專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，特別是涉及在半導(dǎo)體器件中含有的存儲(chǔ)器陣列部分和讀出放大器部分的構(gòu)成。
背景技術(shù)：
在本說明書中要參照的文獻(xiàn)清單如下，用文獻(xiàn)序號進(jìn)行文獻(xiàn)的參照。[文獻(xiàn)1]特開平5-41081號公報(bào)；[文獻(xiàn)2]超微細(xì)加工技術(shù)pp.7-41；應(yīng)用物理學(xué)會(huì)編/德山巍著、オ-ム社、1997年2月25日第1版發(fā)行；[文獻(xiàn)3]特開平9-135004號公報(bào)。
報(bào)道了在分割后的多個(gè)存儲(chǔ)器底板中，采用開放式數(shù)據(jù)線配置的情況下的讀出放大器和數(shù)據(jù)線的配置。特別是其圖3，畫出了對于相鄰的2條數(shù)據(jù)線配置1個(gè)讀出放大器，1條與右側(cè)的讀出放大器塊的讀出放大器連接，剩下的1條連接到左側(cè)的讀出放大器塊的讀出放大器上的所謂交互配置式的存儲(chǔ)器陣列中的掩模圖形的例子。
講述了作為用來在半導(dǎo)體晶片上邊形成微細(xì)圖形的光刻技術(shù)之一的相移法。[文獻(xiàn)3]講述在所謂的1個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)單元方式的存儲(chǔ)器陣列中的掩模圖形的例子。
在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)中，人們熟知(1)1個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)單元方式(或開放式數(shù)據(jù)線配置)和(2)2個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)單元方式(或折返式數(shù)據(jù)線配置)這么2種代表性的存儲(chǔ)器陣列的構(gòu)成法。雖然產(chǎn)品化歷來是從1個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)單元方式的DRAM開始的，但是以64K位DRAM為界線開始進(jìn)行向2個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)單元方式轉(zhuǎn)換。即便是在現(xiàn)在已產(chǎn)品化的256M位DRAM中，采用的也是2個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)單元方式。但是，人們知道DRAM中邏輯上的最小存儲(chǔ)單元面積，相對于在2個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)單元方式中最小加工尺寸F的2次方的8倍(8F2)來說，在1個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)單元方式中為比之小25％的6F2。
這里，所謂最小加工尺寸F，是為了進(jìn)行由光刻等的半導(dǎo)體集成電路的加工技術(shù)決定的圖形間的分離所必須的最小間隔，是設(shè)計(jì)上的單位。就是說，在半導(dǎo)體集成電路中，可以以F為單位進(jìn)行所有掩模圖形的設(shè)計(jì)，與現(xiàn)實(shí)的加工技術(shù)相吻合地應(yīng)用F的具體的尺寸。如果今后仍繼續(xù)采用2個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)單元方式，就只好僅僅依賴于最小加工尺寸F的減小，否則存儲(chǔ)單元面積的急劇減小是不可期待的。為此，本申請發(fā)明人等，在設(shè)計(jì)手法中，對把可以期待存儲(chǔ)單元面積減小的1個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)單元方式應(yīng)用于大容量存儲(chǔ)器的陣列構(gòu)成的應(yīng)用進(jìn)行了探討。
在圖23中示出了采用在[文獻(xiàn)1]的圖3中畫出來的1個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)單元方式且采用位線多分割和讀出放大器交互配置的存儲(chǔ)器陣列。在該存儲(chǔ)器陣列中，讀出放大器與數(shù)據(jù)線的連接，用單純的一種規(guī)則進(jìn)行。隔一條地把一個(gè)存儲(chǔ)器陣列(例如(SMA(i))的數(shù)據(jù)線(例如，DR(i)1、DR(i)2)連接到相鄰的2個(gè)讀出放大器(例如SA1和SA2)上。如該圖所示，在字線與數(shù)據(jù)線的所有的交點(diǎn)上，在存儲(chǔ)單元的某一交點(diǎn)陣列上，即便是進(jìn)行讀出放大器的交互配置，在2條數(shù)據(jù)線上也必須布局上1個(gè)讀出放大器。為實(shí)現(xiàn)該圖23的布局的布線節(jié)距受限于光刻技術(shù)。
近些年來，作為用來形成微細(xì)圖形的光刻技術(shù)已開始可以使用相移法了。傳統(tǒng)的光掩模具有僅僅控制單純光透過的開口部分。對此，在相移法中使用的光掩模的情況下，具有透過光的第1開口部分和對于第1開口部分透過光的相位具有180度差地進(jìn)行透過(相移180度相位后透過)的第2開口部分。采用使光在第1開口部分和第2開口部分相鄰的區(qū)域中彼此抵消的辦法，即便是用同一光的波長，也可以進(jìn)行更微細(xì)的光刻。至于相移法本身，在[文獻(xiàn)2]中講述了其詳細(xì)情況。在采用相移法時(shí)，相位對圖形的分配(相位配置)是重要的。就是說，取決于相位分配方法，如果不得不加寬布線間的節(jié)距，不能進(jìn)行最佳的相位布局設(shè)計(jì)，則就不可能降低布局面積。
本申請發(fā)明人等注意到在1個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)單元方式中，在用相移法制作采用位線多分割和讀出放大器交互配置的存儲(chǔ)器陣列時(shí)，必須特別考慮讀出放大器和存儲(chǔ)單元陣列的數(shù)據(jù)線的連接方法。就是說，在存儲(chǔ)器陣列和讀出放大器的圖形不同的區(qū)域的邊界處，如果不考慮相位布局設(shè)計(jì)、布線節(jié)距和圖形，就易于產(chǎn)生布線的斷線、短路之類的不合格。
于是，本發(fā)明的目的在于提供為了實(shí)現(xiàn)作為可以減小芯片面積的存儲(chǔ)器陣列構(gòu)成的1個(gè)交點(diǎn)方式所必須的讀出放大器的布局方式。
說得更具體點(diǎn)，目的在于實(shí)現(xiàn)對于使用相移方式的光刻合適的存儲(chǔ)器陣列和讀出放大器間的數(shù)據(jù)布線圖形方式。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的代表性的例子如下。一種半導(dǎo)體器件，具備具有設(shè)置在含有第1到第4數(shù)據(jù)的第1數(shù)據(jù)線群和多個(gè)第1字線的交點(diǎn)上的多個(gè)第1存儲(chǔ)單元的第1存儲(chǔ)器陣列，具有設(shè)置在含有第5個(gè)到第8數(shù)據(jù)的第2數(shù)據(jù)線群和多個(gè)第2字線的交點(diǎn)上的多個(gè)第2存儲(chǔ)單元的第2存儲(chǔ)器陣列，含有在上述第1和第2存儲(chǔ)器陣列之間的區(qū)域上設(shè)置且彼此相鄰的第1和第2讀出放大器的第1讀出放大器塊，使得上述第1讀出放大器，采用耦合到在上述第1數(shù)據(jù)線和第2數(shù)據(jù)線群中含有的一條數(shù)據(jù)線上的辦法變成為開放式數(shù)據(jù)線配置，上述第2讀出放大器，采用耦合到在上述第4數(shù)據(jù)線和第2數(shù)據(jù)線群中含有的另一條數(shù)據(jù)線上的辦法變成為開放式數(shù)據(jù)線配置，在上述第1數(shù)據(jù)線與上述第4數(shù)據(jù)線之間配置上述第2和第3數(shù)據(jù)線。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1的數(shù)據(jù)線的連接布局圖(‘45配置(其1)’)，圖2是圖1的電路圖，圖3A和圖3B是圖1的掩模圖形圖，圖4是圖3的讀出放大器部分的剖面圖，圖5A和圖5B是1個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)器陣列的掩模圖形圖，圖6是本發(fā)明的實(shí)施例1的數(shù)據(jù)線的連接布局圖(‘45配置(其2)’)，圖7是圖6的電路圖，圖8的框圖示出了同步DRAM的全體，圖9的框圖示出了存儲(chǔ)器區(qū)域的細(xì)節(jié)，圖10是本發(fā)明的實(shí)施例1的數(shù)據(jù)線的連接布局圖(‘44配置(其1)’)，圖11是本發(fā)明的實(shí)施例2的數(shù)據(jù)線的連接布局圖(‘44配置(其2)’)，圖12A和圖12B是圖10的掩模圖形圖，圖13是圖12的讀出放大器部分的剖面圖，圖14是本發(fā)明的實(shí)施例3的數(shù)據(jù)線的連接布局圖(‘46配置(其1)’)，圖15是本發(fā)明的實(shí)施例3的數(shù)據(jù)線的連接布局圖(‘46配置(其2)’)，圖16A和圖16B是圖14的掩模圖形圖，圖17是圖16的讀出放大器部分的剖面圖，圖18是本發(fā)明的實(shí)施例3的數(shù)據(jù)線的連接布局圖(‘46配置(其3)’)，圖19是本發(fā)明的實(shí)施例3的數(shù)據(jù)線的連接布局圖(‘46配置(其4)’)，圖20是本發(fā)明的實(shí)施例4的數(shù)據(jù)線的連接布局圖(‘45配置’)，圖21是本發(fā)明的實(shí)施例4的數(shù)據(jù)線的連接布局圖(‘44配置’)，圖22是本發(fā)明的實(shí)施例4的數(shù)據(jù)線的連接布局圖(‘46配置’)，圖23是1個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)器陣列的構(gòu)成圖。
具體實(shí)施例方式
以下，用附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施例。構(gòu)成實(shí)施例的各塊的電路元件，雖然沒有什么特別限制，但是，應(yīng)可以用眾所周知的CMOS(互補(bǔ)型MOS晶體管)等的集成電路技術(shù)在單晶硅之類的一個(gè)半導(dǎo)體襯底上邊形成。MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的電路符號，不帶箭頭的表示N型MOSFET(NMOS)，以與帶箭頭的P型MOSFET(PMOS)相區(qū)別。以下，為了說起來方便，決定把MOSFET簡化為MOS。但是，本申請發(fā)明，也可以適用于使用MISFET(金屬絕緣物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等的一般的FET電路，而并不僅僅限定于含有設(shè)置在金屬柵極與半導(dǎo)體層之間的氧化膜絕緣膜的場效應(yīng)晶體管。
<實(shí)施例1>
圖1模式性地示出了本申請的實(shí)施例1的數(shù)據(jù)線和讀出放大器的連接區(qū)域的特征部分。決定在說明圖1的詳細(xì)內(nèi)容之前，使用圖8和圖9從本申請的可以使用的半導(dǎo)體器件的整體開始進(jìn)行說明。
在圖8中示出了作為可以使用本發(fā)明的典型例子的同步DRAM(SDRAM)的所有的塊。各個(gè)電路塊用在輸入控制信號的定時(shí)信號產(chǎn)生電路TG中形成的內(nèi)部控制信號的定時(shí)進(jìn)行動(dòng)作。在向TG輸入的控制信號中有在時(shí)鐘信號CLK的定時(shí)處輸入的芯片選擇信號/CS，行地址選通信號/RAS，列地址選通信號，寫入允許信號/WE。這些控制信號和地址信號之間的組合叫做指令。時(shí)鐘允許信號CKE決定時(shí)鐘信號的有效無效。此外，輸入輸出屏蔽信號DQM是為了屏蔽從輸入輸出端子(DQ0，…DQn)輸入輸出的數(shù)據(jù)，用來控制數(shù)據(jù)輸入輸出緩沖器I/OB的信號。VG是SDRAM的電壓產(chǎn)生電路，供給字線用升壓電壓(VPP)、襯底電壓(VBB)、陣列電壓(VDL)、外圍電路電壓(VCL)等。
在SDRAM中，可以采用從地址輸入端子(A0、A1、…An)以時(shí)分輸入方式輸入行地址或列地址的地址多路方式。已輸入到行地址緩沖器XAB中的行地址，用行譯碼器X-DEC進(jìn)行譯碼，選中一個(gè)存儲(chǔ)器陣列MA中的特定字線，與之相對應(yīng)地一條字線容量的存儲(chǔ)單元就變成為被選中狀態(tài)。接著，當(dāng)向列地址緩沖器YAB中輸入列地址后，借助于列地址譯碼器Y-DEC，就可以進(jìn)而選擇要進(jìn)行讀出或?qū)懭氲拇鎯?chǔ)單元。另外，SDRAM雖然具有通常可以用存儲(chǔ)區(qū)地址指定的多個(gè)存儲(chǔ)器陣列(或者存儲(chǔ)器區(qū)域)，但是，在該圖中僅僅代表性地示出了一個(gè)存儲(chǔ)器陣列MA(BANK0)。
圖9示出了存儲(chǔ)器陣列MA附近的擴(kuò)大圖。存儲(chǔ)器陣列MA含有矩陣狀配置的多個(gè)子存儲(chǔ)器陣列SMA。雖然沒有什么特別限定，但是該存儲(chǔ)器陣列可以采用疊層字線方式，在MA的一個(gè)邊上配置主字線驅(qū)動(dòng)器列MWD。連接到MWD上的主字線MWL，在上層的金屬布線層(M2布線層)上被設(shè)置為跨接多個(gè)SMA。子存儲(chǔ)器陣列SMA內(nèi)的構(gòu)成，是在多條字線(WL1、WL2、WL3、WL4、…)和多條數(shù)據(jù)線(D1、D2、D3、D4、…)的所有的交點(diǎn)上都配置有存儲(chǔ)單元的1個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)器陣列構(gòu)成。
在SMA的上下，設(shè)置有對于每一條字線都設(shè)置的子字驅(qū)動(dòng)器SWD。子字驅(qū)動(dòng)器，也可以用來自主字線MWL和FX驅(qū)動(dòng)器FXD控制信號激活化，選擇對應(yīng)的一條字線。FXD雖然可以設(shè)置在作為用SWD和SAB圍起來的區(qū)域的交叉區(qū)域XA內(nèi)，但是，在圖9中僅僅畫出了一個(gè)空白的盒子。在采用字分流方式而不是疊層字線方式的情況下，在SWD內(nèi)取代字驅(qū)動(dòng)器要設(shè)置把用在上層上設(shè)置的Al等的金屬形成的保證用字線和下層多晶硅層的柵極共用的字線連接起來的貫通孔和接觸。在該情況下，SWD就可以叫做字分流區(qū)域。此外，列方向的選擇，可以采用把從列譯碼器Y-DEC的列選擇線驅(qū)動(dòng)器YSD輸出的列選擇線YSL設(shè)置為使得跨接多個(gè)子存儲(chǔ)器陣列(SMA)的共用Y數(shù)據(jù)方式。列選擇線YSL，典型地說在比M2還往上的上層的M3布線層上形成。對于以上所說的存儲(chǔ)器陣列的全體來說，本發(fā)明涉及可以重復(fù)配置的子存儲(chǔ)器陣列SMA和讀出放大器SAB的內(nèi)部構(gòu)成。它們的詳細(xì)構(gòu)造示于圖1。
圖1示出了一個(gè)讀出放大器塊SAB(j)和在其兩側(cè)配置上子存儲(chǔ)器陣列(SMA(i)、SMA(i+1))的部分的布局。在以下的說明中例如SAB(i)的附注(i)，決定在對應(yīng)關(guān)系明確的情況下就適時(shí)予以省略地進(jìn)行說明。該圖的特征是在SMA內(nèi)在規(guī)定的寬度W中配置4條數(shù)據(jù)線，在SAB內(nèi)同樣地在規(guī)定的寬度中實(shí)質(zhì)上配置5條(4條數(shù)據(jù)線和1條接觸焊盤列)數(shù)據(jù)線。為此，決定把圖1的實(shí)施例叫做‘45配置’。
該布局對于SAA來說在X方向(以下，把字線的延長方向定義為X方向)上具有把4個(gè)讀出放大器SA1到SA4當(dāng)作一個(gè)群的重復(fù)圖形。但是，SA3和SA4的連接圖形可以看作是借助于使SA1和SA2的圖形進(jìn)行鏡像反轉(zhuǎn)而制成的圖形。對于SA1來說，讀出放大器內(nèi)部的數(shù)據(jù)線(*9和*10)和子存儲(chǔ)器陣列的數(shù)據(jù)線(*1和*6)簡單地進(jìn)行連接。對此，在SA2中，讀出放大器內(nèi)部的數(shù)據(jù)線(*11和*12)和子存儲(chǔ)器陣列的數(shù)據(jù)線(*4和*7)的特征是具有扭歪地進(jìn)行連接。此外，圖1的布局，對于Y方向(以下，把數(shù)據(jù)線的延伸方向定義為Y方向)來說，具有簡單的重復(fù)圖形，采用使同一圖形在Y方向上重復(fù)配置的辦法就可以擴(kuò)張存儲(chǔ)器陣列。就是說，采用在SMA(i+1)的右側(cè)把與圖1完全一樣的圖形連接起來的辦法，SMA與SAB的重復(fù)配置就可以實(shí)現(xiàn)。為此，存儲(chǔ)器陣列的擴(kuò)張是容易的。
在子存儲(chǔ)器陣列SMA內(nèi)，DL(i)0、DL(i)1、…、DR(i)0、DR(i)1、…、DL(i+1)0、DL(i+1)1、…、DR(i+1)0、DR(i+1)1、…表示數(shù)據(jù)線。在SMA(i)和SMA(i+1)中左右對應(yīng)的數(shù)據(jù)線(例如DR(i)1和DR(i+1)1)，定為因被配置在完全相同的假想線上邊而在X方向沒有偏移的數(shù)據(jù)線。對此，讀出放大器塊內(nèi)的數(shù)據(jù)線則被配置為從要配置SMA的數(shù)據(jù)線的假想線向X方向稍微偏移開來。此外，在一個(gè)子存儲(chǔ)器陣列內(nèi)，各個(gè)數(shù)據(jù)線可以具有恒定的間隔被平行地配置。在該圖內(nèi)，存儲(chǔ)單元已被省略。本申請發(fā)明，就如將在圖5A中要講述的那樣，其特征在于在數(shù)據(jù)線間的間隔具有最小加工尺寸F的2倍那樣的高密度配置的存儲(chǔ)器陣列中也可以進(jìn)行連接的點(diǎn)。雖然沒有特別限制，但是，本申請發(fā)明，在以比用KrF(波長248nm)氣體使準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生振蕩的情況更往前的世代的光源為前提，F(xiàn)為0.16微米以下的情況下，可以期待特別顯著的效果。
在本發(fā)明中，在數(shù)據(jù)線的圖形形成中，為了形成高密度的圖形，使用作為利用光的干涉的光刻技術(shù)的相移法。在圖1中，數(shù)據(jù)線雖然畫出的是具有實(shí)線和虛線的2種數(shù)據(jù)線，但是，這卻表明了相移法中的相位配置。就是說，作為一個(gè)例子，對實(shí)線分配相位0度，對虛線則分配相位180度。另外，在實(shí)線與虛線的每一者之間使相位差都變成為180度是重要的，相位的值本身卻并不重要。如該圖所示，采用使彼此相鄰的數(shù)據(jù)線的相位配置變成為180度那樣地進(jìn)行逆相的辦法，理論上說，可以使布線節(jié)距一直縮小到曝光束的波長。
讀出放大器塊SAB內(nèi)的配置，由于不僅是數(shù)據(jù)線也需要進(jìn)行電源線等的連接，故必須特別予以關(guān)照。讀出放大器塊SAB(j)由多個(gè)讀出放大器區(qū)SAA和SAA與數(shù)據(jù)線的連接區(qū)J0構(gòu)成。首先，在讀出放大器區(qū)SAA的布局中，在與數(shù)據(jù)線同層上，除去數(shù)據(jù)線之外，對于2個(gè)SAA還設(shè)置有一列用做驅(qū)動(dòng)控制線、IO線和電源線等的接觸的圖形(接觸焊盤)。在圖1中，接觸焊盤用黑圓點(diǎn)和用畫上斜線的圓點(diǎn)表示。在相移掩模上邊黑圓點(diǎn)被規(guī)定為與實(shí)線的數(shù)據(jù)線相位相同。為了配置該接觸焊盤列，在SAB內(nèi)就必須形成規(guī)定的寬度實(shí)質(zhì)上與5條數(shù)據(jù)線相當(dāng)?shù)膱D形。為此，在SMA和SAA之間相位配置就不可能簡單地與數(shù)據(jù)線匹配。于是，在本申請發(fā)明中，對于SMA和SAA之間的數(shù)據(jù)線的連接來說，就要明確地提供目的為形成相位配置匹配的連接方法(連接區(qū)J0的圖形)。
數(shù)據(jù)線，在SMA內(nèi)連續(xù)地相鄰的4條數(shù)據(jù)線(例如*1～*4)之內(nèi)，2條數(shù)據(jù)線(例如*1和*4)，在J0中被連接到相鄰的SAA(SA1和SA2)上。剩下的2條(例如*2和*3)則被連接到相反一側(cè)的讀出放大器塊(SAB(j-1)或SAB(j+1))的相鄰的SAA上。例如，在圖1中連續(xù)的數(shù)據(jù)線DR(i)1、DL(i)1、DL(i)2、DR(i)2、DR(i)3、DL(i)3、DL(i)4、DR(i)4之內(nèi)，被連接到SAB(j)的相鄰的SAA上的數(shù)據(jù)線，就變成為從DR(i)1開始把2條數(shù)據(jù)線夾持起來的DR(i)2及其相鄰的DR(i)3，以及把2條數(shù)據(jù)線夾持起來的DR(i)4，彼此分別相鄰的數(shù)據(jù)線，在SAA中，即便是在連接區(qū)J0中，由于也會(huì)變成為區(qū)域逆相的圖形，故可以使布局變得容易起來。借助于此，數(shù)據(jù)線的相移圖形，由于將變成為逆相，故變成為可以把布線寬度和間隔做成為最小加工尺寸。
可以從圖1的實(shí)施例推導(dǎo)出來的本申請發(fā)明的一般化的構(gòu)成如下。
就是說，要把被夾持在分別要連接到2個(gè)相鄰的讀出放大器上的數(shù)據(jù)線之間的數(shù)據(jù)線的條數(shù)作成為偶數(shù)。在這里所謂偶數(shù)，雖然指的是0、2、4…這樣的也含有0的數(shù)據(jù)列，但是在現(xiàn)實(shí)上0條或2條會(huì)產(chǎn)生最為良好的結(jié)果。再次用具體例子說明以上的情況。在連接到SA1和SA2的左側(cè)上的數(shù)據(jù)線(*1和*4)之間，夾持有2條(偶數(shù)條)的數(shù)據(jù)線(*2和*3)。另一方面。在連接到SA1和SA2的右側(cè)的數(shù)據(jù)線(DR(i)2和DR(i)3)之間，夾持有0條(偶數(shù)條)的數(shù)據(jù)線。就是說，在圖1的任意相鄰的2個(gè)讀出放大器中，上述的一般化的構(gòu)成成立。
倘采用以上的一般性的構(gòu)成，則在使用相移掩模制作數(shù)據(jù)線時(shí)，在子存儲(chǔ)器陣列SAM、連接部分J0、讀出放大器區(qū)SAA的各個(gè)區(qū)域內(nèi)，就可以無矛盾地進(jìn)行使布線圖形具有180度的相位差的分配。作為結(jié)果，將提高數(shù)據(jù)線的加工精度，因而會(huì)推進(jìn)微細(xì)化。以上的一般性的構(gòu)成的概念，不僅是本實(shí)施例1，對于后邊要講述的實(shí)施例2和實(shí)施例3也可以適用。
圖2示出了與圖1對應(yīng)的電路圖。在2個(gè)SAA之間，進(jìn)行了一個(gè)接觸列的布局。SAA由讀出放大器SA和用來使數(shù)據(jù)線預(yù)充電為VDL/2的預(yù)充電電路PC和向IO線(IO0t、IO0b、IO1t、IO1b)輸出數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)的IO門控電路IOG構(gòu)成。SA雖然沒什么特別限制，但是，可以作成為含有漏極和柵極交叉連接，源極共通連接的N型MISFET對，和漏極與柵極交叉連接，源極共通連接的N型MISFET對的鎖存式讀出放大器。CSP、CSN分別表示耦合到SA的P型MISFET、N型MISFET的源極上的共源極線(讀出放大器驅(qū)動(dòng)線)。此外，F(xiàn)PC是用來借助于PC使數(shù)據(jù)線預(yù)充電的控制信號，VPLT是存儲(chǔ)單元電容器的板極電位，VDL/2是數(shù)據(jù)線預(yù)充電電平，是陣列電壓的1/2。存儲(chǔ)單元是含有一個(gè)MISFET(在圖中是NMOS)和電容器的DRAM存儲(chǔ)單元。
圖3A和圖3B是對于使圖1的模式性的布局圖進(jìn)一步具體化的SA1和SA2的掩模圖形。圖3A是同時(shí)示出了擴(kuò)散層(L和NWEL)、柵極層(FG)以及第1金屬布線層(M1)的布局圖。SAP表示交叉耦合式放大電路SA的PMOS晶體管部分，SAN表示SA的NMOS部分。數(shù)據(jù)線在比柵極層FG還往上的上層的第1金屬布線層(M1)上形成。另外柵極層(FG)是用可以形成MISFET的柵極的多晶硅等構(gòu)成的層。在子存儲(chǔ)器陣列中，MISFET的柵極，同時(shí)起著作為字線的作用。
另一方面，圖3B的布局圖僅僅示出了圖3A之內(nèi)可以形成數(shù)據(jù)線的第1金屬布線層。CP1～CP5分別是接觸焊盤，起著在半導(dǎo)體襯底上形成的擴(kuò)散層和在比M1還往上的上層的布線層上用來進(jìn)行連接的中繼的作用。由該圖可以很好地了解在寬度W中，在SMA中配置有4條數(shù)據(jù)線，在SAA中則含有接觸焊盤列在內(nèi)地配置有5條數(shù)據(jù)線的圖形的情況。由圖3B，則可以很好地了解到不論是使用SMA、J0、SAA中的哪一個(gè)區(qū)域，彼此相鄰的圖形的相位配置也都會(huì)變成為彼此逆相。此外，采用從存儲(chǔ)器陣列中用逆相引出彼此相鄰的數(shù)據(jù)線，然后使分別成對的數(shù)據(jù)線變成為逆相的辦法，SAA的布局就會(huì)變得容易起來。此外，作為讀出放大器電路的控制線和電源線的CSP、CSN、VDL/2、YS的接觸，一列地配置在2個(gè)SAA之間，在2個(gè)SAA中共享這些接觸。借助于此，具有如下的優(yōu)點(diǎn)在讀出放大器區(qū)內(nèi)可以配置數(shù)據(jù)線、控制和電源線而無須切換數(shù)據(jù)線的相位分配。另外，CSP、CSN、VDL/2，與字線在同一方向上延伸，在比M1還往上的上層的第2金屬布線層M2上形成。此外，YS則與數(shù)據(jù)線在同一方向上延伸，在比M2更往上的上層的第3金屬布線層M3上形成。
圖4示出了圖3A中讀出放大器的N型MISFET的A-A’區(qū)域上的剖面圖。在圖中L表示將成為晶體管的漏極、源極的擴(kuò)散層，F(xiàn)G表示晶體管的柵極布線層，M1表示第1金屬布線層，M2表示第2金屬布線層。CNT表示用來連接M1和L或FG的接觸孔，TH1表示從M2通向M1的接觸孔。如圖所示，在本實(shí)施例中，在與數(shù)據(jù)線同層的M1上，對于每一個(gè)讀出放大器都布線有一條控制線或電源線，其相位配置變成為0度、180度、0度。借助于此，就可以防止在SAA內(nèi)的M1布線和圖形彼此間的短路。
圖5A和圖5B示出了子存儲(chǔ)器陣列SMA的掩模圖形圖。該圖示出了作成為1個(gè)晶體管1個(gè)電容器構(gòu)成的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元的1個(gè)交點(diǎn)式的子存儲(chǔ)器陣列。在1個(gè)交點(diǎn)式子存儲(chǔ)器陣列中，由于從理論上說，1個(gè)存儲(chǔ)單元可以用F的2次方的6倍，就是說，可以用6F2形成，故可以實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器陣列的高密度化，就成了一個(gè)大特征。在該圖中，D是數(shù)據(jù)線，WL是字線，L是存儲(chǔ)單元的開關(guān)MISFET的擴(kuò)散層，DLCT是連接數(shù)據(jù)線和L的接觸，SNCT是L和存儲(chǔ)單元的電容器的電極之間的接觸。開關(guān)MISFET的源極和漏極路徑，在DLCT與SNCT之間形成。
另外DLCT在數(shù)據(jù)線的延伸方向上為相鄰的2個(gè)存儲(chǔ)單元所共享。在圖5A中，數(shù)據(jù)線節(jié)距變成為2F。在這里，由于把相鄰的數(shù)據(jù)線的間隔作成為F以上，故數(shù)據(jù)線的寬度就必須在F以下。此外，數(shù)據(jù)線并不是完全的直線，而是成蛇行狀。
另外，圖5A的1個(gè)交點(diǎn)的存儲(chǔ)單元陣列的圖形本身，已在[文獻(xiàn)3]的圖1中進(jìn)行了講述。另一方面，圖5B緩和了數(shù)據(jù)線節(jié)距，大約為3F。在該情況下相鄰的數(shù)據(jù)線的間隔也必須作成為F以上。
另外，圖5B的1個(gè)交點(diǎn)的存儲(chǔ)單元陣列的圖形本身，已在[文獻(xiàn)3]的圖10中進(jìn)行了講述。在圖1的實(shí)施例中，由于在光刻中采用了數(shù)據(jù)線間的隔離良好的圖形，故雖然沒有什么特別限制，但卻變成為使得圖5A的數(shù)據(jù)線的節(jié)距將變成為可以應(yīng)對2.5F以上的存儲(chǔ)器陣列或圖5B那樣的存儲(chǔ)器陣列。
以上的45配置中的本申請發(fā)明的作用效果如下。
(1)在采取開放式數(shù)據(jù)線配置的存儲(chǔ)單元陣列和讀出放大器中，使考慮到微細(xì)加工的存儲(chǔ)器陣列和讀出放大器的連接形狀明確起來。該連接形狀具有如下特征在1個(gè)存儲(chǔ)器陣列中使把2條相鄰的數(shù)據(jù)線(例如，圖1的*2和*3)夾在中間的2條數(shù)據(jù)線(例如*1和*4)耦合到每一個(gè)相鄰的讀出放大器(例如SA1和SA2)上。通過采用該連接圖形的辦法，由于在存儲(chǔ)器陣列、讀出放大器和存儲(chǔ)單元與讀出放大器的連接部分中，可以無矛盾地分別把正相和逆相分配給相鄰的圖形，故使用相移法的高分辨率的數(shù)據(jù)線的形成成為可能。借助于此，結(jié)果就變成為可以推進(jìn)半導(dǎo)體集成電路的微細(xì)化，因而會(huì)對存儲(chǔ)器的大規(guī)?；徒档驮靸r(jià)作出貢獻(xiàn)。
(2)歸因于采用開放式數(shù)據(jù)線配置，可以把1個(gè)存儲(chǔ)單元的面積最小減小到6F2，可以實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器陣列的面積的減小。
(3)歸因于在2個(gè)讀出放大器之間設(shè)置1個(gè)接觸焊盤列的構(gòu)成，結(jié)果變成為可以用標(biāo)準(zhǔn)的制作工藝來形成讀出放大器等的電源布線。
(4)由于具有完全的自我復(fù)制型的重復(fù)構(gòu)造，故多個(gè)子存儲(chǔ)器陣列和讀出放大器塊并列排列的存儲(chǔ)器陣列的擴(kuò)張，得以容易化。
圖6示出了對于圖1的變形例。此外，圖7示出了與圖6對應(yīng)的電路圖。掩模圖形雖然省略了，但是借助于使圖3A和圖3B變形，可以容易地形成。圖6的布局，雖然在采取[45配置]這一點(diǎn)上與圖1是一樣的，但是，在相鄰的子存儲(chǔ)器陣列(SMA(i)、SMA(i+1))中，數(shù)據(jù)線的相位布局設(shè)計(jì)卻反轉(zhuǎn)了過來。就是說，與圖1比較，示出的是DR(i)1和DL(I+1)1變成為逆相的關(guān)系的情況。為此，與把SAB(j)夾在中間的僅僅是右側(cè)的圖1的布局不一樣。
在圖6的布局中，重復(fù)構(gòu)造不再是簡單的。第1重復(fù)配置，是把使得在SMA(i+1)右側(cè)與圖6完全相同的重復(fù)構(gòu)造偏移小于1條數(shù)據(jù)線量的重復(fù)構(gòu)造連接起來。此外，第2重復(fù)配置則變成為圖6與圖1的組合圖形。首先，圖6的左側(cè)可以簡單地連接到圖1的右側(cè)。連接到圖6的右側(cè)的圖形，在圖1中把實(shí)線和虛線顛倒過來的圖形連接起來。該圖6的布局，除去子陣列的重復(fù)構(gòu)造變得比圖1稍微復(fù)雜這一點(diǎn)之外，具有與上邊所說的圖1的布局相同的作用效果。此外，圖6的數(shù)據(jù)線的連接形狀，如果著眼于SAB(j)的右側(cè)，則與圖1是完全相同的，因而可以與圖1同樣地描述其特征。
<實(shí)施例2> 圖10示出了本發(fā)明的實(shí)施例2的子存儲(chǔ)器陣列(SMA)和讀出放大器塊(SAB)的布局中的相位分配。本實(shí)施例的特征在于在SMA內(nèi)和SAB內(nèi)的兩方，把4條數(shù)據(jù)線配置在規(guī)定的寬度W之內(nèi)。為此，決定把圖10的布局叫做‘44配置’。就是說，與圖1比較，變成為在要形成數(shù)據(jù)線的層上不設(shè)置接觸焊盤列的構(gòu)成，至于除此之外的部分，具有與實(shí)施例1同樣的構(gòu)成。
該布局，在X方向上具有把2個(gè)讀出放大器SA1和SA2作成為一個(gè)群的重復(fù)圖形。在這一點(diǎn)上，比起圖1來，具有圖形簡單化的優(yōu)點(diǎn)。對于SA1來說，讀出放大器內(nèi)的數(shù)據(jù)線和子存儲(chǔ)器陣列內(nèi)部的數(shù)據(jù)線簡單地連接起來。在SA2中，讀出放大器內(nèi)部的數(shù)據(jù)線和子存儲(chǔ)器陣列內(nèi)部的數(shù)據(jù)線雖然可以簡單地連接起來，但是其方向卻變成為與SA1相反，這是其特征。此外，圖10的布局，對于Y方向來說，與圖1同樣，具有完全自我復(fù)制構(gòu)造。
在本實(shí)施例中，在SAA內(nèi)除數(shù)據(jù)線之外未使用與數(shù)據(jù)線同層(M1)的圖形。這樣的布局，在可以用比數(shù)據(jù)線(M1)更往上的上部的層(M2，M3)，直接或沒有M1的圖形地，在柵極布線層(FG)或在擴(kuò)散層(L)上形成除掉接觸的構(gòu)造的情況下，或除數(shù)據(jù)線以外不需要M1的圖形的情況下，是可能的。圖12A和圖12B示出了與圖10對應(yīng)的現(xiàn)實(shí)的布局圖形。由圖12B可知，在第1金屬布線層M1上，未設(shè)置使相位配置混亂不齊那樣的接觸焊盤。
圖13示出了圖12A和圖12B中的讀出放大器的N型MISFET的局部剖面A-A’。在圖4中，采用了從M2開始先通過M1的接觸焊盤CP在擴(kuò)散層L上形成接觸的構(gòu)造。對此，在本實(shí)施例的情況下，則從比M1還往上的上層的M2開始，借助于貫通孔TH1’在擴(kuò)散層L上直接形成接觸。
在圖10的布局中，由于從M2開始沒有M1的圖形地在L上形成了接觸，故M1的相位配置，即便是在SAA內(nèi)，在數(shù)據(jù)線中也變成為0度、180度的簡單的重復(fù)。與實(shí)施例1同樣，數(shù)據(jù)線，在SMA內(nèi)連續(xù)的4條數(shù)據(jù)線之內(nèi)，2條數(shù)據(jù)線被引出至SAB，并被連接到相鄰的SAA上。剩下的2條，把SMA(i)或SMA(i+1)夾在中間地被連接到相反一側(cè)的讀出放大器塊(SAB(j-1)或SAB(j+1))的相鄰的SAA上。在本實(shí)施例中，由于與數(shù)據(jù)線同一層(M1)的每一個(gè)SAA的條數(shù)僅僅是2條數(shù)據(jù)線，故除了具有SAA的布局會(huì)變得容易起來的優(yōu)點(diǎn)之外，還可以縮小數(shù)據(jù)線間的間隔。
該圖10的布局，如圖13所示，取決于制作一次把2層連接起來的貫通孔TH’的技術(shù)的有無。就是說，一般地說，為了其它的電路部分，也需要把M2和M1連接起來的貫通孔TH1。為此，就需要從M2到L的貫通孔和從M2到M1的貫通孔這么2個(gè)深度不同的2種貫通孔。此外，還需要形成埋入到深度不同的貫通孔內(nèi)用來進(jìn)行連接的插針。因此，圖10的布局，在可以使用這樣的貫通孔形成技術(shù)的情況下是有效的。
反之，如果有不能采用把2層一次連接起來的貫通孔形成技術(shù)的事情，就可以采用例如作為最普通的手段的圖1的布局。
以上所述的圖10的布局，雖然在使用一次把2層連接起來的貫通孔這一點(diǎn)上與圖1的布局是不同的，但是基本上作用效果與圖1的作用效果是一樣的。此外，圖10的數(shù)據(jù)線的連接形狀，如果著眼于SAB(j)的右側(cè)，則可以與圖1同樣地定義特征性的連接圖形。圖10和圖1的不同，是SA2內(nèi)的數(shù)據(jù)線的連接顛倒了過來這一點(diǎn)。
此外，在圖10的實(shí)施例中，由于在SMA和SAB內(nèi)的兩方，在規(guī)定的寬度W內(nèi)配置4條數(shù)據(jù)線，故雖然沒有什么特別限制，但是，卻變成為可以應(yīng)對圖5A的數(shù)據(jù)線的節(jié)距變成為2F以上的存儲(chǔ)器陣列或圖5B那樣的存儲(chǔ)器陣列。
圖11示出了圖10的布局的變形例。圖11，經(jīng)在圖6中進(jìn)行變形的方法同樣的處理，就可以從圖10推導(dǎo)出圖1。就是說，示出了在相鄰的子存儲(chǔ)器陣列(SMA(i)和SMA(i+1))中，數(shù)據(jù)線的相位布局設(shè)計(jì)反轉(zhuǎn)過來的情況(DR(i)和DL(i+1)為逆相)。圖10和圖11的不同，是僅在右側(cè)把SAA夾在中間。
圖11的布局也與圖6的布局同樣，在子存儲(chǔ)器陣列SMA和讀出放大器塊SAB的連續(xù)性的重復(fù)構(gòu)造中，被認(rèn)為有2種。就是說，具有使圖11的圖形本身降低一條數(shù)據(jù)線的量地連接到SMA(i+1)的右側(cè)的第1重復(fù)配置，和把圖10和圖11組合起來的第2重復(fù)配置。因此，該圖11的布局，除去子陣列的重復(fù)構(gòu)造變得比圖10稍微復(fù)雜這一點(diǎn)之外，具有與圖10的布局相同的作用效果。
<實(shí)施例3> 圖14示出了本發(fā)明的實(shí)施例3的子存儲(chǔ)器陣列(SMA)和讀出放大器塊(SAB)的布局及其相位配置。該圖的特征在于在SMA內(nèi)，在規(guī)定的寬度W中配置4條數(shù)據(jù)線，在SAB內(nèi)同樣地在規(guī)定的寬度W中配置6條(4條數(shù)據(jù)線和2列的接觸焊盤)的數(shù)據(jù)線。為此，決定把圖14的布局叫做‘46配置’。至于其它的部分，具有與實(shí)施例1同樣的構(gòu)成。該布局在X方向上具有把2個(gè)讀出放大器SA1和SA2作成為1個(gè)群的重復(fù)圖形。SA1和SA2中的每一個(gè)，讀出放大器內(nèi)部的數(shù)據(jù)線和子存儲(chǔ)器陣列的數(shù)據(jù)線，左側(cè)都簡單地連接，右側(cè)都具有扭歪地連接起來，此外，圖10的布局，對于Y方向來說，與圖1同樣具有完全自我復(fù)制構(gòu)造。
圖16A和圖16B示出了圖14的掩模圖形。在第1布線層M1上，在數(shù)據(jù)線與數(shù)據(jù)線對之間，形成有電源線和控制線等的接觸。
圖17示出了圖16A的A-A’間的剖面構(gòu)成。與實(shí)施例1同樣，數(shù)據(jù)線，在SMA內(nèi)連續(xù)的4條數(shù)據(jù)線之內(nèi)，2條數(shù)據(jù)線被引出到SAB上并連接到相鄰的SAA上。剩下的2條，把SMA(i)或SMA(i+1)夾在中間地被連接到相反一側(cè)的讀出放大器塊(SAB(j-1)或SAB(j+1))的相鄰的SAA上。在本實(shí)施例中，由于每一個(gè)SAA的電源線和控制線的接觸都處于數(shù)據(jù)線間，故數(shù)據(jù)線的相位布局設(shè)計(jì)變成為同相，具有可以減小歸因于光刻中的相位0度和180度的差別而產(chǎn)生的曝光后的波動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)。此外，與實(shí)施例1、2同樣，在子存儲(chǔ)器陣列(SMA)和讀出放大器塊(SAB)之間的連接區(qū)J0中，由于相鄰的數(shù)據(jù)線將變成為逆相，故具有布局變得容易起來的優(yōu)點(diǎn)。SAA內(nèi)的電路構(gòu)成與圖2是一樣的。變成為使得相鄰的M1層的相位配置變成為逆相那樣的布線。SMA的構(gòu)成，與圖6是一樣的。
圖15示出了在圖14的布局中，在相鄰的子存儲(chǔ)器陣列中，數(shù)據(jù)線的相位布局設(shè)計(jì)反轉(zhuǎn)過來的情況的變形例。如果假定SAA內(nèi)的布局與圖14是同樣的，則由于在SMA(i)和SMA(i+1)中使連接到SAB(j)上的數(shù)據(jù)線的相位關(guān)系變成為相同，故從SMA(i+1)引出的數(shù)據(jù)線的配置圖形與圖14的布局變成為逆相。
該圖15的布局，子陣列的重復(fù)構(gòu)造與圖1是一樣的，具有與圖14的布局同樣的作用效果。
圖18示出了作為‘46配置’的基本圖形的圖14的布局的變形例。在圖14中，接觸焊盤列，被設(shè)置在一個(gè)讀出放大器之內(nèi)的相鄰的數(shù)據(jù)線之間。對此，在圖18中，在作成為使得把接觸焊盤列設(shè)置在2個(gè)相鄰的讀出放大器之間(SA1與SA2之間，SA2與SA3之間等)這一點(diǎn)上是不同的。在圖18中，由于該接觸圖形被配置在SAA之間，故具有可以減小讀出放大器間的耦合的優(yōu)點(diǎn)。另外，圖18，除去把接觸焊盤列配置在相鄰的2個(gè)讀出放大器間這一點(diǎn)之外，SMA和SAB中的數(shù)據(jù)線的連接圖形和相位配置，與圖1是相同的。因此其作用效果在除去設(shè)置2列接觸焊盤以外的點(diǎn)上，與圖1是同樣的。
圖19示出了在圖18的布局中，在相鄰的子存儲(chǔ)器陣列中數(shù)據(jù)線相位布局設(shè)計(jì)反轉(zhuǎn)過來的情況的變形例。在本實(shí)施例中，示出了在一個(gè)讀出放大器區(qū)(SAA)中，在與數(shù)據(jù)線同層上具有一個(gè)接觸等的圖形的情況下，在相鄰的子存儲(chǔ)器陣列中，數(shù)據(jù)線的相位布局設(shè)計(jì)反轉(zhuǎn)過來的情況。與圖18同樣，由于在SAB內(nèi)，在SAA之間配置接觸列，故具有可以減小讀出放大器間的耦合的優(yōu)點(diǎn)。若把SAA內(nèi)的布局假定為與圖18是同樣的，則由于在SMA(i)和SMA(i+1)中使連接到SAB(j)上的數(shù)據(jù)線的相位關(guān)系變成為相同，故從SMA(i+1)引出的數(shù)據(jù)線的配置圖形與圖14的布局變成為逆相。
<實(shí)施例4>
在從實(shí)施例1到3中，講述的是作為特征部分，具有在一個(gè)存儲(chǔ)器陣列中把將2條相鄰的數(shù)據(jù)線(例如圖1的*2和*3)夾在中間的2條數(shù)據(jù)線(例如*1和*4)連接到相鄰的2個(gè)讀出放大器(例如SA1和SA2)上的布局。在本實(shí)施例4中，要講述的是對于相鄰的2個(gè)讀出放大器SA可以跳過1條地選擇數(shù)據(jù)線(例如，*1和*3)進(jìn)行連接的布局。
圖20示出了本發(fā)明的實(shí)施例4的布局。與實(shí)施例1的圖1比較，該布局雖然在采取[45配置]這一點(diǎn)上是一致的，但是，在連接部分J1中，來自存儲(chǔ)器陣列的數(shù)據(jù)線每隔1條地連接到讀出放大器上這一點(diǎn)是不同的。該布局，在X方向上具有把4個(gè)讀出放大器SA1到SA4作成為1個(gè)群的重復(fù)圖形。對于SA1和SA4來說，讀出放大器內(nèi)部的數(shù)據(jù)線和子存儲(chǔ)器陣列的數(shù)據(jù)線簡單地連接起來。對此，在SA2和SA3中，其特征是讀出放大器內(nèi)部的數(shù)據(jù)線和子存儲(chǔ)器陣列的數(shù)據(jù)線具有扭歪地連接起來。此外，圖20的布局，對于Y方向來說，由于與圖1同樣，具有完全自我復(fù)制構(gòu)造，故陣列的擴(kuò)張是容易的。
在圖20中雖然用實(shí)線和虛線畫出了在使用相移光刻的情況下的相位配置，但是，在連接部分J1中，相鄰的數(shù)據(jù)線(例如DR(i)1和DR(i)2)卻變成為彼此同相。因此，理想的是在連接部分J1處相鄰的數(shù)據(jù)線之間的間隔內(nèi)具有余裕。于是，圖20的布局的發(fā)明，在與圖5B所示的數(shù)據(jù)線間的節(jié)距變成為最小加工尺寸F的3倍(3F)的存儲(chǔ)器陣列組合起來的情況下，就可以形成更為良好的數(shù)據(jù)線。
倘采用圖20的布局，則在將成為參考一側(cè)的數(shù)據(jù)線的存儲(chǔ)器陣列中，具有可以構(gòu)成為使得數(shù)據(jù)線可以交互地進(jìn)行充放電，可以減小放大時(shí)的數(shù)據(jù)線耦合的優(yōu)點(diǎn)。將在SMA(i)被激活化時(shí)的SMA(i+1)中說明該優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)SMA(i)被激活化后，在SMA(i)和SMA(i+1)之內(nèi)，已連接到SAB(i)和SAB(i+1)上的半數(shù)的數(shù)據(jù)線就可以進(jìn)行充放電。即，雖然數(shù)據(jù)線DL(i+1)1、DL(i+1)2、DL(i+1)3、DL(i+1)4…可以進(jìn)行充放電，但是在這些數(shù)據(jù)線間，由于每個(gè)1條地夾持有DR(i+1)1、DR(i+1)2、DR(i+1)3、DR(i+1)4…，故可以得到屏蔽效果，正在進(jìn)行放大的數(shù)據(jù)線DL(i+1)1、DL(i+1)2、DL(i+1)3、DL(i+1)4…間的耦合減小，因而可以減小噪聲。
圖21是把與圖20同樣的想法應(yīng)用于圖10的‘44配置’布局的例子。該布局，在X方向上具有使2個(gè)讀出放大器SA1和SA2變成為一個(gè)群的重復(fù)圖形。在這一點(diǎn)上，比起圖1來，具有圖形簡單化的優(yōu)點(diǎn)。對于SA1和SA2來說，讀出放大器內(nèi)部的數(shù)據(jù)線和子存儲(chǔ)器陣列內(nèi)部的數(shù)據(jù)線簡單地連接起來。此外，對于Y方向來說，與圖1同樣，具有完全自我復(fù)制構(gòu)造。
該布局，由于在連接部分J1處相鄰的數(shù)據(jù)線也變成為同相，故與圖5B的數(shù)據(jù)線間將變成為3F的存儲(chǔ)單元陣列之間的組合的匹配性好。
此外，在圖21中，也具有可以構(gòu)成為使得數(shù)據(jù)線可以交互地進(jìn)行充放電，可以減小放大時(shí)的數(shù)據(jù)線耦合的優(yōu)點(diǎn)。本實(shí)施例，是在SAA中在與數(shù)據(jù)線同一個(gè)層上不需要數(shù)據(jù)線以外的圖形的情況。這可以用與實(shí)施例2同樣的工藝實(shí)現(xiàn)。借助于該工藝，與在SAA中的數(shù)據(jù)線同一個(gè)層(M1)的布局就變得容易起來。
圖22是把與圖20同樣的想法應(yīng)用于圖18的‘46配置’布局的例子。該布局，在X方向上具有使2個(gè)讀出放大器SA1和SA2變成為一個(gè)群的重復(fù)圖形。對于SA1來說，讀出放大器內(nèi)部的數(shù)據(jù)線和子存儲(chǔ)器陣列的數(shù)據(jù)線簡單地連接起來。對此，在SA2中，其特征是讀出放大器內(nèi)部的數(shù)據(jù)線和子存儲(chǔ)器陣列的數(shù)據(jù)線具有扭歪地連接起來。此外，對于Y方向來說，與圖1同樣，具有完全自我復(fù)制構(gòu)造。
該布局，由于在連接部分J1處相鄰的數(shù)據(jù)線也將變成為同相，故與圖5B的數(shù)據(jù)線間變成為3F的存儲(chǔ)單元陣列之間的組合的匹配性好。此外，在圖22中，也具有可以構(gòu)成為使得數(shù)據(jù)線可以交互地進(jìn)行充放電，可以減小放大時(shí)的數(shù)據(jù)線耦合的優(yōu)點(diǎn)。在本實(shí)施例中，示出的是在SAA中在與數(shù)據(jù)線同一層上，在數(shù)據(jù)線對內(nèi)，對于一對數(shù)據(jù)線有一列讀出放大器控制線和電源線的接觸焊盤列的情況。雖然數(shù)據(jù)線的層的布局變得更難了，但是數(shù)據(jù)線對卻可以借助于控制線和電源線的圖形來減小與相鄰的讀出放大器區(qū)的數(shù)據(jù)線之間的耦合噪聲。
以上，對圖1、6、10、11、14、15、18、19、20、21、22這11種代表性的布局圖形進(jìn)行了說明。但是，各個(gè)布局圖示出的是最具代表性的布局，借助于典型的幾何學(xué)上的對稱操作(鏡像或旋轉(zhuǎn))可以構(gòu)成各種各樣的變形例，這些變形例都屬于本申請的范疇。
例如，圖1的布局，由于以SAB為中心，具有在X方向上延伸的鏡像軸(X鏡像軸)，故在圖1中也包括對于該X鏡像軸進(jìn)行折返的布局。此外，在SA1和SA2之間存在著在Y方向上延伸的第1Y鏡像軸。另外，在SA3和SA4之間也存在著第2Y鏡像軸。首先，對于第1Y鏡像軸制作使SA1和SA2進(jìn)行鏡像反轉(zhuǎn)的圖形，然后，對于第1Y鏡像軸制作使SA3和SA4進(jìn)行鏡像反轉(zhuǎn)的圖形，然后把它們排列起來(鏡像反轉(zhuǎn)后的SA1、SA2、SA3、SA4的排列)，在圖1中也包括這樣的布局。
如以上所說明的那樣，倘采用本發(fā)明的第1布局，就可以防止圖形象在1個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)單元陣列中在進(jìn)行讀出放大器交互配置時(shí)的讀出放大器和子存儲(chǔ)器陣列之間那樣，極端地進(jìn)行變化的部分處的布線的斷線和短路。此外，倘采用本發(fā)明的第2布局，則在1個(gè)交點(diǎn)存儲(chǔ)器陣列中，就可以減小數(shù)據(jù)線耦合噪聲。
以下，對在本申請中使用的標(biāo)號進(jìn)行整理。
MA是存儲(chǔ)器陣列塊。MWD是主字驅(qū)動(dòng)器。X-DEC是X地址譯碼器。Y-DEC是Y地址譯碼器。A0、A1、…An是外部輸入地址。VG是電壓產(chǎn)生電路。VCC是外部電壓。VSS是接地電位。DQ0、DQ1、DQ2、…是數(shù)據(jù)輸入輸出引腳。SAB、SAB(j)(j＝1、2、3、…)是讀出放大器塊。SWD是子字驅(qū)動(dòng)器。SMA、SMA(i)(i＝1、2、3、…)是子存儲(chǔ)器陣列。J0、J1是子存儲(chǔ)器陣列與讀出放大器之間的連接部分。SAA是讀出放大器區(qū)。DR(i)j、DL(i)j(i，j＝1、2、3、4、…)是數(shù)據(jù)線。DR0、DR1、DR2、DR3、…是數(shù)據(jù)線。DL0、DL1、DR2、DL3、…是數(shù)據(jù)線。D1、D2、D3、D4是數(shù)據(jù)線。PC是預(yù)充電電路。SA是讀出放大器電路。SAN是SA的NMOS構(gòu)成部分。SAP是SA的PMOS構(gòu)成部分。YS是Y(列)選擇線。YS1、YS2、…是Y(列)選擇線。CP、CP1、…CP5是接觸焊盤。FG是晶體管柵極。L是晶體管擴(kuò)散層。M1是金屬第1層。M2是金屬第2層。M3是金屬第3層。TH1是從M2和M3通向M1的接觸孔。TH1’是從M2和M3不通過M1的通向L、FG的接觸孔。P-sub是P型半導(dǎo)體襯底。CNT是接觸孔。NWEL是p-sub中的N型半導(dǎo)體區(qū)。SNCT是存儲(chǔ)單元內(nèi)儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)擴(kuò)散層。DLCT是存儲(chǔ)單元內(nèi)數(shù)據(jù)線擴(kuò)散層接觸。IOG是數(shù)據(jù)輸入輸出電路。WL(i)、WL1、WL2、WL3、WL4是字線。VDL/2是數(shù)據(jù)線預(yù)充電電位。FPC(j)是預(yù)充電控制信號。CSP(j)、CSN(j)是SA公共源極線。IO0t、IO0b、IO1t、IO1B是IO線。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，具備具有設(shè)置在含有第1數(shù)據(jù)線、第2數(shù)據(jù)線、第3數(shù)據(jù)線和第4數(shù)據(jù)線的第1數(shù)據(jù)線群和多個(gè)第1字線的交點(diǎn)上的多個(gè)第1存儲(chǔ)單元的第1存儲(chǔ)器陣列；具有設(shè)置在含有第5數(shù)據(jù)線、第6數(shù)據(jù)線、第7數(shù)據(jù)線和第8數(shù)據(jù)線的第2數(shù)據(jù)線群和多個(gè)第2字線的交點(diǎn)上的多個(gè)第2存儲(chǔ)單元的第2存儲(chǔ)器陣列；含有設(shè)置在上述第1存和上述第2存儲(chǔ)器陣列之間，彼此相鄰的第1讀出放大器和第2讀出放大器的第1讀出放大器塊，其特征在于上述第1讀出放大器，借助于耦合到上述第1數(shù)據(jù)線和含于上述第2數(shù)據(jù)線群的一條數(shù)據(jù)線上的辦法，作成為開放式數(shù)據(jù)線配置，上述第2讀出放大器，借助于耦合到上述第4數(shù)據(jù)線和含于上述第2數(shù)據(jù)線群的另一條數(shù)據(jù)線上的辦法，作成為開放式數(shù)據(jù)線配置，在上述第1數(shù)據(jù)線與上述第4數(shù)據(jù)線之間配置上述第2和第3數(shù)據(jù)線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于連接到上述第1讀出放大器上的含于上述第2數(shù)據(jù)線群中的一條數(shù)據(jù)線是上述第6數(shù)據(jù)線，連接到上述第2讀出放大器上的含于上述第2數(shù)據(jù)線群中的另一條數(shù)據(jù)線是上述第7數(shù)據(jù)線，在上述第5數(shù)據(jù)線與上述第8數(shù)據(jù)線之間配置上述第6和第7數(shù)據(jù)線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述第1讀出放大器塊還具有耦合到上述第1讀出放大器上的第9數(shù)據(jù)線和第10數(shù)據(jù)線以及耦合到上述第2讀出放大器上的第11數(shù)據(jù)線和第12數(shù)據(jù)線，上述第10和第11數(shù)據(jù)線配置在上述第9數(shù)據(jù)線與上述第12數(shù)據(jù)線之間，上述第1讀出放大器通過上述第9數(shù)據(jù)線耦合到上述第1數(shù)據(jù)線上并通過上述第10數(shù)據(jù)線耦合到上述第6數(shù)據(jù)線上，上述第2讀出放大器通過上述第11數(shù)據(jù)線耦合到上述第4數(shù)據(jù)線上并通過上述第12數(shù)據(jù)線耦合到上述第7數(shù)據(jù)線上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述第1到第12數(shù)據(jù)線在第1布線層上形成，上述第1讀出放大器塊還具有配置在上述第10數(shù)據(jù)線和上述第11數(shù)據(jù)線之間且在上述第1布線層上形成的接觸焊盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述第1到第12數(shù)據(jù)線在第1布線層上形成，上述第1讀出放大器塊還具有配置在上述第10數(shù)據(jù)線和上述第11數(shù)據(jù)線之間且在上述第1布線層上形成的第1接觸焊盤，和對于上述第12數(shù)據(jù)線來說被配置在上述第11數(shù)據(jù)線的相反一側(cè)且在上述第1布線層上形成的第2接觸焊盤。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述第1讀出放大器塊還具有耦合到上述第1讀出放大器上的第9數(shù)據(jù)線和第10數(shù)據(jù)線以及耦合到上述第2讀出放大器上的第11數(shù)據(jù)線和第12數(shù)據(jù)線，在上述第9數(shù)據(jù)線與上述第12數(shù)據(jù)線之間配置上述第10和第11數(shù)據(jù)線，上述第1讀出放大器通過上述第9數(shù)據(jù)線耦合到上述第1數(shù)據(jù)線上并通過上述第10數(shù)據(jù)線耦合到上述第6數(shù)據(jù)線上，上述第2讀出放大器通過上述第11數(shù)據(jù)線耦合到上述第7數(shù)據(jù)線上并通過上述第12數(shù)據(jù)線耦合到上述第4數(shù)據(jù)線上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述第1到第12數(shù)據(jù)線在第1布線層上形成，上述第1讀出放大器塊還具有配置在上述第9數(shù)據(jù)線和上述第10數(shù)據(jù)線之間且在上述第1布線層上形成的第1接觸焊盤，和配置在上述第11數(shù)據(jù)線和上述第12數(shù)據(jù)線之間且在上述第1布線層上形成的第2接觸焊盤。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述半導(dǎo)體器件還具有設(shè)置在相對于上述第1讀出放大器塊來說夾持上述第1存儲(chǔ)器陣列的位置上，具有彼此相鄰的第3讀出放大器和第4讀出放大器的第2讀出放大器塊，設(shè)置在相對于上述第1讀出放大器塊來說夾持上述第2存儲(chǔ)器陣列的位置上，具有彼此相鄰的第5讀出放大器和第6讀出放大器的第3讀出放大器塊，上述第3讀出放大器耦合到上述第2數(shù)據(jù)線上，上述第4讀出放大器耦合到上述第3數(shù)據(jù)線上，上述第5讀出放大器耦合到上述第5數(shù)據(jù)線上，上述第6讀出放大器耦合到上述第8數(shù)據(jù)線上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于含于連接到上述第1讀出放大器上的上述第2數(shù)據(jù)線群中的一條數(shù)據(jù)線是上述第5數(shù)據(jù)線，含于連接到上述第2讀出放大器上的上述第2數(shù)據(jù)線群中的另一條數(shù)據(jù)線是上述第8數(shù)據(jù)線，在上述第5數(shù)據(jù)線與上述第8數(shù)據(jù)線之間配置上述第6和第7數(shù)據(jù)線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述第1讀出放大器塊還具有耦合到上述第1讀出放大器上的第9數(shù)據(jù)線和第10數(shù)據(jù)線以及耦合到上述第1讀出放大器上的第11數(shù)據(jù)線和第12數(shù)據(jù)線，上述第10和第11數(shù)據(jù)線配置在上述第9數(shù)據(jù)線與上述第12數(shù)據(jù)線之間，上述第1讀出放大器通過上述第9數(shù)據(jù)線耦合到上述第1數(shù)據(jù)線上且通過上述第10數(shù)據(jù)線耦合到上述第5數(shù)據(jù)線上，上述第2讀出放大器通過上述第11數(shù)據(jù)線耦合到上述第8數(shù)據(jù)線上且通過上述第12數(shù)據(jù)線耦合到上述第4數(shù)據(jù)線上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述第1到第12數(shù)據(jù)線在第1布線層上形成，上述第1讀出放大器塊還具有配置在上述第9數(shù)據(jù)線和上述第10數(shù)據(jù)線之間且在上述第1布線層上形成的第1接觸焊盤，和配置在上述第11數(shù)據(jù)線和上述第12數(shù)據(jù)線之間且在上述第1布線層上形成的第2接觸焊盤。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述第1和第5數(shù)據(jù)線配置在第1假想直線上，上述第2和第6數(shù)據(jù)線配置在第2假想直線上，上述第3和第7數(shù)據(jù)線配置在第3假想直線上，上述第4和第8數(shù)據(jù)線配置在第4假想直線上，上述第1到第4假想直線以規(guī)定的間隔平行地配置。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述第1到第4數(shù)據(jù)線分別以最小加工尺寸F的2倍以上的間隔排列，上述第5到第8數(shù)據(jù)線分別以最小加工尺寸F的2倍以上的間隔排列。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述第1和第2存儲(chǔ)器陣列分別具有一個(gè)交點(diǎn)式的存儲(chǔ)器矩陣構(gòu)造，上述多個(gè)第1和第2存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)都含有開關(guān)用MISFET和電容器，上述第1到第4讀出放大器中的每一個(gè)都含有漏極柵極交叉連接且源極共通連接的P型MISFET對和漏極柵極交叉連接且源極共通連接的N型MISFET對。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述多個(gè)第1和第2存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)都含有開關(guān)用MISFET和電容器，且相對于最小加工尺寸F具有F的2次方的大體上6倍的面積。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述第1到第8數(shù)據(jù)線用使用相移光掩模的光刻技術(shù)形成。
17.一種半導(dǎo)體器件，具備第1讀出放大器塊，該第1讀出放大器塊包括含有在第1數(shù)據(jù)線、第2數(shù)據(jù)線、第3數(shù)據(jù)線和第4數(shù)據(jù)線與多個(gè)第1字線之間的交點(diǎn)上設(shè)置的多個(gè)第1存儲(chǔ)單元的第1存儲(chǔ)器陣列；含有在第5數(shù)據(jù)線、第6數(shù)據(jù)線、第7數(shù)據(jù)線和第8數(shù)據(jù)線與多個(gè)第2字線之間的交點(diǎn)上設(shè)置的多個(gè)第2存儲(chǔ)單元的第2存儲(chǔ)器陣列；設(shè)置在上述第1存儲(chǔ)器陣列與上述第2存儲(chǔ)器陣列之間且彼此相鄰的第1讀出放大器和第2讀出放大器；耦合到上述第1讀出放大器上的第9數(shù)據(jù)線和第10數(shù)據(jù)線；耦合到上述第2讀出放大器上的第11數(shù)據(jù)線和第12數(shù)據(jù)線，其特征在于上述第1讀出放大器采用通過上述第9數(shù)據(jù)線與上述第1數(shù)據(jù)線進(jìn)行耦合且通過上述第10數(shù)據(jù)線耦合到上述第6數(shù)據(jù)線上的辦法，作成為開放式數(shù)據(jù)線配置，上述第2讀出放大器采用通過上述第11數(shù)據(jù)線與上述第8數(shù)據(jù)線進(jìn)行耦合且通過上述第12數(shù)據(jù)線耦合到上述第3數(shù)據(jù)線上的辦法，作成為開放式數(shù)據(jù)線配置，在上述第1和第3數(shù)據(jù)線之間配置上述第2數(shù)據(jù)線，在上述第2和第4數(shù)據(jù)線之間配置上述第3數(shù)據(jù)線，在上述第5和第7數(shù)據(jù)線之間配置上述第6數(shù)據(jù)線，在上述第6和第8數(shù)據(jù)線之間配置上述第7數(shù)據(jù)線，在上述第9和第12數(shù)據(jù)線之間配置上述第10和第11數(shù)據(jù)線。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述第1到第12數(shù)據(jù)線在第1布線層上形成，上述第1讀出放大器塊具有配置在上述第10數(shù)據(jù)線和上述第11數(shù)據(jù)線之間且在上述第1布線層上形成的接觸焊盤。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述第1到第12數(shù)據(jù)線在第1布線層上形成，上述第1讀出放大器塊還具有配置在上述第10數(shù)據(jù)線和上述第11數(shù)據(jù)線之間且在上述第1布線層上形成的第1接觸焊盤，和相對于上述第12數(shù)據(jù)線來說配置在上述第11數(shù)據(jù)線的相反一側(cè)且在上述第1布線層上形成的第2接觸焊盤。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述半導(dǎo)體器件還具備具有設(shè)置在相對于上述第1讀出放大器塊來說夾持上述第1存儲(chǔ)器陣列的位置上，且彼此相鄰的第3讀出放大器和第4讀出放大器的第2讀出放大器塊，具有設(shè)置在相對于上述第1讀出放大器塊來說夾持上述第2存儲(chǔ)器陣列的位置上，且彼此相鄰的第5讀出放大器和第6讀出放大器的第3讀出放大器塊，上述第3讀出放大器耦合在上述第2數(shù)據(jù)線上，上述第4讀出放大器耦合在上述第4數(shù)據(jù)線上，上述第5讀出放大器耦合在上述第5數(shù)據(jù)線上，上述第6讀出放大器耦合在上述第7數(shù)據(jù)線上。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述多個(gè)第1和第2存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)都含有開關(guān)用MISFET和電容器，上述多個(gè)第1和第2存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)的面積，相對于最小加工尺寸F具有F的2次方的大體上6倍的面積。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述半導(dǎo)體器件具有用上述第1讀出放大器和上述第2讀出放大器之間的鏡像軸進(jìn)行鏡像反轉(zhuǎn)后的形狀。
23.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于具備含有在第1數(shù)據(jù)線、第2數(shù)據(jù)線、第3數(shù)據(jù)線和第4數(shù)據(jù)線與多個(gè)第1字線之間的交點(diǎn)上設(shè)置的多個(gè)第1存儲(chǔ)單元的第1存儲(chǔ)器陣列；和含有在第5數(shù)據(jù)線、第6數(shù)據(jù)線、第7數(shù)據(jù)線和第8數(shù)據(jù)線與多個(gè)第2字線之間的交點(diǎn)上設(shè)置的多個(gè)第2存儲(chǔ)單元的第2存儲(chǔ)器陣列；含有設(shè)置在上述第1存儲(chǔ)器陣列與上述第2存儲(chǔ)器陣列之間的區(qū)域內(nèi)，且彼此相鄰的第1讀出放大器和第2讀出放大器的第1讀出放大器塊，上述第1讀出放大器，采用耦合到上述第1數(shù)據(jù)線與上述第6數(shù)據(jù)線上的辦法，作成為開放式數(shù)據(jù)線配置，上述第2讀出放大器，采用耦合到上述第3數(shù)據(jù)線與上述第8數(shù)據(jù)線上的辦法，作成為開放式數(shù)據(jù)線配置，在上述第1和第3數(shù)據(jù)線之間配置上述第2數(shù)據(jù)線，在上述第2和第4數(shù)據(jù)線之間配置上述第3數(shù)據(jù)線，在上述第5和第7數(shù)據(jù)線之間配置上述第6數(shù)據(jù)線，在上述第6和第8數(shù)據(jù)線之間配置上述第7數(shù)據(jù)線，上述第1到第4數(shù)據(jù)線，分別以最小加工尺寸F的大體上3倍以上的間隔進(jìn)行配置，從上述第5到第8數(shù)據(jù)線，分別以最小加工尺寸F的大體上3倍以上的間隔進(jìn)行配置。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述第1讀出放大器塊還具有耦合到上述第1讀出放大器上的第9數(shù)據(jù)線和第10數(shù)據(jù)線、耦合到上述第2讀出放大器上的第11數(shù)據(jù)線和第12數(shù)據(jù)線、第1驅(qū)動(dòng)線和第2驅(qū)動(dòng)線，上述第1和第2讀出放大器中的每一個(gè)都含有在N型半導(dǎo)體區(qū)上形成的漏極柵極交叉連接且源極共通連接的P型MISFET對和在P型半導(dǎo)體區(qū)上形成的漏極柵極交叉連接且源極共通連接的N型MISFET對，上述第1到第12數(shù)據(jù)線，在比上述N型和P型半導(dǎo)體區(qū)還往上的上層上形成的第1布線層上形成，上述第1到第2驅(qū)動(dòng)線，在比上述第1布線層還往上的上層上形成的第2布線層上形成，在上述第9數(shù)據(jù)線與上述第12數(shù)據(jù)線之間配置上述第10和第11數(shù)據(jù)線，第1和第2讀出放大器的上述P型MISFET對的源極，通過在上述第10和第11數(shù)據(jù)線之間設(shè)置的第1貫通孔連接到上述第1驅(qū)動(dòng)線上，第1和第2讀出放大器的上述N型MISFET對的源極，通過在上述第10和第11數(shù)據(jù)線之間設(shè)置的第2貫通孔連接到上述第2驅(qū)動(dòng)線上。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于在形成上述第1到第8數(shù)據(jù)線時(shí)，使用分配給上述第1、第3、第5和第7數(shù)據(jù)線的圖形的相位與分配給上述第2、第4、第6和第8數(shù)據(jù)線的圖形的相位差180度的相移掩模。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述最小加工尺寸F定為0.15微米以下。
27.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于具備含有設(shè)置在多個(gè)第1數(shù)據(jù)線和多個(gè)第1字線的交點(diǎn)上的多個(gè)第1存儲(chǔ)單元的第1存儲(chǔ)器陣列，含有設(shè)置在多個(gè)第2數(shù)據(jù)線和多個(gè)第2字線的交點(diǎn)上的多個(gè)第2存儲(chǔ)單元的第2存儲(chǔ)器陣列，含有在上述第1和第2存儲(chǔ)器陣列之間的區(qū)域上設(shè)置且彼此相鄰的第1和第2讀出放大器的第1讀出放大器塊上述第1讀出放大器，采用耦合到上述多條第1數(shù)據(jù)線中的一條和上述多條第2數(shù)據(jù)線中的一條數(shù)據(jù)線上的辦法變成為開放式數(shù)據(jù)線配置，上述第2讀出放大器，采用耦合到上述多條第1數(shù)據(jù)線中的另一條和上述多條第2數(shù)據(jù)線中的另一條數(shù)據(jù)線上的辦法變成為開放式數(shù)據(jù)線配置，上述多個(gè)第1和第2存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)，都具有最小加工尺寸的2次方的6倍的面積(6F2)。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述多條第1數(shù)據(jù)線中的每一條，都用具備在相鄰的第1數(shù)據(jù)線之間具有180度的相位差的開口部分的相移法形成，上述多條第2數(shù)據(jù)線中的每一條，都用具備在相鄰的第2數(shù)據(jù)線之間具有180度的相位差的開口部分的相移法形成。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述多條第1數(shù)據(jù)線中的每一條，都用具備在相鄰的第1數(shù)據(jù)線之間具有180度的相位差的開口部分的相移法形成，上述多條第2數(shù)據(jù)線中的每一條，都用具備在相鄰的第2數(shù)據(jù)線之間具有180度的相位差的開口部分的相移掩模形成。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于連接到上述第1讀出放大器上的上述多條第1數(shù)據(jù)線中的一條和連接到上述第2讀出放大器上的上述多條第1數(shù)據(jù)線中的另一條，用具備在各自之間具有180度相位差的開口部分的相移掩模形成，連接到上述第1讀出放大器上的上述多條第2數(shù)據(jù)線中的一條和連接到上述第2讀出放大器上的上述多條第2數(shù)據(jù)線中的另一條，用具備在各自之間具有180度相位差的開口部分的相移掩模形成。
全文摘要
在進(jìn)行讀出放大器交互配置的情況下，作為從子存儲(chǔ)器陣列(SMA)向讀出放大器(SA)引出數(shù)據(jù)線的方式，把在子存儲(chǔ)器陣列內(nèi)連續(xù)的2條或者交錯(cuò)地把2條數(shù)據(jù)線夾在中間的2條數(shù)據(jù)線，連接到相鄰的讀出放大器上。說得更詳細(xì)點(diǎn)，采用使被夾持在連接到2個(gè)相鄰的讀出放大器上的每一條數(shù)據(jù)線之間的數(shù)據(jù)線的條數(shù)變成為偶數(shù)(0、2、4…)的辦法，就可以避免在讀出放大器塊與子存儲(chǔ)器陣列的連接部分處的斷線、短路，因而使布局變得容易起來。
文檔編號H01L27/108GK1391702SQ00816039
公開日2003年1月15日 申請日期2000年11月29日 優(yōu)先權(quán)日1999年12月3日
發(fā)明者竹村理一郎, 関口知紀(jì), 木村勝高, 梶谷一彥, 高橋繼雄 申請人:株式會(huì)社日立制作所