專(zhuān)利名稱(chēng)：引線(xiàn)框架及使用它的樹(shù)脂密封件和光電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種引線(xiàn)框架以及使用這種引線(xiàn)框架的樹(shù)脂密封件。本發(fā)明還涉及一種用這種樹(shù)脂密封件安裝高輸出半導(dǎo)體激光器件所構(gòu)成的小型光電子裝置。
安裝了光學(xué)半導(dǎo)體器件的光電子裝置，例如，在特開(kāi)平6-203403號(hào)公報(bào)中已有記載。即，先制成一種在芯片安裝區(qū)和芯片安裝區(qū)的周邊附近設(shè)有內(nèi)引線(xiàn)的引線(xiàn)框架，再用樹(shù)脂將其密封而獲得樹(shù)脂密封件。在這種情況下，在樹(shù)脂密封件中設(shè)置開(kāi)口，使芯片安裝區(qū)以及內(nèi)引線(xiàn)的前端部露出。然后，在開(kāi)口內(nèi)的芯片安裝區(qū)上安裝光學(xué)半導(dǎo)體器件，對(duì)開(kāi)口周邊露出的數(shù)根內(nèi)引線(xiàn)的前端部與光學(xué)半導(dǎo)體器件的各電極進(jìn)行線(xiàn)路連接。最后，在開(kāi)口內(nèi)設(shè)置透明的光學(xué)部件，并將光學(xué)半導(dǎo)體器件密封。
這種光電子裝置安裝在進(jìn)行光盤(pán)等光記錄介質(zhì)的記錄和/或再現(xiàn)的光傳感器(pick-up)裝置中并被應(yīng)。
光盤(pán)裝置越來(lái)越趨于小型化，與此相對(duì)應(yīng)，對(duì)上述光電子裝置的小型化要求也越來(lái)越強(qiáng)烈。作為光電子裝置小型化的手段之一，是將構(gòu)成引線(xiàn)框架的內(nèi)引線(xiàn)小間距化。
通常，內(nèi)引線(xiàn)的排列間距受其厚度的限制，要使排列間距細(xì)微化，必須有效地減小厚度。特開(kāi)平5-326788號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了一種半導(dǎo)體裝置，其中，對(duì)多根內(nèi)引線(xiàn)的前端部進(jìn)行壓力加工，使其變薄，從而使內(nèi)引線(xiàn)小間距化。這里，通過(guò)壓延所制成的引線(xiàn)框架的內(nèi)引線(xiàn)前端部通過(guò)壓力加工，其厚度比通過(guò)壓延成形所得到的厚度最低也會(huì)減小1/6，由此獲得薄的內(nèi)引線(xiàn)。
然而，上述現(xiàn)有的光電子裝置和半導(dǎo)體裝置及其制造方法存在下列問(wèn)題。
隨著光盤(pán)裝置等的大容量化及小型化，要求光傳感器裝置所用的半導(dǎo)體激光器件高輸出化，還要求安裝該半導(dǎo)體激光器件的密封安裝件小型化。由于半導(dǎo)體激光器件高輸出化增加了發(fā)熱量，因此，要求散熱性能良好。而為了小型化又要求內(nèi)引線(xiàn)小間距化。但是，可以兼顧散熱特性和小間距化的樹(shù)脂密封件是沒(méi)有的。
由于要確保散熱性能，芯片安裝區(qū)部分的厚度比通常的引線(xiàn)框架還要厚，因此，就不能按照小間距化的需要，制造出薄且精確度優(yōu)良的內(nèi)引線(xiàn)前端部。而且，對(duì)于安裝光學(xué)半導(dǎo)體器件的光電子裝置，為了露出芯片安裝區(qū)和小間距化的內(nèi)引線(xiàn)前端部，而在樹(shù)脂密封件上設(shè)置開(kāi)口，將光學(xué)半導(dǎo)體器件安裝在開(kāi)口內(nèi)的芯片安裝區(qū)上，確保其光學(xué)特性。從而，為了小型化而使內(nèi)引線(xiàn)變薄，開(kāi)口內(nèi)露出的薄的內(nèi)引線(xiàn)前端部強(qiáng)度降低，容易產(chǎn)生變形。露出的內(nèi)引線(xiàn)前端部的微小變形就會(huì)引起光學(xué)特性的惡化以及樹(shù)脂與內(nèi)引線(xiàn)前端部的剝離等。
而且，光傳感器裝置所用的光電子裝置，根據(jù)其安裝配置等關(guān)系，特別期望在其密封件的1個(gè)方向小型化?，F(xiàn)有的光電子裝置的平面形狀基本上呈長(zhǎng)方形，而其短邊方向難以進(jìn)一步縮短化。
本發(fā)明的目的是解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題。
即，本發(fā)明的目的是提供一種設(shè)有小間距化內(nèi)引線(xiàn)、并且其厚度能滿(mǎn)足良好散熱特性的芯片安裝區(qū)的引線(xiàn)框架。而且，本發(fā)明的目的是提供一種與密封樹(shù)脂的粘合性良好的引線(xiàn)框架。還有，本發(fā)明的目的是提供一種既有這些特性，又容易制造、成本低廉的引線(xiàn)框架。
另外，本發(fā)明的目的是提供一種小型化和兼顧散熱特性能的樹(shù)脂密封件。而進(jìn)一步的目的是提供一種樹(shù)脂與芯片安裝區(qū)及引線(xiàn)之間粘合性良好的樹(shù)脂密封件。還有，本發(fā)明的目的是提供一種既有這些特性，又容易制造、成本低廉的樹(shù)脂密封件。
再有，本發(fā)明的目的是提供一種既小型、又有良好散熱特性、可以對(duì)應(yīng)于高輸出化、高性能、低成本的光電子裝置。
為了達(dá)到本發(fā)明的上述目的而采用以下構(gòu)成。
本發(fā)明的第1引線(xiàn)框架的特征在于，它具有芯片安裝區(qū)、與所述芯片安裝區(qū)連接的至少1根基礎(chǔ)引線(xiàn)(support lead)、以及2根以上第1內(nèi)引線(xiàn)，所述的芯片安裝區(qū)包括厚的芯片安裝區(qū)本體部分和中等厚度的芯片安裝區(qū)周邊部分，所述的芯片安裝區(qū)周邊部分設(shè)在所述芯片安裝區(qū)本體部分的至少一邊側(cè)，其厚度比所述芯片安裝區(qū)本體部分薄，所述的第1內(nèi)引線(xiàn)的厚度比所述的芯片安裝區(qū)周邊部分薄，其前端部設(shè)置得與所述的芯片安裝區(qū)周邊部分相對(duì)。
如果采用上述第1引線(xiàn)框架，則在厚的芯片安裝區(qū)本體部分的至少一邊，相對(duì)配置薄的第1內(nèi)引線(xiàn)的前端部，在與第1內(nèi)引線(xiàn)相對(duì)的芯片安裝區(qū)本體部分的那一邊，形成中等厚度的芯片安裝區(qū)周邊部分。由于在厚度差異很大的厚的部分和薄的部分之間，設(shè)有中等厚度的部分，因此，沒(méi)有厚度急劇變化的部分，可以通過(guò)壓延加工一次成形。其結(jié)果，可以在使芯片安裝區(qū)達(dá)到散熱特性所必需的厚度的同時(shí)，使內(nèi)引線(xiàn)的前端部達(dá)到小間距化所必需實(shí)現(xiàn)的薄膜化。然后，通過(guò)沖壓加工能夠容易地形成細(xì)微的引線(xiàn)。從而，所獲得的引線(xiàn)框架具有小間距化的內(nèi)引線(xiàn)和散熱特性良好的芯片安裝區(qū)，并可以容易地和低成本地獲得這種引線(xiàn)框架。
本發(fā)明的第2引線(xiàn)框架的特征在于，它具有芯片安裝區(qū)、與所述芯片安裝區(qū)連接的至少1根基礎(chǔ)引線(xiàn)、以及3根以上第1內(nèi)引線(xiàn)，所述的芯片安裝區(qū)設(shè)有厚的芯片安裝區(qū)本體部分，所述的第1內(nèi)引線(xiàn)設(shè)置在所述芯片安裝區(qū)本體部分的至少一邊，其前端部與所述的至少一邊相對(duì)，其厚度比所述的芯片安裝區(qū)本體部分薄，每根所述的第1內(nèi)引線(xiàn)具有寬度窄的部分和寬度寬的部分，在靠近芯片安裝區(qū)的那一側(cè)，為寬度窄的部分，而在上述芯片安裝區(qū)相對(duì)一側(cè)，為寬度寬的部分，其寬度比所述寬度窄的部分寬，在所述的3根以上第1內(nèi)引線(xiàn)中，與中間的第1內(nèi)引線(xiàn)的所述寬度窄的部分和所述寬度寬的部分的結(jié)合點(diǎn)相比，靠近上述芯片安裝區(qū)形成，其兩邊的第1內(nèi)引線(xiàn)的所述寬度窄的部分和所述寬度寬的部分的結(jié)合點(diǎn)，在所述的寬度窄的部分，所述的中間第1內(nèi)引線(xiàn)和其兩邊的第1內(nèi)引線(xiàn)之間的間隔比所述寬度寬的部分窄。
如果采用上述第2引線(xiàn)框架，則對(duì)于第1內(nèi)引線(xiàn)的寬度窄的部分和寬度寬的部分的結(jié)合點(diǎn)來(lái)說(shuō)，越是外側(cè)的內(nèi)引線(xiàn)的所述結(jié)合點(diǎn)就越靠近芯片安裝區(qū)。為此，由于越外側(cè)的第1內(nèi)引線(xiàn)，寬的部分就相對(duì)越長(zhǎng)，因此，薄的第1內(nèi)引線(xiàn)一直到前端部附近都保持高強(qiáng)度。從而，可以防止加工時(shí)的變形。而且，提高了從密封樹(shù)脂露出的前端部的強(qiáng)度，不易產(chǎn)生變形。從而，在用樹(shù)脂密封的情況下，可減少與樹(shù)脂的剝離。而且，由于在寬度窄的部分那一側(cè)，引線(xiàn)之間的間隔小，因此，還可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)第1內(nèi)引線(xiàn)的小間距化。還有，由于具有厚的芯片安裝區(qū)本體部分，因此，散熱特性良好。
本發(fā)明的第3引線(xiàn)框架的特征在于，它具有帶狀的厚的區(qū)域以及比所述厚的區(qū)域薄的帶狀薄的區(qū)域，所述厚的區(qū)域和所述薄的區(qū)域相互平行，在所述厚的區(qū)域形成芯片安裝區(qū)，在所述薄的區(qū)域形成引線(xiàn)，所述引線(xiàn)的延伸方向與所述帶狀區(qū)域的方向基本上垂直。
如果采用上述第3引線(xiàn)框架，則由于在帶狀的厚的區(qū)域內(nèi)形成芯片安裝區(qū)，因此，散熱特性良好，又由于在帶狀的薄的區(qū)域內(nèi)形成引線(xiàn)，因此，可以使引線(xiàn)小間距化。因這些厚度不同的帶狀區(qū)域相互平行，所以，這可以通過(guò)壓延加工而容易地獲得。而且，由于引線(xiàn)的延伸方向與帶狀區(qū)域的形成方向基本上垂直，因此，引線(xiàn)在延伸方向的厚度均勻。從而，可以容易地和高精度地進(jìn)行引線(xiàn)的小間距加工。并且，所加工的引線(xiàn)變形小。因而，可以容易地和低成本地獲得具有內(nèi)引線(xiàn)小間距化和散熱特性良好的引線(xiàn)框架。
其次，本發(fā)明的第1樹(shù)脂密封件的特征在于，它具有芯片安裝區(qū)、與所述芯片安裝區(qū)連接的至少1根基礎(chǔ)引線(xiàn)、2根以上第1內(nèi)引線(xiàn)、以及密封樹(shù)脂，所述的芯片安裝區(qū)包括厚的芯片安裝區(qū)本體部分和中等厚度的芯片安裝區(qū)周邊部分，所述的芯片安裝區(qū)周邊部分設(shè)在所述芯片安裝區(qū)本體部分的至少一邊側(cè)，其厚度比所述芯片安裝區(qū)本體部分薄，所述的第1內(nèi)引線(xiàn)的厚度比所述的芯片安裝區(qū)周邊部分薄，其前端部設(shè)置得與所述的芯片安裝區(qū)周邊部分相對(duì)，所述的密封樹(shù)脂將所述的芯片安裝區(qū)、所述的基礎(chǔ)引線(xiàn)和所述的第1內(nèi)引線(xiàn)一體密封，露出所述芯片安裝區(qū)的一部分上表面和一部分下表面、以及所述第1內(nèi)引線(xiàn)的前端部上表面。
由于所述的第1樹(shù)脂密封件是將所述的第1引線(xiàn)框架進(jìn)行樹(shù)脂密封而獲得的，因此，可以容易地和低成本地提供內(nèi)引線(xiàn)小間距化、散熱特性良好的樹(shù)脂密封件。
本發(fā)明的第2樹(shù)脂密封件的特征在于，它具有芯片安裝區(qū)、與所述芯片安裝區(qū)連接的至少1根基礎(chǔ)引線(xiàn)、3根以上第1內(nèi)引線(xiàn)、以及密封樹(shù)脂，所述的芯片安裝區(qū)設(shè)有厚的芯片安裝區(qū)本體部分，所述的第1內(nèi)引線(xiàn)設(shè)置在所述芯片安裝區(qū)本體部分的至少一邊，其前端部與所述的至少一邊相對(duì)，其厚度比所述的芯片安裝區(qū)本體部分薄，所述的密封樹(shù)脂將所述的芯片安裝區(qū)、所述的基礎(chǔ)引線(xiàn)和所述的第1內(nèi)引線(xiàn)一體密封，露出所述芯片安裝區(qū)的一部分上表面和一部分下表面、以及所述第1內(nèi)引線(xiàn)前端部的上表面，每根所述的第1內(nèi)引線(xiàn)具有寬度窄的部分和寬度寬的部分，在靠近芯片安裝區(qū)的那一側(cè)，為寬度窄的部分，而在遠(yuǎn)離芯片安裝區(qū)的那一側(cè)，為寬度寬的部分，其寬度比所述寬度窄的部分寬，在所述的3根以上第1內(nèi)引線(xiàn)中，與中間的第1內(nèi)引線(xiàn)的所述寬度窄的部分和所述寬度寬的部分的結(jié)合點(diǎn)相比，其兩邊的第1內(nèi)引線(xiàn)的所述寬度窄的部分和所述寬度寬的部分的結(jié)合點(diǎn)靠近芯片安裝區(qū)，在所述的寬度窄的部分，所述的中間第1內(nèi)引線(xiàn)和其兩邊的第1內(nèi)引線(xiàn)之間的間隔比所述寬度寬的部分窄。
由于所述的第2樹(shù)脂密封件是將所述的第2引線(xiàn)框架進(jìn)行樹(shù)脂密封而獲得的，因此，可以使第1內(nèi)引線(xiàn)小間距化，并可以減小與樹(shù)脂的剝離。還提高了從密封樹(shù)脂處露出的前端部的強(qiáng)度。由于設(shè)置了厚的芯片安裝區(qū)本體部分，因而，散熱特性良好。
另外，本發(fā)明的光電子裝置的特征在于，它具有所述的第1或第2樹(shù)脂密封件、安裝在所述的芯片安裝區(qū)上的光電子元件、以及密封所述的光電子元件的光學(xué)透明部件。
這樣的光電子裝置由于其中的內(nèi)引線(xiàn)小間距化，因而能夠小型化，又由于具有厚的芯片安裝區(qū)，因而，散熱特性良好。而且這樣的光電子裝置可以容易地和低成本地獲得。
下面利用附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。附圖中

圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1的引線(xiàn)框架的平面圖。
圖2是沿圖1中Ⅱ-Ⅱ線(xiàn)的箭頭方向所看到的斷面圖。
圖3是本發(fā)明的實(shí)施例2的光電子裝置的平面圖。
圖4是沿圖1中Ⅳ-Ⅳ線(xiàn)的箭頭方向所看到的斷面圖。
實(shí)施例1圖1是本發(fā)明的引線(xiàn)框架的平面圖。圖2是沿圖1中Ⅱ-Ⅱ線(xiàn)的箭頭方向所看到的斷面圖。
將板狀金屬構(gòu)件沿圖1中箭頭150的方向壓延，與壓延方向150平行地形成數(shù)個(gè)厚度不同的帶狀區(qū)域，然后，沖壓成如圖所示的平面形狀，就制成了引線(xiàn)框架100。即，引線(xiàn)框架具有其厚度分別為t0、t1、t2、t3，并與壓延方向150平行的帶狀區(qū)域，這些厚度參數(shù)滿(mǎn)足t0＞t1＜t2＜t3的關(guān)系。各區(qū)域的上表面基本上在同一平面內(nèi)，由下表面的位置變化而使厚度改變。圖1中只示出了兩個(gè)重復(fù)的單元，實(shí)際的引線(xiàn)框架在壓延方向150上連續(xù)重復(fù)形成許多這樣的單元。
芯片安裝區(qū)200包括最厚的(t3=0.5～0.7mm)芯片安裝區(qū)本體部分203以及設(shè)在其周?chē)闹械群穸鹊?t2=0.3～0.45mm)芯片安裝區(qū)周邊部分201。芯片安裝區(qū)200的平面形狀基本上為矩形，其短邊方向平行于壓延方向150。
而且，在引線(xiàn)框架上，在芯片安裝區(qū)200的兩個(gè)短邊的側(cè)邊，具有數(shù)根與壓延方向150基本垂直的引線(xiàn)。每根引線(xiàn)的厚度比上述中等厚度的(t2=0.3～0.45mm)芯片安裝區(qū)周邊部分201薄，它至少具有2種厚度。即，每根引線(xiàn)具有厚度為t1=0.25～0.3mm的外引線(xiàn)側(cè)部分和厚度為t0=0.2mm的內(nèi)引線(xiàn)側(cè)部分。由于在與壓延方向150垂直的方向延設(shè)引線(xiàn)，因此，引線(xiàn)各部分在延設(shè)方向的厚度是均勻的。從而，可以容易地和高精度地加工成小間距的引線(xiàn)。而且，加工成的引線(xiàn)變形小。
芯片安裝區(qū)200與基礎(chǔ)引線(xiàn)(support lead)110保持連接?；A(chǔ)引線(xiàn)110與芯片安裝區(qū)200的連接部分111的厚度最薄(厚度為t1)，為了確保其強(qiáng)度，它在壓延方向150的寬度W比其它引線(xiàn)寬。這個(gè)寬度w最好為后面所述的第1內(nèi)引線(xiàn)101前端部同方向?qū)挾鹊?.5～3倍。
設(shè)置第1內(nèi)引線(xiàn)101，使其前端部對(duì)著芯片安裝區(qū)200的短邊。例如，在圖1中，在芯片安裝區(qū)200的左右兩側(cè)，各設(shè)有5根第1內(nèi)引線(xiàn)101。每根第1內(nèi)引線(xiàn)101前端部的寬度(L1)為0.15mm。而且，第1內(nèi)引線(xiàn)101前端部之間的排列間隔(L2)為0.15mm。在與芯片安裝區(qū)200的相對(duì)側(cè)，每根第1內(nèi)引線(xiàn)101與外引線(xiàn)103連接。每根外引線(xiàn)103的寬度(L3)為0.25mm。而且，外引線(xiàn)103的排列間隔(L4)為0.25mm。同樣，在與芯片安裝區(qū)200的相對(duì)側(cè)，上述基礎(chǔ)引線(xiàn)110也與外引線(xiàn)103連接。這里，“內(nèi)”和“外”，是在進(jìn)行后面所述的樹(shù)脂密封，制成樹(shù)脂密封件的情況下，根據(jù)是否從樹(shù)脂密封件的外圍露出而分開(kāi)稱(chēng)呼的。
每根第1內(nèi)引線(xiàn)101的前端部(靠近芯片安裝區(qū)200的那一側(cè))的寬度窄，而另一側(cè)(臨近外引線(xiàn)103的那一側(cè))的寬度變寬。對(duì)于各第1內(nèi)引線(xiàn)101來(lái)說(shuō)，從寬度窄的部分(窄的部位)向?qū)挾葘挼牟糠?寬的部位)變化的點(diǎn)(結(jié)合點(diǎn))是不同的。具體的說(shuō)，在芯片安裝區(qū)200的每一側(cè)所排列的5根第1內(nèi)引線(xiàn)101中，從中間的第1內(nèi)引線(xiàn)的上述結(jié)合點(diǎn)起，位于其兩邊的第1內(nèi)引線(xiàn)的上述結(jié)合點(diǎn)形成得靠近芯片安裝區(qū)200。而且，位于最外側(cè)的2根第1內(nèi)引線(xiàn)的上述結(jié)合點(diǎn)接近芯片安裝區(qū)200。雖然結(jié)合點(diǎn)的位置如此地變化，但是，第1內(nèi)引線(xiàn)101之間的間隔是窄的部位比寬的部位小。其結(jié)果，越是外側(cè)的第1內(nèi)引線(xiàn)101，寬的部分就會(huì)相對(duì)越長(zhǎng)，因此，一直到前端部的附近，薄的第1內(nèi)引線(xiàn)101都可以保持高強(qiáng)度。從而，可以防止加工時(shí)的變形。而且，從密封樹(shù)脂露出的前端部的強(qiáng)度也提高了，產(chǎn)生的變形很小。因此，在進(jìn)行后面所述的樹(shù)脂密封的情況下，可減少與樹(shù)脂的剝離。另外，不但有這樣的效果，而且還可以使第1內(nèi)引線(xiàn)101的前端部實(shí)現(xiàn)小間距化。
這些引線(xiàn)是在壓延成給定的厚度后，再?zèng)_壓成各種寬度而形成的。各引線(xiàn)間隔和引線(xiàn)與芯片安裝區(qū)200之間的間隔等于該引線(xiàn)的寬度。由于引線(xiàn)的厚度薄，因此，可以用沖壓進(jìn)行細(xì)微加工，加工后，不要進(jìn)行用以修正引線(xiàn)變形的壓力加工。
安裝光電子元件的芯片安裝區(qū)200的厚度厚，具有良好的散熱特性。當(dāng)芯片安裝區(qū)本體部分203的厚度t3壓延成大于外引線(xiàn)部分的厚度t0時(shí)，在芯片安裝區(qū)200的周?chē)O(shè)置成厚度為t2(t0＜t2＜t3)的芯片安裝區(qū)周邊部分201，可以使這部分成形時(shí)的變形量呈階梯性的變化，從而，具有良好的壓延成形性(緩沖作用)。
而且，為了使引線(xiàn)小間距化，將引線(xiàn)的厚度做薄是有效的。為了在厚度為t3的芯片安裝區(qū)200的附近用壓延成形法形成厚度為t1的薄的引線(xiàn)，而設(shè)置其厚度處于兩者之間的芯片安裝區(qū)周邊部分201，從而，具有良好的壓延成形性(緩沖作用)。其結(jié)果，在芯片安裝區(qū)200的短邊長(zhǎng)度約為1mm的間隔內(nèi)，可以高精度、小間距地設(shè)置薄的內(nèi)引線(xiàn)。
在所設(shè)置的數(shù)根第1內(nèi)引線(xiàn)101的外側(cè)，形成薄的(厚度為t1)第2內(nèi)引線(xiàn)102，其寬度為L(zhǎng)3。沿壓延方向150形成第2內(nèi)引線(xiàn)102的前端部，其寬度仍然為L(zhǎng)3是薄壁(厚度t1)，它從第1內(nèi)引線(xiàn)101的外側(cè)繞入第1內(nèi)引線(xiàn)101的前端部與芯片安裝區(qū)周邊部分201之間。而且，第2內(nèi)引線(xiàn)102的前端部(更準(zhǔn)確地說(shuō)，第2內(nèi)引線(xiàn)102前端部其沿短邊方向的外側(cè)端)落在芯片安裝區(qū)200的短邊寬度的范圍內(nèi)。由此，相對(duì)于芯片安裝區(qū)200的短邊設(shè)置必要數(shù)量的引線(xiàn)前端部時(shí)，可以縮短配置所必需的短邊方向的距離。從而，在與引線(xiàn)延伸方向垂直的方向(短邊方向)當(dāng)然可以實(shí)現(xiàn)小型化，正好能用于對(duì)此要求特別強(qiáng)烈的光電子裝置中，這里所述的光電子裝置是用于光盤(pán)裝置的光傳感器(pick-up)中的。而且，象圖1中的芯片安裝區(qū)200右側(cè)的引線(xiàn)配置那樣，配置第2內(nèi)引線(xiàn)102使之將第1內(nèi)引線(xiàn)101夾在中間后，在引線(xiàn)數(shù)量相同的情況下，進(jìn)一步謀求短邊方向的小型化。另外，即使在與第2內(nèi)引線(xiàn)102的芯片安裝區(qū)200的相對(duì)側(cè)與連接第1內(nèi)引線(xiàn)101同樣的連接外引線(xiàn)103。
在本實(shí)施例中，當(dāng)在引線(xiàn)框架內(nèi)沿壓延方向150形成厚度不同的平行帶狀區(qū)域時(shí)，在厚的、設(shè)置芯片安裝區(qū)本體部分203的區(qū)域(厚度為t3)和薄的、設(shè)置與之相對(duì)的第1內(nèi)引線(xiàn)101的區(qū)域(厚度為t1)之間，設(shè)置中間厚度的區(qū)域(厚度為t2)，由于在這個(gè)中間厚度的區(qū)域設(shè)置芯片安裝區(qū)周邊部分201，因而，利用壓延成形時(shí)的緩沖作用和減少?zèng)_壓時(shí)的引線(xiàn)斷面面積，可以使第1內(nèi)引線(xiàn)101實(shí)現(xiàn)小間距化，而且，還可以使第1內(nèi)引線(xiàn)101在壓力加工時(shí)的變形小。這樣，為了使厚的芯片安裝區(qū)200和與之厚度差異很大的薄的小間距引線(xiàn)相鄰，并使它們高精度地形成，最好在兩者之間設(shè)置中間厚度部分，這個(gè)中間厚度部分的厚度為上述兩者厚度的中間厚度。因而，由于能緩沖厚度的變化，所以，通過(guò)壓延成形可以高精度、高效率地一體成形。而且，在其后的沖壓加工過(guò)程中，由于厚度呈階梯性變化，因此，可以防止特別薄的區(qū)域在沖壓時(shí)引線(xiàn)變形。
在以上結(jié)構(gòu)中，當(dāng)芯片安裝區(qū)200的厚度t3為第1內(nèi)引線(xiàn)薄的部分的厚度t1的兩倍以上時(shí)，效果特別顯著。
實(shí)施例2下面說(shuō)明樹(shù)脂密封件及光電子裝置。
圖3是光電子裝置300的平面圖，該光電子裝置300的制造過(guò)程為用樹(shù)脂302將實(shí)施例1的引線(xiàn)框架100密封而得到樹(shù)脂密封件，然后安裝光電子元件303，再切割分離成單個(gè)光電子裝置300。為了容易地了解內(nèi)部結(jié)構(gòu)，由樹(shù)脂302覆蓋的部分如圖所示，為半透明的樹(shù)脂。另外，圖4是沿圖3中Ⅳ-Ⅳ線(xiàn)的箭頭方向所看到的斷面圖。為了便于下面的說(shuō)明，如圖3、圖4所示，設(shè)定X-Y-Z直角坐標(biāo)系。X軸方向與圖1中的壓延方向150一致，Z軸方向與樹(shù)脂密封件的上下方向(厚度方向)一致。
樹(shù)脂302基本上以直方體形狀成形，使外引線(xiàn)103從兩端面露出。在樹(shù)脂密封件的上面設(shè)置開(kāi)口307，在開(kāi)口內(nèi)，露出芯片安裝區(qū)200、基礎(chǔ)引線(xiàn)110與芯片安裝區(qū)200的連接部分111、第1內(nèi)引線(xiàn)101的前端部、以及第2內(nèi)引線(xiàn)102的前端部。而且，如圖4所示，在開(kāi)口307內(nèi)，芯片安裝區(qū)200以及第1內(nèi)引線(xiàn)101的前端部等金屬部分的上表面，與它們周?chē)臉?shù)脂302的上表面基本上在同一平面內(nèi)。這樣的開(kāi)口307可以通過(guò)以下方法形成，即，一邊用金屬模具壓住與開(kāi)口307形狀相當(dāng)?shù)牟糠?，一邊進(jìn)行樹(shù)脂密封。還有，在樹(shù)脂密封件的下面，使芯片安裝區(qū)200的芯片安裝區(qū)本體部分203的下表面露出。由于芯片安裝區(qū)200露出一部分，因此，通過(guò)這個(gè)露出部分，可以使安裝在芯片安裝區(qū)200上的光電子元件303有效地散熱。
芯片安裝區(qū)200的短邊方向(X軸方向)的寬度為D1，厚的芯片安裝區(qū)本體部分203在同方向的寬度為D2(參照?qǐng)D1)。這樣，使芯片安裝區(qū)200下面長(zhǎng)邊側(cè)的厚度也呈階梯狀變化，由此可以增大與樹(shù)脂302的接觸面積，并可以提高與樹(shù)脂的粘合性。其結(jié)果，在芯片安裝區(qū)200的長(zhǎng)邊側(cè)所粘合的樹(shù)脂在X軸方向的厚度可以很薄，可以進(jìn)一步減小樹(shù)脂密封件在X軸方向的尺寸。像這樣，為了在芯片安裝區(qū)200長(zhǎng)邊側(cè)形成厚度不同的部分，例如，可以在制作引線(xiàn)框架過(guò)程中，在壓延成形時(shí)或者在其后的沖壓時(shí)，一起加工成形。
開(kāi)口307在芯片安裝區(qū)200內(nèi)的部分沿X軸方向的寬度的為D3。開(kāi)口的寬度D3比芯片安裝區(qū)200短邊方向的寬度D1小。由此，可以用樹(shù)脂在上下方向加強(qiáng)對(duì)芯片安裝區(qū)200長(zhǎng)邊部分的固定。D1和D3的尺寸差，即樹(shù)脂重疊的寬度，應(yīng)考慮芯片安裝區(qū)200的固定強(qiáng)度和開(kāi)口307所必需的開(kāi)口寬度來(lái)適當(dāng)?shù)卮_定。
開(kāi)口307在第1內(nèi)引線(xiàn)101前端部排列處附近沿X軸方向的寬度的為D4。D4比上述D3小。由此，可以提高第1內(nèi)引線(xiàn)101和第2內(nèi)引線(xiàn)102的前端部、以及基礎(chǔ)引線(xiàn)110的連接部分111的固定強(qiáng)度。
而且，第1內(nèi)引線(xiàn)101和第2內(nèi)引線(xiàn)102在開(kāi)口307內(nèi)所露出的部分的長(zhǎng)度，比由樹(shù)脂302所密封的部分的長(zhǎng)度短。由于用樹(shù)脂密封了內(nèi)引線(xiàn)的大部分，因此，提高了內(nèi)引線(xiàn)的固定強(qiáng)度，并且前端部不會(huì)產(chǎn)生變形，不會(huì)與樹(shù)脂剝離。另外，在外引線(xiàn)側(cè)，用樹(shù)脂密封，一直密封到與外引線(xiàn)103為同一寬度(L3)、同一厚度(tO)的部分，由此將外引線(xiàn)103可靠地固定。
在開(kāi)口307內(nèi)所露出的各引線(xiàn)的前端部，與光電子元件進(jìn)行線(xiàn)路連接。因此，設(shè)計(jì)開(kāi)口307的形狀和大小時(shí)，應(yīng)對(duì)其確保其必要的周邊空間和區(qū)域。
基礎(chǔ)引線(xiàn)110與芯片安裝區(qū)200的寬的連接部分111最好延伸到第1內(nèi)引線(xiàn)101的前端部與芯片安裝區(qū)200之間，并且與第2內(nèi)引線(xiàn)102的前端部一樣，最從開(kāi)口307內(nèi)露出。由此，所露出的連接部分111可以與光電子元件303進(jìn)行線(xiàn)路連接。其結(jié)果，不必為在芯片安裝區(qū)200設(shè)定地線(xiàn)等基準(zhǔn)電位，而另外設(shè)置必要的引線(xiàn)，從而，可以使樹(shù)脂密封件在X軸方向的尺寸進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化。
光電子元件303具有發(fā)光元件和受光元件，圖中未具體示出。發(fā)光元件向光盤(pán)發(fā)射光束，其反射光由受光元件接收。
光電子元件303的電極與開(kāi)口內(nèi)第1內(nèi)引線(xiàn)101的前端部等所露出的引線(xiàn)進(jìn)行線(xiàn)路連接(圖中未示出)，確保電氣連接。然后，在光電子元件303上設(shè)置光學(xué)部件(透鏡、全息照相、透明樹(shù)脂等)，再將開(kāi)口307密封。
如上所述，本發(fā)明的引線(xiàn)框架及其樹(shù)脂密封件具有內(nèi)引線(xiàn)小間距化和散熱好的特性。而且，用樹(shù)脂密封時(shí)，提高了所露出的內(nèi)引線(xiàn)前端部的強(qiáng)度，不會(huì)產(chǎn)生與樹(shù)脂的剝離。另外，可以容易和低成本地獲得這樣的引線(xiàn)框架及其樹(shù)脂密封件。
還有，由于內(nèi)引線(xiàn)小間距化，因此本發(fā)明的光電子裝置可以小型化，又由于具有厚的芯片安裝區(qū)，因此散熱特性良好。而且可以容易和低成本地獲得這樣的光電裝置。
權(quán)利要求
1．一種引線(xiàn)框架，其特征在于，它具有芯片安裝區(qū)，所述的芯片安裝區(qū)設(shè)有厚的芯片安裝區(qū)本體部分和中等厚度的芯片安裝區(qū)周邊部分，所述的芯片安裝區(qū)周邊部分設(shè)在所述芯片安裝區(qū)本體部分的至少一邊側(cè)，其厚度比所述芯片安裝區(qū)本體部分薄，與所述芯片安裝區(qū)連接的至少1根基礎(chǔ)引線(xiàn)(support lead)，以及2根以上第1內(nèi)引線(xiàn)，所述的第1內(nèi)引線(xiàn)的厚度比所述的芯片安裝區(qū)周邊部分薄，其前端部設(shè)置得與所述的芯片安裝區(qū)周邊部分相對(duì)。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，進(jìn)一步包括第2內(nèi)引線(xiàn)，所述的第2內(nèi)引線(xiàn)的厚度與所述的第1內(nèi)引線(xiàn)基本相同，所述的第2內(nèi)引線(xiàn)延與所述的第1內(nèi)引線(xiàn)的延伸方向基本相同的方向延伸設(shè)置，所述的第2內(nèi)引線(xiàn)的前端部設(shè)置在所述的第1內(nèi)引線(xiàn)的前端部與所述的芯片安裝區(qū)周邊部分之間。
3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，比所述的第1內(nèi)引線(xiàn)的前端部厚而且寬的所述的第1外引線(xiàn)連續(xù)設(shè)置在所述的第1內(nèi)引線(xiàn)上。
4．根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，其制造過(guò)程中包括壓延加工工序。
5．根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，所述的芯片安裝區(qū)的上表面、所述的基礎(chǔ)引線(xiàn)的上表面、以及所述的第1內(nèi)引線(xiàn)的上表面基本上在同一平面內(nèi)。
6．一種引線(xiàn)框架，其特征在于，它具有芯片安裝區(qū)，所述的芯片安裝區(qū)設(shè)有厚的芯片安裝區(qū)本體部分，與所述芯片安裝區(qū)連接的至少1根基礎(chǔ)引線(xiàn)，以及3根以上第1內(nèi)引線(xiàn)，所述的第1內(nèi)引線(xiàn)使其前端部相對(duì)地配置在所述芯片安裝區(qū)本體部分的至少一邊，其厚度比所述的芯片安裝區(qū)本體部分薄，每根所述的第1內(nèi)引線(xiàn)在上述芯片安裝區(qū)側(cè)具有寬度窄的部分，在與芯片安裝區(qū)相對(duì)一側(cè)具有，其寬度比所述寬度窄的部分寬的寬度寬的部分，在所述的3根以上第1內(nèi)引線(xiàn)中，使其兩邊的第1內(nèi)引線(xiàn)的所述寬度窄的部分和所述寬度寬的部分的結(jié)合點(diǎn)形成得比中間的第1內(nèi)引線(xiàn)的所述寬度窄的部分和所述寬度寬的部分的結(jié)合點(diǎn)更靠近芯片安裝區(qū)，在所述的寬度窄的部分，使所述的中間第1內(nèi)引線(xiàn)和其兩邊的第1內(nèi)引線(xiàn)之間的間隔比所述寬度寬的部分窄。
7．根據(jù)權(quán)利要求6所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，進(jìn)一步包括厚度與所述的第1內(nèi)引線(xiàn)基本相同的薄的第2內(nèi)引線(xiàn)，所述的第2內(nèi)引線(xiàn)沿與所述的第1內(nèi)引線(xiàn)基本相同的延伸方向延伸設(shè)置，所述的第2內(nèi)引線(xiàn)的前端部設(shè)置在所述的第1內(nèi)引線(xiàn)的前端部與所述的芯片安裝區(qū)之間。
8．根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，設(shè)置所述的第2內(nèi)引線(xiàn)使所述的第1內(nèi)引線(xiàn)夾在中間。
9．根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，所述第2內(nèi)引線(xiàn)前端部的上述邊方向的外側(cè)端設(shè)置在比所述芯片安裝區(qū)的與所述第1內(nèi)引線(xiàn)前端部相對(duì)的邊的方向的所述芯片安裝區(qū)的寬度更寬的內(nèi)側(cè)。
10．一種引線(xiàn)框架，其特征在于，它具有帶狀厚的區(qū)域以及比所述厚的區(qū)域薄的帶狀薄的區(qū)域，所述厚的區(qū)域和所述薄的區(qū)域相互平行，在所述厚的區(qū)域內(nèi)形成芯片安裝區(qū)，在所述薄的區(qū)域內(nèi)形成引線(xiàn)，所述引線(xiàn)的延伸方向與所述帶狀區(qū)域的方向基本上垂直。
11．根據(jù)權(quán)利要求10所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，所述的引線(xiàn)包括數(shù)根第1內(nèi)引線(xiàn)，所述的第1內(nèi)引線(xiàn)的前端部與所述的芯片安裝區(qū)相對(duì)配置，所述第1內(nèi)引線(xiàn)前端部的寬度和間隔其前端部側(cè)比其反向側(cè)的寬度和間隔都小。
12．根據(jù)權(quán)利要求10所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，通過(guò)壓延加工形成所述的厚的區(qū)域和薄的區(qū)域。
13．根據(jù)權(quán)利要求10所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，在所述的帶狀厚的區(qū)域和所述的帶狀薄的區(qū)域之間，至少有一個(gè)以上與它們平行的帶狀中等厚度的區(qū)域，這樣形成所述的帶狀中等厚度區(qū)域使所述的帶狀厚的區(qū)域和所述的帶狀薄的區(qū)域之間的厚度變化，呈階梯性變化。
14．根據(jù)權(quán)利要求10所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，所述厚的區(qū)域的上表面和所述薄的區(qū)域的上表面基本上在同一平面內(nèi)。
15．一種樹(shù)脂密封件，其特征在于，它具有芯片安裝區(qū)，所述的芯片安裝區(qū)包括厚的芯片安裝區(qū)本體部分和中等厚度的芯片安裝區(qū)周邊部分，所述的芯片安裝區(qū)周邊部分設(shè)在所述芯片安裝區(qū)本體部分的至少一邊側(cè)，其厚度比所述芯片安裝區(qū)本體部分薄，與所述芯片安裝區(qū)連接的至少1條基礎(chǔ)引線(xiàn)，2根以上第1內(nèi)引線(xiàn)，所述的第1內(nèi)引線(xiàn)的厚度比所述的芯片安裝區(qū)周邊部分薄，將其前端部相對(duì)地配置所述的芯片安裝區(qū)周邊部分上，以及密封樹(shù)脂，所述的密封樹(shù)脂將所述的芯片安裝區(qū)、所述的基礎(chǔ)引線(xiàn)和所述的第1內(nèi)引線(xiàn)一體密封，露出所述芯片安裝區(qū)的一部分上表面和一部分下表面、以及所述第1內(nèi)引線(xiàn)的前端部上表面。
16．根據(jù)權(quán)利要求15所述的樹(shù)脂密封件，其特征在于，在所述第1內(nèi)引線(xiàn)中，由所述樹(shù)脂覆蓋的部分的長(zhǎng)度比露出部分的長(zhǎng)度長(zhǎng)。
17．根據(jù)權(quán)利要求15所述的樹(shù)脂密封件，其特征在于，在所述的芯片安裝區(qū)中，與所述第1內(nèi)引線(xiàn)相對(duì)的邊不同的邊的至少一部分上表面和下表面由所述的樹(shù)脂覆蓋。
18．根據(jù)權(quán)利要求15所述的樹(shù)脂密封件，其特征在于，每根所述的第1內(nèi)引線(xiàn)在芯片安裝區(qū)的側(cè)具有寬度窄的部分，在與上述芯片安裝區(qū)相對(duì)一側(cè)具有寬度比所述寬度窄的部分寬的寬度寬的部分，在所述的寬的部分，所述第1內(nèi)引線(xiàn)的間隔比所述的寬度窄的部分寬，至少所述的寬度寬的部分由所述的樹(shù)脂覆蓋。
19．一種樹(shù)脂密封件，它具有芯片安裝區(qū)，所述的芯片安裝區(qū)設(shè)有厚的芯片安裝區(qū)本體部分，與所述芯片安裝區(qū)連接的至少1根基礎(chǔ)引線(xiàn)，3根以上第1內(nèi)引線(xiàn)，其前端部相對(duì)地配置在所述芯片安裝區(qū)本體部分的至少一邊，其厚度比所述的芯片安裝區(qū)本體部分薄，以及密封樹(shù)脂，所述的密封樹(shù)脂將所述的芯片安裝區(qū)、所述的基礎(chǔ)引線(xiàn)和所述的第1內(nèi)引線(xiàn)一體密封，露出所述芯片安裝區(qū)的一部分上表面和一部分下表面、以及所述第1內(nèi)引線(xiàn)前端部的上表面，其特征在于每根所述的第1內(nèi)引線(xiàn)在芯片安裝區(qū)側(cè)具有寬度窄的部分，在與芯片安裝區(qū)相對(duì)一側(cè)具有其寬度比所述寬度窄的部分寬的寬度寬的部分，在所述的3根以上第1內(nèi)引線(xiàn)中，使其兩邊的第1內(nèi)引線(xiàn)的所述寬度窄的部分和所述寬度寬的部分的結(jié)合點(diǎn)形成得比中間的第1內(nèi)引線(xiàn)的所述寬度窄的部分和所述寬度寬的部分的結(jié)合點(diǎn)更靠近芯片安裝區(qū)，在所述的寬度窄的部分，使所述的中間第1內(nèi)引線(xiàn)和其兩邊的第1內(nèi)引線(xiàn)之間的間隔比所述寬度寬的部分窄。
20．根據(jù)權(quán)利要求19所述的樹(shù)脂密封件，其特征在于，使所述芯片安裝區(qū)的一部分上表面和所述第1內(nèi)引線(xiàn)前端部的上表面露出的開(kāi)口的，在所述芯片安裝區(qū)的與所述第1內(nèi)引線(xiàn)相對(duì)的所述芯片安裝區(qū)的邊的方向的寬度，其所述第1內(nèi)引線(xiàn)前端部側(cè)比所述芯片安裝區(qū)的寬度窄。
21．一種光電子裝置，其特征在于，它具有權(quán)利要求15或19所述的樹(shù)脂密封件，安裝在所述芯片安裝區(qū)上的光電子元件，以及密封所述光電子元件的光學(xué)透明部件。
22．根據(jù)權(quán)利要求21所述的光電子裝置，其特征在于，所述的光電子元件具有光源和受光元件，所述的光源射出照射到記錄介質(zhì)上的光，所說(shuō)的受光元件接收來(lái)自所述記錄介質(zhì)的反射光。
全文摘要
一種引線(xiàn)框架,它具有:芯片安裝區(qū)200、與芯片安裝區(qū)連接的至少1條基礎(chǔ)引線(xiàn)110、以及2條以上薄的第1內(nèi)引線(xiàn)101;芯片安裝區(qū)設(shè)有厚的芯片安裝區(qū)本體部分203和設(shè)置在其周?chē)闹械群穸鹊男酒惭b區(qū)周邊部分201,所說(shuō)第1內(nèi)引線(xiàn)101其前端部相對(duì)地配置在芯片安裝區(qū)周邊部分。由于有厚的芯片安裝區(qū),因而散熱特性良好,同時(shí)由于引線(xiàn)薄,因而能夠使引線(xiàn)小間距化。在箭頭150所示的方向,通過(guò)壓延形成厚度不同的帶狀區(qū)域后,進(jìn)行沖壓加工,就可以容易地制成這樣的引線(xiàn)框架。
文檔編號(hào)H01L23/495GK1288261SQ0012702
公開(kāi)日2001年3月21日 申請(qǐng)日期2000年9月11日 優(yōu)先權(quán)日1999年9月10日
發(fā)明者中西秀行, 井島新一, 吉川昭男, 平野龍馬 申請(qǐng)人:松下電子工業(yè)株式會(huì)社