專利名稱：光產(chǎn)生電力裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種光產(chǎn)生電力裝置的制造方法。
習(xí)知光產(chǎn)生電力裝置之制造方法已揭露于日本特開(kāi)平10-107305號(hào)公報(bào)中。該制造方法是在絕緣基板的大致整面上形成第一電極膜、半導(dǎo)體光活性膜、透明導(dǎo)電膜后，以點(diǎn)狀激光光束掃瞄而形成分割槽，藉以形成與所希望之多數(shù)發(fā)電區(qū)域?qū)?yīng)的層疊體。
為了進(jìn)一步提升可靠性，上述的習(xí)知光產(chǎn)生電力裝置需要在其表面配設(shè)保護(hù)膜。
而且，以激光光束分割發(fā)電區(qū)域所形成的分割槽，其寬度約50至100μm，而以上述方式配設(shè)保護(hù)膜時(shí)，經(jīng)長(zhǎng)期使用或可靠性測(cè)試結(jié)果，會(huì)在該分割槽處產(chǎn)生保護(hù)膜剝離且滲入水分之情形。
本發(fā)明是為解決此等問(wèn)題而研發(fā)，本發(fā)明的目的在于提供一種可靠性優(yōu)良且制造容易的光產(chǎn)生電力裝置的制造方法。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，該裝置是在具備絕緣表面的基板上的發(fā)電區(qū)域?qū)盈B設(shè)有第一電極層、半導(dǎo)體光活性層及透明導(dǎo)電層，其特征在于該制造方法依序包括如下步驟(1)于上述基板的絕緣表面上形成上述第一電極層及半導(dǎo)體光活性層；(2)于包含上述半導(dǎo)體光活性層在內(nèi)的絕緣表面的整面上，形成用來(lái)構(gòu)成上述透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電膜；
(3)將可透過(guò)可見(jiàn)光但無(wú)法透過(guò)紫外光的圖案化透光性保護(hù)膜配置在上述發(fā)電區(qū)域的之透明導(dǎo)電膜上作為遮罩材料；及(4)于上述基板的整面上照射紫外線激光，以去除未以上述透光性保護(hù)膜遮罩之部位的透明導(dǎo)電膜，而形成上述透明導(dǎo)電層；(5)于上述步驟后保留上述透光性保護(hù)膜。
本發(fā)明還提供一種光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，該裝置是在具備絕緣表面的基板上的發(fā)電區(qū)域?qū)盈B設(shè)有第一電極層、半導(dǎo)體光活性層及透明導(dǎo)電層，其特征在于該制造方法依序包括如下步驟(1)于上述基板的絕緣表面上形成上述第一電極層及半導(dǎo)體光活性層；(2)于包含上述半導(dǎo)體光活性層在內(nèi)的絕緣表面的整面上，形成用來(lái)構(gòu)成上述透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電膜；(3)將可透過(guò)可見(jiàn)光但無(wú)法透過(guò)紫外光的圖案化透光性保護(hù)膜配置在上述發(fā)電區(qū)域之透明導(dǎo)電膜上作為遮罩材料；及(4)于上述基板的整面上照射紫外線激光，以去除未以上述透光性保護(hù)膜遮罩之部位的透明導(dǎo)電膜，而形成上述透明導(dǎo)電層；及(5)于上述絕緣表面上已去除上述透明導(dǎo)電膜的部位配設(shè)保護(hù)元件。
所述的光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，其特征在于上述透光性保護(hù)膜是由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯所構(gòu)成。
所述的光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，其特征在于該基板是由金屬片以及形成在該金屬片上的聚亞胺絕緣樹(shù)脂膜所構(gòu)成。
所述的光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，其特征在于在上述步驟(1)中該第一電極層形成于上述基板的絕緣表面上的發(fā)電區(qū)域，該半導(dǎo)體光活性層形成于上述基板的整個(gè)面上。
所述的光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，其特征在于在上述步驟(1)中該第一電極層由厚度為0.1至1.0μm的金屬膜所構(gòu)成，該半導(dǎo)體光活性層由厚度為0.3至1.0μm的非晶質(zhì)硅、非晶質(zhì)碳化硅或非晶質(zhì)硅鍺層疊成pn或pin之半導(dǎo)體光活性層。
所述的光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，其特征在于在上述步驟(2)中該透明電極膜由厚度為0.3至1.0μm的氧化鋅、氧化銦錫或氧化錫透明導(dǎo)電膜制成。
所述的光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，其特征在于在上述步驟(3)中該透光性保護(hù)膜是以聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹(shù)脂之原料施行網(wǎng)版印刷以形成圖案，并加以乾燥而形成，膜厚為3至6μm。
附面的簡(jiǎn)單說(shuō)明

圖1A為本發(fā)明所用基板的平面圖，圖1B為圖1A的局部放大圖。
圖2為本發(fā)明實(shí)施例的第(1)步驟中形成第一電極層的平面示意圖。
圖3A為本發(fā)明實(shí)施例的第(1)、(2)步驟的平面示意圖，圖3B為圖3A的A-A剖面圖。
圖4A為本發(fā)明實(shí)施例的第(3)步驟的平面示意圖，圖4B為圖4A的B-B剖面圖。
圖5A為本發(fā)明實(shí)施例的第(4)步驟的平面示意圖，圖5B為圖5A的C-C剖面圖。
圖6A為本發(fā)明另一實(shí)施例的平面示意圖，圖6B為圖6A的D-D剖面圖。
圖7A為本發(fā)明又一實(shí)施例的平面示意圖，圖7B為圖7A的E-E剖面圖。
圖8A為本發(fā)明另一實(shí)施例的平面示意圖，圖8B為圖8A的F-F剖面圖。
圖9A為本發(fā)明另一實(shí)施例的平面示意圖，圖9B為圖9A的G-G剖面圖。
以下參照?qǐng)D1至圖5詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明制造方法的實(shí)施例。
圖1揭示本實(shí)施例所用的基板10。如圖1A所示，基板10系由呈矩形且具有可撓性的不銹鋼或鋁等金屬片以及形成在該金屬片上的聚亞胺(poly imide)等絕緣樹(shù)脂膜所構(gòu)成，或是由聚亞胺等樹(shù)脂所構(gòu)成的膜片，具透光性或非透光性均可。圖1A中，由一點(diǎn)鏈線所圍繞的11、11…分別屬于供形成光產(chǎn)生電力裝置的基板范圍。圖1B揭示基板10的左下角附近，由兩點(diǎn)鏈線所區(qū)隔的A至D系為由下文所述的第一電極層、半導(dǎo)體光活性層及透明電極層的疊層體所構(gòu)成的發(fā)電區(qū)域。AT系正極端子區(qū)域，DT為負(fù)極端子區(qū)域。
以下圖2至圖9所示中，系就位在基板10左下角附近的光產(chǎn)生電力裝置揭示其制造方法，其余光產(chǎn)生電力裝置的制造方法則與該方法相同，故省略其說(shuō)明。
如圖2所示，分割配置有與發(fā)電區(qū)域A至D相對(duì)應(yīng)的第一電極層20a至20d。該等第一電極層20a至20d分別呈中心角大致為90度之扇形形狀，且配置成彼此間隔開(kāi)預(yù)定間隔，整體上呈圓形之形態(tài)。再者，第一電極層20a至20c分別設(shè)有朝相鄰發(fā)電區(qū)域B至D之外側(cè)延伸的連接部20ae、20be、20ce。此處，第一電極層20a至20b系由厚度約0.1至1.0μm的鎢、鋁、鈦、鎳、銅等材質(zhì)的金屬膜所構(gòu)成。
而且，負(fù)極端子區(qū)域DT處則延伸配置有第一電極層20d，但正極端子區(qū)域AT并未配置第一電極層。
其次，在圖3中，系在基板10的大致整面上形成以非晶質(zhì)硅、非晶質(zhì)碳化硅、非晶質(zhì)硅鍺等層疊成pn或pin之半導(dǎo)體光活性層(厚度約0.3至1.0μm)。然后，在半導(dǎo)體光活性層30的大致整面上形成用來(lái)構(gòu)成下述透明導(dǎo)電層之透明導(dǎo)電膜40。該透明導(dǎo)電膜40由氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫(ITO)、氧化錫(SnO2)等之透明導(dǎo)電膜(厚度約0.3至1.0μm)制成。
繼之，從位于第一電極層之連接部20ae、20be、20ce的透明導(dǎo)電膜40上方，沿著基板10之邊緣。用YAG激光(波長(zhǎng)1.06μm)作直線式掃描，將第一電極層之連接部20ae、20be、20ce與透明導(dǎo)電膜40分別熔接而呈電性連接。熔接部位系呈直徑約50至80μm之點(diǎn)(spot)狀。此處，在基板10上，位于圖1A所說(shuō)明之基板區(qū)域11、11、……處，由于要將制造中的本實(shí)施例光產(chǎn)生電力裝置配置于此，故利用上述之YAG激光進(jìn)行直線式掃描，使其他制造中的光產(chǎn)生電力裝置也能夠?qū)⒌谝浑姌O層的連接部與透明導(dǎo)電膜40電性連接。此處，雖YAG激光系以直線式掃描，但亦可使用可施行點(diǎn)狀照射的激光裝置，僅在第一電極層之連接20ae、20be、20ce上進(jìn)行熔接，使之電性連接，藉以取代上述方式。
其次，在圖4中，系于透明導(dǎo)電膜40上，在正極端子區(qū)域AT處形成導(dǎo)電糊端子50a，在負(fù)極端子區(qū)域DT處形成導(dǎo)電糊端子50d。該等導(dǎo)電糊端子50a、50d系以下述之網(wǎng)版印刷方法重復(fù)施行數(shù)次，而形成總膜厚約20至60μm之狀態(tài)。該導(dǎo)電糊系在聚亞胺、苯酚或環(huán)氧樹(shù)脂系黏合劑中包含鎳或鋁等粉末所構(gòu)成，并在以網(wǎng)版印刷形成圖案(pattern)后，以150℃施行乾燥，一次印刷、乾燥過(guò)程約形成10至20μm的高度。而且，亦可經(jīng)由適當(dāng)?shù)母淖冇∷l件、材料等，而在一次網(wǎng)版印刷中獲致大約20至60μm的膜厚。
然后，在透明導(dǎo)電膜40上配置透光性保護(hù)膜60a至60d，該等膜的形狀與各發(fā)電區(qū)域A至D對(duì)應(yīng)，且可透過(guò)可見(jiàn)光，但無(wú)法透過(guò)紫外光。另一方面，端子區(qū)域AT處，透光性保護(hù)膜60a系呈延伸狀態(tài)，而端子區(qū)域DT處，則與透光性保護(hù)膜60d分開(kāi)的方式配置有大致圓形的透光性保護(hù)膜60dt。該透光性保護(hù)膜系以聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹(shù)脂之原料施行網(wǎng)版印刷以形成圖案，并加以乾燥而形成(膜厚約3至6μm)。此處之各透光性保護(hù)膜之間隔以設(shè)定在大約0.2mm以上為佳，實(shí)施例中則設(shè)定在0.4mm。
繼之，于圖5中，以片束狀的紫外線激光光(激發(fā)型激光excimerlaser)，KrF激光)對(duì)基板10的大致整面進(jìn)行掃瞄，藉以對(duì)大致整個(gè)基板10面上照射激發(fā)型激光。
經(jīng)過(guò)該過(guò)程，可以使未被可透過(guò)可見(jiàn)光但不能透過(guò)紫外光之透光性保護(hù)膜60a至60d、60dt覆蓋而呈露出狀態(tài)的透明導(dǎo)電膜40去除，藉此步驟，即可形成分別與透光性保護(hù)膜60a至60d、60dt對(duì)應(yīng)之透明導(dǎo)電層40a至40d、40dt。為使露出之透明導(dǎo)電膜40得以充分去除，激發(fā)型激光之掃瞄速度、片束狀光之寬度等條件均應(yīng)充分考慮后再?zèng)Q定。實(shí)施例中，透明導(dǎo)電膜40系用700埃之ITO，KrF激光則設(shè)定在1.0至1.6J/脈沖的輸出、150mm的片束長(zhǎng)、0.4mm的片束寬、30Hz的脈沖、12mm/秒的掃瞄速度，使露出之ITO透明導(dǎo)電膜40充分去除。
就本實(shí)施例中可以采用的透光性保護(hù)膜材質(zhì)加以檢討確認(rèn)的結(jié)果，以丙烯樹(shù)脂而言，激發(fā)型激光(KrF激光)會(huì)透過(guò)丙烯樹(shù)脂而對(duì)發(fā)電區(qū)域造成破壞，且輸出特性降低。在PET樹(shù)脂方面，膜厚約3μm以上時(shí)，對(duì)發(fā)電區(qū)域不會(huì)造成破壞，約3μm以下時(shí)，會(huì)對(duì)發(fā)電區(qū)域造成破壞，且輸出特性降低。
該等透明導(dǎo)電層40b、40c、40d具有分別與第一電極層之連接層20ae、20be、20ce位在半導(dǎo)體光活性層30兩側(cè)而彼此相對(duì)之連接部40be、40ce、40de，且分別與相鄰之第一電極層構(gòu)成電性連接。
于圖6中，系用網(wǎng)版印刷法在發(fā)電區(qū)域A至D之外周部位、各發(fā)電區(qū)域間及端子區(qū)域AT、DT上配置保護(hù)元件70、71、70at、70dt。該等樹(shù)脂元件之材料可利用丙烯樹(shù)脂、PET樹(shù)脂等，形成約2至10μm的膜厚。此外，保護(hù)元件可利用透明或著色制品，若利用著色成棕色之保護(hù)元件，則與非晶質(zhì)硅之半導(dǎo)體光活性層30相同色系，與光產(chǎn)生電力裝置之受光面顏色對(duì)比較低，利用作時(shí)鐘電源時(shí)，外觀上甚為優(yōu)美。
圖7中，系在基板10的整個(gè)表面及背面上形成透明薄膜狀的表面保護(hù)膜81、背面保護(hù)膜82。此等保護(hù)膜81、82系由PET、氟樹(shù)脂材料等形成厚度約25至1000μm之薄膜層，并在單面上披覆由乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)熱塑性樹(shù)脂構(gòu)成之黏接層83、84(厚度約20至100μm)，藉由使其通過(guò)熱輥輪之間，而同時(shí)層疊形成表面保護(hù)膜81、背面保護(hù)膜82，除了層疊方式外，亦可使用一邊加熱一邊真空壓接的真空熱壓接法。黏接層可以使用乙烯-乙酸乙烯共聚物(=EVA)、聚乙烯醇縮丁醛(=PVB)等材料。
然后設(shè)置由背面保護(hù)膜82側(cè)至導(dǎo)電糊端子50a、50d之圓形開(kāi)口85a、85d(直徑約1至2mm)。從而導(dǎo)電糊端子50a、50d之背面?zhèn)饶寺冻鲇陂_(kāi)口85a、85d中。關(guān)于開(kāi)口85a、85d之設(shè)置方法，系使用以圓環(huán)狀模刀沖切之方法(湯姆森式刀具)，并調(diào)整模刀進(jìn)程，使之在沖切時(shí)，模刀前端會(huì)到達(dá)導(dǎo)電糊端子50a、50d，且略為嵌入導(dǎo)電糊端子50a、50d內(nèi)之程度。此種沖切法可以約10μm為單位調(diào)整膜刀之進(jìn)程。由于導(dǎo)電糊端子50a、50d的總膜厚約在20至60μm，故模刀不會(huì)貫穿導(dǎo)電糊端子50a、50b。藉由將模刀進(jìn)程調(diào)整至嵌入程度，可以在大量生產(chǎn)時(shí)所生之參差度(亦即，有時(shí)模刀未到達(dá)導(dǎo)電糊端子50a、50d，有時(shí)模刀會(huì)貫穿輸出端子的情形)予以吸收，而得以如圖7所示地設(shè)置開(kāi)口85a、85d。此外，開(kāi)口85a、85d之形狀，亦即模刀之形狀上，并不限定在圓環(huán)形，亦可利用四角形等多角環(huán)狀設(shè)計(jì)。
再者，在沖切部位(=開(kāi)口85a、85d部位)上，透明導(dǎo)電膜40與導(dǎo)電糊端子50a、50d之密接力較小。而且，關(guān)于導(dǎo)電糊端子50a、50d與透光性保護(hù)膜60之密接力方面，由于導(dǎo)電糊端子50a、50d含有粉末，故其表面呈凹凸?fàn)?，在其上面配置透光性保護(hù)膜60時(shí)，上述密接力會(huì)較大。因此，容易由導(dǎo)電糊端子50a、50b與透明導(dǎo)電膜40的界面剝離，容易將沖切部位之殘留層疊體(詳言之，即為導(dǎo)明導(dǎo)電膜40、半導(dǎo)體光活性層30、基板10、黏著劑84及背面保護(hù)膜82等組成之層疊體)移除。
如圖8所示，系從背面?zhèn)葘?dǎo)電糊制成的導(dǎo)電元件52配置于開(kāi)口85a、85d內(nèi)部。
然后，在圖9中，于發(fā)電區(qū)域A至D外周部所配置的樹(shù)脂元件70的外圍附近，利用湯普森式刀具等方式?jīng)_切本實(shí)施例之光產(chǎn)生電力裝置，即可由基板10取得各個(gè)光產(chǎn)生電力裝置。同時(shí)，藉由在光產(chǎn)生電力裝置中央部位沖切開(kāi)孔12，即可在該光產(chǎn)生電力裝置當(dāng)作時(shí)鐘電源來(lái)使用時(shí)，以該開(kāi)孔12供指針軸穿過(guò)。
上述的本案實(shí)施例系將透光性保護(hù)膜作為形成透明導(dǎo)電膜圖案之遮罩(mesking)材料來(lái)使用，同時(shí)，該透光性保護(hù)膜可保留下來(lái)，并不移除，故可作為光產(chǎn)生電力裝置之保護(hù)膜，故光產(chǎn)生電力裝置之可靠性得以提升。
與習(xí)知技術(shù)說(shuō)明中以點(diǎn)狀激光束掃瞄以至少去除/分割透明導(dǎo)電膜之分割槽(寬約50至100μm)相比較，未用透光性保護(hù)膜遮罩而使透明導(dǎo)電膜去除的部位范圍較為廣闊，故配置于此部位的保護(hù)元件得以充分密接于半導(dǎo)體光活性層，所以在長(zhǎng)期使用或測(cè)試可靠性時(shí)，少有保護(hù)元件在此部位剝離及水分滲入的情形。
本發(fā)明的功效是本發(fā)明光產(chǎn)生電力裝置的制造方法系如上所述，以透光性保護(hù)膜作為遮罩圖案，在照射紫外線激光光時(shí)，該透光性保護(hù)膜可透過(guò)可見(jiàn)光，但不透過(guò)紫外光，藉以除去未遮罩部位之透明導(dǎo)電膜，故透光性保護(hù)膜可使用作形成透明導(dǎo)電膜圖案之遮罩材料，同時(shí)該透光性保護(hù)膜可予以保留，而不必除去，故可用作光產(chǎn)生電力的保護(hù)膜，使光產(chǎn)生電力裝置的可靠性得以提升。
再者，與習(xí)知技術(shù)中以點(diǎn)狀激光光束掃瞄以去除/分割透明導(dǎo)電膜的分割槽(寬約50至100μm)相比較，未用透光性保護(hù)膜遮罩而使透明導(dǎo)電膜被除去的部位范圍較廣闊，故配置于此部位的保護(hù)元件得以充分密接于半導(dǎo)體光活性層，所以在長(zhǎng)期使用或測(cè)試可靠性時(shí)，少有保護(hù)元件在此部位剝離及水分滲入的情形。
權(quán)利要求
1．一種光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，該裝置是在具備絕緣表面的基板上的發(fā)電區(qū)域?qū)盈B設(shè)有第一電極層、半導(dǎo)體光活性層及透明導(dǎo)電層，其特征在于該制造方法依序包括如下步驟(1)于上述基板的絕緣表面上形成上述第一電極層及半導(dǎo)體光活性層；(2)于包含上述半導(dǎo)體光活性層在內(nèi)的絕緣表面的整面上，形成用來(lái)構(gòu)成上述透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電膜；(3)將可透過(guò)可見(jiàn)光但無(wú)法透過(guò)紫外光的圖案化透光性保護(hù)膜配置在上述發(fā)電區(qū)域的之透明導(dǎo)電膜上作為遮罩材料；及(4)于上述基板的整面上照射紫外線激光，以去除未以上述透光性保護(hù)膜遮罩之部位的透明導(dǎo)電膜，而形成上述透明導(dǎo)電層；(5)于上述步驟后保留上述透光性保護(hù)膜。
2．一種光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，該裝置是在具備絕緣表面的基板上的發(fā)電區(qū)域?qū)盈B設(shè)有第一電極層、半導(dǎo)體光活性層及透明導(dǎo)電層，其特征在于該制造方法依序包括如下步驟(1)于上述基板的絕緣表面上形成上述第一電極層及半導(dǎo)體光活性層；(2)于包含上述半導(dǎo)體光活性層在內(nèi)的絕緣表面的整面上，形成用來(lái)構(gòu)成上述透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電膜；(3)將可透過(guò)可見(jiàn)光但無(wú)法透過(guò)紫外光的圖案化透光性保護(hù)膜配置在上述發(fā)電區(qū)域之透明導(dǎo)電膜上作為遮罩材料；及(4)于上述基板的整面上照射紫外線激光，以去除未以上述透光性保護(hù)膜遮罩之部位的透明導(dǎo)電膜，而形成上述透明導(dǎo)電層；及(5)于上述絕緣表面上己去除上述透明導(dǎo)電膜的部位配設(shè)保護(hù)元件。
3．如權(quán)利要求1或2所述的光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，其特征在于上述透光性保護(hù)膜是由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯所構(gòu)成。
4．如權(quán)利要求1或2所述的光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，其特征在于該基板是由金屬片以及形成在該金屬片上的聚亞胺絕緣樹(shù)脂膜所構(gòu)成。
5．如權(quán)利要求1或2所述的光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，其特征在于在上述步驟(1)中該第一電極層形成于上述基板的絕緣表面上的發(fā)電區(qū)域，該半導(dǎo)體光活性層形成于上述基板的整個(gè)面上。
6．如權(quán)利要求5所述的光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，其特征在于在上述步驟(1)中該第一電極層由厚度為0.1至1.0μm的金屬膜所構(gòu)成，該半導(dǎo)體光活性層由厚度為0.3至1.0μm的非晶質(zhì)硅、非晶質(zhì)碳化硅或非晶質(zhì)硅鍺層疊成pn或pin之半導(dǎo)體光活性層。
7．如權(quán)利要求1或2所述的光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，其特征在于在上述步驟(2)中該透明電極膜由厚度為0.3至1.0μm的氧化鋅、氧化銦錫或氧化錫透明導(dǎo)電膜制成。
8．如權(quán)利要求1或2所述的光產(chǎn)生電力裝置的制造方法，其特征在于在上述步驟(3)中該透光性保護(hù)膜是以聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹(shù)脂之原料施行網(wǎng)版印刷以形成圖案，并加以乾燥而形成，膜厚為3至6μm。
全文摘要
一種光產(chǎn)生電力裝置的制造方法,該裝置是在具備絕緣表面的基板上設(shè)第一電極層、半導(dǎo)體光活性層及透明導(dǎo)電層,該制造方法依序包括如下步驟:(1)于基板形成第一電極層及半導(dǎo)體光活性層;(2)于絕緣表面形成透明導(dǎo)電膜;(3)將透光性保護(hù)膜配置在上述發(fā)電區(qū)域的之透明導(dǎo)電膜上;(4)照射紫外線激光,去除未以上述透光性保護(hù)膜遮罩部位的透明導(dǎo)電膜;(5)保留上述透光性保護(hù)膜。本發(fā)明可以使光產(chǎn)生電力裝置的可靠性提高。
文檔編號(hào)H01L31/18GK1298208SQ0013037
公開(kāi)日2001年6月6日 申請(qǐng)日期2000年11月2日 優(yōu)先權(quán)日1999年11月30日
發(fā)明者塙平信夫, 若宮要範(fàn), 主藤秀和, 森博幸, 小野雅義, 篠原亙, 山本惠章 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社