專利名稱：半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，特別是自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)處理的后工序中的鋁觸點(diǎn)。
對(duì)于使用自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)的先有的半導(dǎo)體裝置，以動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(以后，稱為DRAM)為例進(jìn)行說明。圖29是先有的DRAM的平面設(shè)計(jì)和剖面結(jié)構(gòu)圖。如圖29所示，DRAM的存儲(chǔ)單元是先將傳輸門(字線WL)置于半導(dǎo)體基板上，然后將位線(BL)置于其上。因此，位線觸點(diǎn)設(shè)計(jì)在字線之間，從上方落到字線的間隙內(nèi)。
另一方面，電容器部取代已達(dá)到電容量極限的平行平板式電極，開發(fā)了3維的層疊式單元或溝槽式單元。其中，特別是在層疊系統(tǒng)中，不考慮位線觸點(diǎn)，使存儲(chǔ)區(qū)域重新采用充滿單位單元的COB(位線上的電容器Capacitor-Over-Bitline)的結(jié)構(gòu)(參見IDEMT ech.Dig.1988.pp.592-595)。在該結(jié)構(gòu)中，如其名稱那樣，由于電容器位于位線的上方，將電容器的觸點(diǎn)即存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)設(shè)計(jì)在位線與字線的格子之間，使之必須從上落到格子的間隙內(nèi)。
在微細(xì)加工技術(shù)進(jìn)步的過程中，將重疊及尺寸的總誤差控制到更小的尺寸微細(xì)化率是非常困難的。如果重疊有偏離，例如，如圖29所示的那樣，位線觸點(diǎn)或存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)就會(huì)與傳輸門短路。對(duì)于這種嚴(yán)格微細(xì)化的橫向控制性，需要有裕量的組裝工藝，即自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)技術(shù)。
圖30是使用氮化硅膜的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)技術(shù)的例子。在使用氮化硅膜的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)技術(shù)中，有用氮化硅膜覆蓋布線層上部和側(cè)壁的SiN(氮化硅膜)側(cè)壁方式(參見USP5270240)，和在層間氧化膜之間夾1層氮化硅膜的覆蓋SiN(氮化硅膜)方式(參見Symp.VLSI.Tech.Dig.1987.pp.93-94)。不論哪一種方式，都是用蝕刻停止層即SiN(氮化硅膜)覆蓋底層布線即傳輸門。在SiN側(cè)壁方式中，為了不削減SiN，進(jìn)行氧化膜蝕刻，獲得與基板的觸點(diǎn)，在覆蓋SiN方式中，暫時(shí)用SiN使氧化膜觸點(diǎn)蝕刻停止后，對(duì)SiN和底層氧化膜進(jìn)行蝕刻，獲得與基板的觸點(diǎn)。
進(jìn)行以上述氮化硅膜作為停止層的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)開口的器件在后工序中發(fā)生的問題是，鋁布線用的觸點(diǎn)蝕刻問題。圖31是示出貫穿層間絕緣膜的鋁觸點(diǎn)的狀態(tài)的圖，示出了必須在層間膜的各種深度上獲得觸點(diǎn)。如圖31所示，特別是如果使鋁觸點(diǎn)的層間膜完全平坦化，則活性區(qū)域和字線上的觸點(diǎn)便加深，從而表面增大。在表面比大的微細(xì)觸點(diǎn)上，在孔的底部，將發(fā)生使蝕刻速度降低的RIELag(反離子蝕刻延遲，Reactive IonEtching Lag)。特別是以氮化硅膜作為停止層的自調(diào)節(jié)方式，在容易發(fā)生RIELag的深的接觸孔的底部進(jìn)而成為保留著難于進(jìn)行蝕刻的氮化硅膜的結(jié)構(gòu)。在氮化硅膜上開孔的期間，有可能對(duì)上部的位線及單元板過蝕刻，最終，將其穿透。
如上所述，以往，在使用自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)的半導(dǎo)體裝置的制造中，在后工序的鋁觸點(diǎn)的形成中存在各種問題。本發(fā)明就是為了解決這些問題而提案的，對(duì)于使用采用氮化硅膜等自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)技術(shù)的半導(dǎo)體裝置，目的在于提供在層間有效地形成鋁觸點(diǎn)等的導(dǎo)通路的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于具有半導(dǎo)體基板、覆蓋在該半導(dǎo)體基板的主面上的絕緣膜、在該絕緣膜中設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的主面附近具有觸點(diǎn)部的導(dǎo)電部、設(shè)置在上述絕緣膜中覆蓋上述半導(dǎo)體基板的主面和上述導(dǎo)電部的氮化硅膜、和貫穿上述絕緣膜和上述氮化硅膜至上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路。
本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置的特征在于具有在主面上具有觸點(diǎn)部的半導(dǎo)體基板、覆蓋在該半導(dǎo)體基板的主面上的絕緣膜、在該絕緣膜中設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的主面附近具有觸點(diǎn)部的導(dǎo)電部、設(shè)置在上述絕緣膜中覆蓋上述半導(dǎo)體基板的主面和上述導(dǎo)電部的氮化硅膜、貫穿上述絕緣膜和上述氮化硅膜至上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路、和貫穿上述絕緣膜和上述氮化硅膜至上述半導(dǎo)體基板的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路。
本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置的特征在于具有在主面上具有觸點(diǎn)部的半導(dǎo)體基板、覆蓋在該半導(dǎo)體基板的主面上的絕緣膜、在該絕緣膜中設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的主面附近具有觸點(diǎn)部的一個(gè)導(dǎo)電部、設(shè)置在上述絕緣膜中保留覆蓋上述半導(dǎo)體基板的主面的觸點(diǎn)部而在上述一個(gè)導(dǎo)電部的區(qū)域上除去的氮化硅膜、設(shè)置在上述絕緣膜中的另一個(gè)導(dǎo)電部、從另一個(gè)導(dǎo)電部貫穿上述絕緣膜和上述氮化硅膜至上述半導(dǎo)體基板的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路、和貫穿上述絕緣膜至上述一個(gè)導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路。
本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置的特征在于具有在主面上具有一邊和另一邊的觸點(diǎn)部的半導(dǎo)體基板、覆蓋在該半導(dǎo)體基板的主面上的絕緣膜、在該絕緣膜中設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的主面附近具有觸點(diǎn)部的一個(gè)導(dǎo)電部、設(shè)置在上述絕緣膜中保留覆蓋上述半導(dǎo)體基板的主面的上述另一邊的觸點(diǎn)部而在上述一邊的觸點(diǎn)部和上述一個(gè)導(dǎo)電部的區(qū)域除去的氮化硅膜、設(shè)置在上述絕緣膜中的另一個(gè)導(dǎo)電部、從該另一個(gè)導(dǎo)電部貫穿上述絕緣膜和上述氮化硅膜至上述半導(dǎo)體基板的上述另一邊的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路、貫穿上述絕緣膜至上述一個(gè)導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路、和貫穿上述絕緣膜至上述一邊的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路。
本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置的特征在于具有半導(dǎo)體基板、覆蓋在該半導(dǎo)體基板的主面上的絕緣膜、在該絕緣膜中在上述半導(dǎo)體基板的主面附近從該主面突出設(shè)置的導(dǎo)電部、設(shè)置在上述絕緣膜中覆蓋上述導(dǎo)電部的側(cè)面的氮化硅膜、和貫穿上述絕緣膜至上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路。
本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置的特征在于具有在主面上具有觸點(diǎn)部的半導(dǎo)體基板、覆蓋在該半導(dǎo)體基板的主面上的絕緣膜、在該絕緣膜中在上述半導(dǎo)體基板的主面附近從該主面突出設(shè)置具有觸點(diǎn)部的導(dǎo)電部、設(shè)置在上述絕緣膜中覆蓋上述導(dǎo)電部的側(cè)面的氮化硅膜、貫穿上述絕緣膜至上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路、和貫穿上述絕緣膜至上述半導(dǎo)體基板的主面的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路。
本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置的特征在于具有半導(dǎo)體基板、覆蓋在該半導(dǎo)體基板的主面上的絕緣膜、在該絕緣膜中在上述半導(dǎo)體基板的主面附近從該主面突出設(shè)置的導(dǎo)電部、設(shè)置在上述絕緣膜中覆蓋上述導(dǎo)電部的氮化硅膜、和貫穿上述絕緣膜和上述氮化硅膜至上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路。
本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置的特征在于具有在主面上具有觸點(diǎn)部的半導(dǎo)體基板、覆蓋在該半導(dǎo)體基板的主面上的絕緣膜、在該絕緣膜中在上述半導(dǎo)體基板的主面附近從該主面突出設(shè)置的導(dǎo)電部、設(shè)置在上述絕緣膜中覆蓋上述導(dǎo)電部的氮化硅膜、貫穿上述絕緣膜和上述氮化硅膜至上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路、和貫穿上述絕緣膜至上述半導(dǎo)體基板的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路。
本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置的特征在于在上述各發(fā)明中具有設(shè)置在上述絕緣膜中具有觸點(diǎn)部的另一個(gè)導(dǎo)電部、和貫穿上述絕緣膜至上述另一個(gè)導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的另一個(gè)導(dǎo)通路。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于包括將一絕緣膜覆蓋在半導(dǎo)體基板的主面上的工序、在該絕緣膜上設(shè)置導(dǎo)電部的工序、用氮化硅膜覆蓋上述一絕緣膜和上述導(dǎo)電部的工序、將上述氮化硅膜的至少上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的區(qū)域除去后用另一絕緣膜覆蓋的工序、和設(shè)置貫穿上述另一絕緣膜至上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于包括將第1絕緣膜覆蓋在半導(dǎo)體基板的主面上的工序、在該第1絕緣膜上設(shè)置導(dǎo)電部的工序、在該導(dǎo)電部上覆蓋第2絕緣膜的工序、在上述第1絕緣膜和第2絕緣膜上覆蓋氮化硅膜的工序、將上述氮化硅膜的至少上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的區(qū)域除去覆蓋第3絕緣膜的工序、和設(shè)置貫穿上述第3絕緣膜至上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序。
本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于包括將第1絕緣膜覆蓋在半導(dǎo)體基板的主面上的工序、在該絕緣膜上設(shè)置導(dǎo)電部的工序、在該導(dǎo)電部上覆蓋第2絕緣膜的工序、在上述第1絕緣膜和第2絕緣膜上覆蓋氮化硅膜的工序、將上述氮化硅膜只保留上述半導(dǎo)體基板的主面的一部分而其余部分除去后覆蓋第3絕緣膜的工序、和設(shè)置貫穿上述第3絕緣膜至上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序。
本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于包括在半導(dǎo)體基板的主面上覆蓋第1絕緣膜的工序、在該絕緣膜上設(shè)置導(dǎo)電部的工序、用第2絕緣膜覆蓋該導(dǎo)電部的工序、在上述第1絕緣膜和第2絕緣膜上覆蓋氮化硅膜的工序、將上述氮化硅膜只保留上述導(dǎo)電部的側(cè)面部分而其余部分除去后覆蓋第3絕緣膜的工序、和設(shè)置貫穿上述第3絕緣膜至上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序。
本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于包括在半導(dǎo)體基板的主面上覆蓋第1絕緣膜的工序、在該絕緣膜上設(shè)置導(dǎo)電部的工序、在該導(dǎo)電部上覆蓋第2絕緣膜的工序、在上述第1絕緣膜和上述第2絕緣膜上覆蓋氮化硅膜的工序、在上述氮化硅膜上覆蓋第3絕緣膜的工序、和設(shè)置貫穿上述第3絕緣膜及上述氮化硅膜和上述第2絕緣膜至上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序。
本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于包括在半導(dǎo)體基板的主面上覆蓋第1絕緣膜的工序、在該絕緣膜上設(shè)置導(dǎo)電部的工序、在該導(dǎo)電部上覆蓋第2絕緣膜的工序、在上述第1絕緣膜和上述第2絕緣膜上覆蓋氮化硅膜的工序、設(shè)置包圍另一個(gè)導(dǎo)電部并且覆蓋在上述氮化硅膜上的第3絕緣膜的工序、設(shè)置貫穿上述第3絕緣膜至上述另一個(gè)導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序、和設(shè)置貫穿上述第3絕緣膜和上述氮化硅膜至上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序。
本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于包括在半導(dǎo)體基板的主面上覆蓋第1絕緣膜的工序、在該第1絕緣膜上設(shè)置導(dǎo)電部的工序、在該導(dǎo)電部上覆蓋第2絕緣膜的工序、在上述第1絕緣膜和上述第2絕緣膜上覆蓋氮化硅膜的工序、設(shè)置包圍覆蓋著其他氮化硅膜的另一個(gè)導(dǎo)電部并且覆蓋在上述氮化硅膜上的第3絕緣膜的工序、設(shè)置貫穿上述第3絕緣膜向著上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部至上述氮化硅膜的開口同時(shí)設(shè)置貫穿上述第3絕緣膜向著上述另一個(gè)導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部至上述其他氮化硅膜的開口的工序、和設(shè)置分別從上述開口貫穿上述氮化硅膜和上述第2絕緣膜至上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路同時(shí)設(shè)置貫穿上述其他氮化硅膜至上述另一個(gè)導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序。
本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于包括在半導(dǎo)體基板的主面上覆蓋一絕緣膜的工序、在該絕緣膜上設(shè)置導(dǎo)電部的工序、用氮化硅膜覆蓋上述導(dǎo)電部的工序、用另一絕緣膜覆蓋上述氮化硅膜的工序、和設(shè)置貫穿上述另一絕緣膜和上述氮化硅膜至上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序。
本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于包括在半導(dǎo)體基板的主面上覆蓋一絕緣膜的工序、在該絕緣膜上設(shè)置導(dǎo)電部的工序、用氮化硅膜覆蓋上述導(dǎo)電部的工序、用另一絕緣膜覆蓋上述氮化硅膜的工序、設(shè)置貫穿上述一絕緣膜和另一絕緣膜至上述半導(dǎo)體基板的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序、和設(shè)置貫穿上述另一絕緣膜和上述氮化硅膜至上述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序。


圖1是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖2是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖3是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖4是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖5是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖6是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)3的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖7是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖8是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖9是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖10是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖11是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)5的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖12是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)6的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖13是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)6的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖14是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)6的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖15是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)7的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖16是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)8的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖17是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)8的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖18是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)8的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖19是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)9的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖20是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)10的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖21是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)10的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖22是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)10的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖23是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)10的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖24是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)10的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖25是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)11的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖26是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)12的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖27是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)12的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖28是用于說明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)12的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖29是表示先有的DRAM的結(jié)構(gòu)的圖；圖30是用于說明使用氮化硅膜的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)技術(shù)的圖；圖31是表示貫穿層間絕緣膜的導(dǎo)通路(鋁觸點(diǎn))的狀態(tài)的圖。
符號(hào)的說明
1半導(dǎo)體基板 1a、1b觸點(diǎn)部 2第一絕緣膜(氧化膜)2a開口3第二絕緣膜(氧化膜)3a開口 4氮化硅膜4a、4b開口5第三絕緣膜(層間絕緣膜或?qū)娱g氧化膜)5a、5b、5c、5d開口5’第四絕緣膜(氧化膜)6導(dǎo)電部(傳輸門) 6a觸點(diǎn)部7導(dǎo)電部(字線)8導(dǎo)電部(位線) 8a觸點(diǎn)部9導(dǎo)電部(單元板)9a觸點(diǎn)部 10導(dǎo)電部(位線) 11位線接觸通路12、13抗蝕層 14第五絕緣膜(氧化膜)實(shí)施形態(tài)1圖1是用于說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，(a)是表示平面狀態(tài)的圖，(b)是表示剖面結(jié)構(gòu)的圖。在以下的實(shí)施形態(tài)中，在半導(dǎo)體裝置中以DRAM為例進(jìn)行說明。在圖示的半導(dǎo)體裝置(DRAM)中，由沒有鋁觸點(diǎn)的存儲(chǔ)單元陣列部A和具有基板、傳輸門、位線及向單元板上的鋁觸點(diǎn)的周邊電路部B構(gòu)成。
如圖所示，該半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體基板1、作為第1絕緣膜的氧化膜2、作為第2絕緣膜的氧化膜3、氮化硅膜4、作為第3絕緣膜的層間絕緣膜或?qū)娱g氧化膜5、第1氧化膜2上的導(dǎo)電部6和7、層間絕緣膜5中的導(dǎo)電部8和9、層間絕緣膜5中的另一導(dǎo)電部10及其接觸通路11。
半導(dǎo)體基板1在其主面上形成很多元件，但是，這里只示出了獲得層間的觸點(diǎn)的觸點(diǎn)部1a和獲得與導(dǎo)電部10的觸點(diǎn)的觸點(diǎn)部1b。第1氧化膜2覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上，成為柵極氧化膜，在半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a處具有開口2a。第2氧化膜3覆蓋在導(dǎo)電部6和7上，以這樣的形式形成。覆蓋導(dǎo)電部6的第2氧化膜3在該導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a處具有開口3a。
氮化硅膜(SiN)4覆蓋在第1氧化膜2和第2氧化膜3上，在半導(dǎo)體基板1的主面的觸點(diǎn)部1a處具有開口4a，在導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a處具有開口4b。該氮化硅膜4是為了在存儲(chǔ)單元陣列部A上的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)而形成的，同時(shí)，在周邊部B上也形成。
層間絕緣膜5覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面的觸點(diǎn)部周圍的區(qū)域、導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a的周圍的第1氧化膜2和第2氧化膜3、以及氮化硅膜4上，在半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a處具有開口5a，在導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a處具有開口5b。在設(shè)置在該層間絕緣膜5中的中空位置上的導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a處具有開口5c，在導(dǎo)電部9的觸點(diǎn)部9a處具有開口5d。
導(dǎo)電部6突出地設(shè)置在第1氧化膜2上，是成為作為傳輸門的字線的導(dǎo)電部。導(dǎo)電部7突出地設(shè)置在第1氧化膜2上，是成為柵極或字線的導(dǎo)電部。導(dǎo)電部8是作為設(shè)置在層間絕緣膜5中的中空位置上的位線的導(dǎo)電部，具有觸點(diǎn)部8a。導(dǎo)電部9是設(shè)置在層間絕緣膜5中的中空位置上作為電容器單元板的導(dǎo)電部，具有觸點(diǎn)部9a。導(dǎo)電部10與導(dǎo)電部8相同，是設(shè)置在層間絕緣膜5中的中空位置上作為位線的導(dǎo)電部，具有接觸通路11。
在該半導(dǎo)體裝置的存儲(chǔ)單元陣列部A中，有成為向半導(dǎo)體基板1的導(dǎo)通路的位線接觸通路11和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)(圖中未示出)，在此處使用自調(diào)節(jié)技術(shù)。
另一方面，在周邊電路部B，有與存儲(chǔ)單元陣列部A的位線觸點(diǎn)通路11同時(shí)形成的位線接觸通路11。此外，在層間絕緣膜5的開口5a、5b、5c、5d處有作為層間的導(dǎo)通路形成的上部金屬布線即所謂的鋁觸點(diǎn)，它們分別到達(dá)半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a、導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a、中空位置上的導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a和中空位置上的導(dǎo)電部9的觸點(diǎn)部9a。
如上所述，本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置在需要與上部金屬布線(鋁觸點(diǎn))接觸的觸點(diǎn)部，除去其周圍的氮化硅膜。這樣，在所有的鋁觸點(diǎn)上就沒有在自調(diào)節(jié)中使用的氮化硅膜了，從而就解決了在氮化硅膜上的所謂蝕刻停止問題。
本實(shí)施形態(tài)也可以按如下方式處理。即，在本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置中，將各絕緣膜2、3、5合并在一起的絕緣膜覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上，在該絕緣膜中，將導(dǎo)電部6設(shè)置在半導(dǎo)體基板1的主面附近。另外，在該絕緣膜中，設(shè)置氮化硅膜4覆蓋半導(dǎo)體基板1的主面和導(dǎo)電部6。并且，形成貫穿絕緣膜和氮化硅膜4至導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a的導(dǎo)通路。另外，形成貫穿絕緣膜和氮化硅膜4至半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a的導(dǎo)通路。氮化硅膜4的開口孔徑形成為大于這些導(dǎo)通路的直徑。另外，在絕緣膜中，設(shè)置其他導(dǎo)電部8、9，形成貫穿絕緣膜至這些導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部8a、9a的導(dǎo)通路。
實(shí)施形態(tài)2圖2～圖5是用于說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖，是極適合于作為用于制造具有實(shí)施形態(tài)1的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的制造方法。圖中，和圖1相同的符號(hào)，分別表示相同或相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 說到制造的工藝，首先，如圖2所示，在半導(dǎo)體基板1的主面上覆蓋第1絕緣膜(氧化膜)2。其次，在該第1氧化膜2的一部分上形成突出的導(dǎo)電部(傳輸門)6和導(dǎo)電部(字線)7。此外，用第2絕緣膜(氧化膜)3覆蓋該導(dǎo)電部6和7。
然后，在其上全面地覆蓋氮化硅膜4。該氮化硅膜4是為了在存儲(chǔ)單元陣列部A上的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)而形成的，同時(shí)，在周邊部B上也形成。此外，在其上全面地覆蓋第4絕緣膜(氧化硅膜)5′。然后，全面地覆蓋抗蝕層12，并在半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a周圍的區(qū)域和導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a周圍的區(qū)域上設(shè)置開口。
其次，如圖3所示，通過選擇蝕刻，從該開口除去第4氧化膜5′。然后，如圖4所示，除去抗蝕層12，將保留的第4氧化膜5′作為掩模，使用熱磷酸等進(jìn)行濕法蝕刻，有選擇地除去氮化硅膜4。
其次，如圖5所示，包括半導(dǎo)體基板1的第1和第2氧化膜2、3上，全面地對(duì)作為層間絕緣膜的氧化硅膜5進(jìn)行平坦化處理。由于保留的第4氧化膜5′與層間氧化膜5成為一體了，所以，就不分開進(jìn)行圖示。在此過程中，貫穿半導(dǎo)體基板1的主面的位線觸點(diǎn)部1b上的氮化硅膜4和第1氧化膜2設(shè)置開口，設(shè)置位線接觸通路11。另外，導(dǎo)電部(位線)8和導(dǎo)電部(位線)10設(shè)置在層間氧化膜5的中空位置上。此外，同樣設(shè)置導(dǎo)電部(單元板)9，成為埋入到層間氧化膜5中的形式。
然后，進(jìn)行覆蓋抗蝕層13，在需要來自上部的鋁觸點(diǎn)的部位進(jìn)行開口，對(duì)層間氧化膜5進(jìn)行選擇蝕刻，設(shè)置通到半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a、導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a、導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a和導(dǎo)電部9的觸點(diǎn)部9a的開口部。此后，除去抗蝕層13，利用層間氧化膜5的這些開口，獲得成為與層間絕緣膜5的上側(cè)的電路之間的導(dǎo)通路的鋁觸點(diǎn)。
這樣，在本實(shí)施形態(tài)中，在氮化硅膜4上重疊上氧化膜5′，用抗蝕層12形成氧化膜5′的圖案，然后，除去抗蝕層12后，將氧化膜5′作為掩模，用熱磷酸等進(jìn)行濕法蝕刻。
如上所述，在本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在需要與上部金屬布線(鋁觸點(diǎn))接觸的觸點(diǎn)部，除去其周圍的氮化硅膜。這樣，在所有的鋁觸點(diǎn)上就沒有自調(diào)節(jié)使用的氮化硅膜了，從而就解決了在氮化硅膜上的所謂蝕刻停止問題。此外，如以往那樣，在將抗蝕層作為掩模用干法蝕刻切除氮化硅膜的方法中，有時(shí)由于與氧化膜的選擇比不夠，有可能將基板1削除，但是，如本實(shí)施形態(tài)那樣，如果使用與氧化膜的選擇比大的濕法蝕刻，便可獲得不會(huì)發(fā)生削除基板和等離子體損傷的穩(wěn)定的制造方法。
本實(shí)施形態(tài)也可以按如下方式進(jìn)行處理。即，本實(shí)施形態(tài)的制造方法包括在半導(dǎo)體基板1的主面上覆蓋第1絕緣膜2；在該第1絕緣膜2上設(shè)置導(dǎo)電部6；在該導(dǎo)電部6上覆蓋第2絕緣膜3；在第1絕緣膜2和第2絕緣膜3上覆蓋氮化硅膜4；將氮化硅膜4的至少導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a的區(qū)域除去，覆蓋第3絕緣膜5；在第3絕緣膜5上設(shè)置開口和設(shè)置貫穿第3絕緣膜5至導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)6a的導(dǎo)通路的各工序。
實(shí)施形態(tài)3圖6是用于說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)3的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，(a)是表示平面狀態(tài)的圖，(b)是表示剖面結(jié)構(gòu)的圖。圖示的半導(dǎo)體裝置(DRAM)由沒有鋁觸點(diǎn)的存儲(chǔ)單元陣列部A和具有基板、傳輸門、位線及向單元板上的鋁觸點(diǎn)的周邊電路部B構(gòu)成。圖中，和圖1相同的符號(hào)，分別表示相同或相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 如圖所示，該半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體基板1、第1氧化膜2、第2氧化膜3、氮化硅膜4、層間絕緣膜5、第1氧化膜2上的導(dǎo)電部6和導(dǎo)電部7、設(shè)置在層間絕緣膜5中的中空位置上的導(dǎo)電部8和導(dǎo)電部9、設(shè)置在層間絕緣膜5中的中空位置上的另一個(gè)導(dǎo)電部10及其接觸通路11。
半導(dǎo)體基板1在其主面上形成很多元件，但是，這里，只示出了獲得層間接觸的觸點(diǎn)部1a和獲得與導(dǎo)電部10接觸的觸點(diǎn)部1b。第1氧化膜2覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上，成為柵極氧化膜，在半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a處具有開口2a。
第2氧化膜3覆蓋設(shè)置在第1氧化膜2上的導(dǎo)電部6和7，覆蓋導(dǎo)電部6的第2氧化膜3在該導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a處具有開口3a。
氮化硅膜(SiN)4在存儲(chǔ)單元陣列部A覆蓋在第1氧化膜2和第2氧化膜3上，但是，在有鋁觸點(diǎn)的周邊電路部B，在位線接觸通路11的周圍，只覆蓋在包圍位線觸點(diǎn)部的區(qū)域的氧化膜2上。該氮化硅膜4是為了在存儲(chǔ)單元陣列部A上的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)而形成的，同時(shí)，在周邊部B上也形成。
層間絕緣膜5覆蓋在第1氧化膜2和第2氧化膜3及氮化硅膜4上，在半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a處具有開口5a，在導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a的位置上具有開口5b。此外，在埋入到該層間絕緣膜5中的中空位置上的導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a處具有開口5c，在中空位置上的導(dǎo)電部9的觸點(diǎn)部9a處具有開口5d。
導(dǎo)電部6是成為作為傳輸門的字線的導(dǎo)電部。導(dǎo)電部7是成為柵極或字線的導(dǎo)電部。導(dǎo)電部8是作為埋入到層間絕緣膜5中的中空位置上的位線的導(dǎo)電部，具有觸點(diǎn)部8a。導(dǎo)電部9是作為埋入到層間絕緣膜5中的中空位置上的電容器的單元板的導(dǎo)電部，具有觸點(diǎn)部9a。導(dǎo)電部10是作為和埋入到層間絕緣膜5中的中空位置上的導(dǎo)電部6相同的位線的導(dǎo)電部，具有向半導(dǎo)體基板1的接觸通路11。
在該半導(dǎo)體裝置的存儲(chǔ)單元陣列部A，有對(duì)半導(dǎo)體基板1獲得導(dǎo)通的位線接觸通路11和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)(圖中未示出)，在該處使用自調(diào)節(jié)技術(shù)。
另一方面，在周邊電路部B，有與存儲(chǔ)單元陣列部A的位線接觸通路11同時(shí)形成的位線接觸通路11。此外，在層間絕緣膜5的開口5a、5b、5c、5d處有作為層間的導(dǎo)通路而形成的上部金屬布線即所謂的鋁觸點(diǎn)，分別形成為到達(dá)半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a、導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a、中空位置上的導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a和中空位置上的導(dǎo)電部9的觸點(diǎn)部9a。
另一方面，在周邊電路部B有作為對(duì)半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a、導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a、中空位置上的導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a、中空位置上的導(dǎo)電部9的觸點(diǎn)部9a的上部金屬布線的鋁觸點(diǎn)。另外，還有與存儲(chǔ)單元陣列部A的位線10及其接觸通路11同時(shí)形成的位線10及其接觸通路11。
本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置在有鋁觸點(diǎn)的周邊電路部B只保留位線觸點(diǎn)1b的周圍的氮化硅膜4。保留位線觸點(diǎn)1b的周圍的氮化硅膜4，是由于為了和存儲(chǔ)單元陣列部的位線觸點(diǎn)一樣使用自調(diào)節(jié)技術(shù)需要氮化硅膜。
這樣，在周邊電路部B中，在所有的鋁觸點(diǎn)上就沒有自調(diào)節(jié)使用的氮化硅膜了，從而就解決了在氮化硅膜4上的所謂蝕刻停止問題。另外，在本實(shí)施形態(tài)中，在存儲(chǔ)單元陣列部以外的周邊電路部，將保留的氮化硅膜面積限制到最小限度，通過將在電路部走的布線間介電常數(shù)大的氮化硅膜減少到最小限度，便可減小布線間的電容量，提高電氣特性特別是動(dòng)作速度。
本實(shí)施形態(tài)也可以按如下方式進(jìn)行處理。即，在本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置中，將各絕緣膜2、3、5合并在一起的絕緣膜覆蓋到在主面上具有觸點(diǎn)部1a、1b的半導(dǎo)體基板1上，在該絕緣膜中，在半導(dǎo)體基板1的主面附近設(shè)置導(dǎo)電部6。另外，在絕緣膜中設(shè)置氮化硅膜4，并且保留覆蓋半導(dǎo)體基板1的主面觸點(diǎn)部1b的部分，除去觸點(diǎn)部1a和導(dǎo)電部6的區(qū)域。另外，在絕緣膜中設(shè)置另一個(gè)導(dǎo)電部10，形成從該導(dǎo)電部10貫穿絕緣膜和氮化硅膜4至半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1b的接觸通路11。此外，還形成貫穿絕緣膜分別至導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a的導(dǎo)通路、和至半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a的導(dǎo)通路。形成貫穿絕緣膜分別至絕緣膜中的導(dǎo)電部8、9的觸點(diǎn)部8a、9a的導(dǎo)通路。
實(shí)施形態(tài)4圖7～圖10是用于說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)4的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖，是極適合于作為用于制造具有實(shí)施形態(tài)3的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的制造方法。圖中，和圖1或圖2相同的符號(hào)，分別表示相同或相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 說到制造工藝，首先，如圖7所示，在半導(dǎo)體基板1的主面上覆蓋第1絕緣膜(氧化膜)2。其次，在該第1氧化膜2的一部分上形成導(dǎo)電部(傳輸門)6和導(dǎo)電部(字線)7。此外，用第2絕緣膜(氧化膜)3覆蓋該導(dǎo)電部6和7。在其上全面地覆蓋氮化硅膜4。該氮化硅膜4是為了在存儲(chǔ)單元陣列部A上的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)而形成的，同時(shí)，在周邊部B上也形成。此外，在其上全面地覆蓋第4絕緣膜(氧化硅膜)5′。然后，全面地覆蓋抗蝕層12，在有鋁觸點(diǎn)的周邊電路部B，只在獲得向位線的接觸的半導(dǎo)體基板1的主面的觸點(diǎn)部1b周圍的區(qū)域保留該抗蝕層12，其余的區(qū)域除去。然后，如圖8所示，通過選擇蝕刻將除去了抗蝕層12的區(qū)域的第4氧化膜5′除去。
其次，如圖9所示，除去保留的抗蝕層12，將通過選擇蝕刻而保留的第4氧化膜5′作為掩模，利用熱磷酸等進(jìn)行濕法蝕刻，保留位線觸點(diǎn)1b周圍的氮化硅膜4，有選擇地對(duì)其他區(qū)域的氮化硅膜4進(jìn)行蝕刻除去。
然后，如圖10所示，包括半導(dǎo)體基板1的第1和第2氧化膜2、3及氮化硅膜4上，全面地對(duì)第3絕緣膜(作為層間絕緣膜的氧化硅膜)5進(jìn)行平坦化處理。由于保留的第4氧化膜5′與層間氧化膜5成為一體，所以，就不分開進(jìn)行圖示。在此過程中，貫穿半導(dǎo)體基板1的主面的位線觸點(diǎn)部1b上的氮化硅膜4和第1氧化膜2設(shè)置開口部，設(shè)置位線接觸通路11。另外，導(dǎo)電部8(位線)和導(dǎo)電部10(位線)設(shè)置在層間氧化膜5的中空位置上。此外，同樣設(shè)置導(dǎo)電部9(單元板)，成為埋入到層間氧化膜5中的形式。
然后，全面地覆蓋抗蝕層13，在需要來自上部的鋁觸點(diǎn)的部位進(jìn)行開口，對(duì)層間氧化膜5進(jìn)行選擇蝕刻，設(shè)置通到半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a、導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a、字線8的觸點(diǎn)部8a和單元板9的觸點(diǎn)部9a的開口部。此后，除去抗蝕層13，利用層間氧化膜5的這些開口獲得成為與上部之間的導(dǎo)通路的鋁觸點(diǎn)。
這樣，在本實(shí)施形態(tài)中，在氮化硅膜4上重疊上氧化膜5′，用抗蝕層12形成氧化膜5′的圖案，然后，除去抗蝕層12后，將氧化膜5′作為掩模，用熱磷酸等進(jìn)行濕法蝕刻。
按照本實(shí)施形態(tài)的制造方法，在周邊電路部B，在所有的鋁觸點(diǎn)上就沒有自調(diào)節(jié)使用的氮化硅膜4了，從而就解決了在氮化硅膜4上的所謂蝕刻停止問題。另外，在本實(shí)施形態(tài)中，在存儲(chǔ)單元陣列A以外的周邊電路部B，將保留的氮化硅膜4的面積限制到最小限度，通過將在周邊電路部B走的布線間介電常數(shù)大的氮化硅膜減少到最小限度，便可減小布線間的電容量，提高電氣特性特別是動(dòng)作速度。
此外，如以往那樣，在將抗蝕層作為掩模用干法蝕刻切除氮化硅膜的方法中，有時(shí)由于與氧化膜的選擇比不夠，有可能將基板削除，但是，如本實(shí)施形態(tài)那樣，如果使用與氧化膜的選擇比大的濕法蝕刻，便可獲得不會(huì)發(fā)生削除基板和等離子體損傷的穩(wěn)定的制造方法。
本實(shí)施形態(tài)也可以按如下方式進(jìn)行處理。即，本實(shí)施形態(tài)的制造方法包括在半導(dǎo)體基板1的主面上覆蓋第1絕緣膜2；在該第1絕緣膜2上設(shè)置導(dǎo)電部6；在該導(dǎo)電部6上覆蓋第2絕緣膜3；在第1絕緣膜2和第2絕緣膜3上覆蓋氮化硅膜4；將氮化硅膜4只保留半導(dǎo)體基板1的主面的一部分(僅獲得位線觸點(diǎn)的區(qū)域)而將其余部分除去后，覆蓋第3絕緣膜5；在第3絕緣膜5上設(shè)置開口和設(shè)置貫穿第3絕緣膜5至導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)6a的導(dǎo)通路的各工序。
實(shí)施例1～4的要點(diǎn)，是在將氮化硅膜那樣的氧化膜的蝕刻停止材料置于下部布線(傳輸門)上方的結(jié)構(gòu)中，在獲得存儲(chǔ)單元陣列部以外的鋁觸點(diǎn)的電路部除去上述蝕刻停止材料。另外，在實(shí)施形態(tài)1和2中，是在有鋁觸點(diǎn)的電路部只除去所希望的觸點(diǎn)周圍的氮化硅膜SiN；在實(shí)施形態(tài)3和4中，是在有鋁觸點(diǎn)的電路部，只保留位線觸點(diǎn)周圍的SiN。
實(shí)施形態(tài)5圖11是用于說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)5的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，是表示剖面結(jié)構(gòu)的圖。在圖示的半導(dǎo)體裝置(DRAM)中，由沒有鋁觸點(diǎn)的存儲(chǔ)單元陣列部A和具有基板、傳輸門、位線及向單元板上的鋁觸點(diǎn)的周邊電路部B構(gòu)成。圖中，和圖1相同的符號(hào)，分別表示相同或相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 如圖所示，該半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體基板1、第1絕緣膜(氧化膜)2、第2絕緣膜(氧化膜)3、氮化硅膜4、第3絕緣膜(層間絕緣膜)5、第1氧化膜2上的導(dǎo)電部(傳輸門)6和導(dǎo)電部(字線)7、埋入到層間絕緣膜5中的中空位置上的導(dǎo)電部(位線)8和導(dǎo)電部(單元板)9、埋入到層間絕緣膜5中的中空位置上的另一個(gè)導(dǎo)電部(位線)10及其接觸通路11。
半導(dǎo)體基板1在其主面上形成很多元件，但是，這里，只示出了獲得層間接觸的觸點(diǎn)部1a和獲得與導(dǎo)電部(位線)10接觸的觸點(diǎn)部1b。第1氧化膜2覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上，在該半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a處具有開口2a。
第2氧化膜3覆蓋著設(shè)置在第1氧化膜2上的導(dǎo)電部6和7。覆蓋導(dǎo)電部6的第2氧化膜3在該導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a處具有開口3a。
氮化硅膜(SiN)4覆蓋在第1氧化膜2和第2氧化膜3上，在半導(dǎo)體基板1的主面的觸點(diǎn)部1a處具有開口4a，在導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a處具有開口4b。該氮化硅膜4是為了在存儲(chǔ)單元陣列部A上的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)而形成的，同時(shí)，在周邊部B上也形成。
層間絕緣膜5覆蓋在氮化硅膜4上，在半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a處具有開口5a，在導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a處具有開口5b。此外，在埋入到該層間絕緣膜5中的中空位置上的導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a處具有開口5c，在導(dǎo)電部9的觸點(diǎn)部9a處具有開口5d。
導(dǎo)電部6在第1氧化膜2的一部分上從該氧化膜2以突出狀形成，是成為作為傳輸門的字線的導(dǎo)電部。導(dǎo)電部7在第1氧化膜2的一部分上從該氧化膜2以突出狀形成，是成為柵極或字線的導(dǎo)電部。導(dǎo)電部8是在層間絕緣膜5中從半導(dǎo)體基板1的主面開始以一定間隔形成的作為中空位置上的位線的導(dǎo)電部，具有觸點(diǎn)部8a。導(dǎo)電部9是在層間絕緣膜5中從半導(dǎo)體基板1的主面開始以一定間隔形成的位于中空位置上的作為電容器單元板的導(dǎo)電部，具有觸點(diǎn)部9a。導(dǎo)電部10是埋入到層間絕緣膜5中的另一個(gè)中空位置上的和導(dǎo)電部8一樣作為位線的導(dǎo)電部，具有接觸通路11。
在該半導(dǎo)體裝置的存儲(chǔ)單元陣列部A，具有成為向半導(dǎo)體基板1的導(dǎo)通路的位線接觸通路11和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)(圖中未示出)，在該處使用自調(diào)節(jié)技術(shù)。
另一方面，在周邊電路部B，有與存儲(chǔ)單元陣列部A的位線接觸通路11同時(shí)形成的位線接觸通路11。此外，在層間絕緣膜5的開口5a、5b、5c、5d處有作為層間的導(dǎo)通路而形成的上部金屬布線即所謂的鋁觸點(diǎn)，分別到達(dá)半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a、導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a、中空位置上的導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a和中空位置上的導(dǎo)電部9的觸點(diǎn)部9a。
在本實(shí)施形態(tài)中，在覆蓋SiN式自調(diào)節(jié)方式的半導(dǎo)體裝置中，貫穿氮化硅膜可以在半導(dǎo)體基板的觸點(diǎn)部和傳輸門的觸點(diǎn)部可靠地獲得鋁觸點(diǎn)。
本實(shí)施形態(tài)也可以按如下方式進(jìn)行處理。即，在本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置中，將各絕緣膜2、3、5合并在一起的絕緣膜覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上，在該絕緣膜中，將導(dǎo)電部6設(shè)置在半導(dǎo)體基板1的主面附近。另外，在該絕緣膜中，設(shè)置氮化硅膜4覆蓋半導(dǎo)體基板1的主面和導(dǎo)電部6。并且，形成貫穿絕緣膜和上述氮化硅膜4至上述導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a的導(dǎo)通路。另外，形成貫穿絕緣膜和氮化硅膜4至半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a的導(dǎo)通路。氮化硅膜4的開口孔徑與這些導(dǎo)通路的直徑相同，相互連接。另外，在絕緣膜中，設(shè)置其他導(dǎo)電部8和9，分別形成貫穿絕緣膜至這些導(dǎo)電部8和9的觸點(diǎn)部8a和9a的導(dǎo)通路。
實(shí)施形態(tài)6圖12～圖14是用于說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)6的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖，是極適合于作為用于制造具有實(shí)施形態(tài)5的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的制造方法。圖中，和圖1或圖2相同的符號(hào)，分別表示相同或相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 說到制造工藝，首先，如圖12所示，將第1絕緣膜(氧化膜)2覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上。其次，在該第1氧化膜2的一部分上形成從該氧化膜2突出的導(dǎo)電部(傳輸門)6和導(dǎo)電部(字線)7。此外，用第2絕緣膜(氧化膜)3覆蓋該導(dǎo)電部6和導(dǎo)電部7。在該第1氧化膜2和第2氧化膜3上全面地覆蓋氮化硅膜4。該氮化硅膜4是為了在存儲(chǔ)單元陣列部A上的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)而形成的，同時(shí)，在周邊部B上也形成。
然后，在氮化硅膜4上，對(duì)第3絕緣膜(作為層間絕緣膜的氧化硅膜)5進(jìn)行平坦化處理。在此過程中，貫穿半導(dǎo)體基板1的主面的位線觸點(diǎn)部1b上的氮化硅膜4和第1氧化膜2設(shè)置開口部，設(shè)置位線接觸通路11。另外，導(dǎo)電部(位線)8和導(dǎo)電部(位線)10從半導(dǎo)體基板1的主面的氮化硅膜4開始以一定間隔設(shè)置在中空位置上，在導(dǎo)電部10形成至半導(dǎo)體基板1的接觸通路11。此外，同樣設(shè)置導(dǎo)電部(單元板)9，成為埋入到層間氧化膜5中的形式。
然后，覆蓋抗蝕層13，先在未用氮化硅膜4覆蓋的位線8和單元板9的位置上進(jìn)行開口，對(duì)層間氧化膜5進(jìn)行選擇蝕刻，開設(shè)到達(dá)觸點(diǎn)部8a和9a的開口5c和5d。
其次，如圖13所示，用抗蝕層將到達(dá)位線8和單元板9的觸點(diǎn)部8a和9a的開口堵塞，在被氮化硅膜4覆蓋的半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a和傳輸門6的觸點(diǎn)部6a的位置上設(shè)置抗蝕層13的開口，對(duì)層間絕緣膜5進(jìn)行選擇蝕刻，開設(shè)到達(dá)氮化硅膜4的開口。
接著，如圖14所示，從半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a的位置上的開口5a和傳輸門6的觸點(diǎn)部6a的位置的開口5b對(duì)氮化硅膜4和氧化硅膜2進(jìn)行蝕刻，開設(shè)到達(dá)觸點(diǎn)部1a和觸點(diǎn)部6a的開口5a和5b。然后，除去抗蝕層13，利用層間絕緣膜5的這些開口獲得成為與上部之間的導(dǎo)通路的鋁觸點(diǎn)。
本實(shí)施形態(tài)在覆蓋SiN式自調(diào)節(jié)方式中，是對(duì)鋁觸點(diǎn)的蝕刻使用2個(gè)掩模分為2次進(jìn)行開口的制造方法。由在開口孔內(nèi)沒有氮化硅膜的位線8和單元板9上的觸點(diǎn)的第1開口工序、和在開口孔內(nèi)有氮化硅膜的基板1和傳輸門6上的觸點(diǎn)的第2開口工序構(gòu)成。第1工序只利用氧化膜干蝕刻進(jìn)行開口，第2工序在氧化膜干蝕刻后，追加氮化硅膜蝕刻和下層氧化膜蝕刻。
這樣，由于將利用蝕刻進(jìn)行的開口分為開口孔內(nèi)有氮化硅膜的觸點(diǎn)和沒有氮化硅膜的觸點(diǎn)，所以，可以分別適用不同的蝕刻規(guī)格，從而可以避免由于過蝕刻而引起上部布線的膜削減或穿通。
本實(shí)施形態(tài)也可以按如下方式進(jìn)行處理。即，本實(shí)施形態(tài)的制造方法包括將第1絕緣膜2覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上；在該絕緣膜2上設(shè)置導(dǎo)電部6；在該導(dǎo)電部6上覆蓋第2絕緣膜3；在第1絕緣膜2和上述第2絕緣膜3上覆蓋氮化硅膜4；設(shè)置包圍另一個(gè)導(dǎo)電部8并且覆蓋氮化硅膜4的第3絕緣膜5；在第3絕緣膜5上設(shè)置開口，設(shè)置貫穿第3絕緣膜5至另一個(gè)導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a的導(dǎo)通路；在第3絕緣膜5和氮化硅膜4上設(shè)置開口，分別設(shè)置貫穿第3絕緣膜5和氮化硅膜4至導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a的導(dǎo)通路、和至半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a的導(dǎo)通路的各工序。
實(shí)施形態(tài)7圖15是用于說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)7的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，是表示剖面結(jié)構(gòu)的圖。在圖示的半導(dǎo)體裝置(DRAM)中，由沒有鋁觸點(diǎn)的存儲(chǔ)單元陣列部A和具有基板、傳輸門、位線及向單元板上的鋁觸點(diǎn)的周邊電路部B構(gòu)成。圖中，和圖1相同的符號(hào)，分別表示相同或相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 如圖所示，該半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體基板1、第1絕緣膜(氧化膜)2、第2絕緣膜(氧化膜)3、氮化硅膜4、第3絕緣膜(層間絕緣膜)5、第1氧化膜2上的導(dǎo)電部(傳輸門)6和導(dǎo)電部(字線)7、埋入到層間絕緣膜5中的中空位置上的導(dǎo)電部(位線)8和導(dǎo)電部(單元板)9、埋入到層間絕緣膜5中的中空位置上的另一個(gè)導(dǎo)電部(位線)10及其接觸通路11。
半導(dǎo)體基板1在其主面上形成很多元件，但是，這里只示出了獲得層間接觸的觸點(diǎn)部1a和獲得與導(dǎo)電部10接觸的觸點(diǎn)部1b。第1氧化膜2覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上，在該半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a處具有開口2a。
第2氧化膜3覆蓋著設(shè)置在第1氧化膜2上的導(dǎo)電部6和7。覆蓋導(dǎo)電部6的第2氧化膜3在該導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a處具有開口3a。
氮化硅膜(SiN)4覆蓋在第1氧化膜2和第2氧化膜3上，在半導(dǎo)體基板1的主面的觸點(diǎn)部1a處具有開口4a，在導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a處具有開口4b。該氮化硅膜4是為了在存儲(chǔ)單元陣列部A上的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)而形成的，同時(shí)，在周邊部B上也形成。
層間絕緣膜5覆蓋在氮化硅膜4上，在半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a處具有開口5a，在導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a處具有開口5b。此外，在埋入到該層間絕緣膜5中的中空位置上的導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a處具有開口5c，在導(dǎo)電部9的觸點(diǎn)部9a處具有開口5d。
導(dǎo)電部6在第1氧化膜2的一部分上從該氧化膜2以突出狀形成，是成為作為傳輸門的字線的導(dǎo)電部。導(dǎo)電部7在第1氧化膜2的一部分上從該氧化膜2以突出狀形成，是成為柵極或字線的導(dǎo)電部。導(dǎo)電部8是在在層間絕緣膜5中從半導(dǎo)體基板1的主面開始以一定間隔在中空位置上形成的作為位線的導(dǎo)電部，具有觸點(diǎn)部8a。在該導(dǎo)電部8的上面，覆蓋氮化硅膜4′，并且在導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a的位置上具有開口。
導(dǎo)電部9是在層間絕緣膜5中從半導(dǎo)體基板1的主面開始以一定間隔在中空位置上形成的作為電容器單元板的導(dǎo)電部，具有觸點(diǎn)部9a。在該導(dǎo)電部9的上面覆蓋氮化硅膜4′，并且在導(dǎo)電部9的觸點(diǎn)部9a的位置上具有開口。導(dǎo)電部10是與埋入到層間絕緣膜5中另一個(gè)中空位置上的導(dǎo)電部8相同的作為位線的導(dǎo)電部，具有接觸通路11。
在該半導(dǎo)體裝置的存儲(chǔ)單元陣列部A，具有成為向半導(dǎo)體基板1的導(dǎo)通路的位線接觸通路11和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)(圖中未示出)，在該處使用自調(diào)節(jié)技術(shù)。
另一方面，在周邊電路部B，有與存儲(chǔ)單元陣列部A的位線接觸通路11同時(shí)形成的位線接觸通路11。此外，在層間絕緣膜5的開口5a、5b、5c、5d處有作為層間的導(dǎo)通路而形成的上部金屬布線即所謂的鋁觸點(diǎn)，分別到達(dá)半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a、導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a、中空位置上的導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a和中空位置上的導(dǎo)電部9的觸點(diǎn)部9a。
本實(shí)施形態(tài)采用將氮化硅膜置于鋁觸點(diǎn)落下的所有布線和基板上部的結(jié)構(gòu)。使鋁觸點(diǎn)暫時(shí)停留在氮化硅膜上，改變氣體等蝕刻條件除去氮化硅膜后，進(jìn)行若干氧化膜蝕刻形成觸點(diǎn)。
按照本實(shí)施形態(tài)，可靠地貫穿自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)使用的氮化硅膜4，可以形成成為與上部層的導(dǎo)通路的鋁觸點(diǎn)。另外，由于各導(dǎo)電部同樣由氮化硅膜覆蓋，所以，可以進(jìn)行相同的處理和加工。
本實(shí)施形態(tài)也可以按如下方式進(jìn)行處理。即，在本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置中，將各絕緣膜2、3、5合并在一起的絕緣膜覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上，在該絕緣膜中，將導(dǎo)電部6設(shè)置在半導(dǎo)體基板1的主面附近。另外，在該絕緣膜中，設(shè)置氮化硅膜4，覆蓋半導(dǎo)體基板1的主面和導(dǎo)電部6。并且，形成貫穿絕緣膜和氮化硅膜4至導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6 a的導(dǎo)通路。另外，形成貫穿絕緣膜和氮化硅膜4至半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a的導(dǎo)通路。氮化硅膜4的開口孔徑與這些導(dǎo)通路的直徑相同，相互連接。另外，在絕緣膜中，設(shè)置氮化硅膜4′覆蓋的其他導(dǎo)電部8和9，形成貫穿絕緣膜和該氮化硅膜4′至導(dǎo)電部8和9的觸點(diǎn)部8a和9a的導(dǎo)通路。
在以上說明的實(shí)施形態(tài)1、3、5和7中，示出了在存儲(chǔ)單元陣列部利用覆蓋SiN方式的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)形成氮化硅膜，貫穿與此同時(shí)在周邊電路部形成的氮化硅膜，獲得來自上部層的布線即所謂的鋁觸點(diǎn)的半導(dǎo)體裝置。其中，在實(shí)施形態(tài)1和3中，形成氮化硅膜開口的大小具有大于導(dǎo)通路即鋁觸點(diǎn)孔直徑的裕量。相反，在實(shí)施形態(tài)5和7中，形成氮化硅膜開口的大小與導(dǎo)通路即鋁觸點(diǎn)孔直徑的大小相同。
實(shí)施形態(tài)8圖16～圖18是用于說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)8的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖，是極適合于作為用于制造具有實(shí)施形態(tài)7的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的制造方法。圖中，和圖1或圖2相同的符號(hào)，分別表示相同或相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 說到制造工藝，首先，如圖16所示，將第1絕緣膜(氧化膜)2覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上。其次，在該第1氧化膜2的一部分上形成從該氧化膜2突出的導(dǎo)電部6(傳輸門)和導(dǎo)電部7(字線)。此外，用第2絕緣膜(氧化膜)3覆蓋該導(dǎo)電部6和7。在該第1氧化膜2和第2氧化膜3上全面地覆蓋氮化硅膜4。該氮化硅膜4是為了在存儲(chǔ)單元陣列部A上的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)而形成的，同時(shí)，在周邊部B上也形成。
然后，在氮化硅膜4，上全面地對(duì)第3絕緣膜(作為層間絕緣膜的氧化硅膜)5進(jìn)行平坦化處理。在此過程中，貫穿半導(dǎo)體基板1的主面的位線觸點(diǎn)部1b上的氮化硅膜4和第1氧化膜2設(shè)置開口部，設(shè)置位線接觸通路11。另外，導(dǎo)電部(位線)8和導(dǎo)電部(位線)10從半導(dǎo)體基板1的主面的氮化硅膜4開始以一定間隔設(shè)置在中空位置上。并且，將氮化硅膜4′覆蓋在位線8和10的上面。導(dǎo)電部(單元板)9設(shè)置在層間氧化膜5中，同樣，在其上面覆蓋氮化硅膜4′。
然后，如圖17所示，在整個(gè)層間氧化膜5上覆蓋抗蝕層13，在半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a、導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a、位線8的觸點(diǎn)部8a和單元板9的觸點(diǎn)部9a的位置上，在該抗蝕層13上設(shè)置開口，從該開口對(duì)層間氧化膜5進(jìn)行選擇蝕刻，分別開設(shè)到達(dá)氮化硅膜4、4′的開口5a、5b、5c、5d。
接著，如圖18所示，從這些開口對(duì)氮化硅膜4進(jìn)行蝕刻，形成到達(dá)位線8的觸點(diǎn)部8a和單元板9的觸點(diǎn)部9a的開口。對(duì)于半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a和導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a的開口，雖然除去了氮化硅膜4，但是，由于有氧化膜2或3，所以，接著通過進(jìn)行氧化膜蝕刻將它們除去，分別形成到達(dá)觸點(diǎn)部1a和觸點(diǎn)部6a的開口5a和5b。然后，將抗蝕層13除去，利用層間氧化膜5的這些開口獲得成為與上部之間的導(dǎo)通路的鋁觸點(diǎn)。
在本實(shí)施形態(tài)中，采用將氮化硅膜置于鋁觸點(diǎn)落下的所有布線和基板上部的結(jié)構(gòu)。使鋁觸點(diǎn)暫時(shí)停留在氮化硅膜上，改變氣體等蝕刻條件除去氮化硅膜后，進(jìn)行若干氧化膜蝕刻形成觸點(diǎn)。
這樣，淺的觸點(diǎn)與基板觸點(diǎn)那樣的深的觸點(diǎn)相比，雖然需要很長(zhǎng)的蝕刻時(shí)間，但是，由于各布線被作為蝕刻停止層的氮化硅膜所覆蓋，所以，不會(huì)被削除掉。
本實(shí)施形態(tài)也可以按如下方式進(jìn)行處理。即，本實(shí)施形態(tài)的制造方法包括將第1絕緣膜2覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上；在該第1絕緣膜2上設(shè)置導(dǎo)電部6；在該導(dǎo)電部6上覆蓋第2絕緣膜3；在第1絕緣膜2和第2絕緣膜3上覆蓋氮化硅膜4；設(shè)置包圍被另一個(gè)氮化硅膜覆蓋的另一個(gè)導(dǎo)電部8并且覆蓋在氮化硅膜4上的第3絕緣膜5；設(shè)置貫穿第3絕緣膜5向著導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a至氮化硅膜4的開口，同時(shí)，設(shè)置貫穿第3絕緣膜5向著另一個(gè)導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a至另一個(gè)氮化硅膜4′的開口；設(shè)置從這些開口貫穿氮化硅膜4和第2絕緣膜3至導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a的導(dǎo)通路，同時(shí)，設(shè)置貫穿另一個(gè)氮化硅膜4′至另一個(gè)導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a的導(dǎo)通路的各工序。
在以上說明的實(shí)施形態(tài)2、4、6和8中，示出了在存儲(chǔ)單元陣列部A利用覆蓋SiN方式的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)形成氮化硅膜4，與此同時(shí)，在周邊電路部B形成氮化硅膜4，貫穿該氮化硅膜4獲得來自上部層的布線即所謂的鋁觸點(diǎn)的半導(dǎo)體裝置的制造方法。其中，在實(shí)施形態(tài)2和4中，在周邊電路部B預(yù)先除去獲得鋁觸點(diǎn)的區(qū)域的氮化硅膜4后，覆蓋層間氧化膜5，然后，貫穿該層間氧化膜5形成導(dǎo)通路即鋁觸點(diǎn)。相反，在實(shí)施形態(tài)6和8中，在周邊電路部B也在氮化硅膜4上覆蓋層間氧化膜5，然后，貫穿該層間氧化膜5和氮化硅膜4形成導(dǎo)通路即鋁觸點(diǎn)。
實(shí)施形態(tài)9圖19是用于說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)9的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，是表示剖面結(jié)構(gòu)的圖。在圖示的半導(dǎo)體裝置(DRAM)中，由沒有鋁觸點(diǎn)的存儲(chǔ)單元陣列部A和具有基板、傳輸門、位線及向單元板上的鋁觸點(diǎn)的周邊電路部B構(gòu)成。圖中，和圖1相同的符號(hào)，分別表示相同或相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 如圖所示，該半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體基板1、第1絕緣膜(氧化膜)2、第2絕緣膜(氧化膜)3、氮化硅膜4、第3絕緣膜(層間絕緣膜)5、第1氧化膜2上的導(dǎo)電部(傳輸門)6和導(dǎo)電部(字線)7、埋入到層間絕緣膜5中的中空位置上的導(dǎo)電部(位線)8和導(dǎo)電部(單元板)9、埋入到層間絕緣膜5中的中空位置上的另一個(gè)導(dǎo)電部(位線)10及其接觸通路11和薄的第5絕緣膜(氧化膜)14。
半導(dǎo)體基板1在其主面上形成很多元件，但是，這里只示出了獲得層間的接觸的觸點(diǎn)部1a和獲得與導(dǎo)電部10接觸的觸點(diǎn)部1b。第1氧化膜2覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上，在位線接觸通路11通過的地方進(jìn)行開口。第2氧化膜3覆蓋在導(dǎo)電部6和7的上面。覆蓋在導(dǎo)電部6的上面的第2氧化膜3在該導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a處具有開口3a。
第5氧化膜14薄薄地覆蓋在導(dǎo)電部6和7的側(cè)面及其上面的氧化膜3的側(cè)面和上面。該第5氧化膜14不是必須的，有時(shí)也沒有。
氮化硅膜4(SiN)在存儲(chǔ)單元陣列部A覆蓋在第1氧化膜2和第5氧化膜14上，但是，在有鋁觸點(diǎn)的周邊電路部B只覆蓋在成為導(dǎo)電部6和7的側(cè)面的第5氧化膜14的直立部。該氮化硅膜4是為了在存儲(chǔ)單元陣列部A上的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)而形成的，同時(shí)，在周邊電路部B上也形成。
層間絕緣膜5覆蓋在第1氧化膜2、第5氧化膜14和氮化硅膜4上，在半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a處具有開口5a，在導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a處具有開口5b。此外，在埋入到該層間絕緣膜5中的中空位置上的導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a處具有開口5c，在中空位置上的導(dǎo)電部9的觸點(diǎn)部9a處具有開口5d。
導(dǎo)電部6從第1氧化膜2以突出狀形成，是成為作為傳輸門的字線的導(dǎo)電部。導(dǎo)電部7是成為柵極或字線的導(dǎo)電部。導(dǎo)電部8是埋入到層間絕緣膜5中的中空位置上的作為位線的導(dǎo)電部，具有觸點(diǎn)部8a。
導(dǎo)電部9是埋入到層間絕緣膜5中的另一個(gè)中空位置上的作為電容器單元板的導(dǎo)電部，具有觸點(diǎn)部9a。導(dǎo)電部10是埋入到層間絕緣膜5中的另一個(gè)中空位置上的與導(dǎo)電部8一樣作為位線的導(dǎo)電部，具有向半導(dǎo)體基板1的接觸通路11。
在該半導(dǎo)體裝置的存儲(chǔ)單元陣列部A，具有對(duì)半導(dǎo)體基板1獲得導(dǎo)通的位線觸點(diǎn)部和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)(圖中未示出)，在該處使用自調(diào)節(jié)技術(shù)。
另一方面，在周邊電路部B，有與存儲(chǔ)單元陣列部A的位線觸點(diǎn)通路11同時(shí)形成的位線接觸通路11。此外，在層間絕緣膜5的開口5a、5b、5c、5d處有作為層間的導(dǎo)通路而形成的上部金屬布線即所謂的鋁觸點(diǎn)，分別到達(dá)半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a、導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a、中空位置上的導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a和中空位置上的導(dǎo)電部9的觸點(diǎn)部9a。
在本實(shí)施形態(tài)中，在側(cè)壁SiN式自調(diào)節(jié)方式中，是使傳輸門6的側(cè)壁氧化膜14薄膜化，在有鋁觸點(diǎn)的周邊電路部B只在傳輸門6的側(cè)壁上保留氮化硅膜4。
這樣，使用的掩?？梢允侵槐Ａ舸鎯?chǔ)單元陣列部A的粗糙的掩模，與只除去或保留觸點(diǎn)周圍的掩模相比，圖案容易形成，并且在周邊電路部B，在所有的鋁觸點(diǎn)上就沒有自調(diào)節(jié)使用的氮化硅膜4了，從而就解決了在氮化硅膜上的所謂蝕刻停止問題。
本實(shí)施形態(tài)也可以按如下方式進(jìn)行處理。即，在本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置中，將各絕緣膜2、3、5合并在一起的絕緣膜覆蓋到在主面上具有觸點(diǎn)部的半導(dǎo)體基板1上，在該絕緣膜中，在上述半導(dǎo)體基板1的主面附近，設(shè)置從該主面突出的導(dǎo)電部6。另外，在周邊電路部，氮化硅膜4覆蓋在導(dǎo)電部6的側(cè)面。并且，形成貫穿絕緣膜至導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a的導(dǎo)通路。另外，形成貫穿絕緣膜直半導(dǎo)體基板1的主面的觸點(diǎn)部1a的導(dǎo)通路。另外，在絕緣膜中，設(shè)置其他導(dǎo)電部8和9，形成貫穿絕緣膜至這些導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路。
實(shí)施形態(tài)10圖20～圖24是用于說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)10的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖，是極適合于作為用于制造具有實(shí)施形態(tài)9的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的制造方法。圖中，和圖1或圖2相同的符號(hào)，分別表示相同或相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 說到制造工藝，首先，如圖20所示，將第1絕緣膜(氧化膜)2覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上。其次，在該第1氧化膜2的一部分上形成從該氧化膜2突出的導(dǎo)電部(傳輸門)6和導(dǎo)電部(字線)7。此外，用第2絕緣膜(氧化膜)3覆蓋在該導(dǎo)電部6和導(dǎo)電部7的上面。將第5絕緣膜(氧化膜)14薄薄地覆蓋在該導(dǎo)電部6、7及其上面的第2氧化膜3的周圍側(cè)面和上面。
在第2氧化膜3和第5氧化膜14上全面地覆蓋氮化硅膜4。該氮化硅膜4是為了存儲(chǔ)單元陣列部A上的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)而形成的，同時(shí)，在周邊電路部B上也形成。其次，用抗蝕層12覆蓋整個(gè)面后，只保留存儲(chǔ)單元陣列部A的抗蝕層12，將有鋁觸點(diǎn)的周邊電路部B的除去。
其次，如圖21所示，在除去了抗蝕層12的周邊電路部B，通過各向異性蝕刻，保留導(dǎo)電部6和7的側(cè)面的氮化硅膜4，除去其他部分的氮化硅膜4。這樣，存儲(chǔ)單元陣列部A的導(dǎo)電部7和有鋁觸點(diǎn)的周邊電路部B的導(dǎo)電部6、7就分別如圖24所示那樣地形成。
其次，如圖22所示，包括半導(dǎo)體基板1的第1氧化膜2、氮化硅膜4和第5氧化膜14的上面全面地覆蓋第3絕緣膜(作為層間絕緣膜的氧化硅膜)5，進(jìn)行平坦化處理。在此過程中，貫穿半導(dǎo)體基板1的主面的位線觸點(diǎn)部1b上的第1氧化膜2設(shè)置開口部，設(shè)置位線接觸通路11。另外，在層間氧化膜5的中空位置上設(shè)置導(dǎo)電部(位線)8和導(dǎo)電部(位線)10。此外，同樣設(shè)置導(dǎo)電部(單元板)9，成為埋入到層間氧化膜5中的形式。然后，全面地覆蓋抗蝕層13，在需要來自上部的鋁觸點(diǎn)的部位進(jìn)行開口。
其次，如圖23所示，從該抗蝕層13的開口對(duì)層間氧化膜5進(jìn)行選擇蝕刻，設(shè)置通到半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a、導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a、字線8的觸點(diǎn)部8a和單元板9的觸點(diǎn)部9a的開口部。半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a上的第1氧化膜2和導(dǎo)電部6上的第2氧化膜3以及第5氧化膜14也同時(shí)進(jìn)行蝕刻。然后，除去抗蝕層13，利用層間氧化膜5的這些各開口獲得成為與上部之間的導(dǎo)通路的鋁觸點(diǎn)。
這樣，在本實(shí)施形態(tài)中，在形成導(dǎo)電部(傳輸門)6后，將薄膜的氧化膜14和氮化硅膜4沿導(dǎo)電部(傳輸門)6的柵極形狀忠實(shí)地成膜為柵極形狀，在存儲(chǔ)單元陣列部A形成抗蝕層13的圖案后，對(duì)氮化硅膜4進(jìn)行各向異性蝕刻。由于各向異性干蝕刻只向垂直方向前進(jìn)，所以，在導(dǎo)電部(傳輸門)6的側(cè)壁的縱向上變厚的氮化硅膜4便只保留在側(cè)壁部上。
在本實(shí)施形態(tài)中，氮化硅膜4的選擇蝕刻使用的掩模，可以是只保留存儲(chǔ)單元陣列部A的粗糙的掩模，與只除去或保留觸點(diǎn)周圍的掩模相比，圖案容易形成，并且在周邊電路部B，在所有的鋁觸點(diǎn)上就沒有自調(diào)節(jié)使用的氮化硅膜了，從而就解決了在氮化硅膜上的所謂蝕刻停止問題。
另外，在本實(shí)施形態(tài)中，在存儲(chǔ)單元陣列以外的有鋁觸點(diǎn)的周邊電路部B，將保留的氮化硅膜4的面積限制到最小限度，通過將在有鋁觸點(diǎn)的周邊電路部B走的布線間介電常數(shù)大的氮化硅膜減少到最小限度，便可減小布線間的電容量，提高電氣特性特別是動(dòng)作速度。
本實(shí)施形態(tài)也可以按如下方式進(jìn)行處理。即，本實(shí)施形態(tài)的制造方法包括將第1絕緣膜2覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上；在該絕緣膜2上設(shè)置導(dǎo)電部6；在該導(dǎo)電部6上覆蓋第2絕緣膜3；在第1絕緣膜2和第2絕緣膜3上覆蓋氮化硅膜4；將氮化硅膜4只保留導(dǎo)電部6的側(cè)面部分將其余部分除去后覆蓋第3絕緣膜5；在第3絕緣膜5上設(shè)置開口，分別設(shè)置貫穿第3絕緣膜5至導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a的導(dǎo)通路和至半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a的導(dǎo)通路的各工序。
實(shí)施形態(tài)11圖25是用于說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)11的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，是表示剖面結(jié)構(gòu)的圖。在圖示的半導(dǎo)體裝置(DRAM)中，由沒有鋁觸點(diǎn)的存儲(chǔ)單元陣列部A和具有基板、傳輸門、位線及向單元板上的鋁觸點(diǎn)的周邊電路部B構(gòu)成。圖中，和圖1相同的符號(hào)，分別表示相同或相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 如圖所示，該半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體基板1、第1絕緣膜(氧化膜)2、氮化硅膜4、第3絕緣膜(層間絕緣膜)5、第1氧化膜2上的導(dǎo)電部(傳輸門)6和導(dǎo)電部(字線)7、埋入到層間絕緣膜5中的中空位置上的導(dǎo)電部(位線)8和導(dǎo)電部(單元板)9、埋入到層間絕緣膜5中的中空位置上的另一個(gè)導(dǎo)電部(位線)10及其接觸通路11。
半導(dǎo)體基板1在其主面上形成很多元件，但是，這里只示出了獲得層間接觸的觸點(diǎn)部1a和獲得與導(dǎo)電部10接觸的觸點(diǎn)部1b。第1氧化膜2覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上，在該半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a處具有開口2a。
形成氮化硅膜(SiN)4，覆蓋第1氧化膜2上的導(dǎo)電部6和7。覆蓋導(dǎo)電部6的氮化硅膜4在導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a處具有開口4a。該氮化硅膜4是為了在存儲(chǔ)單元陣列部A上的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)而形成的，同時(shí)，在周邊部B上也形成。
層間絕緣膜5覆蓋在第1氧化膜2和氮化硅膜4上，在半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a處具有開口5a，另外，在導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a處具有開口5b。此外，在埋入到該層間絕緣膜5中的中空位置上的導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a處具有開口5c，在導(dǎo)電部9的觸點(diǎn)部9a處具有開口5d。
導(dǎo)電部6在第1氧化膜2的一部分上、從該氧化膜2以突出狀形成，是成為作為傳輸門的字線的導(dǎo)電部。導(dǎo)電部7在第1氧化膜2的一部分上、從該氧化膜2以突出狀形成，是成為柵極或字線的導(dǎo)電部。導(dǎo)電部8是在層間絕緣膜5中從半導(dǎo)體基板1的主面開始以一定間隔在中空位置上形成的作為位線的導(dǎo)電部，具有觸點(diǎn)部8a。導(dǎo)電部9是在層間絕緣膜5中從半導(dǎo)體基板1的主面開始以一定間隔在中空位置上形成的作為電容器單元板的導(dǎo)電部，具有觸點(diǎn)部9a。導(dǎo)電部10是與導(dǎo)電部8一樣作為位線的導(dǎo)電部，具有接觸通路11。
在該半導(dǎo)體裝置的存儲(chǔ)單元陣列部A，具有成為向半導(dǎo)體基板1的導(dǎo)通路的位線接觸通路11和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)(圖中未示出)，在該處使用自調(diào)節(jié)技術(shù)。
另一方面，在周邊電路部B，有與存儲(chǔ)單元陣列部A的位線接觸通路11同時(shí)形成的位線接觸通路11。此外，在層間絕緣膜5的開口5a、5b、5c、5d處有作為層間的導(dǎo)通路而形成的上部金屬布線即所謂的鋁觸點(diǎn)，分別到達(dá)半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a、導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a、中空位置上的導(dǎo)電部8的觸點(diǎn)部8a和中空位置上的導(dǎo)電部9的觸點(diǎn)部9a。
在本實(shí)施形態(tài)中，在存儲(chǔ)單元陣列A以外的周邊電路部B，將保留的氮化硅膜4的面積限制到最小限度，通過將在周邊電路部B走的布線間介電常數(shù)大的氮化硅膜減少到最小限度，便可減小布線間的電容量，提高電氣特性特別是動(dòng)作速度。
本實(shí)施形態(tài)也可以按如下方式進(jìn)行處理。即，在本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置中，將各絕緣膜2、5合并在一起的絕緣膜覆蓋到在主面上具有觸點(diǎn)部1a的半導(dǎo)體基板1上。在該絕緣膜中，在半導(dǎo)體基板1的主面附近，設(shè)置從該主面突出的導(dǎo)電部6。氮化硅膜4覆蓋在該導(dǎo)電部6的上面和側(cè)面。另外，形成貫穿絕緣膜和氮化硅膜4至導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a的導(dǎo)通路。另外，形成貫穿絕緣膜5至半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a的導(dǎo)通路。另外，在絕緣膜中，設(shè)置其他導(dǎo)電部8和9，形成貫穿絕緣膜至這些導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路。
在以上說明的實(shí)施形態(tài)9和11中，示出了在存儲(chǔ)單元陣列部，利用SiN側(cè)壁方式的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)形成氮化硅膜、與此同時(shí)，貫穿在周邊電路部形成的氮化硅膜獲得來自上部層的布線即所謂的鋁觸點(diǎn)的半導(dǎo)體裝置。其中，在實(shí)施形態(tài)9中，形成氮化硅膜的開口的大小大于導(dǎo)通路即鋁觸點(diǎn)孔的直徑。相反，在實(shí)施形態(tài)11中，形成氮化硅膜開口的大小與導(dǎo)通路即鋁觸點(diǎn)孔直徑的大小相同。
實(shí)施形態(tài)12圖26～圖28是用于說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)12的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖，是極適合于作為用于制造具有實(shí)施形態(tài)11的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的制造方法。圖中，和圖1或圖2相同的符號(hào)，分別表示相同或相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 說到制造工藝，首先，如圖26所示，將第1絕緣膜(氧化膜)2覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上。其次，在該第1氧化膜2的一部分上形成從該氧化膜2突出的導(dǎo)電部(傳輸門)6和導(dǎo)電部(字線)7。然后，將該導(dǎo)電部6覆蓋封閉住那樣地，從氧化膜2沿導(dǎo)電部6覆蓋氮化硅膜4。這一工藝，是利用開始在整個(gè)第1氧化膜2上覆蓋氮化硅膜4，然后利用選擇蝕刻只保留導(dǎo)電部6、7周圍的氮化硅膜4而將其他部分的氮化硅膜4除去的方法等實(shí)現(xiàn)的。該氮化硅膜4是為了在存儲(chǔ)單元陣列部A的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)而形成的，同時(shí)，在周邊部B上也形成。
其次，在第1氧化膜2和氮化硅膜4上全面地對(duì)第3絕緣膜(作為層間絕緣膜的氧化硅膜)5進(jìn)行平坦化處理。在此過程中，貫穿半導(dǎo)體基板1的主面的位線觸點(diǎn)部1b上的第1氧化膜2設(shè)置位線接觸通路11。另外，導(dǎo)電部(位線)8和導(dǎo)電部(位線)10從半導(dǎo)體基板1的主面的氮化硅膜4開始以一定間隔設(shè)置在中空位置上。此外，同樣也設(shè)置導(dǎo)電部(單元板)9，成為埋入到層間氧化膜5中的形式。
然后，覆蓋抗蝕層13，首先，在未用氮化硅膜4覆蓋的半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a、位線8的觸點(diǎn)部8a和單元板9的觸點(diǎn)部9a的位置上進(jìn)行開口，對(duì)層間氧化膜5進(jìn)行選擇蝕刻，開設(shè)到達(dá)觸點(diǎn)部1a、8a、9a的開口。
其次，如圖27所示，用抗蝕層13堵塞到達(dá)半導(dǎo)體基板1、位線8和單元板9的觸點(diǎn)部1a、8a、9a的開口5a、5c、5d，在覆蓋氮化硅膜4的導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a的位置上設(shè)置抗蝕層13的開口，對(duì)層間氧化膜5進(jìn)行選擇蝕刻，開設(shè)到達(dá)導(dǎo)電部6的氮化硅膜4的開口。
接著，如圖28所示，從導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a的位置的開口5b對(duì)氮化硅膜4進(jìn)行蝕刻，開設(shè)到達(dá)觸點(diǎn)部6a的開口。然后，除去抗蝕層13，通過層間氧化膜5的這些開口獲得成為與上部之間的導(dǎo)通路的鋁觸點(diǎn)。
在本實(shí)施形態(tài)中，在SiN側(cè)壁式自調(diào)節(jié)方式中，是對(duì)鋁觸點(diǎn)的蝕刻使用2個(gè)掩模分為2次進(jìn)行開口的制造方法。由在開口孔內(nèi)沒有氮化硅膜的基板、位線和單元板上的觸點(diǎn)的第1開口工序、和在開口孔內(nèi)有氮化硅膜的傳輸門上的觸點(diǎn)的第2開口工序構(gòu)成。第1工序只利用氧化膜干蝕刻進(jìn)行開口，第2工序在氧化膜干蝕刻后，追加氮化硅膜蝕刻。
這樣，由于將利用蝕刻進(jìn)行的開口分為在開口孔內(nèi)有氮化硅膜的觸點(diǎn)和沒有氮化硅膜的觸點(diǎn)進(jìn)行，所以，可以分別適用不同的蝕刻規(guī)格，從而可以避免由于過蝕刻而引起上部布線的膜削減或穿通。
本實(shí)施形態(tài)也可以按如下方式進(jìn)行處理。即，本實(shí)施形態(tài)的制造方法包括將一絕緣膜2覆蓋在半導(dǎo)體基板1的主面上；在該絕緣膜2上設(shè)置導(dǎo)電部6；在導(dǎo)電部6上覆蓋氮化硅膜4；在氮化硅膜4上覆蓋另一絕緣膜5；在一絕緣膜2和另一絕緣膜5上設(shè)置開口，設(shè)置貫穿一絕緣膜2和另一絕緣膜5至半導(dǎo)體基板1的觸點(diǎn)部1a的導(dǎo)通路；在另一絕緣膜5和氮化硅膜4上設(shè)置開口，設(shè)置貫穿另一絕緣膜5和氮化硅膜4至導(dǎo)電部6的觸點(diǎn)部6a的導(dǎo)通路的各工序。
在以上說明的實(shí)施形態(tài)10和12中，示出了在存儲(chǔ)單元陣列部A利用SiN側(cè)壁方式的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)形成氮化硅膜4、與此同時(shí)，在周邊電路部B形成氮化硅膜4、貫穿該氮化硅膜4獲得來自上部層的布線即所謂的鋁觸點(diǎn)的半導(dǎo)體裝置的制造方法。其中，在實(shí)施形態(tài)10中，在周邊電路部B預(yù)先除去獲得鋁觸點(diǎn)的區(qū)域的氮化硅膜4后，覆蓋層間氧化膜5，然后，貫穿該層間氧化膜5形成導(dǎo)通路即鋁觸點(diǎn)。相反，在實(shí)施例12中，在周邊電路部B，在氮化硅膜4上也覆蓋層間氧化膜5，然后，貫穿該層間氧化膜5和氮化硅膜4形成導(dǎo)通路即鋁觸點(diǎn)。
權(quán)利要求
1.半導(dǎo)體裝置，其特征在于具有在主面上具有觸點(diǎn)部的半導(dǎo)體基板、覆蓋在該半導(dǎo)體基板的主面上的絕緣膜、在該絕緣膜中設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的主面附近具有觸點(diǎn)部的一個(gè)導(dǎo)電部、設(shè)置在所述絕緣膜中保留覆蓋所述半導(dǎo)體基板的主面的觸點(diǎn)部而在所述一個(gè)導(dǎo)電部的區(qū)域上除去的氮化硅膜、設(shè)置在所述絕緣膜中的另一個(gè)導(dǎo)電部、從另一個(gè)導(dǎo)電部貫穿所述絕緣膜和所述氮化硅膜至所述半導(dǎo)體基板的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路、和貫穿所述絕緣膜至所述一個(gè)導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路。
2.半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括將一絕緣膜覆蓋在半導(dǎo)體基板的主面上的工序、在該絕緣膜上設(shè)置導(dǎo)電部的工序、用氮化硅膜覆蓋所述一絕緣膜和所述導(dǎo)電部的工序、將所述氮化硅膜的至少所述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的區(qū)域除去后用另一絕緣膜覆蓋的工序、和設(shè)置貫穿所述另一絕緣膜至所述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序。
3.半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括將第1絕緣膜覆蓋在半導(dǎo)體基板的主面上的工序、在該絕緣膜上設(shè)置導(dǎo)電部的工序、在該導(dǎo)電部上覆蓋第2絕緣膜的工序、在所述第1絕緣膜和第2絕緣膜上覆蓋氮化硅膜的工序、將所述氮化硅膜只保留所述半導(dǎo)體基板的主面的一部分而其余部分除去后覆蓋第3絕緣膜的工序、和設(shè)置貫穿所述第3絕緣膜至所述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序。
4.半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括在半導(dǎo)體基板的主面上覆蓋第1絕緣膜的工序、在該絕緣膜上設(shè)置導(dǎo)電部的工序、用第2絕緣膜覆蓋該導(dǎo)電部的工序、在所述第1絕緣膜和第2絕緣膜上覆蓋氮化硅膜的工序、將所述氮化硅膜只保留所述導(dǎo)電部的側(cè)面部分而其余部分除去后覆蓋第3絕緣膜的工序、和設(shè)置貫穿所述第3絕緣膜至所述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序。
5.半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括在半導(dǎo)體基板的主面上覆蓋第1絕緣膜的工序、在該絕緣膜上設(shè)置導(dǎo)電部的工序、在該導(dǎo)電部上覆蓋第2絕緣膜的工序、在所述第1絕緣膜和所述第2絕緣膜上覆蓋氮化硅膜的工序、在所述氮化硅膜上覆蓋第3絕緣膜的工序、和設(shè)置貫穿所述第3絕緣膜及所述氮化硅膜和所述第2絕緣膜至所述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序。
6.半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括在半導(dǎo)體基板的主面上覆蓋一絕緣膜的工序、在該絕緣膜上設(shè)置導(dǎo)電部的工序、用氮化硅膜覆蓋所述導(dǎo)電部的工序、用另一絕緣膜覆蓋所述氮化硅膜的工序、設(shè)置貫穿所述另一絕緣膜和所述氮化硅膜至所述導(dǎo)電部的觸點(diǎn)部的導(dǎo)通路的工序。
全文摘要
在使用由氮化硅膜形成的自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)的半導(dǎo)體裝置中，貫穿該氮化硅膜設(shè)置層間的導(dǎo)通路。在存儲(chǔ)單元陣列部的周邊，在需要層間的導(dǎo)通路的電路區(qū)域，在除去自調(diào)節(jié)觸點(diǎn)時(shí)的氮化硅膜后，形成層間氧化膜，或者在氮化硅膜上形成層間氧化膜后，在層間氧化膜和氮化硅膜上進(jìn)行開口，形成導(dǎo)通路。
文檔編號(hào)H01L21/8242GK1485908SQ0110302
公開日2004年3月31日 申請(qǐng)日期1996年9月25日 優(yōu)先權(quán)日1996年1月26日
發(fā)明者榮林貴尚, 木村廣嗣, 嗣 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社