一種固態(tài)硬盤的掉電保護電路及帶ddr緩存的固態(tài)硬盤的制作方法
【專利摘要】本實用新型適用于存儲產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種固態(tài)硬盤的掉電保護電路及帶DDR緩存的固態(tài)硬盤，所述掉電保護電路包括電壓檢測電路、充電電路、儲能電容、放電電路；其中，電壓檢測電路與放電電路連接，儲能電容與放電電路連接；充電電路用于在固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)接口處于與外部電源接通狀態(tài)時，利用外部電源給儲能電容充電；電壓檢測電路用于檢測固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)接口的輸入電壓，并在檢測到輸入電壓低于預設值時，觸發(fā)所述放電電路對儲能電容進行放電，以使固態(tài)硬盤利用儲能電容釋放的電能執(zhí)行寫數(shù)據(jù)操作。本實用新型提供的一種固態(tài)硬盤的掉電保護電路及帶DDR緩存的固態(tài)硬盤，既保證了儲存數(shù)據(jù)的完整性，又不會影響移動設備要求的輕薄、便攜性。
【專利說明】
一種固態(tài)硬盤的掉電保護電路及帶DDR緩存的固態(tài)硬盤
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型屬于存儲產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種固態(tài)硬盤的掉電保護電路及帶 DDR緩存的固態(tài)硬盤。【背景技術(shù)】
[0002]目前市場上存儲設備主要有普通的U盤、不帶DDR緩存的固態(tài)硬盤和帶DDR緩存的固態(tài)硬盤。普通U盤大文件讀寫性能參差不齊，小文件隨機讀寫性能差;不帶DDR緩存的固態(tài)硬盤大文件讀寫性能不錯，但是小文件隨機讀寫性能一般;帶DDR緩存的固態(tài)硬盤大文件讀寫性能和小文件隨機讀寫性能都很不錯;但是如果異常斷電或者沒有安全移除就直接拔掉硬盤時，帶DDR緩存的固態(tài)硬盤緩存里邊的數(shù)據(jù)就會丟失?！緦嵱眯滦蛢?nèi)容】
[0003]本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種固態(tài)硬盤的掉電保護電路及帶DDR 緩存的固態(tài)硬盤，旨在解決帶DDR緩存的固態(tài)硬盤在掉電時會導致數(shù)據(jù)丟失的問題。
[0004]本實用新型提供了一種固態(tài)硬盤的掉電保護電路，包括電壓檢測電路、充電電路、 儲能電容、放電電路;其中，所述電壓檢測電路與所述放電電路連接，所述儲能電容與所述放電電路連接；
[0005]所述充電電路用于在所述固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)接口處于與外部電源接通狀態(tài)時，利用外部電源給所述儲能電容充電；
[0006]所述電壓檢測電路用于檢測固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)接口的輸入電壓，并在檢測到所述輸入電壓低于預設值時，觸發(fā)所述放電電路對所述儲能電容進行放電，以使固態(tài)硬盤利用所述儲能電容釋放的電能執(zhí)行寫數(shù)據(jù)操作。
[0007]進一步地，所述固態(tài)硬盤為帶DDR緩存的固態(tài)硬盤;包括USB固態(tài)硬盤、SATA固態(tài)硬盤、企業(yè)級固態(tài)硬盤。
[0008]進一步地，所述儲能電容為鉭電容。
[0009]進一步地，所述預設值為4.25V。[〇〇1〇]本實用新型還提供了一種帶DDR緩存的固態(tài)硬盤，包括上述掉電保護電路。
[0011]本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果在于:本實用新型提供了一種固態(tài)硬盤的掉電保護電路及帶DDR緩存的固態(tài)硬盤，在輸入固態(tài)硬盤的電壓低于某個值時，電壓檢測電路會觸發(fā)放電電路，使儲能電容通過放電電路繼續(xù)給固態(tài)硬盤供電，固態(tài)硬盤可以利用儲能電容的電量把DDR里面的數(shù)據(jù)寫入到NAND Flash里面，避免數(shù)據(jù)的丟失。同時，在固態(tài)硬盤中加入這種掉電保護電路既保證了儲存數(shù)據(jù)的完整性，又不會影響移動設備要求的輕薄、便攜性。【附圖說明】
[0012]圖1是本實用新型實施例提供的一種固態(tài)硬盤的掉電保護電路?！揪唧w實施方式】
[0013]為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0014]本實用新型的主要實現(xiàn)思想為:通過電壓檢測電路對輸入的電壓進行檢測，在輸入固態(tài)硬盤的電壓低于某個值時，電壓檢測電路會觸發(fā)放電電路，使儲能電容通過放電電路繼續(xù)給固態(tài)硬盤供電，固態(tài)硬盤可以利用儲能電容的電量把DDR里面的數(shù)據(jù)寫入到NAND Flash里面，避免數(shù)據(jù)的丟失。下面具體介紹這種掉電保護電路:
[0015]—種固態(tài)硬盤的掉電保護電路，如圖1所示，包括電壓檢測電路、充電電路、儲能電容、放電電路;其中，所述電壓檢測電路與所述放電電路連接，所述儲能電容與所述放電電路連接;所述充電電路用于在所述固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)接口處于與外部電源接通狀態(tài)時，利用外部電源給所述儲能電容充電。[〇〇16] 具體地，所述固態(tài)硬盤為帶DDR緩存的固態(tài)硬盤;包括USB固態(tài)硬盤、SATA固態(tài)硬盤、企業(yè)級固態(tài)硬盤等對數(shù)據(jù)完整性要求比較高的產(chǎn)品。本實用新型實施例中提到的固態(tài)硬盤為USB固態(tài)硬盤。
[0017]具體地，當USB接口插到電腦USB接口使用時，充電電路會給儲能電容充電;本實用新型實施例中提到的儲能電容為鉭電容。
[0018]理論上，鉭電容可以換成超級電容或者電解電容，但是超級電容和電解電容都比較厚，無法做成超薄、輕便的可移動USB固態(tài)硬盤;而且穩(wěn)定性都沒有鉭電容好，所以優(yōu)先選擇鉭電容。
[0019]所述電壓檢測電路用于檢測固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)接口的輸入電壓，并在檢測到所述輸入電壓低于預設值時，觸發(fā)所述放電電路對所述儲能電容進行放電，以使固態(tài)硬盤利用所述儲能電容釋放的電能執(zhí)行寫數(shù)據(jù)操作。執(zhí)行寫數(shù)據(jù)操作的步驟具體為，觸發(fā)主控芯片，使所述主控芯片把DDR里面的數(shù)據(jù)寫入NAND Flash里面。
[0020]具體地，本實用新型實施例中，當異常斷電或者USB口拔掉時，電腦USB端口會停止給USB固態(tài)硬盤供電，電壓會從5V掉到0V，電壓檢測電路檢測到輸入的電壓掉到預設值 4.25V時，會觸發(fā)放電電路工作，由鉭電容給USB固態(tài)硬盤供電，同時告訴主控芯片把DDR里面的數(shù)據(jù)寫到NAND Flash，避免數(shù)據(jù)的丟失。
[0021]本實用新型還提供了一種帶DDR緩存的固態(tài)硬盤，仍如圖1所示;包括上述掉電保護電路。[〇〇22]本實用新型通過在固態(tài)硬盤中加入掉電保護電路及帶DDR緩存的固態(tài)硬盤，一方面，保證了儲存數(shù)據(jù)的完整性;另一方面，不會影響移動設備要求的輕薄、便攜性。
[0023]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種固態(tài)硬盤的掉電保護電路，其特征在于，包括電壓檢測電路、充電電路、儲能電 容、放電電路;其中，所述電壓檢測電路與所述放電電路連接，所述儲能電容與所述放電電 路連接；所述充電電路用于在所述固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)接口處于與外部電源接通狀態(tài)時，利用外部 電源給所述儲能電容充電；所述電壓檢測電路用于檢測固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)接口的輸入電壓，并在檢測到所述輸入電 壓低于預設值時，觸發(fā)所述放電電路對所述儲能電容進行放電，以使固態(tài)硬盤利用所述儲 能電容釋放的電能執(zhí)行寫數(shù)據(jù)操作。2.如權(quán)利要求1所述的掉電保護電路，其特征在于，所述固態(tài)硬盤為帶DDR緩存的固態(tài) 硬盤;包括USB固態(tài)硬盤、SATA固態(tài)硬盤、企業(yè)級固態(tài)硬盤。3.如權(quán)利要求1所述的掉電保護電路，其特征在于，所述儲能電容為鉭電容。4.如權(quán)利要求1所述的掉電保護電路，其特征在于，所述預設值為4.25V。5.—種帶DDR緩存的固態(tài)硬盤，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-4任一項所述的掉電保 護電路。
【文檔編號】G11C7/24GK205595078SQ201620348949
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年4月22日
【發(fā)明人】楚兵, 楚一兵
【申請人】深圳市瑞耐斯技術(shù)有限公司