專利名稱：雙向硅堆的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件，具體地說(shuō)是一種由PN結(jié)芯片組成的硅堆。
在電子線路中，經(jīng)常出現(xiàn)對(duì)某工作點(diǎn)進(jìn)行嵌位的電路結(jié)構(gòu)，較普遍的作法是利用二極管的正向壓降特性來(lái)實(shí)現(xiàn)。有的需采用多支二極管按正負(fù)形式串接成二極管鏈，而后再將兩組已串好的二極管鏈進(jìn)行反并聯(lián)，形成二極管鏈組。用此鏈組來(lái)進(jìn)行對(duì)線路中某點(diǎn)電壓進(jìn)行嵌位，無(wú)論是在體積上還是在使用上都不方便，而且其元件多，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，故障率也會(huì)增加，維修也不方便。
本實(shí)用新型的目的是針對(duì)上述存在的缺點(diǎn)，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便并用于交流電壓嵌位的雙向硅堆。
本實(shí)用新型的技術(shù)要點(diǎn)是它是由兩組單向PN結(jié)芯片組成的硅堆反并聯(lián)封裝構(gòu)成，每組單向硅堆的PH結(jié)芯片數(shù)量為1～30個(gè)。每組單向硅堆PN結(jié)芯片的數(shù)量是等同的，也可以是不等同的，可根據(jù)所需要嵌位電壓不同制成各種需要的規(guī)格形式。每組單向硅堆的形狀可以是長(zhǎng)方形、正方形或圓柱體。
本實(shí)用新型的出現(xiàn)，不但可做到電路的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，故障率降低，維修方便，而且其元件的體積小，電壓的嵌位波動(dòng)少，準(zhǔn)確率高，有利于電路的工作穩(wěn)定，一定會(huì)受到使用者歡迎。


圖1為本實(shí)用新型的實(shí)施例之一結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實(shí)用新型的實(shí)施例之二結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本實(shí)用新型的實(shí)施例之三結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為本實(shí)用新型的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
從附圖可見(jiàn)，本實(shí)用新型采用兩組單向PN結(jié)芯片燒結(jié)的硅堆(1、2)平行地設(shè)置封裝于絕緣材料(5)內(nèi)，其端頭引線(3、4)為軸向引出(見(jiàn)圖1)；也可將其端頭引線(3、4)徑向引出(見(jiàn)圖2)或貼裝引出(見(jiàn)圖3)；所用的絕緣封裝材料為樹(shù)脂或塑料。
本實(shí)用新型的封裝外形為方形、圓柱形或球形。
權(quán)利要求1．一種雙向硅堆，具有PN結(jié)芯片，其特征在于它是由兩組單向PN結(jié)芯片硅堆反并聯(lián)封裝構(gòu)成，每組單向硅堆的PH結(jié)芯片數(shù)量為1～30個(gè)。
2．按照權(quán)利要求1所述的雙向硅堆，其特征在于每組PH結(jié)芯片的疊片數(shù)量是等同的，也可以是不等同的；每組單向硅堆的形狀可以是長(zhǎng)方形、正方形或圓柱體。
3．按照權(quán)利要求1所述的雙向硅堆，其特征在于采用兩組單向PH結(jié)芯片燒結(jié)的硅堆(1、2)平行地設(shè)置封裝于絕緣材料(5)內(nèi)，其端頭引線(3、4)為軸向引出；也可將其端頭引線(3、4)徑向引出或貼裝引出。
4．按照權(quán)利要求1所述的雙向硅堆，其特征在于封裝外形為方形、圓柱形或球形。
專利摘要本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件,具體地說(shuō)是由一組PN結(jié)芯片組成的硅堆。它是由兩組單向PN結(jié)芯片硅堆反并聯(lián)封裝構(gòu)成,每組單向硅堆的PN結(jié)芯片數(shù)量為1～30個(gè)。本實(shí)用新型的出現(xiàn),不但可做到電路的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,故障率降低,維修方便,而且其元件的體積小,電壓的嵌位波動(dòng)少,準(zhǔn)確率高,有利于電路的工作穩(wěn)定,一定會(huì)受到使用者歡迎。
文檔編號(hào)H01L25/00GK2419687SQ0021111
公開(kāi)日2001年2月14日 申請(qǐng)日期2000年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月15日
發(fā)明者何平 申請(qǐng)人:何平