專利名稱：晶片測(cè)試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種儀器領(lǐng)域測(cè)量、測(cè)試中的測(cè)試裝置，特別是涉及一種驅(qū)動(dòng)元件逐次驅(qū)動(dòng)升降座、使晶片接觸基板，經(jīng)儲(chǔ)存使其可重復(fù)啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)元件移動(dòng)、測(cè)試晶片的晶片測(cè)試裝置。
現(xiàn)有習(xí)用的晶片在封裝之前必須先經(jīng)過(guò)測(cè)試其接線是否正常，即所謂裸測(cè)程度，早期裸測(cè)大都是一般習(xí)見(jiàn)的IC晶粒，在制作完成后即裝入一凹字型固定模內(nèi)，以便送至測(cè)試基板上做測(cè)試工作，然而此一工作傳統(tǒng)上皆是藉由人力以手工的程序來(lái)做測(cè)試，故十分耗費(fèi)時(shí)間與人力，使整個(gè)測(cè)試工作相當(dāng)緩慢，因此也影響生產(chǎn)效率。
近來(lái)有一種機(jī)器測(cè)試裝置，其是以一機(jī)臺(tái)上架設(shè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)一升降座，該升降座上設(shè)有一槽座供置放一晶片，一檢測(cè)構(gòu)件架設(shè)于該機(jī)臺(tái)，并位于該升降座上方適當(dāng)高度，該檢測(cè)構(gòu)件上固接一基板，利用啟動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)該升降座向上移動(dòng)到定位停止，該升降座上的槽座置放該晶片接觸基板的檢測(cè)區(qū)，以進(jìn)行測(cè)試該晶片。
然而該晶片接觸該基板的檢測(cè)區(qū)的位置、必須控制相當(dāng)精密，所以馬達(dá)驅(qū)動(dòng)該升降座向上移動(dòng)到定位停止亦必須很精密，但是馬達(dá)連續(xù)驅(qū)動(dòng)，其從驅(qū)動(dòng)狀態(tài)要到停止要有一段緩沖區(qū)段，所以需要在上升的區(qū)間設(shè)置一感測(cè)元件，以偵測(cè)該升降座向上移動(dòng)到設(shè)定位置，該感測(cè)元件產(chǎn)生訊號(hào)，使馬達(dá)停止，但是因?yàn)轳R達(dá)從驅(qū)動(dòng)狀態(tài)要到停止要有一段緩沖區(qū)段，而此緩沖區(qū)段的長(zhǎng)短與移動(dòng)速度快慢有關(guān)，所以在設(shè)定好緩沖區(qū)段后，往往會(huì)因速度改變(如電壓不穩(wěn)定時(shí))，造成該升降座向上移動(dòng)位置過(guò)盈或不足。
如果位移過(guò)盈會(huì)使該晶片接觸該基板的檢測(cè)區(qū)形成擠壓，容易造成檢測(cè)區(qū)損壞并測(cè)試不準(zhǔn)確，又如果位移不足會(huì)使該晶片沒(méi)有接觸該基板的檢測(cè)區(qū)，造成測(cè)試不良，所以存在有容易造成測(cè)試不準(zhǔn)確、優(yōu)良品被當(dāng)作不良品的缺陷，在使用上仍存在有諸多缺失，有待相關(guān)業(yè)者善加改良。由此可見(jiàn)上述現(xiàn)有的晶片測(cè)試裝置仍存在有諸多的缺陷，而丞待加以改進(jìn)。
有鑒于上述現(xiàn)有的晶片測(cè)試裝置存在的晶片測(cè)試、其移動(dòng)位置無(wú)法準(zhǔn)確定位，而造成接觸基板的測(cè)試區(qū)不正確、測(cè)試效果不佳的缺陷，本設(shè)計(jì)人基于多年從事晶片測(cè)試及相關(guān)設(shè)備的制造及設(shè)計(jì)的豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，積極加以研究創(chuàng)新，經(jīng)過(guò)不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出本實(shí)用新型。
本實(shí)用新型的主要目的在于，克服現(xiàn)有的晶片測(cè)試裝置存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的晶片測(cè)試裝置，使其利用控制器啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)元件逐次動(dòng)作、精確停止定位，使本體依導(dǎo)引構(gòu)件移到定位，其上驅(qū)動(dòng)元件帶動(dòng)冶具上的晶片穩(wěn)定接觸測(cè)試座，以提供晶片進(jìn)行測(cè)試。
本實(shí)用新型的另一目的在于，提供一種晶片測(cè)試裝置，使其本體上導(dǎo)桿升降座的導(dǎo)槽平穩(wěn)升降移動(dòng)，該升降座上冶具承載晶片對(duì)正基板的測(cè)試座，可使測(cè)試的準(zhǔn)確度提高，且冶具、基板可以對(duì)應(yīng)不同晶片的規(guī)格予以更換，在使用上甚為方便。
本實(shí)用新型的目的是由以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本實(shí)用新型提出的一種晶片測(cè)試裝置，其設(shè)有驅(qū)動(dòng)元件及控制器，其特征在于其主要包括一底座，其上設(shè)有一固定座，其上架設(shè)有一導(dǎo)引構(gòu)件；一本體，架設(shè)于該導(dǎo)引構(gòu)件，并呈依導(dǎo)引方向移動(dòng)的結(jié)構(gòu)，一升降座，套接于該本體，形成可上下移動(dòng)的結(jié)構(gòu)，一驅(qū)動(dòng)元件固設(shè)于該本體，該驅(qū)動(dòng)元件每啟動(dòng)一次移動(dòng)一單位距離，且該驅(qū)動(dòng)元件校正驅(qū)動(dòng)該升降座上移動(dòng)設(shè)定距離；一置物構(gòu)件，固設(shè)于該升降座，其上設(shè)有一定位槽，該定位槽內(nèi)置放一晶片；一檢測(cè)構(gòu)件，設(shè)置位于置物構(gòu)件的上側(cè)，且架設(shè)于該固定座上，該檢測(cè)構(gòu)件架設(shè)有一基板，該基板設(shè)有一測(cè)試座；上述結(jié)構(gòu)相組合構(gòu)成晶片測(cè)試裝置，其本體在置物構(gòu)件置放晶片，移動(dòng)到測(cè)試區(qū)定位，逐次驅(qū)動(dòng)該升降座逐次上升，該晶片接觸基板的測(cè)試座，該升降座上升高度經(jīng)一控制器儲(chǔ)存，以作為下次啟動(dòng)該升降座上升高度的依據(jù)。
本實(shí)用新型的目的還可以通過(guò)以下技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的晶片測(cè)試裝置，其中所述的本體端側(cè)設(shè)有預(yù)定數(shù)目的導(dǎo)桿，該導(dǎo)桿靠合升降座的導(dǎo)槽，該升降座形成依導(dǎo)桿導(dǎo)正上下移動(dòng)、并不偏移的結(jié)構(gòu)。
前述的晶片測(cè)試裝置，其中所述的本體上設(shè)有一可阻擋升降座上移停止、避免置物構(gòu)件碰擊基板的限位元件。
前述的晶片測(cè)試裝置，其中所述的固定座上設(shè)有一偵測(cè)本體移到測(cè)試區(qū)正確定位的偵測(cè)元件，該升降座上升，晶片接觸基板的測(cè)試座。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和積極效果。由以上技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型晶片測(cè)試裝置，其利用控制器啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)元件逐次動(dòng)作、精確停止定位，使本體依導(dǎo)引構(gòu)件移到定位位置，其上的驅(qū)動(dòng)元件帶動(dòng)冶具上的晶片穩(wěn)定接觸測(cè)試座，而可提供晶片進(jìn)行測(cè)試。其本體上導(dǎo)桿升降座的導(dǎo)槽平穩(wěn)升降移動(dòng)，該升降座上的冶具承載晶片對(duì)正基板的測(cè)試座，可使測(cè)試的準(zhǔn)確度大幅提高，且冶具、基板可以對(duì)應(yīng)不同晶片的規(guī)格予以更換，在使用上非常方便。
綜上所述，本實(shí)用新型在本體上的驅(qū)動(dòng)元件每啟動(dòng)一次移動(dòng)一單位距離，控制器啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)元件一次緊接一次的動(dòng)作，接收停止訊號(hào)后立刻以精確的距離停止定位，且使晶片接觸測(cè)試座的探針為可接受抵壓接觸的范圍，而可提供進(jìn)行精確的測(cè)試。其不論在結(jié)構(gòu)上或功能上皆有較大的改進(jìn)，且在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，而確實(shí)具有增進(jìn)的功效，從而更加適于實(shí)用，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
本實(shí)用新型的具體結(jié)構(gòu)由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。


圖1是本實(shí)用新型晶片測(cè)試裝置的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型晶片測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)立體示意圖。
圖3是本實(shí)用新型晶片測(cè)試裝置的本體移出置放晶片的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是本實(shí)用新型晶片測(cè)試裝置的本體移入定位的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是本實(shí)用新型晶片測(cè)試裝置的升降座上移使晶片接觸基板測(cè)試的示意圖。
圖6是本實(shí)用新型晶片測(cè)試裝置的晶片接觸基板測(cè)試的結(jié)構(gòu)放大示意圖。
底座………………(20)控制器…………(21)操作面板球………(211) 前座……………(221)固定座……………(22)導(dǎo)線……………(223)偵測(cè)元件…………(222) 偵測(cè)元件………(225)導(dǎo)線………………(226)
導(dǎo)引構(gòu)件…………(23)氣缸……………(24)側(cè)板………………(25)本體………………(30)穿孔……………(31)升降座……………(32)導(dǎo)槽……………(33)導(dǎo)桿………………(34)驅(qū)動(dòng)元件………(35)傳動(dòng)桿……………(36)檢測(cè)片…………(37)、(371)凸塊………………(38)限位元件………(39)冶具………………(40)定位槽…………(41)晶片………………(42)小孔……………(43)螺絲………………(44)檢測(cè)構(gòu)件…………(50)面蓋……………(51)基板………………(52)測(cè)試座…………(53)插接部……………(54)線座……………(55)排線………………(56)
以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本實(shí)用新型提出的晶片測(cè)試裝置其具體結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
請(qǐng)參閱圖1至圖6所示，本實(shí)用新型晶片測(cè)試裝置，其包括一底座20、一本體30、一冶具40及一檢測(cè)構(gòu)件50所組成(如圖1所示)，其中該底座20，其內(nèi)裝設(shè)有一控制器21(如圖3所示)，其以導(dǎo)線連接一操作面板球211(如圖1所示)，該底座20上側(cè)面設(shè)一固定座22，該固定座22上橫向架設(shè)有一導(dǎo)引構(gòu)件23，其直桿呈間隔適當(dāng)?shù)拈g距，一氣缸24固定于該固定座22的前座221，其上設(shè)有一偵測(cè)元件222，其以一導(dǎo)線223連接該控制器21，另該固定座22的后座224(如圖3所示)，其上設(shè)有一偵測(cè)元件225，其以一導(dǎo)線226連接該控制器21；另二側(cè)板25(如圖2所示)橫向固定于該固定座22的兩側(cè)。
該本體30，是概呈圓柱體，其上設(shè)有穿孔31(如圖2所示)架設(shè)導(dǎo)引構(gòu)件23的直桿，該本體30的周面并連接氣缸24的動(dòng)作桿，該本體30為呈中空狀，且裝設(shè)有一圓形的升降座32(如圖6所示)，該升降座32的周面設(shè)有三導(dǎo)槽33(如圖1所示)，三導(dǎo)桿34固定于該本體30，并靠合該導(dǎo)槽33，另如圖3所示，一驅(qū)動(dòng)元件35(本實(shí)用新型是步進(jìn)馬達(dá))固設(shè)于該本體30的中空部，其設(shè)有一傳動(dòng)桿36樞接升降座32的底側(cè)(如圖3、圖6所示)，該驅(qū)動(dòng)元件35可每啟動(dòng)一次即驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)桿36移動(dòng)一單元距離，此單元距離可以設(shè)定適當(dāng)長(zhǎng)度單位；另如圖3、圖6所示，二檢測(cè)片37、371分別固定設(shè)于本體30，且呈間隔180度分布，該升降座32的周面設(shè)有一凸塊38(如圖2所示)，一限位元件39固設(shè)于該本體30的頂面，其側(cè)邊位于凸塊38的上側(cè)適當(dāng)距離。
該冶具40，如圖6所示，是呈圓形板樞設(shè)于升降座32的頂面，其中央設(shè)有一定位槽41，該定位槽41供置放一晶片42；另設(shè)有兩小孔43位于定位槽41上，并搭配設(shè)有二螺絲44套穿其內(nèi)，該二螺絲44螺合升降座32而固定定位。
該檢測(cè)構(gòu)件50，如圖2、圖3、圖6所示，其架設(shè)于固定座22的側(cè)板25上，且位于冶具40的上側(cè)，其上側(cè)固設(shè)有一面蓋51，一基板52套接于檢測(cè)構(gòu)件50、面蓋51之間，該基板52設(shè)有一測(cè)試座53，其連接設(shè)有多數(shù)的接觸線連接對(duì)應(yīng)線路；該基板52的一端設(shè)有一插接部54，一線座55套接該插接部54，該線座55的一排線56連接控制器21，以供傳遞訊息(圖中未示)。
藉由上述結(jié)構(gòu)相組合，構(gòu)成本實(shí)用新型晶片測(cè)試裝置。請(qǐng)參閱圖1至圖6所示，本實(shí)用新型在使用時(shí)，是操作該操作面板球211上的撥桿(如圖1所示)，該氣缸24的動(dòng)作桿拉動(dòng)本體30(如圖2所示)，使其依導(dǎo)引構(gòu)件23的直桿向?qū)б?，前移?dòng)到設(shè)定位置使檢測(cè)片37靠接偵測(cè)元件222，及產(chǎn)生訊號(hào)控制該氣缸24停止定位，操作者可以將晶片42置放于冶具40的定位槽41；然后利用操作面板球211上的撥桿操控，該氣缸24的動(dòng)作桿推動(dòng)本體30，使其依導(dǎo)引構(gòu)件23的直桿導(dǎo)引，向后移動(dòng)到設(shè)定位置使檢測(cè)片371靠接偵測(cè)元件225，及產(chǎn)生訊號(hào)控制該氣缸24停止定位，本體30即移動(dòng)到底座20的后側(cè)，并對(duì)應(yīng)檢測(cè)構(gòu)件50的基板52的中央位置。
同時(shí)控制器21的內(nèi)部回路產(chǎn)生訊號(hào)，啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)元件35(如圖6所示)驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)桿36連續(xù)移動(dòng)，即驅(qū)動(dòng)該升降座32向上移動(dòng)，直到冶具40的定位槽41置放的晶片42接觸基板52的測(cè)試座53，該基板52產(chǎn)生訊號(hào)脈波經(jīng)排線56連通控制器21，該控制器21產(chǎn)生訊號(hào)傳遞到驅(qū)動(dòng)元件35，形成停止定位，該晶片42保持接觸基板52的測(cè)試座53，并進(jìn)行測(cè)試，當(dāng)測(cè)試完成后控制器21產(chǎn)生訊號(hào)啟動(dòng)該驅(qū)動(dòng)元件35驅(qū)動(dòng)升降座32向下移動(dòng)到定位，同時(shí)使氣缸24的動(dòng)作桿拉動(dòng)本體30向前移動(dòng)到設(shè)定位置，檢測(cè)片37靠接偵測(cè)元件222產(chǎn)生訊號(hào)，控制氣缸24停止定位，操作者即可依據(jù)測(cè)試結(jié)果，將該晶片42分類置放儲(chǔ)存，以作下次測(cè)試操作。
本實(shí)用新型藉由驅(qū)動(dòng)元件35(本實(shí)用新型是步進(jìn)馬達(dá))的傳動(dòng)桿36(如圖6所示)樞接升降座32的底側(cè)，驅(qū)動(dòng)元件35每啟動(dòng)一次即驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)桿36移動(dòng)一單元距離，此單元距離可以設(shè)定適當(dāng)長(zhǎng)度單位；同時(shí)藉由控制器1的內(nèi)部回路可以產(chǎn)生連續(xù)脈波訊號(hào)，使該驅(qū)動(dòng)元件35一次緊接一次啟動(dòng)，同時(shí)形成一次緊接一次驅(qū)動(dòng)該傳動(dòng)桿36移動(dòng)，當(dāng)晶片42接觸基板52的測(cè)試座53時(shí)，產(chǎn)生訊號(hào)脈波連通該驅(qū)動(dòng)元件35形成停止動(dòng)作，因?yàn)樵擈?qū)動(dòng)元件35每啟動(dòng)一次僅僅驅(qū)動(dòng)該傳動(dòng)桿36移動(dòng)一單元距離，所以當(dāng)該驅(qū)動(dòng)元件35接收停止動(dòng)作訊號(hào)，該驅(qū)動(dòng)元件35在移動(dòng)一單元距離后(此距離很短，約為0.01厘米)，即形成立刻停止定位，其從接受停止移動(dòng)訊號(hào)到停止定位，可以控制為非常精確的距離，而對(duì)于晶片43及測(cè)試座53的探針為可接受抵壓接觸的范圍，所以本實(shí)用新型可以利用使該晶片43接觸測(cè)試座53進(jìn)行測(cè)試。該驅(qū)動(dòng)元件35驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)桿36，同時(shí)驅(qū)動(dòng)升降座32向上移動(dòng)，晶片42接觸基板52的測(cè)試座53，以進(jìn)行測(cè)試，如此可以免除現(xiàn)有習(xí)用的利用驅(qū)動(dòng)元件驅(qū)動(dòng)升降座連續(xù)不間斷向上移動(dòng)，造成晶片接觸基板的測(cè)試座，驅(qū)動(dòng)元件接收到停止訊號(hào)會(huì)持續(xù)移動(dòng)、無(wú)法立刻停止，造成晶片接觸基板的測(cè)試座過(guò)盈而產(chǎn)生測(cè)試誤差或碰觸損壞的缺陷。
本實(shí)用新型的冶具40是以螺絲44螺合于升降座32的頂面，該冶具40可以對(duì)應(yīng)不同的晶片規(guī)格進(jìn)行更換，因?yàn)榛?2可對(duì)應(yīng)不同的晶片規(guī)格，且該基板52可以更換插接于檢測(cè)構(gòu)件50、面蓋51之間，故本實(shí)用新型的冶具40、基板52可以對(duì)應(yīng)不同的晶片規(guī)格予以更換，在使用上甚為方便。
又本實(shí)用新型的本體30上的三支導(dǎo)桿34靠合升降座32周面的三導(dǎo)槽33，使升降座32形成受限制定位、不會(huì)產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)位移，且藉由導(dǎo)桿34靠合導(dǎo)槽33，使升降座32可以平穩(wěn)升降移動(dòng)，且冶具40的定位槽41可保持穩(wěn)定承載晶片42，升降座32上升，可使該晶片42對(duì)正基板52的測(cè)試座53，而可使晶片42的測(cè)試準(zhǔn)確度提高。
在此值得一提的是，因?yàn)楸緦?shí)用新型的限位元件39側(cè)邊位于凸塊38上側(cè)適當(dāng)距離，此對(duì)于如果控制器21、基板52如發(fā)生故障時(shí)，升降座32上升無(wú)法控制，而由于該限位元件39側(cè)邊可靠住凸塊38，此將可形成阻擋升降座32持續(xù)上升，故可以避免冶具40的定位槽41承載該晶片42撞擊基板52的測(cè)試座53的疑慮，在使用上可以增加多一層保護(hù)，而可確保設(shè)備安全使用。
綜上所述，本實(shí)用新型晶片測(cè)試裝置，是在固定座上架設(shè)檢測(cè)構(gòu)件及可移動(dòng)的本體，其上的驅(qū)動(dòng)元件帶動(dòng)冶具上的晶片接觸測(cè)試座，利用控制器啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)元件逐次動(dòng)作，并精確停止定位，可提供晶片穩(wěn)定接觸測(cè)試座的探針進(jìn)行測(cè)試，具有工業(yè)上的廣泛利用價(jià)值。
以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種晶片測(cè)試裝置，設(shè)有驅(qū)動(dòng)元件及控制器，其特征在于其主要包括一底座，其上設(shè)有一固定座，其上架設(shè)有一導(dǎo)引構(gòu)件；一本體，架設(shè)于該導(dǎo)引構(gòu)件，并呈依導(dǎo)引方向移動(dòng)的結(jié)構(gòu)，一升降座套接于該本體，形成可上下移動(dòng)的結(jié)構(gòu)，一驅(qū)動(dòng)元件固設(shè)于該本體，該驅(qū)動(dòng)元件每啟動(dòng)一次移動(dòng)一單位距離，且該驅(qū)動(dòng)元件校正驅(qū)動(dòng)該升降座上移動(dòng)設(shè)定距離；一置物構(gòu)件，固設(shè)于該升降座，其上設(shè)有一定位槽，該定位槽內(nèi)置放一晶片；一檢測(cè)構(gòu)件，設(shè)置位于置物構(gòu)件的上側(cè)，且架設(shè)于該固定座上，該檢測(cè)構(gòu)件架設(shè)有一基板，該基板設(shè)有一測(cè)試座；上述結(jié)構(gòu)相組合構(gòu)成晶片測(cè)試裝置，其本體在置物構(gòu)件置放晶片，移動(dòng)到測(cè)試區(qū)定位，逐次驅(qū)動(dòng)該升降座逐次上升，該晶片接觸基板的測(cè)試座，該升降座上升高度經(jīng)一控制器儲(chǔ)存，以作為下次啟動(dòng)該升降座上升高度的依據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片測(cè)試裝置，其特征在于其中所述的本體端側(cè)設(shè)有預(yù)定數(shù)目的導(dǎo)桿，該導(dǎo)桿靠合升降座的導(dǎo)槽，該升降座形成依導(dǎo)桿導(dǎo)正上下移動(dòng)、并不偏移的結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶片測(cè)試裝置，其特征在于其中所述的本體上設(shè)有一可阻擋升降座上移停止、避免置物構(gòu)件碰擊基板的限位元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片測(cè)試裝置，其特征在于其中所述的固定座上設(shè)有一偵測(cè)本體移到測(cè)試區(qū)正確定位的偵測(cè)元件，該升降座上升，晶片接觸基板的測(cè)試座。
專利摘要一種晶片測(cè)試裝置,包括:一底座,設(shè)有固定座,并架設(shè)導(dǎo)引構(gòu)件;一本體架設(shè)于導(dǎo)引構(gòu)件,依導(dǎo)引移動(dòng),一升降座套接于本體上下移動(dòng),一驅(qū)動(dòng)元件固設(shè)于本體,校正驅(qū)動(dòng)升降座上移設(shè)定距離;一置物構(gòu)件固設(shè)于升降座,其定位槽內(nèi)置放晶片;一檢測(cè)構(gòu)件設(shè)于置物構(gòu)件上側(cè)且設(shè)基板,基板設(shè)有測(cè)試座。本體上驅(qū)動(dòng)元件每啟動(dòng)一次移動(dòng)一單位距離,控制器啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)元件一次緊接一次動(dòng)作,接收停止訊號(hào)后立刻以精確距離停止,晶片接觸測(cè)試座的探針為可接受抵壓接觸范圍,可提供精確測(cè)試。
文檔編號(hào)H01L21/66GK2444311SQ00245839
公開(kāi)日2001年8月22日 申請(qǐng)日期2000年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2000年8月15日
發(fā)明者陳文杰 申請(qǐng)人:陳文杰