專利名稱：具有受控制的小型環(huán)境的晶片大氣壓輸送組件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在半導體處理設備的組件中傳送晶片的技術，特別涉及一種具有可控制的小型環(huán)境的組件。
背景技術：
在半導體器件的制造中，各處理室間以接口相連以允許(例如在連接的處理室之間)傳送晶片或基板。這種傳送是經(jīng)由輸送組件移動該晶片通過設置于連接的處理室的相鄰壁上的槽或開口。例如，輸送組件通常各種基板處理組件結合使用，基板處理組件可能包括半導體蝕刻系統(tǒng)、材料淀積系統(tǒng)、以及平板顯示器蝕刻系統(tǒng)。由于對于潔凈以及高處理精密度的要求的增長，所以對于在各個處理步驟中和之間減少人為影響的需求也在增長。已經(jīng)通過實現(xiàn)一作為中間處理設備的真空輸送組件(典型地維持在一降低的壓力，例如真空狀態(tài))部分地滿足了這個需求。舉例而言，一真空輸送組件實際上可以座落于一個以上的無塵室儲存設備(貯存基板之處)與多個基板處理組件(實際上處理基板之處，例如蝕刻，或于其上執(zhí)行淀積)之間。以此方式，當需要處理一基板時，可以使用一座落于該輸送組件內(nèi)部的機器人，從一真空預備室(load lockchamber)取回一選擇的基板，并將其置于多個處理組件中的一個中。
如本領域技術人員所熟知，用以在多個儲存設備與處理組件中“輸送”基板的輸送組件的配置經(jīng)常被稱為“群集工具結構”系統(tǒng)。圖1A顯示一典型的半導體處理群集結構200，說明與一真空輸送組件106相連接的各種室。顯示的真空輸送組件106連接至三個處理組件108a-108c，它們可以分別地被優(yōu)化以執(zhí)行各種制造過程。舉例而言，處理組件108a-108c可用以執(zhí)行變壓器耦合等離子體(TCP)基板蝕刻、層淀積、和/或濺射。
一真空預備室104連接至真空輸送組件106，用以將基板導入真空輸送組件106。真空預備室104可以連接至與無塵室102相連接的大氣壓輸送組件(ATM)103。典型的ATM 103具有用以支撐晶片的晶片盒的區(qū)域，以及從該晶片盒取回該晶片與移動它們進出真空預備室104的機器人。眾所周知，真空預備室104在真空輸送組件106與ATM 103之間作為一壓力變化接口。因此，當ATM 103與無塵室102保持在大氣壓下時，真空輸送組件106可以保持在一個固定的壓力(例如真空)。
圖1B顯示一局部系統(tǒng)圖150，包括一大氣壓輸送組件(ATM)103，其包括過濾器/鼓風機152a；一機器人156，具有手臂組158；以及一架子154。在一晶片盒環(huán)境152b中，設計架子154用以支撐裝有晶片162的晶片盒160。ATM 103的晶片盒環(huán)境152b具有一門155，在處理期間門155可以被打開以插入或移除晶片盒160。在ATM 103中設計過濾器/鼓風機152a用以產(chǎn)生一氣流170，使該氣流大體上不受干擾地通過一微粒隔板171到達ATM 103的下部，接著由一排氣口152c排出。此外，簡單地顯示ATM 103連接至真空預備室104和輸送組件106。接著。如上所述，輸送組件106可以在選擇的處理組件108之間傳送晶片。
雖然現(xiàn)有技術ATM 103能夠相當有效地從晶片盒160傳送晶片進出真空預備室104，但可以觀察到在鼓風機152a操作期間，氣流170繞過晶片盒環(huán)境152b。因此，晶片盒環(huán)境152大體上保持靜態(tài)。亦即，操作期間晶片162間的環(huán)境大體上保持不受氣流170的影響。
圖1C顯示晶片盒160的更詳細視圖，晶片盒160具有多個晶片162。一般而言，晶片在一個處理組件108內(nèi)接受處理并堆疊回晶片盒160之后，處理過后的氣體將會懸浮在各個晶片162之間。該氣體由從新近處理過的晶片162的上表面發(fā)出的166所標示的圖形表示。晶片162之間存在的氣體166所帶來的問題是該化學氣體在某些情況下可能會繼續(xù)其化學反應，并造成經(jīng)處理過的晶片162的合格率下降。假如晶片質量下降較多，則與合格率減少相關的潛在財政損失可能是顯著的。
不流動的晶片盒環(huán)境152b所帶來的另一項問題是任何可能已經(jīng)掉落在晶片162的表面上的微粒將在該晶片盒停放在晶片盒環(huán)境152b中期間繼續(xù)殘留于該晶片的上表面。這些微粒164在某些情況下可能會對晶片162上形成的半導體電路造成實質上的損害。眾所周知在各個處理操作之間是不允許微粒164殘留于晶片162表面上的。該微粒殘留于晶片162表面上的時間愈久，微粒對敏感的集成電路所造成的損害可能性也愈高，且愈難以清洗。
晶片盒160停放于靜態(tài)環(huán)境152b所帶來的另一項問題是一旦一工藝工程師打開門155以移去晶片盒160，晶片盒160可能使該工藝工程師潛在地接觸到從晶片162表面發(fā)出的不適宜程度的有毒氣體166。在某些情況下，工藝工程師與該處理氣體及化學副產(chǎn)物的接觸，可能會造成該工藝工程師在操作該晶片盒時出現(xiàn)精神混亂，因此使充滿貴重的處理過的半導體晶片162的晶片盒160掉落。
鑒于上述，需要一種可以控制晶片盒內(nèi)部及其周圍環(huán)境的大氣壓輸送組件。

發(fā)明內(nèi)容
概括而言，本發(fā)明通過提供一能夠在處理期間在暫時存儲晶片盒的區(qū)域中產(chǎn)生一小型環(huán)境的大氣壓輸送組件而滿足這些需要。該小型環(huán)境最好形成一通過晶片的氣流，以使得能從圍繞晶片的環(huán)境中實質上清除處理氣體和副產(chǎn)物。應該理解，本發(fā)明能夠以許多方式實施，例如包括一過程、一設備、一系統(tǒng)、一裝置、或一方法。以下將敘述本發(fā)明的幾個創(chuàng)造性實施例。
在一個實施例中，揭示一大氣壓輸送組件。該組件具有一外殼，該外殼包括多個創(chuàng)造性元件。該外殼具有一頂部，其包含一鼓風機用以產(chǎn)生一向下并遠離該外殼頂部的調節(jié)氣流。該外殼還包括一負載單元區(qū)，其側向偏移該鼓風機。該負載單元包括一架子，用以支撐一晶片盒，該架子與該負載單元的一個壁分離以形成一轉向氣流槽。在該鼓風機的下方限定一穿孔板片，該穿孔板片用以限制通過該穿孔板片的氣流，并引導一轉向氣流通過座落于該側向偏移的負載單元上的該晶片盒。該轉向氣流的優(yōu)點是可以將停留于該晶片盒內(nèi)中的晶片上的殘余處理氣體從該晶片盒內(nèi)向下推進該轉向氣流增。另一個優(yōu)點是，當門打開時，氣體會向外流出，因而減少外部微粒進入的機會。
在另一實施例中，揭示一大氣壓輸送組件。該組件包括一封閉式外殼，其具有一頂部區(qū)、一中央?yún)^(qū)、一底部區(qū)、以及一負載單元區(qū)。一鼓風機位于該封閉式外殼的頂部區(qū)，用以產(chǎn)生一向下流進該中央?yún)^(qū)的氣流。負載單元區(qū)中的一架子限定該封閉式外殼的中央?yún)^(qū)與底部區(qū)之間的一分隔線。該架子至少部分地與該負載單元區(qū)的一個壁相間隔，以在架子后面形成一個槽。一穿孔板片從該架子延伸，并進一步限定在該中央?yún)^(qū)與該底部區(qū)之間的該分隔線。在本實施例中，限制該鼓風機所產(chǎn)生的氣流不能自由地流經(jīng)該穿孔板片，并且部分地使該氣流轉向到該負載單元的架子方向流動，經(jīng)由該槽而進入該封閉式外殼的底部區(qū)。
一旦該轉向氣流和(流過該穿孔板片的)該非轉向氣流進入該底部區(qū)，該氣體便經(jīng)由一排氣口向外導出。在一另選實施例中，可以在該底部區(qū)裝設一風扇，以協(xié)助該轉向氣流通過位于該架子后方的槽。以此方式，當一具有一個或多個晶片的晶片盒座落于該負載單元區(qū)內(nèi)的架子上時，該轉向氣流將使任何可能在該晶片上方出現(xiàn)的后處理氣體和微粒流通。因此，使該后處理氣體和任何微粒流入該封閉式外殼的底部區(qū)，并從該排氣口排出。在本實施例中，該風扇最好與該負載單元的門連鎖，使該負載單元的任何一扇門打開時關閉該風扇。以此方式，當門打開時，骯臟的空氣才不會因為該風扇而被吸進ATM，以至污染晶片。
在另一實施例中，揭示一大氣壓輸送組件的制造方法。該方法包括形成一具有一頂部區(qū)、一中央?yún)^(qū)、一底部區(qū)、以及一負載單元區(qū)的封閉式外殼。在該封閉式外殼的頂部區(qū)中設置一鼓風機，用以產(chǎn)生一向下進入該中央?yún)^(qū)的氣流。在該負載單元區(qū)中設置一架子，該架子限定在該封閉式外殼的中央?yún)^(qū)與底部區(qū)之間的一分隔線。該架子至少部分地與該負載單元區(qū)的一個壁相間隔以在架子后面形成一個槽。從該架子以水平延伸的方式設置一穿孔板片，并進一步限定在該中央?yún)^(qū)與該底部區(qū)之間的該分隔線。限制該鼓風機所產(chǎn)生的氣流不能自由地流經(jīng)該穿孔板片，并且部分地使該氣流遠離該穿孔板片而朝該負載單元的架子方向流動，經(jīng)由該槽進入該封閉式外殼的底部區(qū)。
一具有一個或多個晶片的晶片盒座落于該負載單元的架子上并接收該轉向氣流。因此，該轉向氣流在該晶片盒內(nèi)暫時貯存的任一晶片上方維持一和緩的氣流。該架子可以支撐一個以上的晶片盒，并且可以在各個晶片盒周圍建立一隔離罩，當把該架子后方的門打開以取出一特定的晶片盒時，用以維持一穩(wěn)定的小型環(huán)境。
該晶片上方和緩流動的轉向氣流有利于確保座落于該負載單元內(nèi)的晶片不處于靜態(tài)環(huán)境中并因此導致后處理氣體的累積。該和緩流動的轉向氣流還協(xié)助去除置于該晶片盒內(nèi)的晶片上方的微觀粒子，因此，維持一受控小型環(huán)境，以促進高合格率和高品質的經(jīng)處理過的晶片。本發(fā)明的其他方面及優(yōu)點將通過以下結合附圖以舉例方式對本發(fā)明原理的詳細說明而更顯清楚。


圖1A描繪一典型現(xiàn)有技術的半導體處理群集工具結構，說明與一真空輸送組件連接的一大氣壓輸送組件，其中一真空預備室接收晶片以傳送至真空輸送組件。
圖1B及1C顯示一局部系統(tǒng)圖，包括一大氣壓輸送組件(ATM)，以及一晶片盒。
圖2A顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一大氣壓輸送組件(ATM)，其可以座落于一無塵室地面上并與一真空預備室相連。
圖2B顯示本發(fā)明的另一實施例，其中該ATM包括一風扇以進一步協(xié)助該轉向氣流通過一轉向氣流槽并向外排出。
圖3A顯示本發(fā)明的一實施例的連接至一處理系統(tǒng)的ATM的俯視圖。
圖3B顯示本發(fā)明的另一實施例，其中該負載單元和該穿孔板片已被改進。
圖3C顯示本發(fā)明的另一實施例，其中該穿孔板片和該負載單元具有另一種改進構造。
優(yōu)選實施例的詳細說明本發(fā)明說明一大氣壓輸送組件，在處理期間在暫時貯存晶片盒的區(qū)域中可以產(chǎn)生一小型環(huán)境。小型環(huán)境最好是包括一通過且實質上平行于晶片的氣流，以使得實質上可以從晶片盆中晶片之間清除處理氣體及副產(chǎn)物。然而，對于本領域技術人員而言，在沒有一些或所有這些特定細節(jié)的條件下也可以實行本發(fā)明。換言之，為了不混淆本發(fā)明，在此將不詳細說明熟知的處理操作。
根據(jù)本發(fā)明的一實施例，圖2A顯示一座落于無塵室地面201上的大氣壓輸送組件(ATM)200。ATM 200包括一頂部200a，其具有一過濾器和一可變速度鼓風機。另選地，可變速度鼓風機可以是固定速度鼓風機，并且隔板205可以包括一嵌入式風門(damper)，用以調節(jié)氣流。作為ATM 200的部分還包括一負載單元202，用以支撐一個或多個放置晶片214的晶片盒212。在本例子中，晶片盒212為一開放晶片盒，可以支撐任何特定尺寸的多個晶片。舉例而言，晶片盒212可用以支撐200mm晶片、300mm晶片、以及小于200mm與大于300mm的晶片。一開放晶片盒212的制造公司為美國明尼蘇達州的Chaska的Fluoroware公司。
ATM 200被配置以支撐一具有手臂組208的機器人206，用以在晶片盒212與一相鄰的真空預備室(未顯示)之間操作和傳送晶片。晶片盒212最好是座落于一架子204上，并在負載單元區(qū)內(nèi)架子204與ATM 200的后壁之間形成一轉向氣流槽203。從架子204水平延伸出去且與架子204在大約相同高度處有一穿孔板片205，穿孔板片205把機器人206與手臂組208隔離。一般而言，配置穿孔板片205以在一個暫時貯存、處理、及傳送晶片的較干凈區(qū)域與機器人電機所處的下部區(qū)之間限定一分隔線。
在一優(yōu)選實施例中，穿孔板片205以上的ATM 200的內(nèi)壁(即ATM 200的清潔中心區(qū)域)為電拋光不銹鋼，不但可以防止內(nèi)壁的腐蝕，而且可以防止可能會損害晶片214上的敏感微器件的電荷聚集。穿孔板片205的材質也最好是電拋光不銹鋼，而穿孔板片205以下的內(nèi)壁則可以為粉末涂敷鋼。通常，因為晶片被維持在穿孔板片205之上的高度，所以穿孔板片及架子204以下電荷聚集的可能性不是問題。顯示的ATM 200還具有一可打開的門210(或多個門)，用以插入及移去ATM 200內(nèi)部的晶片盒212。在穿孔板片205下方有一個排氣口221，允許將排出的氣體222導入無塵室，以及導出ATM 200的殼體。如果有必要，可以為排氣口221裝配一風門，以防止過多的氣流沖出或沖進ATM 200。更進一步，也可以將排氣口設置在ATM 200的底部。
頂部200a中的過濾器可以是任何能夠產(chǎn)生良好效率的過濾器，例如可以過濾除去大于0.1微米以上的粒子的效率約為99.9995％。一過濾器的典型例子為一種具有硼硅酸鹽玻璃纖維的美國空氣過濾器，此可由美國肯塔基州路易維耳市的美國空氣過濾器國際公司(American Air Filter International)購取。同樣地，鼓風機可以是任何適合的可變速度鼓風機(或一固定速度鼓風機)，并可用于無塵室環(huán)境。一可變速度鼓風機的典型例子為鼠籠式鼓風機RH31M-4/104371，可從美國康內(nèi)迪克州華明頓市的EBM工業(yè)公司購取。因此，可變速度鼓風機將產(chǎn)生一通過過濾器的調節(jié)氣流220，并于開始時將其朝穿孔板片、手臂組208、以及晶片盒212的方向向下引導。
在一優(yōu)選實施例中，校準穿孔板片205的(任何希望形狀的)開口，使一特定的氣流量能夠穿過穿孔板片，并由此產(chǎn)生一轉向氣流220a。相信轉向氣流220a之所以會產(chǎn)生是因為穿孔板片205至少部分地限制了空氣(即非轉向氣流220b)穿過穿孔板片205并進入ATM 200下部區(qū)的流動。
如圖中線條所示，轉向氣流220a彎向負載單元202，并于晶片盒212內(nèi)部及其周圍產(chǎn)生一小型環(huán)境。因此，轉向氣流220a將至少部分地平行流動并通過晶片214，接著，向下通過轉向氣流槽203。通過轉向氣流通過晶片盒212的晶片214所產(chǎn)生的小型環(huán)境，將有助于在晶片214停留于負載單元202時，從其表面移除滯留的氣體及微粒。當然，部分的調節(jié)氣流220將穿過穿孔板片205成為非轉向氣流220b。穿過轉向氣流槽203的轉向氣流220a，以及穿過穿孔板片205的非轉向氣流220b兩者都將從ATM 200殼體下部區(qū)的排氣口221排出，并以排出的氣體222表示。
在一實施例中，如下表A所示，調節(jié)氣流220穿過穿孔板片205的平均速度約為40-120ft/min，而轉向氣流220a將以約10-80ft/min的平均速度和緩地通過晶片214。表A中所列的平均速度是負載單元202的門210關閉情況下的典型平均速度。負載單元202的至少一個門210打開的情況下氣流的典型平均速度如表B所列。
表A

表B

圖2B顯示本發(fā)明的另一實施例，其中ATM 200包括一風扇240以進一步協(xié)助轉向氣流220a穿過轉向氣流槽203，并從排氣口221排出。如圖所示，風扇240安裝在一與架子204接合的壁204a上。只要能協(xié)助轉向氣流220a通過槽203，可以以多種方式安裝風扇。這樣，通過風扇204的安裝而額外產(chǎn)生通過轉向氣流槽203的吸力，使得晶片214之間存在的處理氣體和副產(chǎn)物可以經(jīng)由轉向氣流槽203而被排出，成為風扇氣流220a’。如上述，當門打開時最好將風扇關閉，以避免吸進“骯臟”的無塵室空氣。
圖3A顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的與一處理系統(tǒng)相連接的ATM 200的俯視圖。ATM 200的架構幾何和機器人相對于真空預備室104的配置，在1999年6月29日提出專利申請的美國專利申請案號第09/342,669號，專利名稱為“設有晶片傳輸機器人的承窩的大氣壓晶片傳送組件及其實施方法”中有更詳盡說明。該申請作為參考文獻并入本發(fā)明。如圖所示，設計ATM 200與一對真空預備室104相通。真空預備室104經(jīng)由閘門閥105連接至一輸送室106。接著，輸送室106能夠連接至處理組件108。輸送室106安裝有一機器人手臂(未顯示)，用以從真空預備室104取回晶片，并將其插入選擇的處理組件108，在其中執(zhí)行處理操作。
圖示的ATM 200具有一對準器250，在晶片被插入真空預備室104之前，于其中可以調整晶片使其與手臂組208對準。顯示的負載單元202具有支撐晶片盒212的架子204。顯示的晶片盒212具有晶片214。晶片盒212后方與架子204同高度之處為轉向氣流槽203(已參考上述的圖2A及2B說明)。門210允許從負載單元202內(nèi)部插入或移除晶片盒212。此外。可以通過一外部無塵室機器人(未顯示)或人來插入和移除晶片盒。
在本實施例中，顯示的ATM 200具有一柵格狀的穿孔板片205。可以選擇穿孔板片205，以使更多或是較少的氣流通過晶片214和轉向氣流槽203。雖然圖示的ATM 200具有用以連接與之成角度的真空預備室104的幾何形狀，但應該理解很多形狀都能使氣流適當?shù)剞D向。氣流方向的改變主要是由于限制其通過穿孔板片205的結果，從而改變至少部分氣流的方向，使其流向架子204以及晶片盒212中的任何晶片。
圓3B顯示本發(fā)明的另一實施例，其中負載單元202和穿孔板片205’已經(jīng)過修改。如圖所示，穿孔板片205’的柵格密度更高，以減少或限制通過穿孔板片205’的氣流，并將更多量的氣流轉向晶片214，并向下通過轉向氣流槽。負載單元202也已經(jīng)過修改，使其包括隔離兩晶片盒212的環(huán)境隔板207。而且，每一個晶片盒212也被側壁213所包圍。
通過設置環(huán)境隔板207以及側壁213，當想要打開一特定的門210以移除或插入一特定的晶片盒212時，能夠更精確地控制各個晶片盒212的小型環(huán)境。即，當一個門210被打開以移除或插入一個晶片盒222時，打開的小型環(huán)境中的壓力變化將不會對鄰近單元內(nèi)的小型環(huán)境(其可能含有若干經(jīng)處理過的晶片)造成實質上的影響。環(huán)境隔板有助于阻隔單元之間的微粒移動和交互污染，這也是重要且須注意的。各個負載單元202最好也分別包括一第一轉向氣流槽203a，以及一第二轉向氣流槽203b。
圖3C顯示本發(fā)明的另一實施例，其中穿孔板片205”和負載單元202的構造已經(jīng)過修改。在本實施例中，限定穿孔板片205”為一具有多個鏜孔的板片，調整這些鏜孔可以使期望的氣流通過穿孔板片205”。在一典型的實施例中，穿孔板片205”中的鏜孔可以配置為使得板片為約20％-80％打開，優(yōu)選為約40％-70％打開，最優(yōu)選為約63％打開。為達成約63％打開的特性，一個實施例中鏜孔中心錯開3/16，而孔的直徑為5/32。一般而言，配置該打開百分比以達成期望的平均速度，如同表A及表B所述。如上述的實施例中，穿孔板片205”最好是由不銹鋼所制成，并已經(jīng)過電拋光以防腐蝕以及抑制靜電電荷。
在本例子中，已經(jīng)過修改的負載單元202具有晶片盒罩209，在架子204內(nèi)部放置晶片盒212，但晶片盒212朝穿孔板片205”方向外傾時，晶片盒罩209可以嚴密地圍住晶片盒212。以此方式，晶片盒罩209將使轉向氣流220a實質上流經(jīng)晶片212并從第一及第二轉向氣流槽203a及203b排出。晶片盒罩209最好以圍墻的形式包圍晶片盒212。晶片盒罩209的外部則是架子204’的剩余部分。晶片盒罩209的整個內(nèi)表面最好是由不銹鋼所制成，并已經(jīng)過電拋光以防腐蝕以及減少靜電電荷產(chǎn)生的可能性。
雖然為了清楚理解的目的，前述本發(fā)明已就其細節(jié)加以描述，但應該理解在以下的權利要求范圍內(nèi)可進行一些變更和修改。舉例而言，雖然已說明過ATM具有一特定的幾何形狀(關于真空預備室和一內(nèi)部機器人)，但是應理解穿孔板片的區(qū)域可以具有任何幾何形狀，例如矩形、正方形等等。此外，環(huán)繞各個晶片盒的結構可以呈現(xiàn)多種形狀。然而，特別重要的是，向下朝穿孔板片方向流動的氣流被部分地轉向朝晶片盒的方向流動，因此在晶片及其周圍產(chǎn)生一小型環(huán)境，此小型環(huán)境連續(xù)地在晶片表面的上方提供一和緩的氣流。因此，這些實施例應被認為是例示性而非限定性的，本發(fā)明不受此等細節(jié)所限制，而可在以下的權利要求范圍或等同物內(nèi)加以修改。
權利要求
1.一種大氣壓輸送組件，包括一外殼，該外殼具有一頂部，具有一鼓風機，用以產(chǎn)生一向下并遠離該頂部的調節(jié)氣流；一負載單元區(qū)，與該鼓風機橫向偏開，該負載單元包括一架子，用以支撐一晶片盒，該架子與該負載單元的一個壁分離以形成一轉向氣流槽；及一穿孔板片，限定于該鼓風機的下方，該穿孔板片用以限制通過該穿孔板片的氣流，并用以誘發(fā)一轉向氣流通過該晶片盒。
2.根據(jù)權利要求1所述的大氣壓輸送組件，其中該大氣壓輸送組件用以連接一個或多個真空預備室。
3.根據(jù)權利要求2所述的大氣壓輸送組件，還包括一機器人，具有一手臂組，用以在該晶片盒與該一個或多個真空預備室之間傳送晶片。
4.根據(jù)權利要求1所述的大氣壓輸送組件，其中該穿孔板片被選擇以限制一氣流流量，并根據(jù)通過該穿孔板片限制的氣流流量以及來自該鼓風機的調節(jié)氣流的速度，調整該誘發(fā)的轉向氣流。
5.根據(jù)權利要求4所述的大氣壓輸送組件，其中通過該晶片盒的轉向氣流至少部分地平行于該晶片盒中所包括的一個或多個晶片。
6.根據(jù)權利要求5所述的大氣壓輸送組件，其中將流經(jīng)該晶片盒的轉向氣流經(jīng)由該轉向氣流槽引導至該架子和該穿孔板片下方的區(qū)域。
7.根據(jù)權利要求6所述的大氣壓輸送組件，其中來自該鼓風機且由該穿孔板片限制的氣流至少部分地作為非轉向氣流流過該穿孔板片，并進入該架子和該穿孔板片下方的區(qū)域。
8.根據(jù)權利要求7所述的大氣壓輸送組件，其中引導進該架子和該穿孔板片下方區(qū)域的該轉向氣流和該非轉向氣流經(jīng)由一排氣口被排出至該大氣壓輸送組件外。
9.根據(jù)權利要求1所述的大氣壓輸送組件，其中該負載單元具有至少一個門，用以插入或移除該晶片盒。
10.根據(jù)權利要求1所述的大氣壓輸送組件，還包括一風扇，位于該架子的下方，該風扇經(jīng)由該轉向氣流槽將該轉向氣流抽入該架子和該穿孔板片下方形成的一區(qū)域；一連鎖機構，將該風扇耦合到該負載單元的一個門，使得在該負載單元的該門打開時關閉該風扇。
11.根據(jù)權利要求10所述的大氣壓輸送組件，其中在該架子和該穿孔板片下方形成有一排氣口，用以從該外殼內(nèi)除去氣流。
12.根據(jù)權利要求1所述的大氣壓輸送組件，其中該外殼還包括一過濾器，與該鼓風機結合在一起。
13.根據(jù)權利要求1所述的大氣壓輸送組件，其中該晶片盒為一開放的晶片盒。
14.根據(jù)權利要求1所述的大氣壓輸送組件，其中該穿孔板片上方所形成的外殼內(nèi)部以及該穿孔板片由電拋光不銹鋼所制成。
15.根據(jù)權利要求1所述的大氣壓輸送組件，其中該負載單元的架子用以支撐一個或多個晶片盒。
16.根據(jù)權利要求15所述的大氣壓輸送組件，其中該一個或多個晶片盒分別被分隔壁所包圍。
17.根據(jù)權利要求7所述的大氣壓輸送組件，其中該轉向氣流具有的平均速度范圍在約10英尺/分鐘到80英尺/分鐘之間；而該非轉向氣流的平均速度范圍則在約40英尺/分鐘到120英尺/分鐘之間。
18.一種大氣壓輸送組件，包括一封閉式外殼，具有一頂部區(qū)、一中央?yún)^(qū)、一底部區(qū)、以及一負載單元區(qū)；一鼓風機，位于該封閉式外殼的頂部區(qū)，用以產(chǎn)生一氣流并向下流進該中央?yún)^(qū)；一架子，在該封閉式外殼的中央?yún)^(qū)與底部區(qū)之間形成一分隔線，該架子至少部分地與該負載單元區(qū)的一個壁相間隔開，從而形成一個槽；以及一穿孔板片，從該架子延伸，并進一步在該中央?yún)^(qū)與該底部區(qū)之間形成該分隔線；限制該鼓風機所產(chǎn)生的氣流自由地穿過該穿孔板片，并且使該氣流部分地轉向到朝該負載單元的架子方向流動，經(jīng)由該槽而進入該封閉式外殼的底部區(qū)。
19.根據(jù)權利要求18所述的大氣壓輸送組件，其中具有一個或多個晶片的一晶片盒置于該負載單元的架子上。
20.根據(jù)權利要求19所述的大氣壓輸送組件，其中被部分地轉向到該架子的該氣流實質上平行于該晶片盒中的該一個或多個晶片而流過。
21.根據(jù)權利要求20所述的大氣壓輸送組件，其中被轉向到該架子的該氣流部分地協(xié)助從該晶片盆中的該一個或多個晶片表面移除處理氣體。
22.根據(jù)權利要求20所述的大氣壓輸送組件，其中被轉向到該架子的該氣流部分地協(xié)助移除該晶片盒中的該一個或多個晶片表面上或飄浮于其上方的微粒。
23.根據(jù)權利要求19所述的大氣壓輸送組件，其中在該負載單元內(nèi)部并環(huán)繞該架子周圍形成有圍墻以單獨容納晶片盒，且在該圍墻的后壁形成該槽。
24.根據(jù)權利要求18所述的大氣壓輸送組件，其中被部分地轉向到該架子的氣流為一轉向氣流，而通過該穿孔板片的氣流為非轉向氣流。
25.根據(jù)權利要求24所述的大氣壓輸送組件，其中該轉向氣流具有的平均速度范圍在約10英尺/分鐘到80英尺/分鐘之間；而該非轉向氣流的平均速度范圍則在約40英尺/分鐘到120英尺/分鐘之間。
26.一種大氣壓輸送組件的制造方法，包括形成具有一頂部區(qū)、一中央?yún)^(qū)、一底部區(qū)、以及一負載單元區(qū)的一封閉式外殼；在該封閉式外殼的頂部區(qū)安裝一鼓風機，用以產(chǎn)生一向下進入該中央?yún)^(qū)的氣流；安裝一架子，用于在該封閉式外殼的中央?yún)^(qū)與底部區(qū)之間限定一水平分隔線，該架子至少部分地與該負載單元區(qū)的一個壁相隔開，從而形成一個槽以及從該架子水平延伸地安裝一穿孔板片，該穿孔板片進一步在該中央?yún)^(qū)與該底部區(qū)之間限定該分隔線；由該鼓風機所產(chǎn)生的氣流受到限制無法自由地流經(jīng)該穿孔板片，并且部分地使該氣流與該穿孔板片偏移開而朝該負載單元的架子方向流動，經(jīng)由該槽進入該封閉式外殼的底部區(qū)。
27.根據(jù)權利要求26所述的大氣壓輸送組件的制造方法，其中具有一個或多個晶片的一晶片盒置于該負載單元的架子上。
28.根據(jù)權利要求27所述的大氣壓輸送組件的制造方法，其中被部分地轉向到該架子的該氣流實質上平行于該晶片盒中的該一個或多個晶片而流過。
29.根據(jù)權利要求28所述的大氣壓輸送組件的制造方法，其中被轉向到該架子的該氣流部分地協(xié)助移除飄浮于該晶片盒中的該一個或多個晶片表面上方的處理氣體。
30.根據(jù)權利要求28所述的大氣壓輸送組件的制造方法，其中被轉向到該架子的氣流部分地協(xié)助移除該晶片盒中的該一個或多個晶片表面的微粒。
31.根據(jù)權利要求26所述的大氣壓輸送組件的制造方法，其中該穿孔板片具有一柵格狀排列，且該穿孔板片為電拋光不鑄鋼。
32.根據(jù)權利要求26所述的大氣壓輸送組件的制造方法，其中該穿孔板片具有多個鏜孔，且該穿孔板片為電拋光不銹鋼。
全文摘要
提供一種大氣壓輸送組件。該組件包括:一封閉式外殼,具有一頂部區(qū)、一中央?yún)^(qū)、一底部區(qū)、以及一負載單元區(qū)。一鼓風機位于該封閉式外殼的頂部區(qū),用以產(chǎn)生一氣流并向下流進該中央?yún)^(qū)。負載單元區(qū)中的一個架子限定該封閉式外殼的中f央?yún)^(qū)與底部區(qū)之間的一分隔線。該架子至少部分地與該負載單元區(qū)的一個壁相間隔,以在架子后面形成一個槽。一穿孔板片從該架子水平延伸,并進一步限定該中央?yún)^(qū)與該底部區(qū)之間的該分隔線。在此例中,限制該鼓風機所產(chǎn)生的氣流不能自由地流經(jīng)該穿孔板片,并且部分地使該氣流轉向到該負載單元的架子方向流動,經(jīng)由該槽而進入該封閉式外殼的底部區(qū)。一具有一個或多個晶片的晶片盒座落于該負載單元內(nèi)的架子上以接受該轉向氣流。因此,在晶片暫時置放于該大氣壓輸送組件中時,轉向氣流將和緩地流過該晶片表面的上方,并協(xié)助除去該晶片表面上方之后處理氣體及微粒。
文檔編號H01L21/02GK1377510SQ00813643
公開日2002年10月30日 申請日期2000年9月28日 優(yōu)先權日1999年9月30日
發(fā)明者法羅·F·凱維, 戴維·E·雅各布, 蒂恩·杰伊·拉森, 馬汀·R·馬拉欽 申請人:拉姆研究公司