制器110可以將數據或參數設置數據儲存在寄存器112的由地址信號指示的對應的區(qū)域中。
[0025]響應于參數設置命令SETPARA而被儲存在寄存器112中的參數設置數據可以響應于參數獲取命令GETPARA而從寄存器112輸出。參數設置數據也可以被提供給存儲區(qū)120。
[0026]在一個實施例中，寄存器112可以用多級鎖存器或最好用二級鎖存器來實施以支持高速緩存操作。此外，為了將儲存在寄存器112中的參數設置數據輸出，可能需要控制信號以將前級鎖存器的數據傳輸到后級鎖存器。
[0027]在一個實施例中，可以基于在施加參數獲取命令GETPARA時使能的信號(例如，參數讀取命令READPARA)來產生用于控制寄存器112的操作的數據傳輸使能信號。相應地，當參數獲取命令GETPARA被施加時，前級鎖存器的數據可以響應于參數讀取命令READPARA而傳輸到后級鎖存器并從寄存器112輸出。
[0028]在一個實施例中，可以基于在施加參數設置命令SETPARA之后施加的命令(例如，建立命令(setup command) SETUP)來產生數據傳輸使能信號。因此，在參數設置數據根據參數設置命令SETPARA而被儲存在寄存器112中之后，前級鎖存器的數據可以響應于建立命令SETUP來傳輸到后級鎖存器。
[0029]在一個實施例中，可以基于在施加參數設置命令SETPARA之后施加的命令(例如，參數設置確認命令SETCNFM)來產生數據傳輸使能信號。在這種情形下，在參數設置數據根據參數設置命令SETPARA而被儲存在寄存器112中之后，前級鎖存器的數據可以根據參數設置確認命令SETCNFM來傳輸到后級鎖存器。
[0030]在一個實施例中，可以基于施加參數設置命令SETPARA之后施加的命令(例如，建立命令SETUP和參數設置確認命令SETCNFM)來產生數據傳輸使能信號。在這種情形下，在參數設置數據根據參數設置命令SETPARA而被儲存在寄存器112中之后，在建立命令SETUP被施加之后數據傳輸使能信號可以被使能直到參數設置確認命令SETCNFM被禁止，使得前級鎖存器中的數據能夠傳輸到后級鎖存器。
[0031]當參數設置數據被儲存然后被輸出時，儲存在寄存器112中的參數設置數據可以響應于參數設置命令SETPARA或參數獲取命令GETPARA而輸出。結果，可以輸出參數設置數據，而不執(zhí)行用于操作寄存器112的不必要的虛設操作。
[0032]當需要改變半導體存儲裝置100的操作特性時，可以從外部設備(諸如，主機)提供參數設置命令SETPARA，但不局限為如此。
[0033]存儲區(qū)120可以包括半導體存儲單元陣列和用于半導體存儲單元陣列的存取電路單元。存取電路單元可以包括行控制單元、列控制單元、輸入/輸出電路單元和電壓提供單元等。
[0034]在一個實施例中，存儲單元陣列可以包括多個塊。此外，包括在每個塊中的多個半導體存儲單元可以通過串結構(string structure)而電親接在字線WL與位線BL之間。例如，形成存儲單元陣列的存儲單元可以包括快閃存儲單元。存儲單元可以用單級單元或多級單元來實施。
[0035]半導體存儲裝置可以包括一個或更多個存儲區(qū)120。
[0036]參見圖2，示出了根據一個實施例的寄存器的配置圖。
[0037]如圖2中所示，寄存器200可以包括第一儲存單元210、傳輸單元220和第二儲存單元230。
[0038]第一儲存單元210可以在從外部設備(諸如，主機)提供了用于儲存參數設置數據的位置信息(即，第一地址信號ADD1)時被使能。此外，第一儲存單元210可以根據響應于參數設置命令SETPARA而產生的寫入信號WT來儲存數據DATA (即，參數設置數據)。
[0039]傳輸單元220可以響應于數據傳輸使能信號ESDLE來將第一儲存單元210的數據DATA傳輸到第二儲存單元230。
[0040]第二儲存單元230可以在從外部設備(諸如，主機)提供了用于儲存參數設置數據的位置信息(即，第二地址信號ADD2)時被使能。此外，第二儲存單元230可以根據基于參數獲取命令GETPARA而產生的讀取信號RD來將通過傳輸單元220傳輸的數據DATA輸出。
[0041]參見圖3，不出了根據一個實施例的寄存器的電路圖。
[0042]如圖3中所示，寄存器300可以包括第一儲存單元310、傳輸單元320和第二儲存單元330。
[0043]第一儲存單元310可以包括輸入單元312和第一鎖存器314。第二儲存單元330可以包括第二鎖存器332和輸出單元334。
[0044]更具體地，輸入單元312可以在第一地址信號ADDl被提供時被使能。輸入單元312也可以將寫入信號WT和數據DATA施加到第一鎖存器314。第一鎖存器314可以暫時地儲存從輸入單元312提供的寫入信號WT和數據DATA。
[0045]傳輸單元320可以響應于數據傳輸使能信號ESDLE來驅動。此外，傳輸單元320可以輸出與第一鎖存器314的寫入信號WT相對應的讀取信號RD以及與第一鎖存器314的數據DATA相對應的數據DATA。
[0046]參見圖4，描述了根據一個實施例的數據傳輸使能信號發(fā)生電路的配置圖。
[0047]如上所述，數據傳輸使能信號ESDLE可以根據參數設置命令SETPARA或參數獲取命令GETPARA來使能。
[0048]在一個實施例中，數據傳輸使能信號發(fā)生電路可以響應于參數設置命令SETPARA或參數獲取命令GETPARA來產生參數輸出控制信號CI_SDLE。數據傳輸使能信號發(fā)生電路也可以響應于參數輸出控制信號CL_SDLE來產生數據傳輸使能信號ESDLE。圖4圖示了該配置的示例。
[0049]當寄存器112、200或300未正在執(zhí)行高速緩存操作時，在參數輸出控制信號CI_SDLE被使能的情形下，無論原始控制信號MC_SDLE如何數據傳輸使能信號發(fā)生電路400都可以使能數據傳輸使能信號ESDLE。
[0050]在一個實施例中，數據傳輸使能信號發(fā)生電路400可以包括高速緩存操作判定單元401、參數輸出判定單元403和數據傳輸判定單元405。
[0051]高速緩存操作判定單元401可以判定寄存器112、200或300是否正在執(zhí)行高速緩存操作。當寄存器112、200或300未正在執(zhí)行高速緩存操作時，標志信號CACHEPGMFLAG或CACHEREADFLAG可以具有邏輯低態(tài)，標志信號CACHEPGMFLAG或CACHEREADFLAG指示是否對寄存器112、200或300執(zhí)行編程操作或讀取操作。相應地，當高速緩存操作未被執(zhí)行時，用或非(NOR)門實施的高速緩存操作判定單元401的輸出信號可以具有邏輯高電平。
[0052]參數輸出判定單元403可以響應于高速緩存操作判定單元401的輸出信號和參數輸出控制信號CI_SDLE來判定是否輸出參數。當由于施加了參數設置命令SETPARA或參數獲取命令GETPARA而需要輸出參數時，參數輸出控制信號CI_SDLE可以具有邏輯高電平。因此，用與(AND)門實施的參數輸出判定單元403的輸出信號可以具有邏輯高電平。
[0053]數據傳輸判定單元405可以響應于參數輸出判定單元403的輸出信號和原始控制信號MC_SDLE來產生數據傳輸使能信號ESDLE。當數據傳輸判定單元405的輸出信號處于邏輯高電平時，或者當寄存器112、200或300未正在執(zhí)行高速緩存操作但參數輸出控制信號CI_SDLE具有邏輯高電平時，無論原始控制信號MC_SDLE如何都可以輸出處于邏輯高電平的數據傳輸使能信號ESDLE。對于該操作，數據傳輸判定單元405可以用或(OR)門來實施，但并不局限于這樣的配置。
[0054]參見圖5和圖6，示出了根據實施例的參數輸出控制信號發(fā)生電路的配置圖。
[0055]如上所述，參數輸出控制信號CI_SDLE可以基于響應于參數獲取命令GETPARA而產生的參數讀取命令READPARA來產生；可以基于響應于參數設置命令SETPARA而施加的建立命令SETUP來產生；可以基于響應于參數設置命令SETPARA而施加的參數設置確認命令SETCNFM來產生；或者可以基于響應于參數設置命令SETPARA而施加的建立命令SETUP和參數設置確認命令SETCNFM來產生。
[0056]首先，圖5圖示了其中參數輸出控制信號發(fā)生電路根據參數讀取命令READPARA、建立命令SETUP或參數設置確認命令SETCNFM來產生參數輸出控制信號CI_SDLE的示例。此外，響應于參數獲取命令GETPARA而被使能的信號包括參數讀取命令READPARA。
[0057]參數輸出控制信號發(fā)生電路500可以包括接收參數讀取命令READPARA、建立命令SETUP或參數設置確認命令SETCNFM作為第一輸入信號的脈沖發(fā)生單元510。參數輸出控制信號發(fā)生電路500也可以從第一輸入信號的延遲反相信號產生參數輸出控制信號CI_SDLE0
[0058]第一輸入信號READPARA、SETUP或SETCNFM可以由延遲單元511和反相器單元513延遲并反相，以及被產生為第二輸入信號。
[0059]作為反相器單元513的輸出信號的第一輸入信號READPARA、SETUP或SETCNFM和第二輸入信號可以輸入到邏輯電路單元515。當兩個輸入信號都處于高電平時，邏輯電路單元515可以輸出處于邏輯高電平的參數輸出控制信號CI_SDLE。在一個實施例中，邏輯電路單元515可以用AND門來實施，但不局限為這樣的配置。
[0060]圖6圖示了其中參數輸出控制信號發(fā)生電路根據建立命令SETUP和參數設置確認命令SETCNFM來產生參數輸出控制信號CI_SDLE的示例。
[0061]參數輸出控制信號發(fā)生電路600可以包括脈沖發(fā)生單元610，脈沖發(fā)生單元610在建立命令SETUP被使能之后使能參數輸出控制信號CI_SDLE直到參數設置確認命令SETCNFM被禁止。
[0062]第二輸入信號SETCNFM可以通過延遲單元611延遲預設時間并被提供給邏輯電路單元613。此時，可以將第一輸入信號SETUP與第二輸入信號SETCNFM —起提供給邏輯電路單元613。在其中兩個輸入信號都不處于低電平的時段，邏輯電路單元613可以輸出處于邏輯高電平的參數輸出控制信號CI_SDLE。在一個實施例中，邏輯電路單元613可以用OR門來實施，但不局限為這樣的配置。
[0063]同樣地，當參數設置數據被儲存并被輸出時，參數輸出控制信號CI_SDLE可以根據參數設置命令SETPARA或參數獲取命令GETPARA來產生。然后，當寄存器112、200或300未正在執(zhí)行高速緩存操作時，數據傳輸使能信號ESDLE可以根據參數輸出控制信號CI_SDLE來使能。此外，儲存在寄存器112、200或300中的參數設置數據可以響應于使能的數據傳輸使能信號ESDLE來輸出。相應地，半導體存儲裝置能夠輸出參數設置數據而不執(zhí)行用于操作寄存器112、200或300的不必要的虛設操作。
[0064]參見圖7，描述了根據一個實施例的數據處理系統(tǒng)的配置圖。
[0065]在圖7中圖示的數據處理系統(tǒng)70可以包括存儲器控制器710和半導體存儲裝置720。
[0066]存儲器控制器710可以被配置為根據主機的請求來訪問半導體存儲裝置720。為了此操作，存儲器控制器710可以包括處理器711、工作存儲器713、主機接口 715和存儲器接口 717。
[0067]處理器711可以控制存儲器控制器710的全部操作。此外，工作存儲器713可以儲存存儲器控制器710的操作所需的應用程序、數據和控制信號。
[0068]主機接口 715可以執(zhí)行協(xié)議轉換以在主機與存儲器控制器710之間交換數據/控制信號。此外，存儲器接口 717可以執(zhí)行協(xié)議轉換以在存儲器控制器710與半導體存儲裝置720之間轉換數據/控制信號。
[0069]例如，半導體存儲裝置720可以包括圖1到圖6中圖示的包括寄存器的半導體存儲裝置。半導體存儲裝置720可以包括具有半導體存儲元件的存儲單元陣列、地址解碼器、控制器和電壓發(fā)生器等。相應地，根據來自主機的參數改變命令，半導體存儲裝置720可以將參數設置數據儲存在寄存器中。半導體存儲裝置720也可以響應于參數設置命令SETPARA或參數獲取命令GETPARA來將儲存在寄存器中的參數設置數據輸出。
[0070]圖7中圖示的數據處理系統(tǒng)可以被用作磁盤設備、便攜式電子設備的內部/外部存儲卡、圖像處理器或其他應用芯片組等。
[0071]設置在存儲器控制器710中的工作存儲器也可以用以上示出的圖1到圖6中圖示的半導體存儲裝置來實施。
[0072]參見圖8和圖9，描述了根據實施例的電子系統(tǒng)的配置圖。
[0073]首先，圖8中圖示的電子系統(tǒng)80可以包括處理器801、存儲器控制器803、半導體存儲裝置805、輸入/輸出設備807和功能模塊800。
[0074]存儲器控制器803可以根據處理器801的控制來控制半導體存儲裝置805的數據處理操作(例如，編程操作或讀取操作)。
[0075]被編程在半導體存儲裝置805中的數據可以根據處理器801和存儲器控制器803的控制而通過輸入/輸出設備807輸出。為了此操作，輸入/輸出設備807可以包括顯示設備和揚聲器設備等。
[0076]此外，輸入/輸出設備807可以包括輸入設備，通過該輸入設備能夠輸入用于控制處理器801的操作的控制信號或要被處理器801處理的數據。
[0077]在一個實施例中，存儲器控制器803可以被實施為處理器801的一部分。存儲器控制器803也可以被實施為與處理器801分離的芯片組。
[0078]半導體存儲裝置805可以包括具有半導體存儲元件的存儲單元陣列、地址解碼器、控制器和電壓發(fā)生器等。在一個實施例中，半導體存儲裝置805可以包括以上描述的圖1到圖6中圖示的具有寄存器的半導體存儲裝置。因此，根據來自主機的參數改變命令，半導體存儲裝置805可以將參數設置數據儲存在寄存器中。半導體存儲裝置805也可以響應于參數設置命令SETPARA或參數獲取命令GETPARA來將儲存在寄存器中的參數設置數據輸出。
[0079]功能模塊800可以包括根據圖8中圖示的電子系統(tǒng)80的應用示例的能夠執(zhí)行選定功能的模塊。圖8圖示通信模塊809和圖像傳感器811作為功能模塊800的示例。
[0080]通信模塊809可以提供在其中電子系統(tǒng)80能夠通過有線通信網絡或無線通信網絡來交換數據和控制信號的通信環(huán)境。
[0081]圖像傳感器811可以將光學圖像轉換為數字圖像信號。圖像傳感器811也可以將數字圖像信號傳輸到處理器801和存儲器控制器803。
[0082]當電子系統(tǒng)80包括通信模塊809時，圖8的電子系統(tǒng)80可以用作便攜式通信設備(諸如，無線通信終端)。當電子系統(tǒng)80包括圖像傳感器811時，電子系統(tǒng)80可以用作被附接了數字相機、數字攝像機或數字相機與數字攝像機中的一種的電子系統(tǒng)。電子系統(tǒng)可以包括PC、筆記本電腦或移動通信終端等。
[0083]參見圖9，圖9中圖示的電子系統(tǒng)90可以包括卡接口 901、存儲器控制器903和半導體存儲裝置905。
[0084]圖9圖示了存儲卡或智能卡的示例。圖9的電子系統(tǒng)90可以用作PC卡、多媒體卡、嵌入式多媒體卡、安全數字卡和USB驅動器中的任意一種。
[0085]卡接口 901可以根據主機的協(xié)議來接口主機與存儲器控制器903之間的數據交換。在一個實施例中，卡接口 901可以指能夠支持主機所使用的協(xié)議的硬件?？ń涌?901也可以指安裝在能夠支持主機所使用的協(xié)議的硬件上的軟件?？ń涌?901也可以指信號傳輸方案。
[0086]存儲器控制器903可以控制半導體存儲裝置905與卡接口 901之間的數據交換。
[0087]半導體存儲裝置905可以包括圖1到圖6中圖示的具有寄存器的半導體存儲裝置。半導體存儲裝置905可以包括具有半導體存儲元件的存儲單元陣列、地址解碼器、控制器和電壓發(fā)生器等。因此，根據來自主機的參數改變命令，半導體存儲裝置905可以將參數設置數據儲存在寄存器中。半導體存儲裝置905也可以響應于參數設置命令SETPARA或參數獲取命令GETPARA來將儲存在寄存器中的參數設置數據輸出。
[0088]雖然以上已經描述了特定的實施例，但本領域技術人員將理解，描述的實施例僅作為示例。相應地，描述的半導體存儲裝置不應基于以上描述的實施例來限制。相反地，描述的半導體存儲裝置應當僅由所附權利要求書結合以上的描述和附圖來限制。
[0089]通過以上實施例可以看出，本發(fā)明提供以下技術方案。
[0090]技術方案1.一種半導體存儲裝置，包括:
[0091]存儲區(qū)；以及
[0092]控制器，包括寄存器，寄存器被配置為儲存參數設置數據，并且基于數據傳輸使能信號來將參數設置數據提供給存儲區(qū)，數據傳輸使能信號根據參數設置命令或參數獲取命令來使能。
[0093]技術方案2.如技術方案I所述的半導體存儲裝置，其中，寄存器包括:
[0094]第一儲存單元，被配置為根據參數設置命令和第一地址信號來儲存參數設置數據；
[0095]第二儲存單元，被配置為根據參數獲取命令和第二地址信號來輸出參數設置數據；以及
[0096]傳輸單元，被配置為基于數據傳輸使能信號來將儲存在第一儲存單元中的參數設置數據傳輸到第二儲存單元，數據傳輸使能信號響應于參數設置命令或參數獲取命令來使會K。
[0097]技術方案3.如技術方案I所述的半導體存儲裝置，其中，數據傳輸使能信號根據響應于參數獲取命令而被使能的信號來產生。
[0098]技術方案4.如技術方案3所述的半導體存儲裝置，其中，響應于參數獲取命令而被使能的信號包括參數讀取命令。
[0099]技術方案5.如技術方案I所述的半導體存儲裝置，其中，數據傳輸使能信號根據響應于參數設置命令而被使能的信號來產生。
[0100]技術方案6.如技術方案5所述的半導體存儲裝置，其中，響應于參數設置命令而被使能的信號包括建立命令。
[0101]技術方案7.如技術方案5所述的半導體存儲裝置，其中，響應于參數設置命令而被使能的信號包括參數設置確認命令。
[0102]技術方案8.如技術方案I所述的半導體存儲裝置，其中，數據傳輸使能信號根據響應于參數設置命令而被使能的多個信號來產生。
[0103]技術方案9.如技術方案8所述的半導體存儲裝置，其中，響應于參數設置命令而被使能的所述多個信號包括建立命令和參數設置確認命令。
[0104]技術方案10.—種半導體存儲裝置的操作方法，所述半導體存儲裝置包括存儲區(qū)以及用于控制存儲區(qū)的控制器，所述操作方法包括:
[0105]儲存參數設置數據；以及
[0106]根據數據傳輸使能信號來將參數設置數據提供給存儲區(qū)，數據傳輸使能信號響應于參數設置命令或參數獲取命令來使能。
[0107]技術方案11.如技術方案10所述的操作方法，其中，將參數設置數據提供給存儲區(qū)的步驟包括步驟:
[0108]響應于參數設置命令和第一地址信號來將參數設置數據儲存在第一儲存單元中；
[0109]基于數據傳輸使能信號來將儲存在第一儲存單元中的參數設置數據傳輸到第二儲存單元，數據傳輸使能信號響應于參數設置命令或參數獲取命令來使能；以及
[0110]將傳輸到第二儲存單元的數據輸出到存儲區(qū)。
[0111]技術方案12.如技術方案10所述的操作方法，其中，數據傳輸使能信號根據響應于參數獲取命令而被使能的信號來產生。
[0112]技術方案13.如技術方案12所述的操作方法，其中，響應于參數獲取命令而被使能的信號包括參數讀取命令。
[0113]技術方案14.如技術方案10所述的操作方法，其中，數據傳輸使能信號根據響應于參數設置命令而被使能的信號來產生。
[0114]技術方案15.如技術方案14所述的操作方法，其中，響應于參數設置命令而被使能的信號包括建立命令。
[0115]技術方案16.如技術方案14所述的操作方法，其中，響應于參數設置命令而被使能的信號包括參數設置確認命令。
[0116]技術方案17.如技術方案10所述的操作方法，其中，數據傳輸使能信號根據響應于參數設置命令而被使能的多個信號來產生。
[0117]技術方案18.如技術方案17所述的操作方法，其中，響應于參數設置命令而被使能的所述多個信號包括建立命令和參數設置確認命令。
[0118]技術方案19.一種半導體存儲裝置，包括:
[0119]存儲區(qū)；以及
[0120]控制器，被配置為接收參數設置命令或參數獲取命令，儲存數據或參數設置數據，以及根據參數設置命令或參數獲取命令來輸出參數設置數據。
[0121]技術方案20.如技術方案19所述的半導體存儲裝置，還包括:
[0122]寄存器，包括多級鎖存器且被配置為支持高速緩存操作。
[0123]技術方案21.如技術方案21所述的半導體存儲裝置，其中，數據傳輸使能信號被使能直到參數設置確認命令被禁止。
【主權項】
1.一種半導體存儲裝置，包括: 存儲區(qū)；以及 控制器，包括寄存器，寄存器被配置為儲存參數設置數據，并且基于數據傳輸使能信號來將參數設置數據提供給存儲區(qū)，數據傳輸使能信號根據參數設置命令或參數獲取命令來使能。2.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，寄存器包括: 第一儲存單元，被配置為根據參數設置命令和第一地址信號來儲存參數設置數據； 第二儲存單元，被配置為根據參數獲取命令和第二地址信號來輸出參數設置數據；以及 傳輸單元，被配置為基于數據傳輸使能信號來將儲存在第一儲存單元中的參數設置數據傳輸到第二儲存單元，數據傳輸使能信號響應于參數設置命令或參數獲取命令來使能。3.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，數據傳輸使能信號根據響應于參數獲取命令而被使能的信號來產生。4.如權利要求3所述的半導體存儲裝置，其中，響應于參數獲取命令而被使能的信號包括參數讀取命令。5.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，數據傳輸使能信號根據響應于參數設置命令而被使能的信號來產生。6.如權利要求5所述的半導體存儲裝置，其中，響應于參數設置命令而被使能的信號包括建立命令。7.如權利要求5所述的半導體存儲裝置，其中，響應于參數設置命令而被使能的信號包括參數設置確認命令。8.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，數據傳輸使能信號根據響應于參數設置命令而被使能的多個信號來產生。9.一種半導體存儲裝置的操作方法，所述半導體存儲裝置包括存儲區(qū)以及用于控制存儲區(qū)的控制器，所述操作方法包括: 儲存參數設置數據；以及 根據數據傳輸使能信號來將參數設置數據提供給存儲區(qū)，數據傳輸使能信號響應于參數設置命令或參數獲取命令來使能。10.一種半導體存儲裝置，包括: 存儲區(qū)；以及 控制器，被配置為接收參數設置命令或參數獲取命令，儲存數據或參數設置數據，以及根據參數設置命令或參數獲取命令來輸出參數設置數據。
【文檔編號】G11C16/26GK105989884SQ201510634530
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年9月29日
【發(fā)明人】印銀奎
【申請人】愛思開海力士有限公司