專利名稱：以堆疊方式混光的發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型是有關(guān)一種發(fā)光二極管，尤指一種藉由晶片堆疊的方式使混光效果均勻的發(fā)光二極管。
現(xiàn)有的發(fā)光二極管是以藍(lán)色光激發(fā)螢光粉，使之發(fā)出白色的光，或以藍(lán)色及黃色晶片并排發(fā)光，如圖5、6所示，其利用發(fā)光二極管具單色性波長峰值的特性，而于發(fā)光二極管9的支架91上以導(dǎo)電膠92黏固藍(lán)色及黃色的晶片93、94，藉由支架91導(dǎo)通電源使藍(lán)色晶片93發(fā)出藍(lán)光、黃色晶片94發(fā)出黃光，并經(jīng)由電流電壓的控制而使藍(lán)光與黃光擴散混合呈現(xiàn)出白色的光。
然而，此種以二種晶片93、94并排混光的發(fā)光二極管9卻有混光不均勻的情形，導(dǎo)致產(chǎn)生色斑，究其原因主要是該二并排晶片93、94間的距離D導(dǎo)致發(fā)光二極管9兩側(cè)發(fā)出不同色澤的光線，即藍(lán)色晶片93側(cè)偏向藍(lán)色光，另一黃色晶片側(cè)94則偏向黃色光，而造成發(fā)光顏色不均勻的情形，但，在制程上兩晶片93、94的距離D卻有無法放置極近的困難，再加上即使將兩晶片93、94的距離移近后，卻也會使短路、漏電的情形加劇，導(dǎo)致產(chǎn)品不良率大量提高，而有極待克服的問題存在。
本實用新型的主要目的，在于解決上述的問題而提供一種以堆疊方式混光的發(fā)光二極管，藉由堆疊的第一、二晶片被激發(fā)出不同波長的光線，令底側(cè)的第二晶片被激發(fā)出甲種顏色波長的光線，而頂側(cè)的第一晶片被激發(fā)出乙種顏色波長的光線，即該第一、二晶片發(fā)出的光線為全域可見光譜中的任兩種波長的光(如黃光與藍(lán)光等)，使不同波長的光線由激發(fā)時并經(jīng)由電流電壓的控制使之混合為他色光線，避免造成色差，而具有均勻混光的效果。
本實用新型的另一目的，在于藉由串連堆疊的第一、二晶片提供一種避免短路及漏電的以堆疊方式混光的發(fā)光二極管。
本實用新型一種以堆疊方式混光的發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管包括一本體，其具有預(yù)定的形狀，且該本體是可透光；一以上的連接件，由該本體向外延伸，其可供與電源導(dǎo)通，該連接件設(shè)有一容置部；一第一晶片與一第二晶片，其設(shè)于該連接件的容置部，該第一晶片與第二晶片分別可激發(fā)出不同波長的光線；其特征在于該第一晶片是疊置于第二晶片上方。
其中該連接件是為二支架，且其中一支架設(shè)有該容置部，而該容置部是為一凹槽。
其中該第一、二晶片可為以藍(lán)寶石為基座的氮化銦鎵、以碳化硅為基座的氮化銦鎵或氮化鋁銦鎵的可透光四次元晶片。
其中該第一、第二晶片頂、底部具不同的外質(zhì)半導(dǎo)性。
其中該第一晶片與第二晶片間以導(dǎo)電材料黏貼固定。
其中該第二晶片較第一晶片為大，而該第一晶片疊置于第二晶片的一側(cè)。
本實用新型一種以堆疊方式混光的發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管包括一第一晶片與一第二晶片，其可供與電源導(dǎo)通，該第一晶片與第二晶片分別可激發(fā)出不同波長的光線；其特征在于該第一晶片是疊置于第二晶片上方，且使該第一晶片與第二晶片疊置處分別具有單一的外質(zhì)半導(dǎo)性。
其中該第一、二晶片可為以藍(lán)寶石為基座的氮化銦鎵、以碳化硅為基座的氮化銦鎵或氮化鋁銦鎵的可透光四次元晶片。
其中該第一、第二晶片頂、底部具不同的外質(zhì)半導(dǎo)性。
為進(jìn)一步說明本實用新型的結(jié)構(gòu)及其特征，
以下結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)描述，其中

圖1是本實用新型第一實施例的平面示意圖；圖2是圖1的局部詳細(xì)示意圖；圖3是本實用新型第二實施例的示意圖；圖4是本實用新型第三實施例的示意圖；圖5是習(xí)用發(fā)光二極管的平面示意圖6是圖5的局部詳細(xì)示意圖。
請參閱圖1至圖4，圖中所示者為本實用新型所選用的實施例的結(jié)構(gòu)，此僅供說明之用，在專利申請上并不受此種結(jié)構(gòu)的限制。
本實用新型是提供一種以堆疊方式混光的發(fā)光二極管，請同時參閱圖1、圖2，該發(fā)光二極管是包括一本體3，該本體3具有預(yù)定的形狀，且該本體3是可透光；一以上的連接件5，由該本體3向外延伸，其可供與電源(圖中未示)導(dǎo)通，該連接件5設(shè)有一容置部51，于本實施例中，該連接件5是為二支架，且其中一支架設(shè)有該容置部51，該容置部51是為一凹槽；一第一晶片1與一第二晶片2，其設(shè)于該連接件5的容置部51，該第一晶片1與第二晶片2分別可激發(fā)出不同波長的甲、乙顏色的光線，該第一晶片1是疊置于第二晶片2上方，且使該第一晶片1與第二晶片2疊置處分別具有單一的外質(zhì)半導(dǎo)性(Extrinsic Semiconductin)，于本實施例中，該第一晶片1為氮化鋁銦鎵(AlInGaN)的可透光(TransparentType)四次元晶片，其可激發(fā)出乙種顏色即黃色波長的光線，即該第一、二晶片1、2發(fā)出的光線為全域可見光譜中的任兩種波長的光(如黃光與藍(lán)光等)，且該第一晶片1頂、底部具不同的外質(zhì)半導(dǎo)性，頂部為n型、底部為p型，而第二晶片2可為以藍(lán)寶石為基座的氮化銦鎵(InGaN onSapphire Substrate)或以碳化硅為基座的氮化銦鎵(InGaN on SiCSubstrate)，其可激發(fā)出甲種顏色即藍(lán)色波長的光線，而該第二晶片2較第一晶片1為大，且第二晶片2其左、右兩側(cè)部具有不同的外質(zhì)半導(dǎo)性，一側(cè)為n型、另一側(cè)為p型，而使該第一晶片1疊置于第二晶片2的左側(cè)，其間以導(dǎo)電材料如導(dǎo)電膠6黏貼固定。
本實用新型是使串連的第一、二晶片1、2被激發(fā)出不同波長的光線，而不同波長的光線(藍(lán)光與黃光)由激發(fā)時并經(jīng)由電流電壓的控制即混合成為他色光線(白光)，即該第一晶片1與第二晶片2是堆疊設(shè)置，二晶片1、2間沒有造成色差的距離，而可以避免發(fā)光二極管兩側(cè)發(fā)出不同色澤光線的問題，以具有均勻混光的效果。
值得注意的是，本實用新型是使該第一、二晶片1、2串聯(lián)堆疊，而非使該二晶片1、2并列設(shè)置，除可使發(fā)光顏色均勻之外，串聯(lián)設(shè)置的二晶片1、2間的距離可以盡量貼近，沒有因貼近造成短路、漏電的情形，而可以降低產(chǎn)品不良率，并解決在制程上兩晶片并排設(shè)置的距離D無法放置極近的困難。
當(dāng)然，本實用新型并不限于上述實施例，如圖3、4所示，是分別為本實用新型的第二、三實施例，其中一實施例的晶片1、2較大，而兩實施例中，該第一晶片1與第二晶片2大小相近，該第一、二晶片1、2頂、底部分別具不同的外質(zhì)半導(dǎo)性而重疊黏置，此例同樣具有混光均勻的優(yōu)點。另外，該第一、二晶片1、2亦可調(diào)換實施，如該第一晶片1可為以藍(lán)寶石為基座的氮化銦鎵(InGaN on Sapphire Substrate)、以碳化硅為基座的氮化銦鎵(InGaN on SiC Substrate)或其他材料…等，而第二晶片2為氮化鋁銦鎵(AlInCaN)的可透光(Transpare Type)四次元晶片或其他材料…等，且第一、二晶片1、2發(fā)出的光亦不限于上述顏色，亦可為綠光與紅光等，而可藉由發(fā)出顏色相異的光混合為他種顏色的光。
綜上所述，本實用新型藉由堆疊的第一、二晶片1、2被激發(fā)出不同波長的光線，令底側(cè)的第二晶片2被激發(fā)出甲種顏色波長的光線，而頂側(cè)的第一晶片1被激發(fā)出乙種顏色波長的光線，使不同波長的光線由激發(fā)時即混合為他種顏色光，而具有均勻混光的效果，并可以避免造成色差或短路漏電的情形，以降低產(chǎn)品不良率。
以上所述實施例的揭示是用以說明本實用新型，并非用以限制本實用新型，故舉凡數(shù)值的變更或等效元件的置換仍應(yīng)隸屬本實用新型的范疇。
由以上詳細(xì)說明，可使熟知本項技藝者明了本實用新型的確可達(dá)成前述目的，實已符合專利法的規(guī)定，爰提出專利申請。
權(quán)利要求1.一種以堆疊方式混光的發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管包括一本體，其具有預(yù)定的形狀，且該本體是可透光；一以上的連接件，由該本體向外延伸，其可供與電源導(dǎo)通，該連接件設(shè)有一容置部；一第一晶片與一第二晶片，其設(shè)于該連接件的容置部，該第一晶片與第二晶片分別可激發(fā)出不同波長的光線；其特征在于該第一晶片是疊置于第二晶片上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以堆疊方式混光的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該連接件是為二支架，且其中一支架設(shè)有該容置部，而該容置部是為一凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以堆疊方式混光的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該第一、二晶片可為以藍(lán)寶石為基座的氮化銦鎵、以碳化硅為基座的氮化銦鎵或氮化鋁銦鎵的可透光四次元晶片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以堆疊方式混光的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該第一、第二晶片頂、底部具不同的外質(zhì)半導(dǎo)性。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以堆疊方式混光的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該第一晶片與第二晶片間以導(dǎo)電材料黏貼固定。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以堆疊方式混光的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該第二晶片較第一晶片為大，而該第一晶片疊置于第二晶片的一側(cè)。
專利摘要本實用新型是提供一種以堆疊方式混光的發(fā)光二極管,其包括一本體、一以上的連接件、一第一晶片與一第二晶片,而藉由串連堆疊的第一、二晶片被激發(fā)出不同波長的光線,即該第一、二晶片發(fā)出的光線為全域可見光譜中的任兩種波長的光(如黃光與藍(lán)光、綠光與紅光等),使該二種波長的光線由激發(fā)并經(jīng)由電流電壓的控制而被混合為其他種顏色的光(如白光等),避免造成色差,以具有均勻混光的效果。
文檔編號H01L33/00GK2454905SQ0025466
公開日2001年10月17日 申請日期2000年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月22日
發(fā)明者秦元正 申請人:東貝光電科技股份有限公司