專利名稱：去除表面污染物的方法以及為此所使用的組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種酸性含水組合物，該組合物特別適用于去除表面的顆粒狀和金屬污染物。本發(fā)明特別適用于去除構(gòu)件上的顆粒狀和金屬污染物，例如在集成電路器件如含有銅波紋和雙重波紋元件的半導(dǎo)體晶片中作為互聯(lián)結(jié)構(gòu)的那些構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明處理的構(gòu)件包括被化學(xué)機(jī)械拋光處理而事先平面化的那些構(gòu)件。
在半導(dǎo)體器件的制造中，金屬互連材料或?qū)Ь€如銅或銅合金在沉積后通常要進(jìn)行平面化。
用于這種平面化的拋光淤漿通常是含水懸浮液，該含水懸浮液包含金屬氧化物研磨劑(如氧化鋁)、有機(jī)酸、表面活性劑和合適的氧化劑。這種方法叫做化學(xué)機(jī)械拋光法(CMP)。氧化劑作用是通過一輔助腐蝕的過程提高材料的機(jī)械去除能力。采用可商業(yè)購買或是專有的這種氧化劑通常是無機(jī)金屬鹽如FeNO3或KIO3，以及過氧化氫，以有效濃度存在。為提高分散性或增強(qiáng)性能而添加到淤漿中的其他化學(xué)品常常是有機(jī)酸(例如檸檬酸)。鈉、鉀和鐵鹽和/或化合物常常被用作淤漿的配方中，而且經(jīng)過拋光和拋光后清潔之后大量的這些金屬離子雜質(zhì)還留在晶片上。
因此存在各種顆粒狀污染物存留在拋光面上的傾向。顆粒狀材料相當(dāng)難以去除，這點(diǎn)特別成問題，因?yàn)槿コ欢ú荒軐?duì)拋光面產(chǎn)生有害影響。
此外，因?yàn)閽伖庥贊{通常含有氧化劑，因此由于在CPM操作中由于銅的氧化作用通常在銅上存在氧化層，該層對(duì)器件的電性能可能有不利的影響，而且優(yōu)選去除此層。事實(shí)上，該層也可以被歸屬為污染物。
到此為止，還沒有已知方法用于清潔用銅作為互連材料的已經(jīng)過化學(xué)機(jī)械拋光后的集成電路器件。
因此，需要有一種后化學(xué)機(jī)械拋光清潔化學(xué)步驟，它能去除金屬和顆粒狀污染物。此外，該清潔步驟去除任何殘余的銅氧化物和/或其它不合乎要求的表面膜層，露出裸銅表面。
由于要使對(duì)銅的蝕刻最小化同時(shí)避免以任何明顯程度地增加表面的粗糙度要求更加重了開發(fā)這種清潔劑的難度。
本發(fā)明特別適用于去除銅上的顆粒狀污染物。本發(fā)明也去除在銅表面上發(fā)現(xiàn)的任意殘余氧化物層，而不會(huì)在任意顯著程度上蝕刻或增加銅表面粗糙度。
特別地，本發(fā)明涉及一種含水組合物，其包含約0.2重量％～約5重量％的含氟化物的材料，約0.05重量％～約1重量％的至少一種二羧酸、它的鹽或它們的混合物，約0.2重量％～約5重量％的羥基羧酸、它的鹽或混合物以及剩余物主要是水，而且PH值約3.0～約5.7。
本發(fā)明的另一方面涉及一種用于去除經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)平面化過的銅表面上顆粒狀污染物的方法。特別地，該方法包含將通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)平面化過的表面與一種含水組合物接觸，其中該組合物包含含氟化物的材料，至少一種二羧酸、以及它的鹽或它們的混合物，至少一種羥基羧酸、它的鹽或混合物，而且PH值約3.0～約5.7。
本發(fā)明還有一個(gè)方面涉及一種用于制造半導(dǎo)體集成電路的方法。該方法包含通過照相平版印刷法在半導(dǎo)體晶片表面形成電路，其中該電路中包含銅或銅合金；通過化學(xué)機(jī)械拋光法將表面平面化；以及通過與一種含水組合物接觸去除表面的顆粒狀和金屬(例如金屬離子)污染物，其中該含水組合物包含含氟化物的材料、至少一種二羧酸、它的鹽或它們的混合物，和至少一種羥基羧酸、它的鹽或混合物，而且PH值約3.0～約5.7。
通過下列詳細(xì)描述，對(duì)本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說將更易于清楚本發(fā)明還存在的其它目的和優(yōu)點(diǎn)，其中簡(jiǎn)單地通過列舉實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的最佳方式，僅僅顯示和描述了本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方案，應(yīng)該意識(shí)到本發(fā)明還有其它和不同的實(shí)施方案，在不背離本發(fā)明的情況下在各種顯而易見的方面能夠?qū)Ω鱾€(gè)細(xì)節(jié)進(jìn)行修正。因此，所給描述在性質(zhì)上只能認(rèn)為是說明性而不是作為限制條件。
實(shí)施發(fā)明的最好以及各種形式為了要建立一個(gè)可接受的晶片清潔方法一定要考慮很多指標(biāo)，特別是，理想的清潔方法應(yīng)該能夠?qū)⒕系念w粒狀和金屬污染物減少至拋光步驟進(jìn)行之前的量。而且，清潔方法和化學(xué)步驟必須是與經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)后存在于晶片表面上的材料是相容的。此外，人們應(yīng)該能夠使用市售晶片或制造設(shè)備安全地完成清潔操作。并且，該操作相對(duì)很廉價(jià)地就能實(shí)現(xiàn)。
按照本發(fā)明處理的構(gòu)件通常是半導(dǎo)體器件，其中該器件有銅互連(線、插頭、通路、球狀和局部橫向連接)被包埋在低k電介質(zhì)材料里如二氧化硅，也可以包括阻隔層，例如作為低k介電/波紋和雙重波紋構(gòu)件的氮化硅。二氧化硅通常是一種高密度等離子體沉積二氧化硅或TEOS(原硅酸四乙酯)。
銅互連接通常情況下或者使用鉭、氮化鉭或者使用鈦、氮化鈦?zhàn)鳛殂~與電介質(zhì)材料之間的阻隔層或內(nèi)襯材料。象這樣，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)后清潔劑溶液指的是清洗高達(dá)四種或更多不同的材料銅、內(nèi)襯材料、電介質(zhì)材料或阻隔層，以及晶片背面，其中該背面通常是氧化硅的薄層。所有這些類型的材料在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)后清潔過程中是露在半導(dǎo)體器件的表面上。因此，清潔劑組合物一定不會(huì)對(duì)這些材料中的任何一種產(chǎn)生某種不合乎要求程度的有害影響，而且還能有效地去除污染物。這些均對(duì)開發(fā)一種合適的組合物構(gòu)成了相當(dāng)?shù)南拗啤?br> 沉積后的銅通過化學(xué)機(jī)械拋光法通常采用一種含水淤漿進(jìn)行平面化，該含水淤漿包含一種研磨劑和一種氧化劑。這種組合物是所熟知的且不必在本文中進(jìn)行任何詳細(xì)描述。某些機(jī)械拋光淤漿的實(shí)例可見于US5,527,423和US5,693,239，以及PCT出版號(hào)WO 97/43087，它們的公開內(nèi)容在此引入作為。
然后將所述構(gòu)件與本發(fā)明的含水組合物接觸。該組合物包含含氟化物的材料、至少一種二羧酸和/或它的鹽，以及至少一種羥基羧酸和/或它的鹽。
能提供本發(fā)明氟化物離子資源的常用化合物是氟化銨或氫氟酸。可以提供氟化物資源的其它化合物包括，例如，金屬鹽如氟化氧銻(III/IV)、氟化鋇、氟化錫(II)、氟化鋁(III)和氟硼酸鹽化合物。還有其它的氟化物來源如氟化四甲銨，以及也可以使用其他能夠在含水介質(zhì)中溶解氟化物離子的有機(jī)化合物。這些其他來源包括脂族伯胺、仲胺和叔胺的氟化物鹽，因此具有下列通式R1N(R3)R2其中，R1、R2和R3各自分別表示H或烷基。
典型地，在R1、R2和R3基團(tuán)中的碳原子總數(shù)為12個(gè)碳原子或小于12個(gè)碳原子。優(yōu)選的氟化物化合物是氟化銨。
典型的二羧酸包括含2～6個(gè)碳原子的羧酸，并且包括乙二酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、馬來酸和富馬酸。優(yōu)選的酸是丙二酸。合適的鹽包括堿金屬、堿土金屬和銨鹽。
羥基羧酸的實(shí)例包括蘋果酸、酒石酸和檸檬酸。
優(yōu)選的羥基羧酸是檸檬酸。合適的鹽包括堿金屬、堿土金屬和銨鹽。
優(yōu)選的衍生物是檸檬酸銨。
除了水以外，組合物可包括少量的表面活性劑。合適的表面活性劑包括陰離子、陽離子、非離子和兩性離子化合物。用于本發(fā)明的某些表面活性劑實(shí)例被公開在，例如，Kirk-othmer，“化學(xué)技術(shù)百科全書”，第三版，第22卷(John Wiley & Sons，1983)；Sislet & Wood，“表面活化劑百科全書”(化學(xué)出版公司，1964)；McCutcheon’sEmulsifiers & Detergents，North American and InternationalEdition(McCutcheon Division，The MC Publishing Co.，1991)；Ash，“The Condensed Encyclopedia of surfactants”(ChemicalPublishing Co.，Inc，1989)；Ash，“What Every Chemical TechnologistWants to Know About……Emulsifiers and Wetting Agents，Vol.1(Chemical Publishing Co.，Inc，1988)；Napper，PolymericStabilization of Colloidal Dispersion(Academic Press，1983)和Roson，Surfactants & Interfacial Phenomena，第二版(John Wiley& Sons，1989)；在此引入它們的內(nèi)容作為參考。典型的實(shí)例是烷基聚環(huán)氧乙烷非離子表面活性劑。 所述組合物通常含有約0.2～5重量％且優(yōu)選0.4～約1.3重量％的含氟化物的化合物。
二羧酸和/或鹽的通常用量約0.05～1重量％且優(yōu)選約0.05～約0.2重量％。
羥基羧酸通常在組合物中的用量為約0.2重量％～約5重量％且優(yōu)選約0.5～約2重量％。
當(dāng)組合物中存在表面活性劑時(shí)，其用量通常是約50～約3,000ppm，具體實(shí)例是約500ppm。
此外，本發(fā)明組合物的PH值為約3.0～約5.7，以及優(yōu)選約3.5～約5.4，特別的實(shí)例約為4.0。PH值通常是用PH紙或合適的PH參比電極測(cè)量的。根據(jù)本發(fā)明發(fā)現(xiàn)在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的方面PH值是十分重要的。特別是，組合物能夠去除金屬和非金屬顆粒狀氧化物，以及二氧化硅；金屬離子污染物如鉀、鈣、鈦、鉻、錳、鐵、鎳、銅和鋅。各種硫和氯化物雜質(zhì)吸附在存在于晶片上的各種表面物質(zhì)上。在本發(fā)明組合物PH值范圍內(nèi)氧化銅是熱力學(xué)不穩(wěn)定的。去除是在下列情況下實(shí)現(xiàn)的，包括僅輕微地蝕刻金屬銅例如小于5埃/分鐘，以及蝕刻電介質(zhì)如高密度等離子體沉積硅氧化物或TEOS小于約20埃/分鐘。
在本發(fā)明的清潔操作過程中發(fā)生的電介質(zhì)的某些蝕刻例如約10埃/分鐘～約20埃/分鐘。輕微蝕刻導(dǎo)致強(qiáng)烈吸附在晶片表面上的顆?；g，有助于它們被去除。輕微蝕刻也起到幫助去除淺度嵌入在電介質(zhì)層中吸附的金屬離子污染物的作用。
還發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明組合物不會(huì)在任何明顯的程度上增加銅表面粗糙度。例如，空白銅薄膜上的銅的AFM表面粗糙度(RMS)是1.2納米。根據(jù)本發(fā)明在空白銅膜化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)和清潔后是1.27納米(表面粗糙度有很小的增加)。
本發(fā)明的另一個(gè)特征是組合物即使在濃縮形式下也是相對(duì)穩(wěn)定的。例如可得到組合物的提濃物，其包含約1～約20重量％含氟化物化合物、約1～約30重量％的羥基羧酸、約1～約10重量％的二羥基羧酸和約30～50重量％的水，并提供給最終用戶，用戶然后可以在操作儀器中為了方便和經(jīng)濟(jì)原因?qū)⑺♂尦扇缰亓勘燃s19∶1的稀釋液。
可將組合物用在雙面刷刮器中，繼銅化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)步驟之后，清潔所有晶片。而且，也可以用在超聲浴(megasonic bath)或噴射清洗裝置中或它們的組合體。
下列非限定性實(shí)例將進(jìn)一步說明本發(fā)明。
含有被嵌入在二氧化硅中銅線和具有內(nèi)襯材料的線的晶片首先用含水淤漿進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，該含水淤漿包含約2重量％的氧化鋁、約3重量％的過氧化氫，剩余物是水和微量添加劑。
經(jīng)過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)后，晶片與上述含水清潔劑混合物接觸。
然后將晶片切開分成兩批13TEOS/12銅和12TEOS/13銅，在每一組內(nèi)，TEOS晶片和銅晶片被輪流放在25晶片盒子中。
然后將晶片浸潤(rùn)在Cabol 4110氧化鋁基淤漿中1分鐘，并用去離子水擦洗15秒鐘。繼浸潤(rùn)和擦洗步驟之后立即將晶片轉(zhuǎn)移至OntrakSynergy雙面刷刮清洗器中。晶片用流速為500毫升/分鐘根據(jù)實(shí)施例1制備的清潔劑溶液清洗，在第一個(gè)盒子中刷子清洗清潔時(shí)間為45秒鐘，在第二個(gè)盒子中清洗10秒鐘。最后通過30秒鐘去離子水旋轉(zhuǎn)淋洗并吹干結(jié)束清洗。
經(jīng)過清洗步驟之后，用Tencor LPD計(jì)數(shù)器再次檢查晶片上的顆粒。下表1表示上述試驗(yàn)中得到的清洗前和清洗后顆粒數(shù)數(shù)據(jù)，從中可以看出對(duì)于TEOS和銅晶片兩者幾乎都沒有≥0.2微米的求和顆粒(adderparticle)。TEOS顆粒平均求和是-2.4±10。銅的顆粒平均求和是-185.1±155。值得注意的是銅晶片求和部分的負(fù)數(shù)是由于這些沉積銅在試驗(yàn)前可能沒有盡可能地進(jìn)行清洗。
清洗后，兩種TEOS晶片，#1批中的#1和#2批中的#20被送出去在晶片正面做TXRF分析(參看表2中的1和20)。兩片其他TEOS晶片，1#批中的#3和#2批中的#22被送出去在晶片的背面做TXRF分析(參看表2中的3和22)。表2表示在晶片正面和背面分析得到的數(shù)據(jù)。這是為了檢查是否在銅和TEOS晶片之間有金屬交叉污染物，以及晶片背面的金屬污染物去除性能。
TXRF分析顯示出在檢測(cè)范圍內(nèi)或低于檢測(cè)范圍的金屬量，正面上的k除外。此k可以深深地被包埋在TEOS表面里并因此很難去除。金屬污染物含量較低表示通過洗刷在銅和TEOS晶片之間沒有金屬交叉污染。此外，在清洗過程中，對(duì)晶片背面沒有污染。


表2繼淤漿浸潤(rùn)和隨后的“后機(jī)械化學(xué)拋光(CMP)”清洗之后晶片正面和背面的TXRF分析數(shù)據(jù)(單位1010原子/cm2)

實(shí)施例3當(dāng)細(xì)TEOS線浸入本發(fā)明的含水清潔劑溶液中時(shí)，采用一種原子力顯微術(shù)分析法確定細(xì)TEOS線的蝕刻速率。
A.清潔劑配方(CP60)制備一種提濃物，含有約960克的檸檬酸、約80克丙二酸、約1600克氟化銨的40％含水溶液，以及約1360克去離子水。該提濃物然后被去離子水稀釋至19∶1(重量比)配制成一種混合物，其含有約1.2重量％的檸檬酸、約0.1重量％的丙二酸、約2重量％的40％氟化銨以及約96.7重量％的水，該組合物的PH值約為4，是用校準(zhǔn)的銻參比電極或PH紙測(cè)定的。
B.低檸檬酸配方(CP 60 RCA)制備一種提濃物，含有約480克的檸檬酸、約80克丙二酸、約1600克氟化銨的40％含水溶液，以及約1840克去離子水。該提濃物然后被去離子水稀釋至19∶1(重量比)配制成一種混合物，其含有約0.6重量％的檸檬酸、約0.1重量％的丙二酸、約2重量％的40％氟化銨以及約97.3重量％的水，該組合物的PH值約為4，是用校準(zhǔn)的銻參比電極或PH紙測(cè)定的。
C.低檸檬酸和低氟化銨配方(CP 60 RCA RF)
制備一種提濃物，含有約480克的檸檬酸、約80克丙二酸、約800克氟化銨的40％含水溶液，以及約2640克去離子水。該提濃物然后被去離子水稀釋至19∶1(重量比)配制成一種混合物，其含有約0.6重量％的檸檬酸、約0.1重量％的丙二酸、約1重量％的40％氟化銨以及約98.3重量％的水，該組合物的PH值約為4，是用校準(zhǔn)的銻參比電極或PH紙測(cè)定的。
晶片含有包埋在基體中的銅線也含有TEOS(原硅酸四乙酯)線，首先用含水淤漿進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，其中淤漿中包含約5％的二氧化硅和剩余物是水以及微量添加劑。化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)后，將晶片與上述含水清潔劑混合物接觸。
下列是對(duì)于各種清潔劑TEOS蝕刻速率與線厚度關(guān)系表。一開始在旋轉(zhuǎn)拋光機(jī)上用拋光法制備少量預(yù)拋光銅波紋晶片。樣品被拋光因此可觀察到改變的表面凹陷(即銅元件凸起)。在另外的試驗(yàn)中，各樣品在攪拌下浸潤(rùn)到上述每一種稀釋清潔劑混合物中(CP 60，CP 60 RCA，CP60 RCA RF)2分鐘，用去離子水清洗1分鐘，然后用過濾的壓縮空氣吹干。
從下表中數(shù)據(jù)可以看出，使用未改性的CP 60得到的TEOS線的蝕刻速率為約57埃/分鐘～66埃/分鐘。當(dāng)配方中檸檬酸量縮減50％(CP 60RCA)，TEOS線的蝕刻速率為約43～67埃/分鐘。將檸檬酸量縮減一半沒有影響TEOS蝕刻速率。當(dāng)在未改性CP配方中將檸檬酸量和氟化銨量二者同時(shí)縮減一半(CP 60 RCA RF)，TEOS蝕刻速率下降為約10～23埃/分鐘。當(dāng)目標(biāo)TEOS蝕刻速率設(shè)定為10～20埃/分鐘時(shí)，TEOS線的這種較低蝕刻速率是合乎要求的。
對(duì)具有下列條件的TEOS線進(jìn)行原子力顯微術(shù)掃描，1)6.0微米間距、2.0微米銅線寬、4微米TEOS線寬；或者2)2.0微米間距、0.5微米銅線寬、1.5微米TEOS線寬。清潔劑原硅酸四PETEOX線測(cè)量 原硅酸四乙酯蝕A.CP60乙酯寬度 起始厚度最終厚度刻速度(埃/分鐘)4.0微米 122.7+/-5.7 237+/-13 57.21.5微米 99.6+/-6 232+/-10.5 66.2B.CP 60RCA1/2檸檬酸4.0微米 237+/-13 324+/-13 43.51.5微米 232+/-10.5 366+/-40 67C.CP 60RCARF1/2檸檬酸和1/2氟化銨@40％4.0微米 150+/-14.2 170+/-9.2104.0微米 150+/-9.6183+/-8.216.51.5微米 122+/-7.9168+/-6.423本發(fā)明的上述描述說明和描述了本發(fā)明。此外，公開內(nèi)容僅僅顯示和描述了本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方案但是，如上所述，應(yīng)理解的是，本發(fā)明能夠以各種其他的組合、改進(jìn)和場(chǎng)合中使用，并能在所述的發(fā)明構(gòu)思、相應(yīng)于上述教導(dǎo)和/或相應(yīng)于相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的技能和知識(shí)的范圍內(nèi)做改變或修正。上述實(shí)施方案還旨在解釋實(shí)施本發(fā)明的已知最佳形式，并能夠使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員以此種或其它實(shí)施方案使用本發(fā)明，或者根據(jù)本發(fā)明的具體應(yīng)用或者用途所需的實(shí)施方案做各種變更而使用本發(fā)明。因此，上述描述并不意欲將本發(fā)明限制在所公開內(nèi)容的形式。而且，所附的權(quán)利要求書意欲包括其它替代實(shí)施方案。
權(quán)利要求
1.一種含水組合物，包含約0.2重量％～5重量％的含氟化物的材料，約0.05重量％～約1重量％的至少一種二羧酸、它的鹽或它們的混合物；約0.2重量％～約5重量％的至少一種羥基羧酸、它的鹽或混合物，以及剩余物主要是水，和PH值約3.0～約5.7。
2.如權(quán)利要求1的組合物，其中含氟化物的化合物選自氟化銨、氫氟酸、氟化氧銻(III/IV)、氟化鋇、氟化錫(II)、氟化鋁(III)和氟硼酸鹽、氟化四甲銨，以及具有下列通式的脂族伯胺、仲胺和叔胺的氟化物鹽R1N(R3)R2其中，R1、R2和R3各自分別表示H或烷基，含有12個(gè)碳原子或小于12個(gè)碳原子。
3.如權(quán)利要求1的組合物，其中含氟化物的化合物選自氟化銨或氫氟酸。
4.如權(quán)利要求1的組合物，其中含氟化物的化合物是氟化銨。
5.如權(quán)利要求1的組合物，其中二羧酸或它的鹽含有2～6個(gè)碳原子。
6.如權(quán)利要求1的組合物，其中二羧酸選自乙二酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、馬來酸和富馬酸。
7.如權(quán)利要求1的組合物，其中二羧酸是丙二酸。
8.如權(quán)利要求1的組合物，其中羥基羧酸選自蘋果酸、酒石酸和檸檬酸。
9.如權(quán)利要求1的組合物，其包含檸檬酸或檸檬酸銨。
10.如權(quán)利要求1的組合物，其包含檸檬酸。
11.如權(quán)利要求1的組合物，其包含檸檬酸銨。
12.如權(quán)利要求1的組合物，包含氟化銨、丙二酸和檸檬酸。
13.如權(quán)利要求1的組合物，其PH值為約3.5～約5.4。
14.如權(quán)利要求1的組合物，其中含氟化物的材料的用量約0.2～約1.3重量％。
15.如權(quán)利要求1的組合物，其中二羧酸的用量約0.05～約0.2重量％。
16.如權(quán)利要求1的組合物，其中羥基羧酸的用量約0.2～約2重量％。
17.如權(quán)利要求1的組合物，還包含表面活性劑。
18.如權(quán)利要求1的組合物，其中表面活性劑的用量約50ppm～約3000ppm。
19.一種用于在經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)平面化過的銅表面上顆粒狀污染物的方法，它包含將通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)平面化過的表面與一種含水組合物接觸，其中該含水組合物包含含氟化物的材料；至少一種二羧酸、它的鹽或它們的混合物；和至少一種羥基羧酸、它的鹽或混合物，而且PH值約3.0～約5.7。
20.一種用于制造半導(dǎo)體集成電路的方法，包含通過照相平版印刷法在半導(dǎo)體晶片表面形成電路，其中該電路中包含銅或銅合金；通過化學(xué)機(jī)械拋光法將表面平面化；以及通過與含水組合物接觸去除表面的顆粒狀污染物，其中該含水組合物包含含氟化物的材料；至少一種二羧酸、它的鹽或它們的混合物，和至少一種羥基羧酸、它的鹽或混合物，而且PH值約3.0～約5.7。
21.如權(quán)利要求20的方法，其中銅或銅合金被嵌入在電介質(zhì)材料中，以及其中在電介質(zhì)材料和銅或銅合金之間存在阻隔層。
22.如權(quán)利要求20的方法，其中電介質(zhì)材料是二氧化硅，以及阻隔層至少選自下列中的一種鉭、鈦，以及它們的氮化物。
23.一種含水組合物，包含約1重量％～約20重量％的含氟化物的材料；約1重量％～約10重量％的一種二羧酸、它的鹽或它們的混合物；約1重量％～約30重量％的羥基羧酸；它的鹽或混合物，以及30～約50重量％的水。
全文摘要
采用一種含水組合物從表面例如含有銅波紋或雙重波紋元件的半導(dǎo)體晶片上去除顆粒狀和金屬離子污染物,該含水組合物包含:含氟化物的化合物、二羧酸和/或它的鹽,以及羥基羧酸和/或它的鹽。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1360733SQ00808091
公開日2002年7月24日 申請(qǐng)日期2000年5月23日 優(yōu)先權(quán)日1999年5月26日
發(fā)明者埃米爾·A·克內(nèi)爾 申請(qǐng)人:阿什蘭公司