專利名稱：晶片減薄后與載體分離的批量生產(chǎn)工藝方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種無線和遠(yuǎn)程通信技術(shù)領(lǐng)域中所用的晶片在減薄后與載體分離的生產(chǎn)工藝方法及其裝置。
隨著無線和遠(yuǎn)程通信技術(shù)的發(fā)展，工作頻率的不斷攀升，對化合物半導(dǎo)體器件和薄型陶瓷襯底的要求也在隨之提高。由于化合物半導(dǎo)體器件必須經(jīng)過減薄后進(jìn)行通孔接地工藝，以獲得良好的熱導(dǎo)性及較低的電感，所以相對于硅晶片工藝標(biāo)準(zhǔn)，目前應(yīng)用在化合物半導(dǎo)體和陶瓷襯底工藝中的晶片減薄后與其載體分離的工藝方法，顯然不是一種高效的生產(chǎn)技術(shù)。目前半導(dǎo)體器件或用于射頻和微波電路模塊制造的薄型陶瓷襯底生產(chǎn)工藝中，最大的問題就是減薄后的晶片與載體分離時(shí)，晶片損壞率很高，造成損壞的主要原因是(1)人工地將半導(dǎo)體晶片或陶瓷襯底粘在載體上；(2)人工地將半導(dǎo)體晶片或陶瓷襯底從載體上取下來。將晶片粘在載體上，主要是為了減少在晶片減薄時(shí)，或背面刻蝕等其他工藝可能對晶片的破壞。晶片與載體的分離工藝是處在減薄工藝之后，劃片工藝(將整個晶片經(jīng)劃片后分為單個器件)之前的一道非常重要的工藝。顯而易見，以上的粘片及分離工藝都是屬于器件制造的后道工藝，所以此時(shí)造成的晶片損壞，由于已涵蓋大部分的工藝，其代價(jià)將是十分昂貴的。
典型的晶片與載體分離工藝包括(1)將減薄后的晶片及其載體放在經(jīng)過加熱的表面上，使晶片和載體間的粘合劑溶化；(2)待粘合劑熔化后，人工地將晶片從載體上輕推下來。
經(jīng)過減薄后的晶片，由于厚度的減少，或者在減薄后又進(jìn)行了背面刻蝕通孔工藝而造成無數(shù)的小孔，會使晶片的脆性增大，極易造成碎片。另外人工操作的失誤也是在分離工藝中造成碎片的主要原因。因此，半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠家及工藝工程師們普遍需要一種新型的無晶片碎片或是損壞的非人工操作的晶片與載體分離工藝。
現(xiàn)有晶片分離工藝是用于將各種類型的晶片(如GaAs，Si等半導(dǎo)體材料，或用于射頻和微波電路模塊制造的陶瓷材料)在通過物理(如磨片機(jī)等)或化學(xué)(如酸液)的方法減薄后，使其與載體分離的一種工藝方法。晶片一般通過粘合劑，如蠟、蠟和光刻膠的混合物或者其他粘性材料等粘到載體上。目前主要采用加熱載體的方法，使粘合劑熔化，再用手工將晶片從載體上取下來，而且只能單片操作，也就是每次只能將一個晶片從載體上取下。其主要的缺點(diǎn)是，手工操作使人為因素增加，操作人員在操作中心理負(fù)擔(dān)較大，極易造成碎片；化學(xué)物質(zhì)殘留影響成品質(zhì)量，單片工藝無法適應(yīng)大規(guī)模生產(chǎn)的需要。以上所述表明，現(xiàn)有的晶片與載體分離工藝已成為晶片生產(chǎn)的瓶頸，亟待解決。
此外，MOTOROA公司近年研制出一種新型的晶片與載體分離工藝，主要原理是利用超聲波和在載體上加工小洞來實(shí)現(xiàn)的。在載體上鉆一些小洞，以使溶劑能較好地與粘合劑接觸，加速熔解時(shí)間。但是在藍(lán)寶石載體上鉆孔成本非常高。另外通過超聲波振蕩的方式，由于晶片及載體在溶劑中始終處于振動狀態(tài)之中，晶片與載體分離后落入接片盒的平穩(wěn)性會受到很大影響。
綜上所述，目前現(xiàn)有的所有工藝都不是一種晶片減薄后盒到盒的全自動批量生產(chǎn)技術(shù)。
本發(fā)明的目的就是為了解決上述問題，提出一種無晶片碎片或損壞的非人工操作的晶片減薄后與載體分離的批量生產(chǎn)工藝方法及其裝置。
本發(fā)明技術(shù)解決方案一種晶片減薄后與載體分離的批量生產(chǎn)工藝方法，它將批量的減薄后的晶片及其粘合在一起的載體一同豎向懸置在放片支架上，其下方設(shè)有接片容器，然后對放片支架上的各減薄處理后的晶片及其載體進(jìn)行加熱處理，使得它們之間的粘合劑熔化或溶解，使各載體上的各對應(yīng)的晶片在其自身重力作用下自動脫開載體落入接片容器。
本發(fā)明方法中，加熱處理可以是溶液加熱，溶液應(yīng)選取沸點(diǎn)較高的有機(jī)溶液或溶劑，如二乙烯甲基對酞酸鹽溶液。加熱處理也可是蒸汽加熱或風(fēng)機(jī)加熱，如采用二乙烯甲基對酞酸鹽蒸汽或氮?dú)鈿怏w加熱。加熱處理還可是傳導(dǎo)加熱。本發(fā)明加熱處理的加熱溫度根據(jù)粘合劑的溶解或熔化點(diǎn)來確定。
一種晶片減薄后與載體分離的批量生產(chǎn)裝置，其特征在于它由送片盒和接片盒組成，送片盒位于接片盒上部，它們活動連接在一起，在送片盒兩側(cè)內(nèi)壁均間隔對應(yīng)設(shè)有多道用于放置減薄后的晶片及其粘合在一起的載體的送片豎向凹槽，且送片盒兩側(cè)內(nèi)壁下部均對應(yīng)設(shè)有一道貫穿各送片豎向凹槽的橫向擋條，它們之間的間距大于晶片的直徑或?qū)挾榷∮谳d體的直徑或?qū)挾龋鄳?yīng)地接片盒兩側(cè)內(nèi)壁對應(yīng)送片盒兩側(cè)內(nèi)壁各送片豎向凹槽的位置亦均間隔設(shè)有多道接片豎向凹槽，它們用來接收加熱處理后掉落下來的各晶片。
本發(fā)明分離工藝方法主要是通過由兩個片盒組成的裝置來實(shí)現(xiàn)盒到盒的批量生產(chǎn)技術(shù)。第一個片盒放在裝置的上部，用來盛放減薄后的晶片及其載體，稱為送片盒；第二個片盒放在送片盒的下部，用來接收與載體分離后的晶片，稱為接片盒。送片盒的作用很特殊，它必須保證與載體分離后的晶片順利通過而使載體留下，將減薄后的晶片及其載體放在送片盒內(nèi)，與下部的接片盒一起放在片籠內(nèi)，再將整個片籠放置在熱的溶劑中，晶片和載體之間的粘合劑逐漸溶解或熔化，粘合力也逐漸減弱，由于送片盒與接片盒按上下位置放置，這樣晶片借著自身的重力作用，會逐漸與載體脫離，最后垂直滑落進(jìn)接片盒內(nèi)。
本發(fā)明工藝適用于各種類型(如GaAs，Si等半導(dǎo)體材料，或用于射頻和微波電路模塊制造的陶瓷材料)，各種尺寸(1-16英寸)，各種形狀(圓形或其他邊緣平滑的任何形狀)的晶片，在通過物理(如磨片機(jī)等)或化學(xué)(如酸液等)的方法減薄后，使其與載體分離。晶片一般通過粘性材料如蠟、蠟和光刻膠的混合物或者其他粘性物質(zhì)等粘到載體上。這是一種真正的盒到盒的批生產(chǎn)工藝，必將在工業(yè)生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用。各種材料的晶片，如各種半導(dǎo)體材料，或用于射頻和微波電路模塊制造的陶瓷材料，很薄的玻璃片或石英片等。各種尺寸從1英寸到16英寸。各種形狀，如圓形或其他邊緣平滑的任何多邊形的晶片，均可使用該工藝方法。無論是通過物理方法如磨片機(jī)，研片機(jī)和拋光機(jī)等，還是化學(xué)方法減薄后的晶片，均可使用該工藝。載體可為任何抗化學(xué)腐蝕或耐加熱的剛性材料，不論透明的，不透明的或是加工有小洞的載體，均可使用該工藝方法．藍(lán)寶石載體由于其良好的剛性，抗化學(xué)腐蝕性和透光性，目前已得到廣泛的應(yīng)用。粘合劑的選取必須保證在接下來的工藝中不會脫落，并在高溫下可被某種溶劑熔解或熔化。蠟、蠟和光刻膠的混合物或者其他粘合劑是目前應(yīng)用的較為普遍的材料。有很多方法可使晶片和載體之間的粘合劑熔化或溶解，如合適的氣體，蒸汽或液體溶劑。假如把兩個片盒放在一個裝置內(nèi)，無需任何氣體，蒸汽或液體，只加熱兩個片盒，也可達(dá)到熔化粘合劑的目的。但是，最佳的選擇是使用液體溶劑，它熔解速度較為緩慢，可使晶片在滑落至接片盒的過程中最大限度的避免碎片，同時(shí)也可起到清潔晶片的作用。


圖1是本發(fā)明裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2-4是本發(fā)明裝置處理圓形晶片及其載體的工作過程示意圖。
圖5-7是本發(fā)明裝置處理帶平邊的圓形晶片及其載體的工作過程示意圖。
圖8-10是本發(fā)明裝置處理矩形晶片及其載體的工作過程示意圖。
如圖1，本發(fā)明方法中的放片支架和接片容器可采用送片盒1和接片盒2組成，它們構(gòu)成本發(fā)明晶片減薄后與載體分離的批量生產(chǎn)裝置，送片盒1位于接片盒2上部，它們活動連接在一起，如通過盒體之間的定位連接銷3連接在一起，在送片盒1兩側(cè)內(nèi)壁均間隔對應(yīng)設(shè)有多道用于放置減薄后的晶片4及其粘合在一起的載體5的送片豎向凹槽6，且送片盒1兩側(cè)內(nèi)壁下部均對應(yīng)設(shè)有一道貫穿各送片豎向凹槽6的橫向擋條7，它們之間的間距大于晶片4的直徑或?qū)挾榷∮谳d體5的直徑或?qū)挾?，相?yīng)地接片盒2兩側(cè)內(nèi)壁對應(yīng)送片盒1兩側(cè)內(nèi)壁各送片豎向凹槽6的位置亦均間隔設(shè)有多道接片豎向凹槽8，它們用來接收加熱處理后掉落下來的各晶片4。在接片盒2兩側(cè)內(nèi)壁下部亦均對應(yīng)設(shè)有一道貫穿各接片豎向凹槽8的橫向擋條9，它們之間的間距小于晶片4的直徑或?qū)挾取?br> 本發(fā)明中，送片盒1垂直放置，晶片4及其載體5豎直放置在送片盒1中。載體5與送片盒1的對應(yīng)豎向凹槽6接觸，晶片4與對應(yīng)豎向凹槽6之間有間隙。
如果晶片4沒有平邊，載體5尺寸略大于晶片4尺寸。接片盒2由TEFLON包覆的金屬材料制成，適用于溶劑溫度大于130℃的情況。送片盒1的制作過程片盒由兩個完全平行的第一(左邊)和第二(右邊)側(cè)墻組成，兩側(cè)墻間由金屬連接桿10連接，每個側(cè)墻均有TEFLON橫向擋條7，以便將晶片4及其載體5阻擋在片盒內(nèi)。兩個TEFLON橫向擋條7、9間的距離，對于送片盒1應(yīng)設(shè)計(jì)成使載體5留住而讓晶片4可通過；對于接片盒2，使其能接住并懸置定位住晶片4即可。在送片盒1第一側(cè)墻(左邊)和接片盒2第二側(cè)墻(右邊)靠近末端的地方各鉆兩個直徑稍小的洞。在送片盒1第二側(cè)墻(右邊)和接片盒2第一側(cè)墻(左邊)靠近末端的地方各鉆兩個直徑稍大的洞。在送片盒1第一側(cè)墻(左邊)和接片盒2第二側(cè)墻(右邊)末端的兩個小洞內(nèi)各放兩個銷子。這樣，上、下兩個片盒可根據(jù)四個銷子的定位，晶片4即能準(zhǔn)確地從送片盒1滑入接片盒2內(nèi)位置相對的接片豎向凹槽8內(nèi)。
本發(fā)明所有的片盒須由TEFLON材料包覆，以使裝片容易，減少晶片劃傷。
如果晶片4是其他形狀，或者載體5太厚太大，或者晶片4不是標(biāo)準(zhǔn)的2，3，4，5，6，8，12和16英寸，那么片盒就需特別加工。接片盒2必須根據(jù)晶片4的尺寸加工成能保證接住并定位住晶片；送片盒1需加工豎向凹槽6，并插入有兩個TEFLON橫向擋條7，以定位住載體5。橫向擋條的距離應(yīng)設(shè)計(jì)成使載體5留住而晶片4可自由通過。另外在一側(cè)墻上做兩個銷子用來定位上下兩片盒。如果晶片4有一平邊，則載體5的尺寸可與之相近。接片盒2由TEFLON包覆的金屬材料制成，適用于溶劑溫度大于130℃時(shí)的情況。如果晶片4沒有平邊，則載體5應(yīng)稍大于晶片4尺寸。接片盒2是標(biāo)準(zhǔn)的TEFLON材料制成，只適用于溶劑溫度小于130℃時(shí)的情況。如果晶片4有一平邊，則載體5的尺寸可與之相同或相近。接片盒2是標(biāo)準(zhǔn)的TEFLON材料制成，只適用于溶劑溫度小于130℃時(shí)的情況。如果晶片4為矩形，則載體5應(yīng)略大于晶片4尺寸。接片盒2由TEFLON包覆的金屬材料制成，適用于溶劑溫度大于130℃時(shí)的情況。
半導(dǎo)體制造工業(yè)中有各種標(biāo)準(zhǔn)的片盒(如2-16英寸)。其作用是用來盛放或轉(zhuǎn)移晶片4。金屬片盒兩個側(cè)墻間由金屬連接桿10連接，TEFLON片盒是由TEFLON連接桿10連接。一端的橫檔和側(cè)墻用于晶片轉(zhuǎn)移時(shí)的定位，另一端的橫檔和側(cè)墻則作為片盒的把手。通常放置片盒的方式有兩種一種是片盒水平放置，晶片垂直放在片盒內(nèi)，另一種片盒垂直放置，晶片水平放在片盒內(nèi)而且定位模檔放在底部。當(dāng)片盒水平放置時(shí)，有兩個銷子的第一側(cè)墻(左邊)應(yīng)放在頂部。
晶片與載體分離工藝通過一種裝置實(shí)現(xiàn)的。該裝置包括兩個片盒，一個由金屬網(wǎng)制成的片籠和用于溶解粘合劑的溶解槽。
裝置中放在底部的是接片盒2，為標(biāo)準(zhǔn)TEFLON片盒，放在上部的是送片盒1，用來放置減薄后的晶片4與載體5，這是一個經(jīng)過特殊加工或改制的包覆TEFLON的金屬片盒，它的目的是使晶片4通過而讓載體5留下。
如圖2-4，如果晶片4為圓形且沒有平邊，晶片4通過物理方法減溥，則載體5可做成稍大于晶片4尺寸的圓形(一般大3毫米或0．1英寸即可)。這種情況下，最簡單的改造送片盒1的方法是去掉原有的TEFLON橫檔，另外加工一個小凹槽，然后插入兩個較小的TEFLON橫檔。兩側(cè)內(nèi)壁間隔設(shè)置的送片豎向凹槽6也要加工深一些，用來放置稍大尺寸的載體5。假如減薄后的晶片4和載體5的總厚度接近或大于豎向凹槽6的間隙，則其間隙必須加大。具體的辦法是將靠近載體5一側(cè)的柵欄減薄，保證凹槽間隙增大后，晶片4的相對位置沒有改變。這樣才能使晶片4最終順利滑落至接片盒2。如果晶片4為圓形且沒有平邊，但晶片4是通過化學(xué)方法減薄的，由于化學(xué)減薄可使晶片4直徑減小數(shù)微米，則載體5也可做成同樣尺寸的圓形。當(dāng)溶劑溫度低于130℃時(shí)，接片盒2可為標(biāo)準(zhǔn)TEFLON片盒。當(dāng)溶劑溫度高于130℃時(shí)，接片盒2應(yīng)為包覆TEFLON的金屬片盒以避免晶片劃傷。
如圖5-7，如果晶片4為帶平邊的圓形，載體5可做成同樣尺寸的圓形。這種情況下，最簡單的改制送片盒的方法是，去掉原有的TEFLON橫檔，在原有的大凹槽中間另外加工一個小凹槽，然后插入兩個較小的TEFLON橫檔作為橫向擋條。橫檔的距離應(yīng)設(shè)計(jì)成使載體5留住而晶片4可自由通過。另外在一側(cè)墻上做兩個銷子用來定位上下兩片盒。
如圖8-10，如果晶片4為矩形，載體5也應(yīng)為矩形并稍大于晶片尺寸。片盒的改造方法同上。但凹槽加工的位置應(yīng)為片盒的底部。
如果晶片4是其他形狀，或者載體5太厚太大，或者晶片4不是標(biāo)準(zhǔn)的2，3，4，5，6，8，12和16英寸，那么片盒就須特別加工。接片盒2必須根椐晶片4的尺寸加工成能保證接住并定位住晶片；送片盒1需加工凹槽，插入兩個TEFLON橫檔以定位位載體5。橫檔的距離應(yīng)設(shè)計(jì)成使載體5留住而晶片4可自由通過。另外在一側(cè)墻上做兩個銷子用來定位上下兩片盒。
片籠由金屬網(wǎng)構(gòu)成用來盛放兩個片盒。網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是通過網(wǎng)孔，溶劑較易進(jìn)入片盒，萬一有碎片，碎片也不會漏出。這種片籠也可用于單片操作或人工取片。
綜上所述，這種經(jīng)過改進(jìn)的晶片與載體分離工藝方法是可實(shí)現(xiàn)的，并克服了原有工藝的缺點(diǎn)。自動操作取代人工操作，大大降低了過去由于人為失誤造成的高碎片率。另外，這種方法更是極大地提高了生產(chǎn)效率。一名操作人員可同時(shí)處理一批晶片，而不是像原有工藝一次只能處理一個晶片。相對于原有工藝中將晶片水平拉出，這種工藝是通過晶片自身的重力作用垂直滑落的，所以更為安全可靠。并且，傳統(tǒng)的片盒如與以上描述的片盒近似，即可迅速低廉地改造為能適應(yīng)這種方法使用的片盒。
與本發(fā)明相關(guān)的工藝有，粘片工藝粘片工藝是將半導(dǎo)體或其他材料的晶片4通過粘合劑粘在或附在載體5上的一種工藝方法。粘合劑必須要經(jīng)受住接下來背面工藝超過100℃的高溫。背面工藝包括將晶片4從600微米減薄為100至50微米厚，刻蝕通孔，淀積背面金屬及光刻工藝等等。經(jīng)過晶片4的背面工藝后，就必須使用分離工藝將晶片4與載體5分離。一般方法是使晶片4與載體5暴露在至少一種化學(xué)溶劑中，而后使之分離。
減薄的晶片與載體分離工藝具體操作過程如下放片時(shí)，片盒垂直放置。晶片4及載體5水平插在送片盒1內(nèi)。這時(shí)，晶片4朝上，載體5朝下并與片盒內(nèi)的間隔送片豎向凹槽6接觸。假如使用機(jī)器手裝片，利用機(jī)器手臂與載體5接觸，也可做到將晶片4朝上，載體朝下5地放置在送片盒1內(nèi)。而后將送片盒1與接片盒2水平放置，晶片4及載體5均處在垂直狀態(tài)。將送片盒1與接片盒2按上下位置通過四個銷子定位固定好，然后放入網(wǎng)狀片籠中。再將片籠浸入第一道溶劑中，溶解、軟化或至少使粘合劑粘力減弱。這樣在垂直狀態(tài)下，晶片4在自身重力作用下，就會很容易地與載體5分離，并滑落至底部的接片盒2內(nèi)。當(dāng)整個片盒全部浸在溶劑中時(shí)，這種分離非常平滑。一般溶劑液面的高度應(yīng)與片盒頂部平齊，片籠的把手留在液面外。第一道溶劑可為溶劑或任何可使粘合劑熔化、溶解、軟化或至少使粘力減弱的化學(xué)物質(zhì)。如二乙烯甲基對酞酸鹽溶液。最好的選擇應(yīng)是該溶液不能對晶片4、載體5或片盒有腐蝕或侵害作用。該溶劑可加熱，以縮短分離所需的時(shí)間。加熱溫度一般在120℃左右。隨著粘性逐漸減弱，經(jīng)過一段時(shí)間后，只需很小的外力，晶片4就會很容易地與載體5分離。由于送片盒1與接片盒2是上下放置，這樣借著重力作用，晶片4會逐漸與載體5脫離，最后垂直滑落進(jìn)接片盒2。溶液減慢了滑落的速度，晶片4落入接片盒2時(shí)就更加輕柔，有效地避免碎片的發(fā)生。同時(shí)，在滑落過程中，溶液也可清潔晶片4表面的粘合劑。當(dāng)所有晶片4都落入接片盒2后，即可將整個片籠提出溶液，移走留有載體5的送片盒1至另一片籠，再將這兩個片籠放回到第一道溶液中清洗殘留的粘合劑。
該工藝方法還包括第二道溶液的處理，用來去除殘留的粘合劑，保證晶片4表面干凈。當(dāng)然最好是在浸入第二道溶液前粘合劑已全部溶解。另外，第二道溶液最好選擇與第一道相同或類似。第二道溶液可加熱至低于第一道溶液的溫度，一般在100-100℃，并使晶片4逐步冷卻到室溫以防止由于溫度驟變而引起的晶片爆裂。然后依次用丙酮和乙醇清洗兩道溶液殘留在晶片4表面的化學(xué)物質(zhì)。首先，將片籠放在丙酮槽中5分鐘以上，而后放在乙醇槽中5分鐘以上。最后將片盒取出放在80℃的烘箱內(nèi)烘干，或用風(fēng)槍吹干。晶片4與載體5分離工藝后，所有的晶片4都被移至接片盒2內(nèi)，經(jīng)過清洗，無須其它傳送工序，即可直接以盒到盒的方式傳送至下一道劃片工藝。
權(quán)利要求
1.一種晶片減薄后與載體分離的批量生產(chǎn)工藝方法，其特征在于它將批量的減薄后的晶片及其粘合在一起的載體一同豎向懸置在放片支架上，其下方設(shè)有接片容器，然后對放片支架上的各減薄處理后的晶片及其載體進(jìn)行加熱處理，使得它們之間的粘合劑熔化或溶解，使各載體上的各對應(yīng)的晶片在其自身重力作用下自動脫開載體落入接片容器。
2.按權(quán)利要求1所述的晶片減薄后與載體分離的批量生產(chǎn)工藝方法，其特征在于加熱處理或是溶液加熱，溶液應(yīng)選取沸點(diǎn)較高的有機(jī)溶液或溶劑，加熱處理或是蒸汽加熱或風(fēng)機(jī)加熱，加熱處理或是傳導(dǎo)加熱，加熱溫度根據(jù)粘合劑的溶解點(diǎn)來確定。
3.按權(quán)利要求2所述的晶片減薄后與載體分離的批量生產(chǎn)工藝方法，其特征在于溶液加熱處理采用二乙烯甲基對酞酸鹽溶液，蒸汽加熱處理采用二乙烯甲基對酞酸鹽蒸汽或氮?dú)鈿怏w加熱。
4.一種晶片減薄后與載體分離的批量生產(chǎn)裝置，其特征在于它由送片盒和接片盒組成，送片盒位于接片盒上部，它們活動連接在一起，在送片盒兩側(cè)內(nèi)壁均間隔對應(yīng)設(shè)有多道用于放置減薄后的晶片及其粘合在一起的載體的送片豎向凹槽，且送片盒兩側(cè)內(nèi)壁下部均對應(yīng)設(shè)有一道貫穿各送片豎向凹槽的橫向擋條，它們之間的間距大于晶片的直徑或?qū)挾榷∮谳d體的直徑或?qū)挾龋鄳?yīng)地接片盒兩側(cè)內(nèi)壁對應(yīng)送片盒兩側(cè)內(nèi)壁各送片豎向凹槽的位置亦均間隔設(shè)有多道接片豎向凹槽，它們用來接收加熱處理后掉落下來的各晶片。
5.按權(quán)利要求4所述的晶片減薄后與載體分離的批量生產(chǎn)裝置，其特征在于送片盒與接片盒如通過盒體之間的定位連接銷連接在一起。
6.按權(quán)利要求4所述的晶片減薄后與載體分離的批量生產(chǎn)裝置，其特征在于送片盒與接片盒兩個完全平行的兩側(cè)墻間由金屬連接桿連接在一起。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種無線和遠(yuǎn)程通信技術(shù)領(lǐng)域中所用的晶片在減薄后與載體分離的生產(chǎn)工藝方法及其裝置,它將批量的減薄后的晶片及其粘合在一起的載體一同豎向懸置在放片支架上,其下方設(shè)有接片容器,然后對放片支架上的各減薄處理后的晶片及其載體進(jìn)行加熱處理,使得它們之間的粘合劑熔化或溶解,使各載體上的各對應(yīng)的晶片在其自身重力作用下自動脫開載體落入接片容器。
文檔編號H01L21/677GK1282102SQ00112498
公開日2001年1月31日 申請日期2000年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月1日
發(fā)明者陳正明 申請人:陳正明