專利名稱：管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域。更具體說，本發(fā)明涉及一種管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片及其制造方法，即管芯焊盤破裂延伸系統(tǒng)及集成電路芯片制造的方法。
發(fā)明的背景電子系統(tǒng)和電路為向著現(xiàn)代社會邁進(jìn)做出了巨大貢獻(xiàn)，它們應(yīng)用于許多應(yīng)用，取得了有益的效果。例如數(shù)字計(jì)算機(jī)、計(jì)算器、音頻器件、視頻設(shè)備及電話系統(tǒng)等電子技術(shù)促進(jìn)了生產(chǎn)率的提高及商業(yè)、科技、教育和娛樂等多數(shù)領(lǐng)域中數(shù)據(jù)、想法和趨勢等的分析和通信的成本的降低。
典型的半導(dǎo)體芯片制造包括導(dǎo)電特性不同材料彼此層疊的工藝。不同材料構(gòu)成的這些層形成電器件和電信號傳輸?shù)穆窂?。對于多?shù)電器件來說，重要的是電信號沿一定的路徑，以便于這些半導(dǎo)體芯片正常工作。有些情況下，會發(fā)生有害的短路或其它問題。例如，多數(shù)半導(dǎo)體芯片具有用于電信號在各層間行進(jìn)的特定通路，電信號在除這些通路外的各層間傳輸，會導(dǎo)致短路，妨礙半導(dǎo)體芯片正常工作。


圖1是現(xiàn)有半導(dǎo)體芯片100的示圖。半導(dǎo)體芯片100包括襯底層105、第一金屬層110、金屬間氧化物(IMO)層115、第二金屬層120、IMO層125、第三金屬層130、鈍化層107及通路191、192和193。第一金屬層110耦合到襯底層105和IMO層115，IMO層115耦合到第二金屬層120。第三金屬層130耦合到鍵合球103、鈍化層107和IMO層125，IMO層125耦合到第二金屬層120。鍵合球103耦合到金屬絲101和鈍化層107。在半導(dǎo)體芯片100的一個例子中，襯底層105包括硅(Si)，金屬層110、120和130包括鋁(A1)。通路191和192耦合到第一金屬層110和第二金屬層120。通路193耦合到第二金屬層120和第三金屬層130。
半導(dǎo)體芯片100的不同材料層用于構(gòu)成電器件。例如，按第一金屬層110、第二金屬層120和第三金屬層130設(shè)計(jì)的導(dǎo)電材料的不同結(jié)構(gòu)，按構(gòu)成晶體管開關(guān)的圖形設(shè)計(jì)。通路191和192在第一金屬層110和第二金屬層120間提供合適的希望的導(dǎo)電路徑。通路193在第二金屬層120和第三金屬層130間提供合適的希望的導(dǎo)電路徑。然而， 由于破裂或龜裂198使得電信號在半導(dǎo)體芯片100的各層間行走，半導(dǎo)體芯片100無法適當(dāng)?shù)毓ぷ鳌?br> 半導(dǎo)體芯片100中的龜裂198發(fā)生在鍵合球103和金屬絲101與第三金屬層130的耦合期間。第三金屬層103用作靠鍵合球103電耦合和固定的金屬絲101的鍵合焊盤。鍵合球103通過引線鍵合工藝(例如熱鍵合，熱聲鍵合，超聲鍵合等)施加于第三金屬層103和金屬絲101上。在引線鍵合工藝中，鍵合球103實(shí)際上在金屬絲從毛細(xì)管中抽出時，由金屬絲(例如金絲)形成。在金屬抽出和金屬絲材料球形成于金屬絲端部時，會在金屬絲的一部分上加電弧。超聲波作用于鍵合球，使之將金屬絲103和第三金屬層101鍵合。這些超聲波也會在半導(dǎo)體片 100的各層中產(chǎn)生應(yīng)力，進(jìn)而會產(chǎn)生不合適和不希望的龜裂或破裂。
需要一種制造系統(tǒng)和方法，使龜裂在集成電路芯片各層間的延伸最少。該系統(tǒng)和方法應(yīng)能夠減少由于應(yīng)力能量而發(fā)生在集成電路芯片各層間的不合適龜裂的延伸。例如，該系統(tǒng)和方法應(yīng)能夠減少金屬絲與集成電路芯片的鍵合焊盤超聲鍵合期間產(chǎn)生的從一層到另一層的破裂延伸。
發(fā)明概述本發(fā)明的系統(tǒng)和方法可以減少集成電路芯片各層間龜裂的延伸。本發(fā)明的系統(tǒng)和方法可以減少由于應(yīng)力能量而發(fā)生在集成電路芯片各層間的不合適龜裂的延伸。本發(fā)明可以減弱金屬絲與半導(dǎo)體芯片的鍵合焊盤的超聲鍵合期間產(chǎn)生的破裂從一層到另一層延伸的趨勢。本發(fā)明還可以使鍵合焊盤裝填得密，有效地提高每個晶片的管芯產(chǎn)率。
在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片制造工藝能使應(yīng)力模數(shù)吸收填料層包含在半導(dǎo)體芯片中。應(yīng)力模數(shù)吸收填料層包含在芯片中，可以減少龜裂或破裂在集成電路芯片中和上的電有源區(qū)的各層間的延伸。應(yīng)力模數(shù)吸收填料層包括具有比周圍IMO層材料更強(qiáng)的彈性特性的材料。不連續(xù)的彈性模數(shù)材料吸收與作用于集成電路芯片上的應(yīng)力相關(guān)的能量，從而減少管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片各層間破裂的散布。
附圖簡介圖1是現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體芯片的示圖。
圖2A是本發(fā)明管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片的一個實(shí)施例的示圖。
圖2B是管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片的一個實(shí)施例的示圖，其中單個彈性模數(shù)填料塊構(gòu)成IMO層間的彈性填料層。
圖3A是本發(fā)明一個實(shí)施例中彈性模數(shù)填料塊的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖3B是本發(fā)明一個實(shí)施例中彈性模數(shù)填料塊的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
圖3C是其中的彈性填料塊為方形的彈性模數(shù)填料塊結(jié)構(gòu)的一個例子的側(cè)視圖。
圖3D是其中的彈性填料塊為三角形的彈性模數(shù)填料塊結(jié)構(gòu)的一個例子的側(cè)視圖。
圖3E是一種彈性填料塊的俯視圖，其中的彈性模數(shù)填料塊具有圓的邊緣，以便能夠吸收比尖銳邊緣彈性模數(shù)塊更多的能量。
圖3F是一種彈性填料塊的側(cè)視圖，其中的彈性模數(shù)填料塊具有圓的邊緣，以便能夠吸收比尖銳邊緣彈性模數(shù)塊更多的能量。
圖4是管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片制造工藝的流程圖，是本發(fā)明的一個實(shí)施例。
發(fā)明的詳細(xì)介紹下面具體參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，一種保持時間相關(guān)性的系統(tǒng)和方法，各附圖中示出了其實(shí)例。盡管將結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例介紹本發(fā)明，但應(yīng)理解，不想使它們將本發(fā)明限制于這些實(shí)施例。相反，本發(fā)明意在覆蓋可以包括在如權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的替代、改進(jìn)和等同物。另外，在以下對本發(fā)明的詳細(xì)介紹中，記載大量的具體細(xì)節(jié)，是為了更充分地理解本發(fā)明。然而，對于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員來說很顯然，可以不用這些具體細(xì)節(jié)實(shí)施本發(fā)明。換言之，這里不具體介紹公知的方法、工藝過程、元件和電路，以免不必要地混淆本發(fā)明的各個方面。
本發(fā)明的系統(tǒng)和方法在集成電路芯片中提供一層彈性模數(shù)填料。構(gòu)成彈性模數(shù)填料的材料具有比形成相鄰中間氧化層的材料低的彈性模數(shù)。彈性模數(shù)填料的較低柔性彈性特性可以使之吸收與作用于芯片的應(yīng)力相關(guān)的能量，從而減少龜裂或破裂在芯片的各層間的延伸。
圖2A是管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片200的示圖，展示了本發(fā)明的一個實(shí)施例。管芯焊盤吸收集成電路芯片200包括襯底層205、第一金屬層210、IMO層215、彈性模數(shù)填料塊217、彈性模數(shù)填料塊218、模性彈性填料塊219、第三金屬層220、鈍化層207和通路291。第一金屬層210耦合到襯底層205和金屬間氧化物IMO層215，IMO層215耦合到第三金屬層220。第三金屬層220耦合到鍵合球203、鈍化層207。鍵合球203耦合到金屬絲201和鈍化層207。在半導(dǎo)體芯片200的一個例子中，襯底層205包括硅(Si)，金屬層210和220包括鋁(Al)。通路291耦合到金屬層220和金屬層210。
管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片200是一種能夠在電系統(tǒng)中進(jìn)行各種操作的半導(dǎo)體芯片。IMO層215形成例如晶體管開關(guān)等電器件。金屬層210和220提供電信號在IMO層中的電器件間的傳輸?shù)膶?dǎo)電路徑。通路291提供第一金屬層210和第三金屬層220間合適的希望的導(dǎo)電路徑。彈性模數(shù)填料塊217、218和219吸收與作用于芯片上的應(yīng)力相關(guān)的能量，從而減少兩層間的的龜裂的延伸。
彈性模數(shù)填料塊217、218和219包括具有比周圍IMO材料小的彈性模數(shù)的材料。彈性模數(shù)填料塊的這些彈性特性和模結(jié)構(gòu)使該彈性模數(shù)填料塊比相鄰材料更柔軟，具有更大的通過集成芯片的各層釋放加劇龜裂力的應(yīng)力能量的能力。例如，在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，彈性模數(shù)填料塊包括鋁。其中金屬包含在構(gòu)成彈性模數(shù)填料塊的材料中的實(shí)施例會造成層命名的混亂。例如，在其中的彈性模數(shù)填料塊217、218和219包括一種金屬的實(shí)施例中，它們技術(shù)上形成根據(jù)某些命名法的第二金屬層。為了避免混亂，這里稱彈性模數(shù)填料塊217、218和219為形成彈性模數(shù)填料層。應(yīng)理解，在本發(fā)明的不同實(shí)施例中采用不同材料形成彈性模數(shù)填料塊。
在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，彈性模數(shù)填料塊按使兩層間龜裂延伸的阻力最大的方式設(shè)置。在彈性填料半導(dǎo)體芯片200的一個實(shí)施例中，彈性模數(shù)填料塊不密集，以防止應(yīng)力能量不合適的釋放，或?qū)π酒慕Y(jié)構(gòu)完整性造成不良影響。也不使彈性模數(shù)填料塊那么稀，而無法截止龜裂穿過IMO層的延伸。
應(yīng)理解，彈性模數(shù)填料塊可以有不同尺寸。
圖2B是管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片200的一個實(shí)施例的示圖，其中一個彈性模數(shù)填料塊形成IMO層(例如215A和215B)間的彈性填料層。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，彈性填料層具有被通路材料(例如通路291)從自彈性填料的上表面(例如，上表面295)起占據(jù)的孔。在管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片200的一個實(shí)施例中，利用電浮置或與輸入/輸出(I/O)緩沖電路隔離的材料(例如鋁)層形成彈性填料層。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，彈性填料層包括可壓縮材料，用于釋放與引線鍵合工藝有關(guān)的應(yīng)力。
還應(yīng)注意，彈性模數(shù)填料塊按不同的圖形和結(jié)構(gòu)設(shè)置。在一個實(shí)施例中，彈性模數(shù)填料塊按俯視圖3A和側(cè)視圖3B所示的結(jié)構(gòu)305設(shè)置。圖3C和3D分別是彈性模數(shù)填料塊結(jié)構(gòu)307的另一例子的俯視圖和側(cè)視圖。圖3E和3F分別是彈性填料塊310的俯視圖和側(cè)視圖，本發(fā)明的實(shí)施例中，彈性模數(shù)填料塊具有圓的邊緣，與尖銳邊緣的彈性模數(shù)填料塊相比，能夠吸收更多的能量。
圖4是管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片制造工藝400的流程圖，是本發(fā)明的一個實(shí)施例。管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片制造工藝400使半導(dǎo)體芯片中包含有模數(shù)應(yīng)力吸收填料層。模數(shù)應(yīng)力吸收填料層包含于半導(dǎo)體芯片中，可以防止龜裂或破裂在半導(dǎo)體芯片中和上的電有源區(qū)的各層間延伸。
在步驟410，擴(kuò)散材料加于晶片上。例如，在步驟410，熱氧化或淀積形成二氧化硅。在管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片制造工藝400的一個實(shí)施例中，在仔細(xì)控制的條件下，在擴(kuò)散爐中加熱晶片，并將之暴露于超純氧中，在晶片表面上形成均勻厚度的二氧化硅膜。在擴(kuò)散工藝開始之前，利用高純度低顆粒密度的化學(xué)試劑預(yù)清洗晶片。
在步驟420，在擴(kuò)散材料上形成抗蝕掩模圖形。在一個實(shí)施例中，用抗蝕材料涂敷擴(kuò)散材料。在加工另一區(qū)時，抗蝕材料用于掩蔽或保護(hù)晶片的一個區(qū)。在一個實(shí)施例中，利用光刻技術(shù)印刻掩模。例如，在光刻或光掩蔽工藝中，在晶片上涂敷光致抗蝕劑或光敏膜，使之具有與照相紙類似的特性。光對準(zhǔn)儀對準(zhǔn)晶片與掩模，然后通過該掩模和一系列還原透鏡投射強(qiáng)光，從而根據(jù)掩模圖形將光致抗蝕劑曝光。曝光的抗蝕劑部分將變軟或變硬，取決于所用的光致抗蝕劑。在另一實(shí)施例中，采用X射線光刻工藝。
在步驟430，對晶片進(jìn)行顯影以淀積其它材料。在一個實(shí)施例中，通過去除較軟的已曝光光致抗蝕，并烘焙晶片，硬化其余光致抗蝕圖形，顯影晶片。硬化的光致抗蝕劑沒有覆蓋到的擴(kuò)散材料區(qū)被腐蝕掉。在一個實(shí)施例中，通過將光致抗蝕劑暴露于化學(xué)溶液中或等離子體(氣體放電)中進(jìn)行腐蝕，從而去掉未硬化的光致抗蝕劑。檢查晶片，以確保圖像從掩模正確地傳遞到上層上。
在步驟440，由上述顯影在擴(kuò)散材料中形成的空間中淀積彈性材料。在本發(fā)明的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片制造工藝400的一個實(shí)施例中，彈性材料散布于其余擴(kuò)散材料和光致抗蝕劑上面，使彈性材料填充被顯影的區(qū)域。彈性材料填充了被顯影的區(qū)域后，去掉上面的過量彈性材料。
在步驟450，在彈性材料上加擴(kuò)散材料。加于彈性材料上的擴(kuò)散材料用作下一IMO層。在管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片制造工藝400的一個實(shí)施例中，附加于彈性材料上的擴(kuò)散材料中，包含有其它集成電路元件。例如，通過利用附加化學(xué)試劑對擴(kuò)散材料的掩蔽、腐蝕和摻雜工藝，可以附加集成電路元件。
本發(fā)明的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片系統(tǒng)和方法有助于使鍵合焊盤裝填得更密集，單個晶片的產(chǎn)率更高。由于防止了例如超聲鍵合焊盤焊接等活動期間產(chǎn)生應(yīng)力能量加劇的龜裂延伸，所以管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片能夠忍耐將金屬絲固定到彼此靠近構(gòu)成的鍵合焊盤上時引起的應(yīng)力。通過減少金屬絲固定于彼此靠近構(gòu)成鍵合焊盤上時的嚴(yán)重龜裂問題的危險，可以將鍵合焊盤移得彼此更靠近，可以減小管芯尺寸。另外，管芯尺寸減小，便可以在單個晶片上制造更多管芯，所以可以提高每個晶片上管芯的產(chǎn)率。
所以，本發(fā)明的系統(tǒng)和方法集成電路芯片各層的龜裂延伸最小。本發(fā)明的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片系統(tǒng)和方法減少了由于應(yīng)力能量而發(fā)生在集成電路芯片的各層間的不合適龜裂的延伸。本發(fā)明可以扼制金屬絲與半導(dǎo)體芯片的鍵合焊盤的超聲焊接引起的破裂從一層到另一層延伸的延伸趨勢。本發(fā)明還可以使鍵合焊盤裝填得更密集，可以有效地提高每個晶片的產(chǎn)率。
為了展示和介紹的目的，對本發(fā)明的特定實(shí)施例進(jìn)行了介紹。但不想將本發(fā)明專門限制在這里所公開的精確形式，顯然在上述教導(dǎo)下，會有許多改進(jìn)和變化。選擇和介紹這些實(shí)施例是為了很好地解釋本發(fā)明的原理和其實(shí)際申請，以使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員很好地利用本發(fā)明，進(jìn)行了各種改進(jìn)的不同實(shí)施例適用于特殊的應(yīng)用。意在由所附權(quán)利要求書及其等同物限制本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法，包括以下步驟a)在晶片上施加擴(kuò)散材料；b)在所說擴(kuò)散材料上形成抗蝕掩模圖形；c)顯影所說晶片以淀積其它材料；及d)在顯影所說擴(kuò)散材料產(chǎn)生的空間中淀積彈性材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法，其中在步驟a)利用熱氧化形成二氧化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法，其中步驟a)還包括以下步驟在所說擴(kuò)散爐中加熱所說晶片；在仔細(xì)控制適于在所說晶片表面上形成均勻厚度的二氧化硅膜的條件下，將所說晶片暴露于超純氧；及利用高純低顆粒密度的化學(xué)試劑預(yù)洗所說晶片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法，其中步驟b)還包括以下步驟用抗蝕材料涂敷擴(kuò)散材料；及利用光刻工藝在所說抗蝕材料上印刻掩模圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法，還包括以下步驟在所說晶片上涂敷光致抗蝕劑或光敏膜；對準(zhǔn)所說晶片與所說掩模；通過所說掩模和一系列還原透鏡，投射強(qiáng)光；及根據(jù)所說掩模的圖形曝光所說光致抗蝕劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法，其中所說光刻工藝包括X射線光刻。
7.根據(jù)權(quán)利要求4的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法，其中在加工另一區(qū)時，所說抗蝕材料用于掩蔽或保護(hù)所說晶片的一個區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法，其中步驟c)還包括以下步驟去除較軟的已曝光光致抗蝕劑；及烘焙晶片，硬化其余光致抗蝕圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法，其中步驟d)還包括以下步驟在所說其余擴(kuò)散材料和光致抗蝕材料上散布所說彈性材料，使所說彈性材料填充在顯影的區(qū)域中；及所說顯影區(qū)中填充了彈性材料后，去除過量的彈性材料。
10.一種管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法，包括適于提供所說抗龜裂集成電路芯片基礎(chǔ)的襯底；耦合到所說襯底的金屬層，所說金屬層用于導(dǎo)電；耦合到所說金屬層的金屬間氧化(IMO)層，所說金屬間氧化層用作集成電路元件；耦合到所說金屬間氧化層的彈性模數(shù)填料塊，所說彈性模數(shù)填料塊用于吸收應(yīng)力能量。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片，其中所說彈性模數(shù)填料塊包括彈性模數(shù)比形成所說金屬間氧化層的材料低的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片，其中所說彈性模數(shù)填料塊包括具有較柔軟的彈性特性的材料，用于吸收與作用于所說管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片上的應(yīng)力相關(guān)的能量。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片，其中所說彈性模數(shù)填料塊吸收與作用于所說管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片上的應(yīng)力相關(guān)的能量，從而減少龜裂在各層間的延伸。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片，其中所說彈性模數(shù)填料塊包括彈性模數(shù)低于所說IMO層中所含材料的材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片，其中所說彈性模數(shù)填料塊包括鋁。
16.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片，其中所說彈性模數(shù)填料塊包括具有會使彈性模數(shù)填料塊比所說IMO層中所含材料更柔軟的彈性特性和模數(shù)結(jié)構(gòu)的材料，該材料具有通過集成芯片的各層釋放加劇龜裂力的應(yīng)力能量的能力。
17.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片，其中所說彈性模數(shù)填料塊包括彈性模數(shù)填料層。
18.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片，其中所說彈性模數(shù)填料塊設(shè)置成使各層間龜裂延伸的阻力最大。
19.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片，其中所說彈性模數(shù)填料塊不密集構(gòu)成，以防止應(yīng)力能量不合適的釋放，不使彈性模數(shù)填料塊那么稀，而無法截止龜裂從IMO層的延伸。
20.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片，其中所說彈性模數(shù)填料塊具有圓的邊緣，從而允許吸收更多能量。
21.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片，其中所說彈性模數(shù)填料塊包括在IMO層之間形成彈性填料層的單個彈性模數(shù)填料塊。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片，其中所說彈性填料層與輸入/輸出緩沖電路電隔離。
23.根據(jù)權(quán)利要求21的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片，其中所說彈性填料層包括可壓縮材料，用于釋放與引線鍵合工藝有關(guān)的應(yīng)力。
24.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片，其中所說彈性模數(shù)填料塊包括在IMO層之間形成彈性填料層的單個彈性模數(shù)填料塊，所說彈性填料層具有被通路材料從所說彈性填料的上表面到所說彈性填料層的下表面占據(jù)的孔。
全文摘要
本發(fā)明的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片制造系統(tǒng)和方法,可以減少龜裂在集成電路芯片的各層間的延伸。集成電路芯片制造工藝期間,在集成電路芯片的金屬間氧化物(IMO)層之間,按彈性模數(shù)填料塊的形式淀積彈性材料。彈性模數(shù)填料塊包括彈性模數(shù)低于周圍IMO材料的材料。彈性模數(shù)填料塊的彈性特性和模數(shù)結(jié)構(gòu)會使彈性模數(shù)填料塊比相鄰材料更軟,具有更大的通過集成芯片的各層釋放加劇龜裂力的應(yīng)力能量的能力。通過吸收應(yīng)力能量,彈性模數(shù)填料塊減少龜裂穿過集成芯片的各層的延伸。
文檔編號H01L21/60GK1338118SQ00803046
公開日2002年2月27日 申請日期2000年9月20日 優(yōu)先權(quán)日1999年10月4日
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