專利名稱：用于離子注入器的高傳輸,低能量離子束管線結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明的領域本發(fā)明涉及工件離子注入的方法和裝置，更具體地，本發(fā)明涉及可以使用低能量離子的半導體晶片離子注入的離子束管線結構。
離子注入系統(tǒng)通常包括用來將氣體或固體物質轉換成界限分明的離子束的離子源。對離子束進行質譜分析以除去不需要的離子種類，然后將離子束加速到所需能量并指在目標平面上。通過離子束掃描，目標移動或通過離子束掃描和目標移動的結合，使離子束在目標區(qū)域分布。先有技術離子注入器的實例在1981年6月30日授予Enge的美國專利No.4,276,477；1981年8月11日授予Turner的美國專利No.4,283,631；1990年2月6日授予Freytsis等人的美國專利No.4,899,059；1990年5月1日授予Berrian等人的美國專利No.4,922,106中公開。
半導體工業(yè)中的一個眾所周知的趨勢是向更小，更快速的設備發(fā)展。具體地，半導體設備的特征橫向尺寸和深度下降。半導體設備技術的規(guī)定要求結深度少于1000埃，可能最終要求結深度在200埃數(shù)量級或更少。
通過注入到半導體晶片中的離子的能量可確定，至少部分確定摻合物物料的注入深度。使用低注入能量獲得淺結。離子注入器通常設計在相當高的注入能量下操作，如在50KeV到400KeV下，在淺結注入所需的能量下不能有效操作。在低注入能量下，如2KeV及更低能量下，輸送到晶體上的離子流強度比所需的要低很多，在一些情況中可能接近于零。這樣，需要長注入時間以獲得指定劑量，生產(chǎn)量受到不利影響。生產(chǎn)量的下降增加了制作成本，對半導體設備的制造商來說是不可以接受的。
產(chǎn)生高強度帶狀離子束的離子注入器構件在1994年9月27日授予White等人的美國專利No.5,350,926中公開。離子源產(chǎn)生在水平平面分散的離子束。分析磁鐵將離子束中所需的離子種類偏轉到分辨孔口并將離子束中所需的離子種類聚集在分辨孔口中。第二磁鐵將通過分辨孔口的離子束偏轉以產(chǎn)生平行離子軌跡。在多種條件下，所公開離子注入器都具有令人滿意的表現(xiàn)。但是，在低能量下，空間電荷影響使得離子束擴張，特別在離子束聚集的高電流密度區(qū)域中，在低能量下的表現(xiàn)可能不令人滿意。具有類似缺陷的另一種離子束管線結構在1992年6月30日授予White的美國專利No.5,126,575中公開。
因此，需要一種改進的離子注入器的離子束管線結構，這種結構能夠在低能量下輸送高強度離子束流。
本發(fā)明的概述根據(jù)本發(fā)明的第一個方面，提供了一種離子束裝置。離子束裝置包括離子源，第一磁鐵組件，界定分辨孔的結構，和第二磁鐵組件。離子源狹長的排出孔，用來產(chǎn)生帶狀離子束。第一磁鐵組件提供第一磁場，用來偏轉垂直于帶狀離子束橫截面的長邊的離子束，在第一磁場中將帶狀離子束中的不同種類的離子分離。分辨孔從分離的離子束中選取離子種類。第二磁鐵組件提供第二磁場，用來偏轉在平行于帶狀離子橫截面的長邊的離子束中所選取離子種類的離子，以產(chǎn)生在帶狀離子束中選取離子種類的所需離子軌跡。優(yōu)選地，所需離子軌跡基本上是平行的。在通過大部分離子束管線時帶狀離子束的寬度是增加的。因此，低能量性能被加強。
第一磁鐵組件優(yōu)選地包括分辨磁鐵，分辨磁鐵具有由帶狀離子束通過的第一間隙分隔開的第一磁極片。第二磁鐵組件優(yōu)選地包括角度校正器磁鐵，角度校正器磁鐵具有由在帶狀離子束中選取的離子種類的離子通過的第二間隙分隔開的第二磁極片。在優(yōu)選實施方案中，由第一磁鐵組件產(chǎn)生的第一磁場基本上是水平的，由第二磁鐵組件產(chǎn)生的第二磁場基本上是垂直的。第一磁鐵組件優(yōu)選地將在帶狀離子束中選取的離子種類的離子偏轉約20度到90度角，更優(yōu)選地偏轉約60度角。第二磁鐵組件優(yōu)選地將在帶狀離子束中選取的離子種類的離子偏轉約20度到90度角，更優(yōu)選地偏轉約70度角。
在一個實施方案中，界定分辨孔的結構包括位于第一和第二磁鐵組件之間的掩板。在另一個實施方案中，界定分辨孔的結構包括第二磁鐵組件的第二磁極片，進入第二間隙的入口組成分辨孔。
依據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種產(chǎn)生離子束的方法。方法包括下列步驟，在具有狹長排出孔的離子源中產(chǎn)生帶狀離子束，將與離子束橫截面的長邊垂直的帶狀離子束偏轉，在其中將帶狀離子束中的不同離子種類分離，從分離的帶狀離子束中選取離子種類，偏轉與帶狀離子束的長邊平行的帶狀離子束中選取的離子種類的離子，以產(chǎn)生帶狀離子束中選取的離子種類的所需離子軌跡。
本發(fā)明示圖概述為了更好地理解本發(fā)明，參考所附示圖，這些示圖參考收入本篇，其中

圖1和2分別是本發(fā)明離子束裝置的一個實施方案的俯視圖和側視圖。
圖3表示圖1和2中離子束裝置中的帶狀離子束。
圖4為帶狀離子束的寬度和高度與距離子源距離的關系圖。
圖5是圖1和2中所示分辨磁鐵的剖視圖。
圖6是分辨磁鐵沿圖5的6-6線的剖視圖。
圖7表示圖5和圖6所示分辨磁鐵產(chǎn)生的磁場。
圖8表示圖1和2所示離子源的實施方案的方框圖。
本發(fā)明的詳細描述適于具體表現(xiàn)本發(fā)明的離子束裝置的實施例的簡單方框圖在圖1和圖2中顯示。圖1是俯視圖，圖2是側事圖。在示圖中相同的部件具有相同的編號。圖1和圖2所示的離子束裝置包含離子束管線結構，離子束管線結構可以用來實現(xiàn)離子注入器。
離子源10產(chǎn)生離子并提供離子束12。如下面所描述的，離子束12具有狹長的橫截面，是帶狀的，離子束的橫截面的長邊是水平方向的。在圖1和圖2的實施方案中，定向離子源10以使離子束12通過狹長的排出孔以相對于水平線約60度從離子源10射出。質譜儀20，其包括分辨磁鐵22和具有分辨孔26的掩板24，從離子源10產(chǎn)生的顆粒中選取所需的離子種類。所需離子種類的離子穿過分辨孔26到角度校正器磁鐵40。角度校正器40偏轉所需離子種類的離子并將離子束從分散離子束轉換為具有基本上平行的離子軌跡的帶狀離子束42。
末端位置50在帶狀離子束42的路徑中支持一個或多個半導體晶片，如晶片52，這樣所需離子種類的離子就注入到半導體晶片中。掃描器60將晶片移動垂直于帶狀離子束42橫截面的長邊，這樣使離子在晶片52表面分布。
離子注入器也可包括此領域中的技術人員已知的其他部件。例如，末端位置50通常包括自動晶片處理裝置，用來將晶片引入到離子注入器中并在注入后將晶片移出。末端位置50還可以包括劑量測定系統(tǒng)，電子噴射槍和其他已知的部件?？梢岳斫猓陔x子注入過程中離子束橫過的全部路徑都可以是真空的。
分辨磁鐵22可以是雙極磁鐵，在磁極片22a和22b之間的間隙72中產(chǎn)生磁場70。在圖1和圖2的實施方案中，磁場70是水平的。更具體地，磁場70水平于帶狀離子束12橫截面的長邊并垂直于離子束運動方向。如在此領域中眾所周知的，離子束中的離子被磁場偏轉到垂直于離子束運動的方向及垂直于磁場的方向。因此，離子束12中的離子被水平磁場70偏轉到垂直平面，垂直于帶狀離子束橫截面的長邊。
在雙極磁場中，電子的路徑與其離子質量以及其能量電子伏特有關。因此，具有相同電荷的但不同質量的離子被分辨磁鐵22以不同角度偏轉。所需質量和能量的離子被分辨磁鐵22偏轉通過分辨孔26。在圖1和圖2的實施方案中，分辨磁鐵22將所需質量和能量的離子以60度角度偏轉，這樣當離子束12通過分辨孔26時基本上是水平的。不是所需離子種類的離子，如圖2中所示的離子束12a和12b被偏轉不同角度，被掩板24或離子束管線中的其他結構截住。這樣，分辨磁鐵22依據(jù)離子束中離子的質量將離子束12分離。
優(yōu)選地，分辨磁鐵22的分辨能力為30到60，但不限于這個范圍。分辨能力是分析磁鐵分離不同質量的或者更準確的說要素的離子束的能力的一種測定值。分辨能力通常定義為，對于質量分辨，M/DM，對于要素分辨能力，p/Dp。這些是指如由圖表記錄儀產(chǎn)生的光譜的測定值，用來測定傳輸離子束(縱坐標)隨所分析的質量(橫坐標)之間的變量。DM是光譜峰值的全寬半最大寬度，M是平均質量。類似的限定適用于要素分辨。此外，分辨磁鐵22在實際接近離子源10的排出孔的位置定位。間隙72要具有充分寬度以使帶狀離子束12通過。在一個實施例中，間隙72為100毫米(mm)。分辨磁鐵22可以設計用來以約20度到90度角度偏轉所需種類的離子。
分辨磁鐵22垂直聚集離子束12，這樣離子束在角度校正器磁鐵40中或接近角度校正器磁鐵40時具有最小高度。然而，離子束12不以水平方向聚集，并通過分辨磁鐵22及至少部分角度校正器磁鐵40繼續(xù)擴展。這樣，電流密度不會明顯增加，由于在使用傳統(tǒng)質譜儀時，其在分辨孔聚集離子束。由于電流密度在通過離子束管線下降，空間電荷對低能量的影響受限制，這樣就避免了不受控制的離子束擴展。
角度校正器磁鐵40可以是雙極磁鐵，其中磁場80在磁極片40a和40b之間的間隙82中產(chǎn)生。在圖1和圖2的實施方案中，在間隙82中的磁場是垂直的。由于通過間隙82的離子束運動方向是水平的，離子束12被偏轉到垂直于磁場80并垂直于離子束運動方向的水平平面上，如圖1中所示。因此，離子束被偏轉平行于帶狀離子束橫截面的長邊。角度校正器磁鐵40的磁極片40a和40b設計用來產(chǎn)生在整個帶狀離子束寬度中不同的偏轉，這樣由角度校正器磁鐵40輸出的帶狀離子束42中的離子具有所需的軌跡，軌跡優(yōu)選地是基本上平行的。優(yōu)選地，帶狀離子束42中的所有離子以基本上相同的角度入射到晶片52的表面上。在圖1和圖2的實施例中，角度校正器磁鐵40在帶狀離子束12中產(chǎn)生約70度的水平彎曲。更普遍地，角度校正器磁鐵40可以設計用來將離子束12彎曲從約20度到90度的角度。
對角度校正器磁鐵40的設計取決于輸入離子束的性質和輸出離子束的所需軌跡。對角度校正器磁鐵40的設計對此領域中的技術人員是眾所周知的。例如，70度角度的角度校正器磁鐵可使用在SHC80離子注入器中，由Varian Associates In.制造并銷售。
如上面所描述的，帶有分辨孔26的掩板，可用來從離子源10產(chǎn)生的離子束選取所需的離子種類，并通過分辨磁鐵22分離。在另一個構建中，沒有使用掩板24。相反，在角度校正器磁鐵40的間隙80的輸出孔90用作為分辨孔。不需要的離子種類通過磁極片40a和40b，或離子束管線中的其他結構來截住。
當帶狀離子束12通過上述離子束管線結構時的三維演示在圖3中示出。帶狀離子束從離子源10以相對于水平線60度的角度排出，表示為110。帶狀離子束具有狹長的橫截面，橫截面的長邊是水平的。分辨磁鐵22產(chǎn)生水平磁場，用來在垂直平面偏轉帶狀離子束優(yōu)選地60度角度，表示為112。從分辨磁鐵22排出的帶狀離子束基本上是水平的，表示為114。然后，將離子束穿過角度校正器磁鐵40，離子束在水平平面彎曲，優(yōu)選地彎曲約70度，表示為116。從角度校正器磁鐵40輸出的帶狀離子束42具有基本上平行的離子軌跡。
帶狀離子束的寬度可以從離子源10的排出孔的約50毫米到離子束射在晶片52上的大于300毫米增加。帶狀離子束的橫截面120的特點是寬度W，或長邊，和高度H。在上述實施方案中，寬度W可以在離子束入射在晶片時大于300毫米?？梢岳斫猓诒景l(fā)明的范圍內帶狀離子束可以具有不同的橫截面大小。并且，由分辨磁鐵22產(chǎn)生的所需離子種類的垂直彎曲和由角度校正器磁鐵40產(chǎn)生的水平彎曲也可以在本發(fā)明的范圍內變化。盡管已就產(chǎn)生水平磁場的分辨磁鐵22和產(chǎn)生垂直磁場的角度校正器磁鐵44對離子束管線結構進行了描述，但可以理解，上面所描述的離子束管線結構也可以具有任何需要的方向，其中分辨磁鐵在第一平面彎曲離子束，角度校正器磁鐵在第二平面彎曲離子束，第二平面于第一平面直交。
帶狀離子束寬度和帶狀離子束高度與距離子源10的距離的關系圖在圖4中示出，作為本發(fā)明的另一個實施例。曲線150表示水平方向上一半帶狀離子束寬度與距離子源10的距離的關系。曲線154表示一半離子束高度與距離子源10的距離的關系。圖的160區(qū)域對應分辨磁鐵22的間隙72，圖的162區(qū)域對應角度校正器磁鐵40的間隙82?？梢杂^察到，從離子源10到角度校正器磁鐵40的輸出前點，離子束的寬度是增加的，如曲線150所示。在角度校正器磁鐵40輸出和晶片52之間，離子束寬度保持不變，如曲線150的區(qū)段150a所示。在貫穿離子束管線帶狀離子束高度上或多或少保持一致，如曲線154所示，最小高度出現(xiàn)在角度校正器磁鐵40的輸出附近。
分辨磁鐵22的實施方案的剖視圖在圖5中顯示。分辨磁鐵沿圖5的6-6線的剖視圖在圖6中顯示。在分辨磁鐵22中，磁極片22a和22b由帶狀離子束12通過的間隙72隔開。分析磁鐵22進一步包括線圈200和202，返回偏轉線圈(return yoke)包括磁性組件210，212，214和216。通過線圈200和202的電流在磁極片22a和22b和間隙72中產(chǎn)生磁場。磁性組件210，212，214和216與磁極片22a和22b相互連接，并為在間隙72中產(chǎn)生的磁場提供返回路徑(return path)。
在一種設計中，分辨磁鐵22具有彎曲半徑400毫米，彎曲角度60度，磁極間隙G100毫米，以及磁極寬度150毫米。由分辨磁鐵22產(chǎn)生的最大磁場為0.885特斯拉(Tesla)。線圈200和202每個310匝，總線圈電阻0.214歐姆。磁鐵可以在26.8伏特線圈電壓和125安培最大電流下操作。
對由這種設計產(chǎn)生的磁場的計算機分析在圖7中顯示。由于磁場對于顯示在圖7中的A-A線和B-B是對稱的，所以圖中顯示了四分之一的分析磁鐵。已確定，在磁極片22a上的投影230在帶狀離子束通過的間隙72區(qū)域中產(chǎn)生了更均勻磁場?？梢岳斫庹J為，在磁極片22a的相反邊緣上可以形成對稱的投影，在磁極片22b上可以形成類似的投影。上面的實例提供了在帶狀離子束占據(jù)的區(qū)域中優(yōu)于1％的磁場均一性?？梢岳斫庹J為，在本發(fā)明的范圍內可以使用多種不同的分辨磁鐵構建。
適用的離子源10和相關的組件在圖8中顯示。多種離子源可以使用，包括Freeman.Bernas，或微波離子源。Freeman離子源在圖8中演示。離子束12是帶狀的，并當其排出離子源10的彎曲細長孔時，初始寬度在50到75毫米之間，高度在2-5毫米之間。
離子源10通過狹長-細長形狀的孔提供了離子的空間均勻分布。離子源10包括在離子源室內的電源325，用來使電流通過熱燈絲。磁鐵310通過磁鐵電源324提供能量，以限制發(fā)出電子，這樣在離子源室中的氣體分子可以有效并均勻地被電離。排布的三個細長柵格311，312和313界定，排出并加速從離子源來的離子。氣體源(未示出)給離子源室提供所需種類的氣體。
排出柵格311可以向外凸起弓形彎曲，這樣離子束中的離子初始沿著從位于排出柵格后約150毫米的彎曲中心脫離的并以大于±5度的角度脫離的軌跡垂直于表面加速。柵格312的后表面與柵格311的輪廓平行，這樣排出的電子垂直于柵格311的表面輪廓加速。柵格313，其通過高電壓排出源320提供能量，是一個與柵格312的前表面平行的平板。抑制電源322在柵格312和313之間連接，以保持柵格312與離子源之間的高電勢差，這樣離子束的能量在從柵格312到柵格312穿過時降低，離子束稍微被校準。有關離子源10的其他詳細信息在美國專利No.5,350,926中描述，其參考收入本篇。
因此，分辨磁鐵22產(chǎn)生平行于帶狀離子束橫截面的長邊的并偏轉垂直于帶狀離子束橫截面的長邊的帶狀離子束磁場70。角度校正器磁鐵40產(chǎn)生垂直于帶狀離子束的長邊的并偏轉平行于帶狀離子束的長邊的帶狀離子束的磁場。并且，由分辨磁鐵和角度校正器磁鐵產(chǎn)生的磁場彼此是直交的。帶狀離子束的寬度通過大部分離子束管線。因此，由空間電荷影響引起的離子束擴展受到抑制，低能量特性被加強。
雖然已經(jīng)描述并顯示了目前認為是本發(fā)明的優(yōu)選實施方案的內容，但對此領域中的技術人員顯而易見的是在不背離所附權利要求書限定的本發(fā)明的范圍的情況下可以作不同的改變和修正。
權利要求
1.一種離子束裝置，包括離子源，具有狹長的排出孔，用來產(chǎn)生帶狀離子束，所述的帶狀離子束具有長邊的橫截面；第一磁鐵組件，提供第一磁場，用來偏轉與所述帶狀離子束橫截面的長邊垂直的帶狀離子束，其中在所述帶狀離子束中的不同的離子被分離；界定分辨孔的結構，用來從分離的帶狀離子束中選取離子種類；以及第二磁鐵組件，提供第二磁場，用來偏轉帶狀離子束中平行于帶狀離子束橫截面的長邊的選取離子種類的離子，以產(chǎn)生所述帶狀離子束中選取的離子種類的所需離子軌跡。
2.根據(jù)權利要求1所述的離子束裝置，其中所述第一磁鐵組件包括分辨磁鐵，提供所述的第一磁場，用來將所述帶狀離子束中選取離子種類的離子偏轉約60度角度。
3.根據(jù)權利要求1所述的離子束裝置，其中所述第二磁鐵組件包括角度校正器磁鐵，提供所述的第二磁場，用來將所述帶狀離子束中選取離子種類的離子偏轉約70度角度。
4.根據(jù)權利要求1所述的離子束裝置，其中由所述第二磁鐵組件產(chǎn)生的所需離子軌跡是基本上平行的。
5.根據(jù)權利要求1所述的離子束裝置，其中所述的第一磁鐵組件包括被所述帶狀離子束通過的第一間隙隔開的第一磁極片。
6.根據(jù)權利要求5所述的離子束裝置，其中所述第二磁鐵組件包括被所述帶狀離子束中選取的離子種類通過的第二間隙隔開的第二磁極片。
7.根據(jù)權利要求1所述的離子束裝置，其中所述第一磁場是基本上水平的，所述第二磁場是基本上垂直的。
8.根據(jù)權利要求1所述的離子束裝置，其中界定分辨孔的結構包括位于所述第一磁鐵組件和第二磁鐵組件之間的掩板。
9.根據(jù)權利要求6所述的離子束裝置，其中界定分辨孔的結構包括所述第二磁鐵組件的第二磁極片，所述第二間隙的入口組成所述分辨孔。
10.根據(jù)權利要求1所述的離子束裝置，其中所述第一磁鐵組件將在帶狀離子束中選取的離子種類的離子偏轉約20度到90度角。
11.根據(jù)權利要求1所述的離子束裝置，其中所述的第二磁鐵組件將在帶狀離子束中選取的離子種類的離子偏轉約20度到90度角。
12.一種產(chǎn)生離子束的方法，包括步驟(a)在具有狹長排出孔的離子源中產(chǎn)生帶狀離子束，所述的帶狀離子束具有長邊的橫截面；(b)偏轉垂直于所述帶狀離子束橫截面的長邊的所述帶狀離束，其中將所述帶狀離子束中的不同離子種類分離；(c)從分離的帶狀離子束中選取離子種類；以及(d)偏轉所述帶狀離子束中平行所述帶狀離子束橫截面的長邊的選取離子種類的離子，以在所述帶狀離子束中產(chǎn)生選取離子種類的所需離子軌跡。
13.根據(jù)權利要求12所述的產(chǎn)生離子束的方法，其中步驟(b)包括將在帶狀離子束中選取的離子種類的離子偏轉約20度到90度角，其中(d)步驟包括將在帶狀離子束中選取的離子種類的離子偏轉約20度到90度角。
14.根據(jù)權利要求12所述的產(chǎn)生離子束的方法，其中步驟(b)包括將在帶狀離子束中選取的離子種類的離子偏轉約60角，其中(d)步驟包括將在帶狀離子束中選取的離子種類的離子偏轉約70度角。
15.根據(jù)權利要求12所述的產(chǎn)生離子束的方法，其中(d)步驟包括將選取的離子種類的離子偏轉以產(chǎn)生基本上平行的離子軌跡。
16.根據(jù)權利要求12所述的產(chǎn)生離子束的方法，其中(b)步驟包括使用基本上水平的第一磁場偏轉所述帶狀離子束，其中(d)步驟包括使用基本上垂直的第二磁場偏轉在所述帶狀離子束中選取的離子種類的離子。
17.一種離子束裝置，包括離子源，具有狹長的排出孔，用來產(chǎn)生帶狀離子束；分辨磁鐵組件，提供基本上水平的磁場，用來偏轉帶狀離子束，以使在所述帶狀離子束中的不同的離子被分離；界定分辨孔的結構，用來從分離的帶狀離子束中選取離子種類；以及角度校正器磁鐵組件，提供基本上垂直的磁場，用來偏轉帶狀離子束中選取離子種類的離子，以產(chǎn)生所述帶狀離子束中選取的離子種類的所需離子軌跡。
18.根據(jù)權利要求17所述的離子束裝置，其中所述分辨磁鐵組件將所述帶狀離子束中選取離子種類的離子偏轉約60度角度，其中所述角度校正器磁鐵組件將所述帶狀離子束中選取離子種類的離子偏轉約70度角度。
19.一種離子束裝置，包括離子源，具有狹長的排出孔，用來產(chǎn)生帶狀離子束，所述的帶狀離子束具有長邊的橫截面；第一磁鐵組件，提供平行于所述帶狀離子束長邊的第一磁場，用來偏轉所述的帶狀離子束，其中在所述帶狀離子束中的不同的離子被分離；界定分辨孔的結構，用來從分離的帶狀離子束中選取離子種類；以及第二磁鐵組件，提供垂直于所述帶狀離子束的長邊的第二磁場，用來偏轉帶狀離子束中選取離子種類的離子，以產(chǎn)生所述帶狀離子束中選取的離子種類的所需離子軌跡。
全文摘要
離子束裝置包括離子源,第一磁鐵組件,界定分辨孔的結構,和第二磁鐵組件。離子源狹長的排出孔,用來產(chǎn)生帶狀離子束。第一磁鐵組件提供第一磁場,用來偏轉垂直于帶狀離子束橫截面的長邊的離子束,在第一磁場中將帶狀離子束中的不同種類的離子分離。分辨孔從分離的離子束中選取離子種類。第二磁鐵組件提供第二磁場,用來偏轉在平行于帶狀離子橫截面的長邊的離子束中所選取離子種類的離子,以產(chǎn)生在帶狀離子束中選取離子種類的所需離子軌跡。優(yōu)選地,所需離子軌跡基本上是平行的。在通過大部分離子束管線時帶狀離子束的寬度是增加的。因此,低能量性能被加強。
文檔編號H01L21/02GK1377509SQ00813878
公開日2002年10月30日 申請日期2000年9月18日 優(yōu)先權日1999年10月5日
發(fā)明者安東尼·麗奧 申請人:瓦里安半導體設備聯(lián)合公司