專利名稱：：微晶光電元件、其制造方法、及使用其的建筑材料和發(fā)電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及微晶系列光電元件，該光電元件具有高光電轉(zhuǎn)換效率，能夠使其制造例如高性太陽(yáng)能電池、高性能光敏器件等高性能半導(dǎo)體器件，特別是所說(shuō)太陽(yáng)能電池甚至在長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)用于戶外時(shí)也能穩(wěn)定地呈現(xiàn)太陽(yáng)能電池特性不退化。本發(fā)明還涉及制造所說(shuō)光電元件的方法。本發(fā)明還涉及使用所說(shuō)光電元件的建筑材料，和使用所說(shuō)光電元件的太陽(yáng)光發(fā)電裝置。各種光電元件不僅已用作電設(shè)備的獨(dú)立電源，而且還已用作日常電源系統(tǒng)的替代能源。然而，就用作日常電源系統(tǒng)的替代能源的光電元件而言，在產(chǎn)生單位數(shù)量的電力所花的成本方面，它們?nèi)圆荒芰钊藵M意。關(guān)于這一點(diǎn)，為了開發(fā)出先進(jìn)的光電元件，人們進(jìn)行了各種研究。例如，特別關(guān)于在光電轉(zhuǎn)換中擔(dān)當(dāng)重要角色的材料，已進(jìn)行了結(jié)晶型光電元件、薄膜型光電元件等的技術(shù)研究和開發(fā)。結(jié)晶型光電元件是指具有包括單晶硅半導(dǎo)體材料或多晶硅半導(dǎo)體材料的光電轉(zhuǎn)換部件的光電元件。薄膜型光電是指具有包括例如非晶硅半導(dǎo)體材料和非晶硅-鍺半導(dǎo)體材料等含非晶硅半導(dǎo)體材料、例如微晶硅半導(dǎo)體材料和微晶硅-鍺半導(dǎo)體材料等含微晶硅的半導(dǎo)體材料、非晶或微晶碳化硅半導(dǎo)體材料、或化合物半導(dǎo)體材料的光電轉(zhuǎn)換部件的光電元件。關(guān)于這種含微晶硅的半導(dǎo)體材料，盡管已進(jìn)行了各種研究，但與結(jié)晶或非晶半導(dǎo)體材料的情況一樣，到實(shí)際應(yīng)用的轉(zhuǎn)化仍沒(méi)有進(jìn)展。近來(lái)，已注意到J.Meier等人的報(bào)道，該報(bào)道中記載了一種用微晶硅(μc-Si)半導(dǎo)體材料的光電元件具有良好的光電轉(zhuǎn)換效率，并且沒(méi)有光誘發(fā)的退化[見J.Meier等人，Mat.Res.Soc.Symp.Proc，第420卷，第3-14頁(yè)，1996(此后稱為文獻(xiàn)1)]。文獻(xiàn)1中，介紹了利用高頻等離子CVD工藝制備所說(shuō)光電元件(太陽(yáng)能電池)，其中在由用大量氫氣(H2)稀釋的硅烷氣構(gòu)成的氣氛中，通過(guò)供應(yīng)頻率為70MHz的VHF(甚高頻)功率，產(chǎn)生輝光放電，并且光電元件構(gòu)成為具有p-i-n結(jié)，其中i型半導(dǎo)體層包括μc-Si半導(dǎo)體材料。文獻(xiàn)1介紹了所說(shuō)光電元件具有7.7％的光電轉(zhuǎn)換效率，并且沒(méi)有觀察到光誘發(fā)的退化。文獻(xiàn)1還介紹了發(fā)現(xiàn)通過(guò)疊置一種μc-Si半導(dǎo)體材料和另一種μc-Si半導(dǎo)體材料制備的層疊型光電元件(太陽(yáng)能電池)，具有13.1％的初始光電轉(zhuǎn)換效率，和12.4％的相對(duì)光誘發(fā)退化。除此之外，在K.Yamamoto等人在Jpn.J.Appl.Phys.第33卷(1994)第L1751-L1754頁(yè)，第2部分，第12B，1994年12月15日(此后稱之為文獻(xiàn)2)中，介紹了一種光電元件(太陽(yáng)能電池)，該元件具有通過(guò)對(duì)重?fù)诫s硼的a-Si(非晶硅)p型層進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火形成的多晶層，和通過(guò)在所說(shuō)多晶層上等離子CVD形成的柱形μc-Si結(jié)構(gòu)。然而，文獻(xiàn)1和2所公開的光電元件具有下述缺點(diǎn)。具體說(shuō)，參考文獻(xiàn)1的介紹，可以看出，沒(méi)有觀察到這里所公開的微晶光電元件的光誘生退化。然而，對(duì)于該沒(méi)有觀察到光誘生退化的光電元件，可以看出，μc-Si有源層厚3.6微米，相當(dāng)厚，光電元件的短路電流為25.4mA/cm2，其光電轉(zhuǎn)換效很低，為7.7％，不能令人滿意。并且，還可以看出，在形成具有這種3.6微米大厚度的μc-Si有源層時(shí)，由于淀積速度為1.2埃/秒，很慢，所以完成其形成過(guò)程要花約8小時(shí)。此外，對(duì)于文獻(xiàn)1中所公開的層疊型微晶光電元件來(lái)說(shuō)，盡管初始光電轉(zhuǎn)換效率為令人滿意的13.1％，但重復(fù)使用后，光電元件不可避免地會(huì)遭受光退化，最終將導(dǎo)致初始光電轉(zhuǎn)換效率下降。另外，顯然制備這種層疊型微晶光電元件要花很長(zhǎng)時(shí)間。參考文獻(xiàn)2的介紹，可以看出，光電元件的μc-Si有源層厚2微米，光電元件的短路電流為14.3mA/cm2，其光電轉(zhuǎn)換效率為2.5％，極小。報(bào)道文獻(xiàn)2的四個(gè)人聯(lián)合起來(lái)開發(fā)出了公開于文獻(xiàn)2中的技術(shù)，并報(bào)道了利用等離子CVD形成的薄膜多晶光電元件(太陽(yáng)能電池)，其中有源層厚3.5微米，短路電流26.12mA/cm2，光電轉(zhuǎn)換效率為9.8％(見，KenjiYamamoto等人，第十四屆歐洲光電太陽(yáng)能會(huì)議，Barcelona，Spain，1997年6月30日至7月4日，第1018-1021頁(yè))。然而，所報(bào)道的該光電元件尤其在光電轉(zhuǎn)換效率和生產(chǎn)性方面仍不夠好。本發(fā)明的目的是消除現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點(diǎn)，提供一種改進(jìn)的微晶系列光電元件，該元件能夠產(chǎn)生大量電流，具有高光電轉(zhuǎn)換效率，還提供一種有效生產(chǎn)所說(shuō)光電元件的方法。本發(fā)明再一目的是提供一種改進(jìn)的微晶系列光電元件及其制造方法，所說(shuō)元件甚至在半導(dǎo)體層較薄時(shí)，也具有令人滿意的光電轉(zhuǎn)換效率，并可以以高淀積速率形成半導(dǎo)體層，而且可以在低溫下以合理的生產(chǎn)成本有效地制造。本發(fā)明又一目的是提供一種改進(jìn)的微晶系列光電元件、所說(shuō)光電元件的制造方法、使用所說(shuō)光電元件的建筑材料和使用所說(shuō)光電元件的太陽(yáng)發(fā)電裝置，甚至在嚴(yán)酷環(huán)境條件下長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)使用時(shí)，所說(shuō)光電元件也具有優(yōu)異的光電特性。本發(fā)明還有一目的是提供象上述光電元件一樣的微晶系列光電元件，所說(shuō)元件具有層疊結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括按順序疊置的不含結(jié)晶相的第一半導(dǎo)體層、含有近球形微晶相的第二半導(dǎo)體層、和含有柱形微晶相的第三半導(dǎo)體層，其中第三半導(dǎo)體層側(cè)上的第二半導(dǎo)體層的球形微晶相的平均尺寸大于第一半導(dǎo)體層側(cè)上的第二半導(dǎo)體層的球形微晶相的平均尺寸，如果需要，在第二半導(dǎo)體附近，第三半導(dǎo)體層可以具有含混合態(tài)的近球形微晶相和柱形微晶相的層區(qū)。本發(fā)明中，術(shù)語(yǔ)“微晶相”是指微晶顆粒。術(shù)語(yǔ)“近球形微晶相”是指形狀大致為球形包括多面球形等的微晶顆粒。“近球形微晶相的尺寸”是指所說(shuō)近球形微晶顆粒的直徑。術(shù)語(yǔ)“柱形微晶相”是指形狀為柱形的微晶顆粒。圖1是展示本發(fā)明光電元件的一個(gè)實(shí)例的示意剖面圖。圖2是圖1中部分A的示意放大圖。圖3是圖2中部分B的示意放大圖。圖4是展示本發(fā)明的太陽(yáng)光電力發(fā)生設(shè)備的一個(gè)實(shí)例的示意框圖。圖5是展示本發(fā)明中適于形成半導(dǎo)體層的膜形成設(shè)備的一個(gè)例子的示意圖。本發(fā)明消除了現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)生的上述缺點(diǎn)，達(dá)到了上述目的。如上所述，本發(fā)明的第一方面是提供一種微晶系列光電元件，甚至在嚴(yán)酷環(huán)境條件下長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)使用時(shí)，所說(shuō)光電元件也穩(wěn)定地具有優(yōu)異的光電特性。根據(jù)本發(fā)明提供的光電元件一般具有層疊結(jié)構(gòu)，包括按順序疊置的不含結(jié)晶相的第一半導(dǎo)體層、含近球形微晶相的第二半導(dǎo)體層和含柱形微晶相的第三半導(dǎo)體層，所說(shuō)第三半導(dǎo)體層側(cè)上的所說(shuō)第二半導(dǎo)體層的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸大于所說(shuō)第一半導(dǎo)體層側(cè)上所說(shuō)第二層的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸。如果需要，在第二半導(dǎo)體層的附近，第三半導(dǎo)體層可以具有含混合態(tài)的近球形微晶相和柱形微晶相的層區(qū)。不含結(jié)晶相的半導(dǎo)體層和含微晶相的半導(dǎo)體層中任何一層可以主要包括含氫硅(Si)材料。含氫硅鍺(Si-Ge)材料、含氫碳化硅(SiC)材料或這些材料的混合材料。本發(fā)明的第二方面是提供一種制造所說(shuō)光電元件的方法。該方法一般包括以下步驟(a)在基片上形成不含結(jié)晶相但含要求量的摻雜元素的第一半導(dǎo)體層，(b)在所說(shuō)第一半導(dǎo)體層上形成不含結(jié)晶相，也不含摻雜元素或含有少量摻雜元素的第二半導(dǎo)體層，以得到層狀產(chǎn)品，(c)利用激光束輻射激光退火所說(shuō)層狀產(chǎn)品，只微晶化第二半導(dǎo)體層，以便得到近球形的微晶相，從而使位于激光輻射側(cè)的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸大于位于所說(shuō)第一半導(dǎo)體層側(cè)上的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸，(d)在所說(shuō)微晶化的第二半導(dǎo)體層上形成含柱形微晶相的第三半導(dǎo)體層。在上述方法中，利用激光退火法形成微晶化第二半導(dǎo)體層的方法可用以下方法代替，其中利用給定的原材料氣，同時(shí)用氫氣(H2)稀釋所說(shuō)原材料氣，利用等離子CVD形成第二半導(dǎo)體層，在形成第二半導(dǎo)體層的過(guò)程中，提高用氫氣稀釋原材料氣的稀釋比，因而第二半導(dǎo)體層形成為含有近球形微晶相，使位于第三半導(dǎo)體層上的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸大于位于所說(shuō)第一半導(dǎo)體層側(cè)上的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸。除此之外，利用激光退火形成微晶化第二半導(dǎo)體層的方法可由以下方法代替，其中利用給定的原材料氣，同時(shí)用氫氣(H2)稀釋所說(shuō)原材料氣，利用等離子CVD形成第二半導(dǎo)體層，在形成第二半導(dǎo)體層的過(guò)程中，提高基片溫度，因而第二半導(dǎo)體層形成為含有近球形微晶相，使位于第三半導(dǎo)體層上的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸大于位于所說(shuō)第一半導(dǎo)體層側(cè)上的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸。本發(fā)明的第三方面是提供一種包括由密封材料整體密封的上述光電元件的建筑材料，所密封材料包括背面加強(qiáng)材料。本發(fā)明的第四方面是提供一種包括上述光電元件和將所說(shuō)光電元件產(chǎn)生的電能轉(zhuǎn)換成預(yù)定功率的功率轉(zhuǎn)換裝置的太陽(yáng)光電力發(fā)生設(shè)備。下面將結(jié)合附圖更具體介紹本發(fā)明。圖1是展示本發(fā)明的光電元件的一個(gè)例子的示意剖面圖。圖2是基于利用透射電子顯微鏡得到的剖面圖像得到的圖1中部分A的示意放大圖。圖3是基于利用透射電子顯微鏡得到的剖面圖像得到的圖2中部分B的示意放大圖。圖4是展示本發(fā)明的太陽(yáng)光電力發(fā)生設(shè)備的一個(gè)例子的示意框圖。圖5是展示適于形成本發(fā)明中的半導(dǎo)體層的膜形成設(shè)備的一個(gè)例子的示意圖。圖1中，示出了光電元件100(或太陽(yáng)能電池)，它被密封成光電元件組件101(或太陽(yáng)能電池組件)，以便能夠例如用作電力發(fā)生源。應(yīng)理解，在本發(fā)明的光電元件實(shí)際用作電力發(fā)生源時(shí)，這種組件只是一個(gè)實(shí)施例，并非限制性的。根據(jù)應(yīng)用目的，本發(fā)明的光電元件可以組裝成其它合適的形式。為了簡(jiǎn)化的目的，圖1中只示出了一個(gè)光電元件。圖1中的光電元件100可以包括具有與光電元件100相同結(jié)構(gòu)的希望數(shù)量的光電元件，所說(shuō)各光電元件彼此串聯(lián)或并聯(lián)電連接以便得到預(yù)定電壓和電流。首先結(jié)合圖1-3介紹光電元件100。光電元件100包括依次疊置于基片1上的背面反射層2、透明導(dǎo)電層3、和具有半導(dǎo)體結(jié)的半導(dǎo)體層4(此后該層稱為“半導(dǎo)體結(jié)層”)，基片、背面反射層2和透明導(dǎo)電層3的組合用作下電極。標(biāo)號(hào)5表示形成于半導(dǎo)體結(jié)層4上的透明上電極層，標(biāo)號(hào)6表示形成于上電極層5上的集電極(或柵極)。下面介紹光電元件100的各構(gòu)件。&#60基片&#62關(guān)于基片1，可以用金屬部件、合金部件、這些部件的復(fù)合件、碳片、合成樹脂膜。可以卷滾軸形式使用這些部件，因此，適用連續(xù)制造光電元件。除這些部件外，根據(jù)所制造的光電元件的用途，可以使用例如硅晶片等結(jié)晶基片、由玻璃構(gòu)成的基片和由陶瓷構(gòu)成的基片。在用例如玻璃板等透明部件作基片1時(shí)，光可以從基片1側(cè)入射。在用例如由如SUS430等不銹鋼構(gòu)成的部件等磁性部件作基片1時(shí)，例如，在形成半導(dǎo)體層時(shí)，可以在利用配備有磁體的卷軸精確控制基片的位置的同時(shí)傳輸基片1?？梢允褂冒ㄉ鲜霾考械娜我环N的基片1。然而，可以研磨其上將形成膜的基片的表面。具體說(shuō)，可以用具有凹凸不平表面的部件例如通過(guò)利用軋輥輥壓得到的毛面不銹鋼部件作基片1。還可以用其表面凹凸不平的鋼部件作基片1，所說(shuō)凹凸不平是利用鎳或鋁對(duì)鐵鋼進(jìn)行表面處理得到的。在基片1導(dǎo)電時(shí)，可以使基片作為從半導(dǎo)體結(jié)輸出電能的電極之一。&#60背面反射層&#62背面反射層2用于反射通過(guò)半導(dǎo)體結(jié)層4的光，使之回到半導(dǎo)體結(jié)層。在基片1的表面具有高反射率時(shí)，可以省略背面反射層2。在基片1絕緣時(shí)，可以使背面反射層2還用作電極層。在基片1包括不銹鋼部件或碳部件時(shí)，優(yōu)選利用濺射等在這些部件的表面上形成Al、Ag、或Cu-Mg合金等金屬膜作背面反射層2。這種情況下，可以使所說(shuō)金屬膜作為具有凹凸不平表面的背面反射層2，所說(shuō)凹凸不平表面是通過(guò)在較高膜形成溫度(較高基片溫度)和較低淀積速率的膜形成條件下，以較大厚度形成所說(shuō)金屬膜得到的?；蛘?，作為背面反射層2的所說(shuō)金屬膜可以濺射形成，然后，對(duì)金屬膜進(jìn)行表面腐蝕處理，在金屬膜的表面形成凹凸不平。具體說(shuō)，在從基片1側(cè)入射光的情況下，優(yōu)選背面反射層2設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)層4的表面?zhèn)?即，這種情況下的非光接收側(cè))。&#60透明導(dǎo)電層&#62透明導(dǎo)電層3用于將背面反射層2反射的光透射到半導(dǎo)體層4中。由于存在透明導(dǎo)電層3，半導(dǎo)體結(jié)層4的光吸收率提高。然而，并不總是需要提供透明導(dǎo)電層3。透明導(dǎo)電層3可以利用例如濺射、真空蒸發(fā)、CVD(化學(xué)汽相淀積)、離子鍍、離子束淀積或離子束濺射等常規(guī)膜形成方法形成。除此之外，可利用含硝酸根、乙酸根或銨基和金屬離子的水溶液的電淀積法，或浸漬法形成透明導(dǎo)電層3。由于透明導(dǎo)電層3用于透射通過(guò)半導(dǎo)體結(jié)層4的光直到背面反射層2，所以希望它具有高透明度。此外，希望透明導(dǎo)電層3具有合適的電阻，以便限制流過(guò)半導(dǎo)體結(jié)層4的缺陷的電流。另外，希望透明導(dǎo)電層3具有防止背面反射層2的構(gòu)成元素分散到半導(dǎo)體結(jié)層4的作用。希望透明導(dǎo)電層3由例如氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化錫(SnO2)ITO(In2O3-SnO2)、氧化鈦(TiO2)或它們的混合物構(gòu)成。通過(guò)控制形成透明導(dǎo)電層的條件，透明導(dǎo)電層3可以形成為具有世谷頂?shù)焦鹊灼骄叨葹榧s100nm的凹凸不平表面?；蛘?，具有這種不平表面的透明導(dǎo)電層可利用以下方法形成，其中形成具有平坦表面的給定透明導(dǎo)電層，并利用乙酸等水溶液，利用濕法腐對(duì)該層進(jìn)行表面處理。在濺射法形成給定透明導(dǎo)電層作透明導(dǎo)電層3的情況下，通過(guò)在較高基片溫度和較低淀積速率的膜形成條件下，以較大厚度形成所說(shuō)層，可以使所說(shuō)層具有較大谷頂?shù)焦鹊灼骄叨鹊陌纪共黄奖砻?。在利用如上所述水溶液，利用電淀積法形成用作透明導(dǎo)電層3的給定透明導(dǎo)電層時(shí)，通過(guò)在提高水溶液的金屬離子濃度和增大所形成層厚度的條件下形成所說(shuō)層，可以使所說(shuō)層具有較大谷頂?shù)焦鹊灼骄叨鹊陌纪共黄奖砻妗?amp;amp;#60半導(dǎo)體結(jié)層&#62半導(dǎo)體結(jié)層4用于將入射的光轉(zhuǎn)換成電。關(guān)于層狀微晶系列半導(dǎo)體結(jié)結(jié)構(gòu)，通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究，本發(fā)明人得到以下發(fā)現(xiàn)，在入射光的基礎(chǔ)上產(chǎn)生載流子的有源半導(dǎo)體層的特性受其與底層半導(dǎo)體層的適應(yīng)性的影響。為了克服這個(gè)缺點(diǎn)，本發(fā)明人進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在用(A)不含結(jié)晶相的半導(dǎo)體層作底層半導(dǎo)體層時(shí)，在用(B)含柱形微晶相的半導(dǎo)體層作有源半導(dǎo)體層時(shí)，所說(shuō)半導(dǎo)體層(B)疊置于所說(shuō)半導(dǎo)體層(A)上，兩半導(dǎo)體層(A)和(B)間的邊界區(qū)域構(gòu)成為包括含近球形微晶相的半導(dǎo)體材料時(shí)，所說(shuō)近球形微晶相具有變化的平均尺寸分布，使所說(shuō)半導(dǎo)體層(B)側(cè)上的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸大于半導(dǎo)體層(A)側(cè)上的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸，可以得到?jīng)]有如上所述缺點(diǎn)且具有提高的特性的希望層疊半導(dǎo)體結(jié)，本發(fā)明是在這種發(fā)現(xiàn)的基礎(chǔ)上完成的。關(guān)于本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)層4的優(yōu)選實(shí)施例，介紹了一種包括按順序疊置的第一半導(dǎo)體層4A、第二半導(dǎo)體層4B、第三半導(dǎo)體層4C、第四半導(dǎo)體層4D和第五半導(dǎo)體層4E的半導(dǎo)體結(jié)結(jié)構(gòu)，如圖1-3所示。本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)層4可以例如利用等離子CVD設(shè)備，利用等離子CVD法形成，可以使用從13.56MHz的射頻到2GHz的微波的高頻功率。除此之外，半導(dǎo)體結(jié)層4可以結(jié)合利用等離子CVD法、ECR等離子CVD法、或?yàn)R射法和利用活性氫氣的膜形成方式形成。具體說(shuō)，半導(dǎo)體層4A-4E可以分別在膜形成設(shè)備的不同膜形成室中形成，如圖5所示?；蛘?，通過(guò)在形成每個(gè)半導(dǎo)體層時(shí)改變膜形成條件，可以在共同的膜形成室中形成這些半導(dǎo)體層。這些半導(dǎo)體層也可以利用卷軸到卷軸膜形成設(shè)備連續(xù)形成。在任一情況下，在半導(dǎo)體結(jié)層4的形成期間，希望在不將這些半導(dǎo)體層暴露于大氣的條件下形成其各半導(dǎo)體層。在利用等離子CVD法形成半導(dǎo)體結(jié)層4時(shí)，可以選用SiH4、SiF4、Si2H6、GeH4、CH4、C2H5等作原材料氣。可以用合適的稀釋氣稀釋這些原材料氣。可以選擇用H2氣、He氣、Ar氣等作這種稀釋氣。為了形成n型或p型半導(dǎo)體層，與給定的原材料氣一起使用能夠產(chǎn)生給定摻雜元素的合適氣體摻雜材料。這種氣體摻雜材料例如可以包括PH3、BH3、BF3等。半導(dǎo)體結(jié)層4的結(jié)結(jié)構(gòu)一般可以是n-i-p結(jié)構(gòu)或p-i-n結(jié)構(gòu)。所說(shuō)結(jié)結(jié)構(gòu)不限于這些半導(dǎo)體結(jié)結(jié)構(gòu)，可以取其它半導(dǎo)體結(jié)結(jié)構(gòu)。具體說(shuō)，所說(shuō)結(jié)結(jié)構(gòu)可以是n+-n--p+結(jié)構(gòu)、n+-p--p+結(jié)構(gòu)、p+-p--n+結(jié)構(gòu)、或p+-n--n+結(jié)構(gòu)。除此之外，所說(shuō)結(jié)結(jié)構(gòu)還可以構(gòu)成為導(dǎo)電型在厚度方向上漸變。在形成n或p型半導(dǎo)體層時(shí)，優(yōu)選供應(yīng)預(yù)定量能夠產(chǎn)生相對(duì)于作為半導(dǎo)體層的主要成分的硅(Si)原子、鍺(Ge)原子或碳(C)原子的原子量其量為0.1-10原子％的給定摻雜元素的氣體摻雜材料。在輕摻雜基本本征的半導(dǎo)體層時(shí)，優(yōu)選供應(yīng)預(yù)定量能夠產(chǎn)生其量為0.1-10ppm的給定摻雜元素的氣體摻雜材料。自然，在形成本征半導(dǎo)體層時(shí)不必采用任何氣體摻雜材料。半導(dǎo)體結(jié)層4可以含有1-20原子％的氫原子。順便提及，甚至在半導(dǎo)體結(jié)層4應(yīng)含有微量選自氧原子、氮原子和氟原子中的一種或幾種原子時(shí)，也不會(huì)妨礙本發(fā)明的主要原理。本發(fā)明中，光電元件中可以存在具有與半導(dǎo)體結(jié)層4相同結(jié)構(gòu)的兩個(gè)以上半導(dǎo)體結(jié)層。第一半導(dǎo)體層4A包括不含結(jié)晶相的半導(dǎo)體材料。第一半導(dǎo)體層4A優(yōu)選含一種摻雜元素。關(guān)于第一半導(dǎo)體層4A的厚度，較好是0.5-50nm。利用透射電子顯微鏡觀察，觀察到第一半導(dǎo)體層4A具有均勻的結(jié)構(gòu)，沒(méi)有任何約5nm以上的顆粒結(jié)構(gòu)。第二半導(dǎo)體層4B包括含近球形微晶相的半導(dǎo)體材料?？梢岳靡韵路椒ㄐ纬傻诙雽?dǎo)體層4B，即，利用等離子CVD法形成不含結(jié)晶相的給定半導(dǎo)體層，然后利用激光退火等微晶化所說(shuō)半導(dǎo)體層。在以此方式，利用激光退火形成第二半導(dǎo)體層4B的情況下，從使之可以按要求只微晶化變成第二半導(dǎo)體層4B的半導(dǎo)體層的角度出發(fā)，將要激光退火的所說(shuō)半導(dǎo)體層較好是基本上不含摻雜元素。這種情況下，用于激光退火的激光束的強(qiáng)度特別強(qiáng)或特別弱時(shí)，都不會(huì)發(fā)生半導(dǎo)體層希望的微晶化。在所說(shuō)激光束的強(qiáng)度為100-250mJ/cm2時(shí)，可以得到適用作第二半導(dǎo)體層4B的令人滿意的微晶化半導(dǎo)體層?；蛘撸诙雽?dǎo)體層4B可利用以下方法形成，其中在利用等離子CVD法形成用作第二半導(dǎo)體層4B的給定半導(dǎo)體層時(shí)，周期性改變包括膜形成室內(nèi)壓、所供應(yīng)的高頻瓦數(shù)、引入的原材料氣的流量、引入的氣體摻雜材料的流量、基片溫度和用氫氣稀釋所說(shuō)原材料氣的稀釋比等相關(guān)膜形成條件，從而所說(shuō)半導(dǎo)體層形成為含近球形微晶相，所說(shuō)微晶相在厚度方面具有變化的平均尺寸分布。這種情況下，特別是通過(guò)周期性改變基片溫度和用氫氣稀釋原材料氣的稀釋比，可以形成在厚度方向具有變化的平均尺寸分布的近球形微晶相。關(guān)于第二半導(dǎo)體層4B的厚度，較好是5-60nm。利用透射電子顯微鏡觀察，觀察到在第一半導(dǎo)體層4A側(cè)上，第二半導(dǎo)體層4B具有平均尺寸為約1-約10nm的近球形微晶相，在第三半導(dǎo)體層4C側(cè)上，具有平均尺寸為約5-約20nm的近球形微晶相。兩側(cè)上的近球形微晶相的大小不必均勻。如上所述，術(shù)語(yǔ)“微晶相”是指微晶顆粒。術(shù)語(yǔ)“近球形微晶相”是指成形為近球形包括多面球形等的微晶顆料。“近球形微晶相的尺寸”是指所說(shuō)近球形微晶顆粒的直徑。第三半導(dǎo)體層4C包括含柱形微晶相的半導(dǎo)體材料。關(guān)于第三半導(dǎo)體層4C的厚度，較好是500-5000nm。利用電子顯微鏡觀察時(shí)，觀察到第三半導(dǎo)體層4C具有混合態(tài)的(A)在厚度方向上具有較長(zhǎng)長(zhǎng)度的柱形微晶相和(B)在厚度方向上具有較短長(zhǎng)度的柱形微晶相。柱形微晶相(A)的長(zhǎng)度幾乎與第三半導(dǎo)體層4C的厚度相同，在垂直于厚度方向的方向上，寬度小于500nm。在第二半導(dǎo)體層4B附近，第三半導(dǎo)體層4C具有另外含有摻入的平均尺寸為約10-約50nm的近球形微晶相的區(qū)域。這種情況下，所摻入的球形微晶相的量在平行于第二層4B的平面內(nèi)為約10-80％。第四半導(dǎo)體層4D包括用于提供第三半導(dǎo)體層3C和第五半導(dǎo)體層4E間的改進(jìn)結(jié)合態(tài)的緩沖層。不總是要求提供第四半導(dǎo)體層4D。作為第四半導(dǎo)體層4D的緩沖層較好是包括不含結(jié)晶相和沒(méi)有摻雜元素的半導(dǎo)體材料。關(guān)于其厚度，較好是0.5-50nm。第五半導(dǎo)體層4E較好是包括含預(yù)定摻雜元素和能夠提供提高透光度效果的結(jié)晶相的半導(dǎo)體材料。關(guān)于第五半導(dǎo)體層4E的厚度，較好是0.1-20nm。第四半導(dǎo)體層4D和第五半導(dǎo)體層4E每個(gè)都較好是在基片溫度低于形成第一-第三半導(dǎo)體層4A-4C時(shí)的基片溫度的條件下形成。在第四和第五半導(dǎo)體層4D和4E分別在較高基片溫度下形成時(shí)，它們不具有要求的特性。認(rèn)為原因簡(jiǎn)單可以歸結(jié)為發(fā)生了摻雜劑的擴(kuò)散和在半導(dǎo)體層中發(fā)生補(bǔ)償不飽和鍵的氫原子釋放。如上所述，半導(dǎo)體結(jié)層4具有包括按順序疊置的不含結(jié)晶相的第一半導(dǎo)體層4A、含有如上所述的近球形微晶相的第二半導(dǎo)體層4B、含有如上所述的柱形微晶相的第三半導(dǎo)體層4C。如圖3所示，第二半導(dǎo)體層4B中含有近球形微晶相，所以位于第三半導(dǎo)體層4C側(cè)上的部分具有大于位于第一半導(dǎo)體層4A側(cè)上的部分的平均尺寸。在第二半導(dǎo)體層4B附近，第三半導(dǎo)體層4C可以具有含與柱形微晶相一起引入的近球形微晶相的區(qū)域。在這種構(gòu)成的半導(dǎo)體結(jié)層4中，認(rèn)為第二半導(dǎo)體層4B的具有較小平均尺寸的近球形微晶相用于在第二半導(dǎo)體層4B和不含有結(jié)晶相的第一半導(dǎo)體層4A間建立改進(jìn)的結(jié)，第三半導(dǎo)體層4C中的柱形微晶相由第二半導(dǎo)體層4B的具有較大平均尺寸的近球形微晶相生長(zhǎng)，以便在第二半導(dǎo)體層4B和第三半導(dǎo)體層4C間建立改進(jìn)的結(jié)。認(rèn)為半導(dǎo)體結(jié)層4的該狀態(tài)提供了如下所述的效果。即，將在結(jié)界面處被激發(fā)的基于入射光產(chǎn)生的載流子的比例降低將輸出到外部的電流比例增加。此外，釋放了由于結(jié)構(gòu)差異造成的應(yīng)力和形變。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)層4，甚至在第三半導(dǎo)體層4C以較高的淀積速率形成得較薄時(shí)，也可以在半導(dǎo)體結(jié)層4中產(chǎn)生大量電流。&#60透明上電極層&#62透明上電極層5形成于半導(dǎo)體結(jié)層4上。電極層5用于取出半導(dǎo)體結(jié)層4中產(chǎn)生的電能。電極層5定位成與基片1側(cè)相對(duì)，半導(dǎo)體結(jié)層中產(chǎn)生的電能也通過(guò)基片1側(cè)輸出。希望電極層5由低阻材料構(gòu)成。這種材料例如可以包括氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化錫(SnO2)、ITO(In2O3-SnO2)、氧化鈦(TiO2)或這些材料的混合材料。電極層5可利用電阻加熱蒸發(fā)、離子束淀積、真空蒸發(fā)、濺射、CVD(化學(xué)汽相淀積)、噴涂和浸漬法形成。在光從電極層5側(cè)入射的情況下，為了使電極層5提供良好的防入射光反射的效果，較好是電極層5制成為其厚度對(duì)應(yīng)于將主要想防止反射的光的波長(zhǎng)除以相當(dāng)于電極層5折射率的4倍的值得到的值。具體說(shuō)，例如，假定電極層5的折射率是2，最想通過(guò)電極層的光波長(zhǎng)是500nm，由式500/(2×4)計(jì)算得到的約63nm的值便為電極層5的優(yōu)選厚度。電極層5是包括具有不同折射率的多層材料的層狀材料。以上介紹了具有包括下電極、半導(dǎo)體結(jié)層4和上電極層5的集成結(jié)構(gòu)的光電元件作為本發(fā)明的光電元件的一個(gè)實(shí)施例。本發(fā)明不限于這種結(jié)構(gòu)。&#60集電極&#62可以在上電極層5上提供柵形的集電極6，以有效地收集上電極層5上光電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生的電流。集電極6可以利用掩模圖形通過(guò)濺射、電阻加熱蒸發(fā)或CVD法形成。除此之外，集電極6還可以通過(guò)以下各方法形成首先在上電極層5的整個(gè)表面上形成金屬膜，然后通過(guò)腐蝕去掉不必要的部分構(gòu)圖金屬膜，從而在表面上形成柵極圖形；利用光CVD直接在上電極層5上形成柵極圖形；首先在上電極5的表面上形成具有柵極圖形的負(fù)構(gòu)圖掩模，然后在其上進(jìn)行涂敷；絲網(wǎng)印刷導(dǎo)電漿料，在上電極5的表面上形成柵極圖形；或利用熱壓鍵合，在上電極5的表面上，鍵合其上涂有碳漿料的銅絲，從而形成柵極。如果需要，為了輸出電動(dòng)勢(shì)力，可以在基片1上連接電輸出端子7A，在集電極6上電連接電輸出端子7A，如圖1所示。下面將介紹光電元件組件101。光電元件組件101具體包括主體，包括由密封材料8密封的上述結(jié)構(gòu)的光電元件100；疊于所說(shuō)主體的光接收側(cè)上的表面保護(hù)膜9；和疊于所說(shuō)主體的非光接收側(cè)上的背面加強(qiáng)部件10。標(biāo)號(hào)11表示設(shè)置在光電元件100的基片1和背面加強(qiáng)部件10間的絕緣部件。下面將介紹除上面已介紹過(guò)的光電元件外的構(gòu)件外的每種構(gòu)件。&#60密封材料&#62密封材料8用于密封光電元件100，從而保護(hù)光電元件不受例如溫度變化、濕汽、外部沖擊等周圍環(huán)境的影響。密封材料8還用于保證包括包封光電元件100的密封材料8的主體與表面保護(hù)膜9的粘附性，以及所說(shuō)主體與背面加強(qiáng)部件10的粘附性。希望密封材料8包括具有粘附性和填充性、并且尤其在耐氣候、耐熱、耐冷和耐沖擊等方面優(yōu)異的樹脂。這種樹脂的較好具體例子有聚烯烴系列樹脂、尿烷樹脂、硅酮樹脂和氟樹脂。密封材料8可以含有包括有機(jī)過(guò)氧化物的交聯(lián)劑。這種情況下，在光電元件組件制造的真空層壓處理中，可以在密封材料交聯(lián)的同時(shí)進(jìn)行密封材料的熱壓粘合除此之外，密封材料8還可以含有選自交聯(lián)助劑、UV吸收劑、光穩(wěn)定劑、抗氧化劑、硅烷耦合劑和有機(jī)鈦酸酯化合物中的一種或幾種材料，以改善密封材料性能。任何情況下，都需要密封材料8透明，以便盡可能防止到達(dá)光電元件100的半導(dǎo)體結(jié)層4的入射光量減少。由此看來(lái)，希望密封材料8相對(duì)于400-800nm的可見光具有較好是高于80％以上、更好是高于90％以下的透光率。另外，希望密封材料825℃時(shí)的折射率較好為1.1-2.0以上、更好是1.1-1.6，以便有助于光從大氣中入射。&#60表面保護(hù)膜&#62表面保護(hù)膜9定位在光電元件組件101的最外表面，因此，要求它具有優(yōu)異有透明度、耐氣候性、防水性能、耐熱性、耐污染性、和物理強(qiáng)度。希望表面保護(hù)膜9是滿足這些要求的樹脂。這種樹脂的較好具體例子有氟樹脂和丙烯酸樹脂膜。希望利用電暈處理、等離子處理、臭氧處理、UV輻射處理、電子束輻射處理或火焰處理對(duì)與密封材料8接觸的表面保護(hù)膜9的表面進(jìn)行表面處理，以改善表面保護(hù)膜9與密封材料8的粘附性。不僅表面保護(hù)膜9而且密封材料8的表面都可以是凹凸不平的。這種凹凸不平可以在制造光電元件組件的真空層壓處理期間形成，或可以在真空層壓處理后利用加壓加工形成。&#60背面加強(qiáng)部件&#62背面加強(qiáng)部件10設(shè)置在光電元件組件101的背面，用于改善光電元件組件的機(jī)械強(qiáng)度和防止光電元件組件因環(huán)境溫度變化而變形或翹曲。背面加強(qiáng)部件10可以包括尼龍片、PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)片、鋼片、塑料板或纖維玻璃加強(qiáng)塑料板(或所謂的FRP板)。在背面加強(qiáng)部件10包括具有大機(jī)械強(qiáng)度的部件時(shí)，光電元件組件101可用作例如屋頂材料等建筑材料。這種情況下，光電元件組件可以設(shè)計(jì)成建筑材料一體型光電元件組件(或建筑材料一體型太陽(yáng)能電池組件)。絕緣部件在背面加強(qiáng)部件10導(dǎo)電的情況下，為保證光電元件100的基片1與背面加強(qiáng)部件10間的電絕緣，在基片1和背面加強(qiáng)部件10間設(shè)置絕緣部件11。絕緣部件可以是例如尼龍膜等絕緣膜。下面將結(jié)合圖4介紹本發(fā)明電力發(fā)生設(shè)備的實(shí)施例。圖4所示的電力發(fā)生設(shè)備20用于為負(fù)載27供電，它配有光電元件21、功率轉(zhuǎn)換器22、電壓探測(cè)器23、電流探測(cè)器24、輸出功率設(shè)定機(jī)構(gòu)25和控制機(jī)構(gòu)26。電力發(fā)生設(shè)備20中，光電元件21產(chǎn)生的D.C.功率輸入到功率轉(zhuǎn)換器22，在此D.C.功率被轉(zhuǎn)換成合適的功率，然后供給負(fù)載27。光電元件21的輸出電壓和輸出電流分別由電壓探測(cè)器23和電流探測(cè)器24探測(cè)，這些探測(cè)器23和24探測(cè)到的信號(hào)輸入到輸出功率設(shè)定機(jī)構(gòu)25，在此所說(shuō)信號(hào)被處理，控制機(jī)構(gòu)根據(jù)從輸出功率設(shè)定機(jī)構(gòu)25傳輸至此的信號(hào)控制功率轉(zhuǎn)換器22。關(guān)于光電元件21，可以使用上述光電元件組件101。這種情況下，希望光電元件組件101的光電元件100包括多個(gè)光電元件，每個(gè)按與光電元件100相同的方式構(gòu)成，它們彼此電連接以得到希望的電壓和電流。功率轉(zhuǎn)換器22可以是利用例如功率晶體管、功率DET、或IGBT等的自關(guān)閉型開關(guān)元件的DC/DC轉(zhuǎn)換器或自整流DC/DC轉(zhuǎn)換器。功率轉(zhuǎn)換器22根據(jù)ON/OFF負(fù)載比(所謂的傳導(dǎo)比)和從控制機(jī)構(gòu)26傳輸?shù)拈T脈沖頻率，控制功率潮流、輸入和輸出電壓、輸出頻率等。關(guān)于負(fù)載27，可以是包括電加熱負(fù)載、電機(jī)負(fù)載等的各種負(fù)載。在所供應(yīng)的功率是A.C.功率時(shí)，負(fù)載27可以是市售的A.C.功率供應(yīng)系統(tǒng)。在所供應(yīng)的功率是D.C.功率時(shí)，負(fù)載27可以是充電電池。這種情況下，希望極大地增大充電電池的容量，并對(duì)充電態(tài)下的充電電池進(jìn)行監(jiān)控。在所供應(yīng)的功率是D.C.功率時(shí)，功率轉(zhuǎn)換器22是上述DC/DC轉(zhuǎn)換器。例如在電壓探測(cè)器23中，光電元件21的輸出電壓被電阻器分割，然后被A/D轉(zhuǎn)換成數(shù)字值，傳輸?shù)捷敵龉β试O(shè)定機(jī)構(gòu)25。這種情況下，為了避免噪聲的損害，希望光電元件21的功率輸出電路(未示出)和電壓探測(cè)器探測(cè)的信號(hào)的傳輸電路(未示出)通過(guò)能夠?qū)崿F(xiàn)輸入和輸出間完全絕緣的光耦合器等絕緣。在電流探測(cè)器24中，例如，光電元件21的輸出電流利用霍爾元件或標(biāo)準(zhǔn)電阻器轉(zhuǎn)換成電壓，然后按與電壓探測(cè)器23相同的方式，變成數(shù)字值，并被傳輸?shù)捷敵龉β试O(shè)定機(jī)構(gòu)25。在電壓探測(cè)器23和電流探測(cè)器24中的每一個(gè)中，希望使用相當(dāng)高速率和高精度的A/D轉(zhuǎn)換器。具體說(shuō)，希望使用分辨率大于10比特、取樣速度高于50kHz的A/D轉(zhuǎn)換器。根據(jù)這種A/D轉(zhuǎn)換器，可以建立其誤差低于0.1％、并提供小于1秒的響應(yīng)的控制系統(tǒng)。輸出功率設(shè)定機(jī)構(gòu)25根據(jù)從電壓探測(cè)器23和電流探測(cè)器24傳輸?shù)奶綔y(cè)信號(hào)進(jìn)行計(jì)算，以決定輸出電壓的設(shè)定值，從而控制門電路的傳導(dǎo)比等，使光電元件21具有其輸出電壓設(shè)值。輸出功率設(shè)定機(jī)構(gòu)25具體是一種控制微機(jī)，配有CPU、RAM、ROM、輸入-輸出端口、數(shù)字計(jì)算單元等?？刂茩C(jī)構(gòu)26包括通過(guò)比較瞬時(shí)電流值、比較正弦波/三角波方程等產(chǎn)生門脈沖的所謂門驅(qū)動(dòng)電路。根據(jù)控制機(jī)構(gòu)26產(chǎn)生的門脈沖，控制功率轉(zhuǎn)換器22，以使光電元件21的輸出電壓與輸出功率設(shè)定機(jī)構(gòu)25的輸出一致?？刂茩C(jī)構(gòu)26可以包括模擬電路或數(shù)字電路。除此之外，控制機(jī)構(gòu)26可以包括配有CPU或DSP(數(shù)字信號(hào)處理器)作為高速CPU的數(shù)字化機(jī)構(gòu)。這種情況下，控制機(jī)構(gòu)26的構(gòu)成與輸出功率設(shè)定機(jī)構(gòu)25類似。從這一點(diǎn)看來(lái)，可以使用合適的電路充當(dāng)輸出功率設(shè)定機(jī)構(gòu)25和控制機(jī)構(gòu)26。以下將結(jié)合例子進(jìn)行更具體地介紹。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為，這些例子僅僅是為了例示，并非試圖對(duì)本發(fā)明的范圍進(jìn)行限制。例1該實(shí)例中，制備具有圖1-3所示光電元件100結(jié)構(gòu)的多個(gè)光電元件，同時(shí)根據(jù)需要進(jìn)行評(píng)價(jià)，并利用這些光電元件制備具有圖1所示光電元件組件101結(jié)構(gòu)的多個(gè)光電元件組件。1、制備光電元件按以下方式制備每個(gè)光電元件。作為基片1，提供多個(gè)具有不平表面且大小為45mm×45mm、方形毛面厚度為0.15mm不銹鋼SUS430板。對(duì)作為基片1的這些不銹鋼板進(jìn)行堿清洗、熱水清洗和空氣干燥。把這樣得到的不銹鋼板設(shè)置在D.C.磁控濺射設(shè)備的淀積室內(nèi)，抽空淀積室內(nèi)部，直到內(nèi)壓變得低于2毫乇。然后，以30sccm的流量向?yàn)R射設(shè)備的淀積室內(nèi)引入Ar氣，淀積室的內(nèi)部壓力保持在2毫乇。然后，把每個(gè)基片1(即，不銹鋼板)加熱到并保持在400℃，在直徑為6英寸(15.24cm)的Ag靶上加1Kw的D.C.功率90秒，在每個(gè)基片1的不平表面上形成約600nm厚的Ag層作為背面反射層2。此時(shí)，從濺射設(shè)備中取出每個(gè)都具有形成于其上的Ag層作為背面反射層2的一個(gè)基片1，利用掃描電子顯微鏡觀察其表面態(tài)。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)具有不平表面，其上具有谷頂?shù)焦鹊灼骄叨燃s為100nm的凹凸不平。然后，將與Ag靶的電連接轉(zhuǎn)到直徑為6英寸(15.24cm)的ZnO靶，將留在濺射設(shè)備的淀積室中的每個(gè)基片加熱到并保持在450℃，在ZnO靶上加1Kw的D.C.功率180秒，在每個(gè)基片的背面反射層2上形成約1000nm厚的ZnO層作為透明導(dǎo)電層3。然后，從濺射設(shè)備中取出每個(gè)都具有按此順序形成的背面反射層2和透明導(dǎo)電層3的所有基片。利用掃描電子顯微鏡觀察這些基片中的一個(gè)的表面態(tài)。結(jié)果，發(fā)生基片的透明導(dǎo)電層3的表面具有谷頂?shù)焦鹊灼骄叨燃s為200nm的凹凸不平，該高度大于背面反射層2的所說(shuō)高度。在具有按此順序形成于其上的背面反射層2和透明導(dǎo)電層3的每個(gè)基片的透明導(dǎo)電層3上，如以下將介紹的，利用圖5所示的膜形成設(shè)備，形成半導(dǎo)體結(jié)層4。把具有按此順序形成于其上的背面反射層2和透明導(dǎo)電層3的基片間按一定間隔設(shè)于圖5所示膜形成設(shè)備的裝載和卸載室31中的傳輸夾具32上。傳輸夾具32包括構(gòu)成為可以在其上支撐工件(基片)使之面向下的基片支架(未示出)，傳輸夾具32可以上下移動(dòng)。并且基片支架配有開口，支撐于其上的工件通過(guò)該開口暴露于膜形成室的膜形成空間，可以利用膜形成室，在工件上形成希望的膜。膜形成設(shè)備構(gòu)成為傳輸夾具32可以借助于其中的傳送裝置32’移動(dòng)。形成半導(dǎo)體層4A利用與排氣管(未示出)相連的真空泵(未示出)，把裝載和卸載室31中抽空直到10-4乇，所說(shuō)排氣管與裝載和卸載室31相通，門閥33打開，具有帶基片1(每個(gè)都具有按此順序形成于其上的背面反射層2和透明導(dǎo)電層3)的支架的傳輸夾具32移到第一膜形成室34的n型層形成空間34-1之上的位置，位于基片溫度控制裝置35之下。門閥33關(guān)閉，利用基片溫度控制裝置35將基片支架壓下來(lái)，使每個(gè)基片和位于n型層形成空間34-1下側(cè)上的對(duì)電極44間的距離為30mm，基片溫度控制裝置35把每個(gè)基片的表面溫度控制為250℃。這種情況下，定位成通過(guò)膜形成室34與門閥33相對(duì)的門閥38也關(guān)閉。然后，在利用與通到膜形成室34內(nèi)、并配有節(jié)流閥(未示出)的排氣管(未示出)相連的真空泵I(未示出)，充分抽空了包括n型層形成空間34-1的膜形成室34后，通過(guò)從原材料氣供應(yīng)系統(tǒng)延伸出的氣體輸送管49，分別以1sccm、0.5sccm、和48sccm的流量，向n型層形成空間34-1引入Si2H6氣、PH3/H2(用H2稀釋到2％的PH3)和H2氣，所說(shuō)原材料氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括容納有Si2H6氣的氣體容器49-1、容納有PH3/H2(用H2稀釋到2％的PH3)氣的氣體容器49-2、和容納有H2氣的氣體容器49-3。然后，設(shè)置在與膜形成室34相連的排氣管上的節(jié)流閥打開，調(diào)節(jié)到保持n型層形成空間34-1的內(nèi)壓為1乇，從具有13.56MHz振蕩頻率的高頻電源(未示出)，在對(duì)電極44上加1.8W的高頻功率(13.56MHz)，在n型層形成空間34-1內(nèi)產(chǎn)生輝光放電3分鐘。由此，在每個(gè)基片1的透明導(dǎo)電層3上，形成厚約20nm的n型半導(dǎo)體結(jié)層4A作為第一半導(dǎo)體結(jié)層，該層不含結(jié)晶相。形成半導(dǎo)體結(jié)層4B在形成了半導(dǎo)體層4A后，終止基片溫度控制裝置35的工作，停止引入原材料氣，并停止加高頻功率。并提升基片溫度控制裝置35，利用真空泵充分抽空膜形成室34。然后，包括帶有其上形成了第一半導(dǎo)體層4A的基片1的基片支架的傳輸夾具32移到第一膜形成室34的i型層形成空間34-2的正上方的位置，位于基片溫度控制裝置36之下?；瑴囟瓤刂蒲b置36把基片支架壓下來(lái)，以便每個(gè)基片和位于i型層形成空間34-2下側(cè)上的對(duì)電極45間的距離為30mm，基片溫度控制裝置36把每個(gè)基片表面的溫度控制在270℃。然后，利用真空泵充分抽空包括i型層形成空間34-2的膜形成室34后，通過(guò)從原材料氣供應(yīng)系統(tǒng)延伸出的氣體輸送管50，分別以4sccm和100sccm的流量，向i型層形成空間34-2引入Si2H6氣和H2氣，所說(shuō)原材料氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括容納有Si2H6氣的氣體容器50-1、和容納有H2氣的氣體容器50-2。然后，設(shè)置在與膜形成室34相連的排氣管上的節(jié)流閥打開，調(diào)節(jié)到保持i型層形成空間34-2的內(nèi)壓為0.5乇，從具有13.56MHz振蕩頻率的高頻電源(未示出)，在對(duì)電極45上加2W的高頻功率(13.56MHz)，在i型層形成空間34-2內(nèi)產(chǎn)生輝光放電80秒。由此，在每個(gè)基片1的第一半導(dǎo)體層4A上，形成厚約25nm的i型半導(dǎo)體結(jié)層作為第二半導(dǎo)體結(jié)層4B，該層不含結(jié)晶相。在每個(gè)基片上形成了i型半導(dǎo)體層后，終止基片溫度控制裝置36的工作，停止引入原材料氣，并停止加高頻功率。并提升基片溫度控制裝置36，利用真空泵充分抽空膜形成室34。然后，打開門閥38和門閥41，包括帶有其上形成有i型半導(dǎo)體層的基片1的基片支架的傳輸夾具32移到激光處理室42，同時(shí)穿過(guò)第二膜形成室39，在此基片支架定位于構(gòu)成為可以在基片支架傳輸?shù)姆较蛏弦苿?dòng)的基片溫度控制裝置43正下方。門閥41關(guān)閉后，基片溫度控制裝置43把基片支架壓下來(lái)直到預(yù)定位置，基片溫度控制裝置43把基片支架上每個(gè)基片表面(即每個(gè)基片的i型半導(dǎo)體層表面)的溫度控制在200℃。然后，利用與排氣管(未示出)相連的真空泵(未示出)充分抽空激光處理室42，所說(shuō)排氣管與激光處理室42相通，并配有節(jié)流閥(未示出)，然后，通過(guò)與原材料氣供應(yīng)系統(tǒng)相連的氣體輸送管53，以500sccm的流量，向激光處理室42引入H2氣，所說(shuō)原材料氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括容納有H2氣的氣體容器53-1。然后，通過(guò)調(diào)節(jié)設(shè)置在與激光處理室42相連的排氣管上的節(jié)流閥打開，使激光處理室42的內(nèi)壓為約10乇。然后，利用常規(guī)氙-氯型準(zhǔn)分子激光器56，用波長(zhǎng)約為308nm、脈沖寬度為13nsec和每秒30個(gè)脈沖的激光束，通過(guò)對(duì)其表面進(jìn)行了非反射處理的石英玻璃窗54，從激光處理室42的下側(cè)進(jìn)行輻射，同時(shí)控制能量密度為150mJ/cm2。具體說(shuō)，通過(guò)調(diào)節(jié)光學(xué)系統(tǒng)，使每個(gè)脈沖在每個(gè)基片表面的輻射區(qū)變?yōu)榧s3mm(長(zhǎng)度)×3mm(寬度)大，并在垂直于帶有基片的基片支架的傳輸方向的方向上移動(dòng)反射鏡55，使激光束以9mm/秒的掃描速度輻射到基片支架上每個(gè)基片的表面(即，每個(gè)基片的i型半導(dǎo)體層表面)，輻射位置一點(diǎn)一點(diǎn)移動(dòng)，以便90％的給定輻射區(qū)與連續(xù)輻射區(qū)重疊。這種情況下，利用步進(jìn)電機(jī)，使每次掃描時(shí)反射鏡55在前述方向上移動(dòng)2.2mm。通過(guò)進(jìn)行20次激光束輻射掃描，可以激光處理每個(gè)基片的基本上整個(gè)表面。上述過(guò)程中，可以用個(gè)人電腦控制激光輻射的開始和結(jié)束、反射鏡的掃描及帶有基片的基片支架的運(yùn)輸。通過(guò)上述方式，基本上只微晶化了每個(gè)基片的i型半導(dǎo)體層，使之具有含近球形微晶相的結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)具有變化的平均尺寸分布，使所說(shuō)激光輻射側(cè)上的所說(shuō)球形微晶相具有大于第一半導(dǎo)體層4A側(cè)上的球形微晶相的平均尺寸，從而在每個(gè)基片的第一半導(dǎo)體層4A上形成第二半導(dǎo)體層4B。為了證實(shí)，從膜形成裝置中取出一個(gè)進(jìn)行激光處理前的基片和另一個(gè)激光處理后的基片。利用常規(guī)的氬激光拉曼光譜超微分析儀分析每一個(gè)基片。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)激光處理前的i型半導(dǎo)體層是具有中心在約480/cm的擴(kuò)展拉曼譜的非晶層。另一方面，發(fā)現(xiàn)進(jìn)行了激光處理后的層具有帶有約520/cm的尖峰的拉曼譜。根據(jù)這種結(jié)果，可以證實(shí)，激光處理i型半導(dǎo)體層后得到的層被微晶化。形成第三半導(dǎo)體層4C對(duì)于位于基片支架上具有形成于其上的第二半導(dǎo)體層4B的其余基片，如下所述，在每個(gè)基片的第二半導(dǎo)體層4B上形成第三半導(dǎo)體層4C。在形成了半導(dǎo)體層4B后，終止基片溫度控制裝置43的工作，終止準(zhǔn)分子激光器56的工作，停止引入H2氣。并提升基片溫度控制裝置43，利用真空泵充分抽空激光處理室42。然后，打開門閥41。然后，包括帶有其上形成有第二半導(dǎo)體層4B的基片的基片支架的傳輸夾具32移到第二膜形成室39，在此基片支架定位于基片溫度控制裝置40的正下方。然后，關(guān)閉門閥38和41，基片溫度控制裝置40把基片支架壓下直到預(yù)定位置。然后，基片溫度控制裝置40把每個(gè)基片表面(即每個(gè)基片的第二半導(dǎo)體層4B的表面)的溫度控制在350℃。然后，利用與排氣管(未示出)相連的真空泵(未示出)充分抽空包括膜形成室39，所說(shuō)排氣管與膜形成室39內(nèi)部相通，并配有節(jié)流閥(未示出)，然后，通過(guò)從原材料氣供應(yīng)系統(tǒng)延伸出的氣體輸送管52，分別以80sccm和240sccm的流量，向膜形成室39引入SiF4氣和H2氣，所說(shuō)原材料氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括容納有SiF4氣的氣體容器52-1、和容納有H2氣的氣體容器52-2。然后，設(shè)置在與膜形成室39相連的排氣管上的節(jié)流閥打開，調(diào)節(jié)到保持膜形成室39的內(nèi)壓為0.1乇，通過(guò)波導(dǎo)48，通過(guò)與2.45GHz的微波電源(未示出)電連接的施加器47，向膜形成室39引入200W的微波功率，在膜形成室39內(nèi)產(chǎn)生輝光放電20秒。由此，在每個(gè)基片的第二半導(dǎo)體層4B上，形成厚約1000nm的含有柱形微晶相的i型半導(dǎo)體結(jié)層作為第三半導(dǎo)體結(jié)層4C。在每個(gè)基片的第二半導(dǎo)體層4B上形成了作為第三半導(dǎo)體層4C的所說(shuō)i型半導(dǎo)體層后，停止基片溫度控制裝置40的工作，停止引入原材料氣，停止引入微波功率。為了證實(shí)，從膜形成設(shè)備中取出位于基片支架上的一個(gè)基片，對(duì)形成其上作為第三半導(dǎo)體層4C的i型半導(dǎo)體層進(jìn)行X射線衍射分析。結(jié)果，觀察到在對(duì)應(yīng)于Si的(220)面的約47.5度的區(qū)域有峰。類似的，利用上述拉曼光譜超微儀進(jìn)行分析。結(jié)果，觀察到在約516/cm的區(qū)域有峰。這些結(jié)果表明該i型半導(dǎo)體層含有微晶相。另外，利用透射電子顯微鏡檢測(cè)基片的層狀結(jié)構(gòu)的剖面。結(jié)果，得到以下結(jié)果。即，發(fā)現(xiàn)第一半導(dǎo)體層4A包括不含結(jié)晶相的半導(dǎo)體材料，其中根本未觀察到任何大小為5nm以上的微晶相。關(guān)于第二半導(dǎo)體層4B，發(fā)現(xiàn)在第一半導(dǎo)體層4A側(cè)上的近球形微晶相具有約5nm的平均尺寸，在第三半導(dǎo)體層4C側(cè)上的近球形微晶相具有約10nm的平均尺寸。關(guān)于第三半導(dǎo)體層4C的柱形微晶相，發(fā)現(xiàn)它們中較長(zhǎng)的具有接近該層厚度的長(zhǎng)度，寬度約為50nm。另外，發(fā)現(xiàn)靠近第二半導(dǎo)體層4B的第三半導(dǎo)體層4C的層區(qū)也含有與柱形微晶相一起引入的、平均尺寸約為50nm的近球形微晶相。形成第四半導(dǎo)體層4D對(duì)于位于基片支架上具有形成于其上的第三半導(dǎo)體層4C的其余基片，如下所述，在每個(gè)基片的第三半導(dǎo)體層4C上形成第四半導(dǎo)體層4D。提升基片溫度控制裝置40，并利用真空泵充分抽空第二膜形成室39后，打開門閥38。然后，包括帶有其上形成有第三半導(dǎo)體層4C的基片的基片支架的傳輸夾具32移回第一膜形成室34的i型層空間34-2正上方的位置，在此定位于基片溫度控制裝置36的正下方。然后，關(guān)閉門閥38?；瑴囟瓤刂蒲b置36把基片支架壓下，使每個(gè)基片與位于i型層形成空間34-2下側(cè)上的對(duì)電極45間的距離為30mm，基片溫度控制裝置36把每個(gè)基片表面(即每個(gè)基片的第三半導(dǎo)體層4C的表面)的溫度控制在270℃。然后，利用真空泵充分抽空包括i型層形成空間34-2的膜形成室34，然后，通過(guò)氣體輸送管50，分別以4sccm和100sccm的流量，向i型層形成空間34-2引入Si2H6氣和H2氣。然后，設(shè)置在與膜形成室34相連的排氣管上的節(jié)流閥打開，調(diào)節(jié)到保持i型層形成空間34-2的內(nèi)壓為0.5乇，從具有13.56MHz振蕩頻率的高頻電源(未示出)，在對(duì)電極45上加2W的高頻功率(13.56MHz)，在i型層形成空間34-2內(nèi)產(chǎn)生輝光放電2分鐘。由此，在每個(gè)基片的第三半導(dǎo)體層4C上，形成厚約40nm的i型半導(dǎo)體結(jié)層作為第四半導(dǎo)體結(jié)層4D。在每個(gè)基片的第三半導(dǎo)體層4C上形成了作為第四半導(dǎo)體層4D的所說(shuō)i型半導(dǎo)體層后，停止基片溫度控制裝置36的工作，停止引入原材料氣，停止供應(yīng)高頻功率。形成第五半導(dǎo)體層4E提升基片溫度控制裝置36，并利用真空泵充分抽空膜形成室34。然后，包括帶有其上形成有第四半導(dǎo)體層4D的基片的基片支架的傳輸夾具32移到第一膜形成室34的p型層空間34-3正上方的位置，在此定位于基片溫度控制裝置37的下方。基片溫度控制裝置37把基片支架壓下，使每個(gè)基片與位于p型層形成空間34-3下側(cè)上的對(duì)電極46間的距離為30mm，基片溫度控制裝置37把每個(gè)基片表面(即每個(gè)基片的第四半導(dǎo)體層4D的表面)的溫度控制在165℃。然后，利用真空泵充分抽空包括p型層形成空間34-3的膜形成室34，然后，通過(guò)從原材料氣體供應(yīng)系統(tǒng)延伸出的氣體輸送管51，以85sccm的流量，向p型層形成空間34-3引入H2氣，所說(shuō)原材料氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括含有SiH4氣/H2(用H2稀釋到10％的SiH4)的氣體容器51-1、容納有BF3/H2(用H2稀釋到2％的BF3)氣的氣體容器51-2、和容納有H2氣的氣體容器51-3。然后，設(shè)置在與膜形成室34相連的排氣管上的節(jié)流閥打開，調(diào)節(jié)到保持p型層成空間34-3的內(nèi)壓為2乇。在p型層形成空間34-3的內(nèi)壓穩(wěn)定在該真空值時(shí)，從具有13.56MHz振蕩頻率的高頻電源(未示出)，在對(duì)電極46上加33W的高頻功率(13.56MHz)，在p型層形成空間34-3內(nèi)產(chǎn)生輝光放電30秒，由此，等離子處理每個(gè)基片的第四半導(dǎo)體層4D。中止供應(yīng)高頻功率，分別以0.25sccm、1sccm、和35sccm的流量，通過(guò)氣體輸送管51，向p型層形成空間34-3引入SiH4/H2(用H2稀釋到10％的SiH4)、BF3(用H2稀釋到2％的BF3)和H2。然后，設(shè)置在與膜形成室34相連的排氣管上的節(jié)流閥打開，調(diào)節(jié)到保持p型層成空間34-3的內(nèi)壓為2乇。在p型層形成空間34-3的內(nèi)壓穩(wěn)定在該真空值時(shí)，從具有13.56MHz振蕩頻率的高頻電源(未示出)，在對(duì)電極46上加44W的高頻功率(13.56MHz)，在p型層形成空間34-3內(nèi)產(chǎn)生輝光放電150秒，由此，每個(gè)基片的第四半導(dǎo)體層4D上，形成厚約10nm的含結(jié)晶材料的p型半導(dǎo)體結(jié)層作為第五半導(dǎo)體結(jié)層4E。于是在基處上形成半導(dǎo)體結(jié)層4。在每個(gè)基片上形成了第五半導(dǎo)體層4E后，停止基片溫度控制裝置37的工作，停止引入原材料氣，停止供應(yīng)高頻功率。利用以下方式得到每個(gè)組成層的厚度，其中對(duì)于其各組成層分別在預(yù)定條件下形成的層狀產(chǎn)品，利用針式膜厚測(cè)量裝置測(cè)量去掉每個(gè)組成層的一部分形成的臺(tái)階，并相對(duì)其形成時(shí)間轉(zhuǎn)化測(cè)量結(jié)果。在每個(gè)基片上形成了第五半導(dǎo)體層4E后，提升基片溫度控制裝置37，并打開門閥33。然后，包括帶有基片的基片支架的傳輸夾具32移到裝載卸載室31，其中基片上有按順序形成于其上的背面反射層2、透明導(dǎo)電層3和半導(dǎo)體結(jié)層4，在此基片從傳輸夾具32上卸下，并從膜形成室人取出。于是得到多個(gè)層狀產(chǎn)品，每個(gè)都包括按順序疊置于基片1上的背面反射層2、透明導(dǎo)電層3和半導(dǎo)體結(jié)層4(包括第一至第五半導(dǎo)體層4A-4E)。形成上電極層如下所述，在以上得到每個(gè)層狀產(chǎn)品的第五半導(dǎo)體層4E上，利用DC磁控濺射設(shè)備形成上電極層5。每個(gè)層狀產(chǎn)品固定在DC磁控濺射設(shè)備的陽(yáng)極表面上，層狀產(chǎn)品的周圍由不銹鋼屏屏蔽，使第五半導(dǎo)體層4E的表面的中心區(qū)域露出，并在基片溫度為170℃、包括氬的惰性氣體的流量為50sccm、氧氣的流量為0.5sccm、淀積室的內(nèi)壓為3毫乇、每單位靶所加電功率為0.2W/cm2、淀積時(shí)間為100秒的條件下，用ITO(包括10wt％的SnO2，90wt％的In2O3)形成膜，從而在第五半導(dǎo)體層4E表面的所說(shuō)暴露中心區(qū)上，淀積厚約70nm的ITO膜作為上電極層5。要形成的該厚度ITO膜的條件以先前建立的校準(zhǔn)曲線為基礎(chǔ)。于是得到多個(gè)具有如光電元件100所示(見圖1-3)結(jié)構(gòu)的光電元件。對(duì)于所得的每個(gè)光電元件來(lái)說(shuō)，通過(guò)在上電極層5的表面上設(shè)置涂有碳漿料的銅絲，然后進(jìn)行熱壓粘合，在其上電極層5上形成集電極6(柵極)。然后，用錫箔帶作正功率輸入端子7B，利用導(dǎo)電粘合劑將之固定于集電極6上。并用銅片作負(fù)極輸出端子7A固定于基片1上。這里，關(guān)于這樣制備的每個(gè)光電元件，為了便于在以后介紹的制備光電元件組件時(shí)功率輸出布線，正功率輸出端子7B通過(guò)絕緣部件延伸到光電元件的背面?zhèn)?，從而可以與負(fù)功率輸出端子7A一起通過(guò)形成于以后將介紹的背面加強(qiáng)部件10中的開口延伸到外部。2、制備光電元件組件利用上述得到的每個(gè)光電元件，制備多個(gè)具有如圖1所示結(jié)構(gòu)的光電元件組件。如下所述制備每個(gè)光電元件組件。在光電元件的光接收面上，按順序?qū)訅汉駷?60微米的EVA片(商品名PHOTOCAP,SpringBornLaboratoriesCompany制造)作為密封材料8和具有電暈放電表面、厚50微米的非取向ETFE膜(商品名TEFZEL,DuPontCompany制造)作為表面保護(hù)膜9，然后，按順序在光電元件的非光接收面上層壓厚460微米的EVA片(商品名PHOTOCAP,SpringBornLaboratoriesCompany制造)作為密封材料8、厚63.5微米的尼龍膜(商品名DArTEKDuPontCompany制造)作絕緣部件11、厚0.27mm的鍍鋅鋼板(鍍Zn鋼板)(具有開口，光電元件組件的制造完成后，光電元件的一對(duì)功率輸出端子可以通過(guò)其中延伸到外部)作為背面加強(qiáng)部件10，從而得到包括ETFE膜/EVA片/光電元件/EVA片/尼龍膜/鍍鋅鋼板的疊置體。這種情況下，在作為表面保護(hù)膜的ETFE膜上，通過(guò)50微米厚的特氟隆膜(商品名TeflonPFA膜，DuPontCompany制造)，設(shè)置16×18目的鋁網(wǎng)部件(線直徑0.11英寸(0.27mm))，以便于在隨后的真空層壓處理時(shí)從ECA的突起部分上去掉鋁網(wǎng)部件。在150℃下，利用真空層壓機(jī)，熱壓粘合疊置體30分鐘，然后，冷卻。然后，與特氟隆一起去掉鋁網(wǎng)部件。光電元件的功率輸出端子對(duì)通過(guò)背面加強(qiáng)部件的開口延伸到外部。由此，得到具有以鋁網(wǎng)部件為基礎(chǔ)的凹凸不平的正表面的光電元件組件。以此方式，制備多個(gè)光電元件組件。上述EVA片是一種已廣泛用作太陽(yáng)能電池(光電元件)的密封材料的材料。EVA片是包括EVA樹脂的EVA片(乙酸乙酯含量33％)，所說(shuō)EVA樹脂中引入了相對(duì)于100份EVA樹脂按重量計(jì)1.5份交聯(lián)劑、0.3份UV紫外吸收劑、0.1份光穩(wěn)定劑、0.2份抗氧化劑、0.25份硅烷耦合劑。評(píng)價(jià)對(duì)于所得光電元件組件，在AM1.5(100mW/cm2)的假太陽(yáng)光的照射下測(cè)量它們的I-V特性。根據(jù)所測(cè)量的I-V特性，得到每個(gè)光電元件組件的開路電壓(Voc)、短路電流(Jsc)、占空因子(F.F.)及光電轉(zhuǎn)換效率(η)。對(duì)于所有光電元件組件來(lái)說(shuō)，得到它們的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)。它們的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)分別為0.96、1.16、0.99和1.11，這些值都是分別設(shè)定以后將介紹的比較例1A中得到的光電元件組件的這些值為1.00的歸一化值。具體說(shuō)，在AM1.5(100mW/cm2)的假太陽(yáng)光下照射了1000小時(shí)后，它們的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)分別為0.96、1.15、0.99和1.16。所得的評(píng)價(jià)結(jié)果集中列于表1。根據(jù)上述結(jié)果，可以理解，甚至在長(zhǎng)時(shí)間暴露于光照射下，該例的任何光電元件組件的特性也基本上不退化。這里，應(yīng)理解，該例中得到的光電元件組件的短路電流和占空因子提高，短路電壓令人滿意，它們的光退化很小，它們的特性優(yōu)異。另外，利用溫度為85℃、濕度為85％的環(huán)境試驗(yàn)盒，對(duì)該例的光電元件組件進(jìn)行1000小時(shí)環(huán)境試驗(yàn)。結(jié)果，它們的光電轉(zhuǎn)換效率僅降低0.02％，實(shí)際應(yīng)用沒(méi)有問(wèn)題。例2除形成第二半導(dǎo)體層4B時(shí)的激光束的能量密度變?yōu)?00mJ/cm2外，重復(fù)例1的程序，得到多個(gè)光電元件組件。在形成半導(dǎo)體結(jié)層4過(guò)程中，與例1的情況一樣，利用透射電子顯微鏡觀察剖面。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)所得結(jié)果與例1中的基本相同。即，在第一半導(dǎo)體層4A中沒(méi)有觀察到結(jié)晶相。關(guān)于第二半導(dǎo)體層4B，發(fā)現(xiàn)在第三半導(dǎo)體層4C側(cè)上具有近球形微晶相，其平均尺寸大于位于第一半導(dǎo)體層4A側(cè)上的近球形微晶相的平均尺寸。關(guān)于第三半導(dǎo)體層4C，發(fā)現(xiàn)具有柱形微晶結(jié)構(gòu)。按與例1相同的方式，就其特性評(píng)價(jià)該例中得到的光電元件組件。結(jié)果，根據(jù)在AM1.5(100mW/cm2)的假太陽(yáng)光照射下的I-V特性，它們的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)分別為0.95、1.13、1.00和1.08，這些值是在分別將以后將介紹的比較例1A的光電元件的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)設(shè)定為1.00的歸一化值。甚至在用AM1.5(100mW/cm2)的假太陽(yáng)光照射這些光電元件組件1000小時(shí)后，該例的這些光電元件組件的特性基本上沒(méi)有改變。評(píng)價(jià)的結(jié)果集中列于表1中。另外，利用溫度為85℃、濕度為85％的環(huán)境試驗(yàn)盒，對(duì)該例的光電元件組件進(jìn)行1000小時(shí)環(huán)境試驗(yàn)。結(jié)果，它們的光電轉(zhuǎn)換效率僅降低0.01％，實(shí)際應(yīng)用沒(méi)有問(wèn)題。比較例1A除在形成第二半導(dǎo)體層4B時(shí)，不對(duì)i型半導(dǎo)體層進(jìn)行激光退火處理外，重復(fù)例1的程序，得到多個(gè)光電元件組件。在形成半導(dǎo)體結(jié)層4的過(guò)程中，在形成第二半導(dǎo)體層4B的階段，取出一個(gè)基片，利用X射線衍射分析法檢測(cè)形成于其上的第二半導(dǎo)體層4B。結(jié)果，沒(méi)有觀察到對(duì)應(yīng)于硅結(jié)晶相的任何峰值。另外，利用拉曼光譜分析法檢查的結(jié)果是在480/cm區(qū)僅觀察到平滑的峰。基于此，發(fā)現(xiàn)第二半導(dǎo)體層4B沒(méi)有結(jié)晶相。此外，取出一個(gè)形成到第五半導(dǎo)體層4E的基片，用透射電子顯微鏡觀察其剖面。結(jié)果，在第三半導(dǎo)體導(dǎo)4C中觀察到存在柱形微晶相，而沒(méi)有觀察到第二半導(dǎo)體層4B有結(jié)晶相。自然，沒(méi)有觀察到第二半導(dǎo)體層4B具有球形微晶相。按與例1相同的方式，就其特性評(píng)價(jià)該比較例中得到的光電元件組件。結(jié)果，根據(jù)在AM1.5(100mW/cm2)的假太陽(yáng)光照射下的I-V特性，它們的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)分別為1.00、1.00、1.00和1.00。評(píng)價(jià)的結(jié)果集中列于表1中。在用AM1.5(100mW/cm2)的假太陽(yáng)光照射這些光電元件組件1000小時(shí)后，它們的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)分別為1.00、1.02、0.94和0.95。比較例1B除在形成第二半導(dǎo)體層4B時(shí)激光束的能量密度變?yōu)?00mJ/cm2外，重復(fù)例1的程序，得到多個(gè)光電元件組件。在制備光電元件期間，取出一個(gè)形成到第五半導(dǎo)體層4E的基片，用透射電子顯微鏡觀察其剖面。結(jié)果，沒(méi)有觀察到第一和第二半導(dǎo)體層4A和4B的明顯分界線，觀察到在第一和第二半導(dǎo)體層4A和4B中都存在大小超過(guò)約20nm的大結(jié)晶顆粒。認(rèn)為這種情況是由于在形成第二半導(dǎo)體層4B時(shí)過(guò)度退火i型半導(dǎo)體層造成的已退化的兩半導(dǎo)體層之間匹配的結(jié)果。按與例1相同的方式，就其特性評(píng)價(jià)該比較例中得到的光電元件組件。結(jié)果，根據(jù)在AM1.5(100mW/cm2)的假太陽(yáng)光照射下的I-V特性，它們的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)分別為0.99、1.05、1.01和1.05，這些值是在分別將比較例1A的光電元件的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)設(shè)定為1.00的歸一化值。在用AM1.5(100mW/cm2)的假太陽(yáng)光照射這些光電元件組件1000小時(shí)后，它們的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)分別為0.85、0.96、0.80和0.65，明顯比初始特性差。評(píng)價(jià)的結(jié)果集中列于表1中。例3除通過(guò)把形成第二半導(dǎo)體層4B時(shí)i型半導(dǎo)體層的淀積時(shí)間(例1中為80秒)變?yōu)?2秒、145秒和180秒外，重復(fù)例1的程序，得到多個(gè)光電元件組件。按與例1相同的方式，就其特性評(píng)價(jià)該例中得到的光電元件組件。評(píng)價(jià)的結(jié)果集中列于表2中。比較例2A除不形成用于第二半導(dǎo)體層4B的i型半導(dǎo)體層外，按與例1中形成第二半導(dǎo)體層4B相同方式激光退火第一半導(dǎo)體層4A外，重復(fù)例1的程序，得到多個(gè)光電元件組件。按與例1相同的方式，就其特性評(píng)價(jià)該比較例中得到的光電元件組件。評(píng)價(jià)的結(jié)果集中列于表2中。比較例2B除通過(guò)把形成第二半導(dǎo)體層4B時(shí)i型半導(dǎo)體層的淀積時(shí)間(例1中為80秒)變?yōu)?15秒外，重復(fù)例1的程序，得到多個(gè)光電元件組件。按與例1相同的方式，就其特性評(píng)價(jià)該比較例中得到的光電元件組件。評(píng)價(jià)的結(jié)果集中列于表2中。例4除按以下方式形成第二半導(dǎo)體層4B外，重復(fù)例1的程序，得到多個(gè)光電元件組件。在例1中，在利用n型層形成空間34-1，在每個(gè)基片的透明導(dǎo)電層3上形成了20nm厚、不含結(jié)晶相的n型半導(dǎo)體層作為第一半導(dǎo)體層4A后，停止基片溫度控制裝置35的操作，停止引入原材料氣，停止加高頻功率。然后，利用真空泵充分抽空膜形成室34。利用基片溫度控制裝置35，將基片支架上每個(gè)基片表面(即第一半導(dǎo)體層4A的表面)的溫度控制在310℃。然后，在利用真空泵充分抽空包括n型層形成空間34-1的膜形成室34后，通過(guò)從原材料氣供應(yīng)系統(tǒng)延伸出的氣體輸送管49，分別以4sccm、0.5sccm、和50sccm的流量，向n型層形成空間34-1引入SiH4/H2氣(用H2稀釋到10％的SiH4)、PH3/H2(用H2稀釋到2％的PH3)和H2氣，所說(shuō)原材料氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括容納有SiH4/H2氣(用H2稀釋到10％的SiH4)的氣體容器49-1、容納有PH3/H2(用H2稀釋到2％的PH3)氣的氣體容器49-2、和容納有H2氣的氣體容器49-3。然后，設(shè)置在與膜形成室34相連的排氣管上的節(jié)流閥打開，調(diào)節(jié)到保持n型層形成空間34-1的內(nèi)壓為1乇，從具有13.56MHz振蕩頻率的高頻電源(未示出)，在對(duì)電極44上加15W的高頻功率(13.56MHz)，在n型層形成空間34-1內(nèi)產(chǎn)生輝光放電80秒。由此，在每個(gè)基片的第一半導(dǎo)體層4A上，形成含小近球形微晶相、厚約13nm的n型半導(dǎo)體結(jié)層。然后，中止引入原材料氣和加高頻功率，利用真空泵充分抽空包括n型層形成空間34-1的膜形成室34。然后，分別以4sccm、0.5sccm和100sccm的流量，通過(guò)氣輸送管49，向n型層形成空間34-1引入SiH4/H2氣(用H2稀釋到10％的SiH4)、PH3/H2(用H2稀釋到2％的PH3)和H2氣。然后，打開設(shè)置在與膜形成室34相連的排氣管上的節(jié)流閥，調(diào)節(jié)到保持n型層形成空間34-1的內(nèi)壓為1乇，從具有13.56MHz振蕩頻率的高頻電源(未示出)，在對(duì)電極44上加15W的高頻功率(13.56MHz)，在n型層形成空間34-1內(nèi)產(chǎn)生輝光放電120秒。由此，在每個(gè)基片的先前形成的n型半導(dǎo)體層上，形成含大近球形微晶相、厚約13nm的n型半導(dǎo)體結(jié)層。不對(duì)包括上述兩層n型半導(dǎo)體層的所得兩層半導(dǎo)體層進(jìn)行如例1所示的激光退火。于是在每個(gè)基片的第一半導(dǎo)體層4A上形成了包括上述兩n型半導(dǎo)體層的第二半導(dǎo)體層4B。該例中，在形成第二半導(dǎo)體層4B的過(guò)程中，通過(guò)增大氫稀釋比，使作為第二半導(dǎo)體層4B的兩層微晶層制成為兩組成微晶層在它們的微晶相的平均尺寸方面彼此不同。為證實(shí)的目的，從膜形成設(shè)備中取出形成到第二半導(dǎo)體層4B的一個(gè)基片，利用常規(guī)氬激光拉曼光譜超微分析儀進(jìn)行分析。結(jié)果發(fā)現(xiàn)第二半導(dǎo)體層4B具有約520/cm的尖峰。根據(jù)該結(jié)果，可以證實(shí)第二半導(dǎo)體層4B含有微晶相。在每個(gè)基片上形成了第二半導(dǎo)體層4B后，包括帶有留下來(lái)的基片的基片支架的傳輸夾具32移到第二膜形成室39，所說(shuō)基片形成到第二半導(dǎo)體層4B，在此，以與例1相同的方式，在每個(gè)基片的第二半導(dǎo)體層4B上形成第三半導(dǎo)體層4C。為了證實(shí)，從膜形成設(shè)備中取出一個(gè)位于基片支架上的基片，X射線衍射分析第三半導(dǎo)體層4C。結(jié)果，在對(duì)應(yīng)于Si的(220)面的約47.5度區(qū)域觀察到峰。類似地，利用上述拉曼光譜超微分析儀進(jìn)行分析。結(jié)果，在約516/cm區(qū)域觀察到峰。這些結(jié)果表明，第三半導(dǎo)體層4C含有微晶相。另外，利用透射電子顯微鏡檢查基片層狀結(jié)構(gòu)的剖面。結(jié)果，得到以下結(jié)果。即，發(fā)現(xiàn)第一半導(dǎo)體層4A包括沒(méi)有結(jié)晶相的半導(dǎo)體材料，其中根本沒(méi)觀察到任何尺寸為5nm以上的微晶相。關(guān)于第二半導(dǎo)體層4B，發(fā)現(xiàn)位于第一半導(dǎo)體層4A側(cè)上的近球形微晶相的平均尺寸為約5nm，第三半導(dǎo)體層4C側(cè)上的近球形微晶相的平均尺寸為約10nm。關(guān)于第三半導(dǎo)體層4C的柱形微晶相，發(fā)現(xiàn)其較長(zhǎng)那些具有接近該層厚度的長(zhǎng)度，和約50nm的寬度。另外，發(fā)現(xiàn)靠近第二半導(dǎo)體層4B的第三半導(dǎo)體層4C的層區(qū)也含有與柱形微晶相一起引入的近球形微晶相，其平均尺寸約為50nm。按與例1相同的方式，就其特性評(píng)價(jià)該例得到光電元件。結(jié)果，根據(jù)在AM1.5(100mW/cm2)的假太陽(yáng)光照射下的I-V特性，它們的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)分別為0.97、1.11、0.99和1.08，這些值是在分別將比較例1A的光電元件的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)設(shè)定為1.00的歸一化值。在用AM1.5(100mW/cm2)的假太陽(yáng)光照射這些光電元件組件1000小時(shí)后，它們的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)分別為0.97、1.10、0.99和1.10，幾乎與它們的初始值相同。另外，利用溫度為85℃、濕度為85％的環(huán)境試驗(yàn)盒，對(duì)該例的光電元件組件進(jìn)行1000小時(shí)環(huán)境試驗(yàn)。結(jié)果，它們的光電轉(zhuǎn)換效率僅降低0.02％，實(shí)際應(yīng)用沒(méi)有問(wèn)題。例5除按以下方式形成第二半導(dǎo)體層4B外，重復(fù)例1的程序，得到多個(gè)光電元件組件。在例1中，在利用n型層形成空間34-1，在每個(gè)基片的透明導(dǎo)電層3上形成了20nm厚、不含結(jié)晶相的n型半導(dǎo)體層作為第一半導(dǎo)體層4A后，停止基片溫度控制裝置35的操作，停止引入原材料氣，停止加高頻功率。然后，利用真空泵充分抽空膜形成室34。利用基片溫度控制裝置35，將基片支架上每個(gè)基片表面(即第一半導(dǎo)體層4A的表面)的溫度控制在270℃。然后，在利用真空泵充分抽空包括n型層形成空間34-1的膜形成室34后，通過(guò)從原材料氣供應(yīng)系統(tǒng)延伸出的氣體輸送管49，分別以4sccm、0.5sccm、和100sccm的流量，向n型層形成空間34-1引入SiH4/H2氣(用H2稀釋到10％的SiH4)、PH3/H2(用H2稀釋到2％的PH3)和H2氣，所說(shuō)原材料氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括容納有SiH4/H2氣(用H2稀釋到10％的SiH4)的氣體容器49-1、容納有PH3/H2(用H2稀釋到2％的PH3)氣的氣體容器49-2、和容納有H2氣的氣體容器49-3。然后，設(shè)置在與膜形成室34相連的排氣管上的節(jié)流閥打開，調(diào)節(jié)到保持n型層形成空間34-1的內(nèi)壓為1乇，從具有13.56MHz振蕩頻率的高頻電源(未示出)，在對(duì)電極44上加15W的高頻功率(13.56MHz)，在n型層形成空間34-1內(nèi)產(chǎn)生輝光放電80秒。由此，在每個(gè)基片的第一半導(dǎo)體層4A上，形成含小近球形微晶相、厚約13nm的n型半導(dǎo)體結(jié)層。然后，利用基片溫度控制裝置35，將基片支架上每個(gè)基片表面(即每個(gè)基片先前形成的n型半導(dǎo)體層的表面)的溫度控制為350℃，同時(shí)除中止加高頻功率外，保持上述膜形成條件。然后，從具有13.56MHz振蕩頻率的高頻電源(未示出)，在對(duì)電極44上加15W的高頻功率(13.56MHz)，在n型層形成空間34-1內(nèi)產(chǎn)生輝光放電120秒。由此，在每個(gè)基片的先前形成的n型半導(dǎo)體層上，形成含大尺寸近球形微晶相、厚約13nm的n型半導(dǎo)體結(jié)層。不對(duì)包括上述兩層n型半導(dǎo)體層的所得兩層半導(dǎo)體層進(jìn)行如例1所示的激光退火。于是在每個(gè)基片的第一半導(dǎo)體層4A上形成了包括上述兩n型半導(dǎo)體層的第二半導(dǎo)體層4B。該例中，在形成第二半導(dǎo)體層4B的過(guò)程中，通過(guò)增大氫稀釋比，使作為第二半導(dǎo)體層4B的兩層微晶層制成為兩組成微晶層在它們的微晶相的平均尺寸方面彼此不同。為了證實(shí)，從膜形成設(shè)備中取出形成到第二半導(dǎo)體層4B的一個(gè)基片，利用常規(guī)氬激光拉曼光譜超微分析儀進(jìn)行分析。結(jié)果發(fā)現(xiàn)第二半導(dǎo)體層4B具有約520/cm的尖峰。根據(jù)該結(jié)果，可以證實(shí)第二半導(dǎo)體層4B含有微晶相。在每個(gè)基片上形成了第二半導(dǎo)體層4B后，包括帶有留下來(lái)的基片的基片支架的傳輸夾具32移到第二膜形成室39，所說(shuō)基片形成到第二半導(dǎo)體層4B，在此，以與例1相同的方式，在每個(gè)基片的第二半導(dǎo)體層4A上形成第三半導(dǎo)體層4C。為了證實(shí)，從膜形成設(shè)備中取出一個(gè)位于基片支架上的基片，X射線衍射分析第三半導(dǎo)體層4C。結(jié)果，在對(duì)應(yīng)于Si的(220)面的約47.5度區(qū)域觀察到峰。類似地，利用上述拉曼光譜超微分析儀進(jìn)行分析。結(jié)果，在516/cm區(qū)域觀察到峰。這些結(jié)果表明，第三半導(dǎo)體層4C含有微晶相。另外，利用透射電子顯微鏡檢查基片層狀結(jié)構(gòu)的剖面。結(jié)果，得到以下結(jié)果。即，發(fā)現(xiàn)第一半導(dǎo)體層4A包括沒(méi)有結(jié)晶相的半導(dǎo)體材料，其中根本沒(méi)觀察到任何尺寸為5nm以上的微晶相。關(guān)于第二半導(dǎo)體層4B，發(fā)現(xiàn)位于第一半導(dǎo)體層4A側(cè)上的近球形微晶相的平均尺寸為約5nm，第三半導(dǎo)體層4C側(cè)上的近球形微晶相的平均尺寸為約10nm。關(guān)于第三半導(dǎo)體層4C的柱形微晶相，發(fā)現(xiàn)其較長(zhǎng)那些具有接近該層厚度的長(zhǎng)度，和約50nm的寬度。另外，發(fā)現(xiàn)靠近第二半導(dǎo)體層4B的第三半導(dǎo)體層4C的層區(qū)也含有與柱形微晶相一起引入的近球形微晶相，其平均尺寸約為50nm。按與例1相同的方式，就其特性評(píng)價(jià)該例得到光電元件組件。結(jié)果，根據(jù)在AM1.5(100mW/cm2)的假太陽(yáng)光照射下的I-V特性，它們的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)分別為0.98、1.10、0.99和1.07，這些值是在分別將以后將介紹的比較例1A的光電元件的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)設(shè)定為1.00的歸一化值。在用AM1.5(100mW/cm2)的假太陽(yáng)光照射這些光電元件組件1000小時(shí)后，它們的平均開路電壓(Voc)、平均短路電流(Jsc)、平均占空因子(F.F.)和平均光電轉(zhuǎn)效率(η)分別為0.98、1.99、0.99和1.06，幾乎與它們的初始值相同。另外，利用溫度為85℃、濕度為85％的環(huán)境試驗(yàn)盒，對(duì)該例的光電元件組件進(jìn)行1000小時(shí)環(huán)境試驗(yàn)。結(jié)果，它們的光電轉(zhuǎn)換效率僅降低0.02％，實(shí)際應(yīng)用沒(méi)有問(wèn)題。從上述介紹中應(yīng)理解，根據(jù)本發(fā)明，可以得到高性能的光電元件(太陽(yáng)能電池)，其中甚至在其半導(dǎo)體結(jié)層較薄時(shí)也能產(chǎn)生大量電流，并具有提高的光電轉(zhuǎn)換效率，長(zhǎng)時(shí)間后光電轉(zhuǎn)換效率的改變率很小。使用這種光電元件(太陽(yáng)能電池)可以制造具有長(zhǎng)時(shí)間后光電轉(zhuǎn)換效率的改變率很小的特性的希望建筑材料和希望太陽(yáng)光電力發(fā)生設(shè)備。另外，由于甚至在半導(dǎo)體結(jié)層較薄時(shí)，也能得到希望的光電元件(太陽(yáng)能電池)，所以在制造光電元件(太陽(yáng)能電池)時(shí)，形成半導(dǎo)體結(jié)層所需要的時(shí)間減少，可以以合理的制造成本制造希望的光電元件(太陽(yáng)能電池)。表1<tablesid="table1"num="001"><table>激光功率(mJ/cm2)開路電壓短路電流占空因子光電轉(zhuǎn)換效率比較例1A01.001.001.001.00例11500.961.160.991.11例22000.951.131.001.08比較例1B3000.850.960.800.65</table></tables>表權(quán)利要求1.一種具有層疊結(jié)構(gòu)的光電元件，包括按順序疊置的不含結(jié)晶相的第一半導(dǎo)體層、含近球形微晶相的第二半導(dǎo)體層和含柱形微晶相的第三半導(dǎo)體層，其中所說(shuō)第三半導(dǎo)體層側(cè)上的所說(shuō)第二半導(dǎo)體層的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸大于所說(shuō)第一半導(dǎo)體層側(cè)上的所說(shuō)第二層的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸。2.根據(jù)權(quán)利要求1的光電元件，其中所說(shuō)第一半導(dǎo)體層、所說(shuō)第二半導(dǎo)體層和所說(shuō)第三半導(dǎo)體層中的每一層都包括含氫硅材料、含氫硅鍺材料、含氫碳化硅材料或這些材料的混合材料作為主要成分。3.一種具有層疊結(jié)構(gòu)的光電元件，包括按順序疊置的不含結(jié)晶相的第一半導(dǎo)體層、含近球形微晶相的第二半導(dǎo)體層和含柱形微晶相的第三半導(dǎo)體層，其中在所說(shuō)第二半導(dǎo)體層的附近，所說(shuō)第三半導(dǎo)體層具有包含相混合的近球形微晶相和柱形微晶相的層區(qū)。4.根據(jù)權(quán)利要求3的光電元件，其中所說(shuō)第一半導(dǎo)體層、所說(shuō)第二半導(dǎo)體層和所說(shuō)第三半導(dǎo)體層中的每一層都包括含氫硅材料、含氫硅鍺材料、含氫碳化硅材料或這些材料的混合材料作為主要成分。5.一種制造光電元件的方法，包括以下步驟(a)在基片上形成不含結(jié)晶相但含有要求量的摻雜元素的第一半導(dǎo)體層，(b)在所說(shuō)第一半導(dǎo)體層上形成不含結(jié)晶相、也不含摻雜元素或含有少量摻雜元素的第二半導(dǎo)體層，以得到層狀產(chǎn)品，(c)利用具有希望強(qiáng)度的激光束輻射，從所說(shuō)第二半導(dǎo)體層側(cè)激光退火所說(shuō)層狀產(chǎn)品，只微晶化所說(shuō)第二半導(dǎo)體層，使之含近球形微晶相，從而使位于激光輻射側(cè)的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸大于位于所說(shuō)第一半導(dǎo)體層側(cè)上的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸，(d)在所說(shuō)微晶化的第二半導(dǎo)體層上，形成含柱形微晶相的第三半導(dǎo)體層。6.根據(jù)權(quán)利要求5的制造光電元件的方法，其中所說(shuō)激光束以100-250mJ/cm2的強(qiáng)度輻射。7.根據(jù)權(quán)利要求5的制造光電元件的方法，其中所說(shuō)第二半導(dǎo)體層以30-200秒的淀積時(shí)間形成。8.一種制造光電元件的方法，包括以下步驟(a)在基片上形成不含結(jié)晶相的第一半導(dǎo)體層；(b)在所說(shuō)第一半導(dǎo)體層上形成含近球形微晶相的第二半導(dǎo)體層；以及(c)在所說(shuō)第二半導(dǎo)體層上，形成含柱形微晶相的第三半導(dǎo)體層，其中在所說(shuō)步驟(b)形成所說(shuō)第二半導(dǎo)體層的過(guò)程中，提高由氫氣稀釋的膜形成原材料的稀釋比，以形成包含于所說(shuō)第二半導(dǎo)體層中的所說(shuō)球形微晶相，從而位于所說(shuō)第三半導(dǎo)體層側(cè)上的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸大于所說(shuō)第一半導(dǎo)體層側(cè)上的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸。9.一種制造光電元件的方法，包括以下步驟(a)在基片上形成不含結(jié)晶相的第一半導(dǎo)體層，(b)在所說(shuō)第一半導(dǎo)體層上形成含近球形微晶相的第二半導(dǎo)體層；以及(c)在所說(shuō)第二半導(dǎo)體層上，形成含柱形微晶相的第三半導(dǎo)體層，其中在所說(shuō)步驟(b)形成所說(shuō)第二半導(dǎo)體層的過(guò)程中，提高形成所說(shuō)第二半導(dǎo)體層的溫度，以形成包含于所說(shuō)第二半導(dǎo)體層中的所說(shuō)球形微晶相，從而位于所說(shuō)第三半導(dǎo)體層側(cè)上的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸大于所說(shuō)第一半導(dǎo)體層側(cè)上的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸。10.一種具有如權(quán)利要求1所述的光電元件的建筑材料，其特征在于，所說(shuō)光電元件和背面加強(qiáng)部件被一體密封。11.一種電力發(fā)生設(shè)備，包括如權(quán)利要求1所述的光電元件和用于將所說(shuō)光電元件產(chǎn)生的功率轉(zhuǎn)換成希望功率的功率轉(zhuǎn)換裝置。全文摘要一種具有層疊結(jié)構(gòu)的光電元件,包括按順序疊置的不含結(jié)晶相的第一半導(dǎo)體層、含近球形微晶相的第二半導(dǎo)體層和含柱形微晶相的第三半導(dǎo)體層,其中,所說(shuō)第三半導(dǎo)體層側(cè)上的所說(shuō)第二半導(dǎo)體層的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸大于所說(shuō)第一半導(dǎo)體層側(cè)上所說(shuō)第二層的所說(shuō)球形微晶相的平均尺寸。文檔編號(hào)H01L31/04GK1284749SQ00128618公開日2001年2月21日申請(qǐng)日期2000年7月14日優(yōu)先權(quán)日1999年7月14日發(fā)明者塩崎篤志,佐野雅史,狩谷俊光,近藤隆治,東川誠(chéng)申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社