專利名稱：自動對準接觸窗開口的制造方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種自動對準接觸窗開口(Self-aligned Contact；SAC)的制造方法，且特別是有關于一種通過復晶硅材質的使用，提高接觸窗開口的自動對準的效果，以減少字符線(Word Line)上方的頂蓋層和側壁之間隙壁的損耗。
在深次微米(Deep Sub-micron)的集成電路制造過程中，常利用自動對準接觸窗開口的工藝來形成較小尺寸的開口，而通過SAC工藝的利用并可因此而縮小芯片的尺寸，其原因在于SAC工藝可以間接縮小光阻微影的程序裕度(Process Window)。
而傳統(tǒng)的SAC工藝系在字符線上方形成氮化硅頂蓋層和側邊形成氮化硅間隙壁，之后覆蓋一層氧化硅層，接著于氧化硅層上方涂布一層光阻，并通過微影工藝將光阻層圖案化后，以此光阻層為蝕刻罩幕，使用具有高的氧化硅-氮化硅蝕刻選擇比的氧化硅蝕刻配方(Oxide Etching Recipe)蝕刻此氧化硅層，而在此蝕刻的過程中，字符線上方的氮化硅頂蓋層和側邊的氮化硅間隙壁可以做為輔助罩幕，以于氧化硅層中形成自動對準的接觸窗開口，之后于此接觸窗開口填入鎢或者復晶硅，以形成插塞(Plug)。
然而，在利用此傳統(tǒng)的氧化硅蝕刻劑在蝕刻氧化硅層的過程中，會有部份氧原子自氧化硅層釋放至蝕刻的環(huán)境中，當蝕刻劑中氧原子的含量增加時，會增加氮化硅頂蓋層和氮化硅間隙壁損耗的程度，亦即降低氧化硅對氮化硅的蝕刻選擇比，進而使字符線和插塞之間的寄生電容效應更為嚴重，而影響到字符線和其鄰近的插塞的電性品質。嚴重時，還有可能造成插塞和其鄰近的字符線之間的短路。而在目前組件縮小的趨勢下，字符線側壁的氮化硅間隙壁的底部寬度亦根據(jù)設計規(guī)則(Design Rule)而縮小，因此更增加SAC工藝的困難度。
因此，在不改變傳統(tǒng)的氧化硅蝕刻配方的情況下，本發(fā)明提供一種可增加氧化硅對氮化硅的蝕刻選擇比的方法，以形成品質較佳的自動對準接觸窗開口。
綜上所述，本發(fā)明提供一種自動對準接觸窗開口的制造方法，此制造方法包括于基底上形成導線，而導線被其上方的含氮的頂蓋層和側壁的含氮的間隙壁所包覆，之后于導線間的空間填充一氧化硅層，而含氮的頂蓋層的表面呈裸露狀，之后于所暴露出的含氮的頂蓋層上選擇性的形成復晶硅層，接著于復晶硅層和氧化硅層上形成光阻圖案層，并以此光阻圖案層為蝕刻罩幕，并佐以復晶硅層為罩幕，進行蝕刻工藝，在此蝕刻工藝中系利用氧化硅對含氮的材質有高的蝕刻選擇比的氧化硅蝕刻配方，以于氧化硅層中形成自動對準接觸窗開口，之后將光阻圖案層予以剝除。
依據(jù)本發(fā)明的較佳實施例，其中在進行蝕刻工藝的步驟中，若氧化硅層的表面大致與含氮的頂蓋層齊平，則更包括佐以含氮的間隙壁為罩幕；若氧化硅層的表面低于含氮的頂蓋層，則此復晶硅層更包括延伸至含氮的間隙壁的角落，而呈一突塊狀。
此外，本發(fā)明提供另一種自動對準接觸窗開口的制造方法，此制造方法包括于基底上依序形成導電層、含氮的絕緣層和復晶硅層，之后將其圖案化，以分別形成導線、含氮的頂蓋層和復晶硅保護層，接著在導線、含氮的頂蓋層和復晶硅保護層的側壁形成含氮的間隙壁，使導線為含氮的頂蓋層和含氮的隙壁所包覆，續(xù)于復晶硅保護層和含氮的間隙壁上覆蓋一層氧化硅層，并將此氧化硅層平坦化，再于其上形成光阻圖案層，之后以此光阻圖案層為蝕刻罩幕，并佐以復晶硅保護層為罩幕，進行一蝕刻工藝，在此蝕刻工藝中系利用氧化硅對含氮的材質有高的蝕刻選擇比的氧化硅蝕刻配方，以于氧化硅層中形成自動對準接觸窗開口，最后將光阻圖案層予以剝除。
依據(jù)本發(fā)明的較佳實施例，其中將氧化硅層平坦化后，氧化硅層的表面會高于復晶硅保護層的表面，或者與該復晶硅保護層的表面大致齊平。
此外，本發(fā)明提供另一種自動對準接觸窗開口的制造方法，此制造方法包括于基底上依序形成導電層、含氮的絕緣層和復晶硅層，之后將其圖案化，以分別形成導線、含氮的頂蓋層和復晶硅保護層，并在導線、含氮的頂蓋層和復晶硅保護層的側壁形成含氮的間隙壁，之后于導線間的空間填充一氧化硅層，而含氮的頂蓋層的表面和含氮的間隙壁的角落呈裸露狀，接著將含氮的間隙壁所裸露的部份通過復晶硅間隙壁而加以保護，續(xù)于氧化硅層、復晶硅保護層和復晶硅間隙壁上形成光阻圖案層，并以此光阻圖案層為蝕刻罩幕，并佐以復晶硅保護層和復晶硅間隙壁為罩幕，進行一蝕刻工藝，在此蝕刻工藝中系利用氧化硅對含氮的材質有高的蝕刻選擇比的氧化硅蝕刻配方，以于氧化硅層中形成自動對準接觸窗開口，最后將光阻圖案層予以剝除。
通過上述的自動對準接觸窗開口的制造方法，可以利用傳統(tǒng)的氧化硅蝕刻配方，配合復晶硅材質的使用，以減少甚至避免導線周圍的含氮的頂蓋層和含氮的間隙壁的損耗。而此種氧化硅蝕刻配方具有對氧化硅-復晶硅有極高的選擇蝕刻比，故本發(fā)明利用復晶硅材質做為保護層。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下圖面說明

圖1A至圖1E系根據(jù)本發(fā)明第一較佳實施例的一種自動對準接觸窗開口的制造流程剖面圖；圖2A至圖2D系根據(jù)本發(fā)明第二較佳實施例的一種自動對準接觸窗開口的制造流程剖面圖；圖3A至圖3G系根據(jù)本發(fā)明第三較佳實施例的一種自動對準接觸窗開口的制造流程剖面圖；以及圖4A至圖4E系根據(jù)本發(fā)明第四較佳實施例的一種自動對準接觸窗開口的制造流程剖面圖。
其中，各附圖標記與構件名稱的關系如下100、200、300、400基底302氧化層102、202、302a、402柵極氧化層104、204、304、304a、404復晶硅層
106、206、306、306a、406硅化金屬層107、207、307a、407字符線307導電層108、208、308a、408含氮的頂蓋層308含氮的絕緣層110、210、314、414含氮的間隙壁112、112a、212、212a、316、316a、316b、416、416a、416b氧化硅層116、216、312、318、418光阻圖案層118、218、320、420接觸窗開口322、422導電層120、220、322a、422a導電插塞213、417距離114、214、310復晶硅層310a、410復晶硅保護層426復晶硅間隙壁第一實施例圖1A至圖1E所示，為根據(jù)本發(fā)明一較佳實施例的一種自動對準接觸窗開口的制造流程剖面圖，可以減少柵極電極和導電插塞之間發(fā)生短路的機會。在此實施例的導線系以字符線為例。
首先，請參照圖1A，提供一基底100，例如是P型半導體硅基底，于基底100中形成組件隔離結構(未繪示于圖中)以定義出組件的主動區(qū)后，續(xù)于主動區(qū)上形成場效應晶體管。此場效應晶體管包括柵極氧化層102、字符線107和源極/漏極區(qū)(未繪示于圖中)，其中此場效應晶體管的字符線107比如是由復晶硅層104和硅化金屬層106的堆棧結構所構成，而硅化金屬層106的材質比如是硅化鎢(WSi)。此外，在字符線107的上方有一含氮的頂蓋層108，其材質比如是氮化硅，且在字符線107和含氮的頂蓋層108的側壁有含氮的間隙壁110，其材質比如是氮化硅。
接著請參照圖1B，覆蓋一層氧化硅，其方法比如是化學氣相沉積法，再利用化學機械研磨法磨除部份的氧化硅，直至暴露出含氮的頂蓋層108和含氮的間隙壁110，以形成如圖所示的氧化硅層112，其中氧化硅層112的表面大致與含氮的頂蓋層108齊平。
接著請參照圖1C，在含氮的頂蓋層108和含氮的間隙壁110暴露出的部份，形成選擇性的復晶硅層114，其厚度比如是約介于2nm和200nm之間，而在此步驟中氧化硅層112的表面并不會長出復晶硅。
接著請參照圖1D，在復晶硅層114和氧化硅層112上形成光阻圖案層116。之后，以此光阻圖案層116為蝕刻罩幕，并佐以復晶硅層114為罩幕，進行蝕刻工藝，以形成暴露出基底100的自動對準接觸窗開口118。其中，蝕刻氧化硅層112的蝕刻劑包括含碳氟的蝕刻劑，比如C4F8、CH2F2、C5F8等，另外還包括氬(Ar)、氧氣(O2)和一氧化碳(CO)等。
利用此傳統(tǒng)的蝕刻劑在蝕刻氧化硅層112的過程中，會有部份氧原子自氧化硅層112釋放至蝕刻的環(huán)境中，當蝕刻劑中氧原子的含量增加時，會降低氧化硅對含氮材質的選擇蝕刻比，因而增加含氮材質損耗的機會。而在本發(fā)明中，由于復晶硅層114可以保護含氮的頂蓋層108和含氮的間隙壁110，因此在非等向性的蝕刻環(huán)境下，可避其直接與蝕刻劑接觸，故可以減少含氮的頂蓋層108和含氮的間隙壁110的損耗，而增加字符線107和后續(xù)將形成的導電插塞的電性隔離的可靠度。
接著請參照圖1E，利用傳統(tǒng)的方法剝除光阻圖案層116后，于復晶硅層114和氧化硅層112上覆蓋一層導電材質，并填入接觸窗開口118中與基底100接觸，之后剝除含氮的頂蓋層110上的復晶硅層114和多余的導電材質，使其僅填充于接觸窗開口118中，形成如圖所示的導電插塞120。其中，導電材質比如是復晶硅、鎢或其它類似此性質者。第二實施例圖2A至圖2D所示，為根據(jù)本發(fā)明一第二較佳實施例的一種自動對準接觸窗開口的制造流程剖面圖，可以避免導線和導電插塞之間發(fā)生短路的機會，并加強導線和導電插塞之間的絕緣效果。在此實施例的導線系以字符線為例。
首先，請參照圖2A，圖中的大部份組件與圖1A相同，僅附圖標記不同，其中基底為200、閘極氧化層為202、字符線為207、復晶硅層為204、硅化金屬層為206、含氮的頂蓋層為208、含氮的間隙壁為210，其余的說明請參照第一實施例的部份。
之后，覆蓋一層氧化硅，其方法比如是化學氣相沉積法，再利用等向性蝕刻法，比如濕式蝕刻或等向性干式蝕刻，剝除多余的氧化硅層，直至暴露出含氮的頂蓋層208和含氮的間隙壁210，以形成如圖所示的氧化硅層212，其中氧化硅層212的表面低于含氮的頂蓋層208的表面一距離213，此距離213比如是約介于10nm至200nm之間。
接著請參照圖2B，在含氮的頂蓋層208和含氮的間隙壁210暴露出的部份，形成選擇性的復晶硅層214，其厚度比如是約介于2nm和200nm之間，值得注意的是在此步驟中氧化硅層212的表面并不會長出復晶硅。而由于氧化硅層212的表面低于含氮的頂蓋層208的表面，故所形成的復晶硅層214呈突塊狀(Bump)，且可以較完全地保護含氮的間隙壁210的角落。
接著請參照圖2C，在復晶硅層214和氧化硅層212上形成光阻圖案層216。之后，以此光阻圖案層216為蝕刻罩幕，并佐以復晶硅層214為罩幕，進行蝕刻工藝，使氧化硅層212轉為如圖所示的氧化硅層212a，以于其中形成暴露出基底200的自動對準接觸窗開口218，其中，蝕刻氧化硅層212的蝕刻劑如第一實施例所述。而在形成接觸窗開口218的過程中，由于復晶硅層214為突塊狀，故使得位于含氮的間隙壁210側壁且復晶硅層214下方的氧化硅層212a并不會被剝除。而余留于含氮的間隙壁210側壁的氧化硅層212a，除了可避免含氮的間隙壁210裸露于蝕刻的環(huán)境中而造成損耗外，并更可進一步加強字符線207和后續(xù)將形成的導電插塞的電性隔離程度。
接著請參照圖2D，利用傳統(tǒng)的方法剝除光阻圖案層216后，于復晶硅層214和氧化硅層212a上覆蓋一層導電材質，并填入接觸窗開口218中與基底200接觸，之后剝除含氮的頂蓋層210上的復晶硅層214和多余的導電材質，使其僅填充于接觸窗開口218中，形成如圖所示的導電插塞220。其中，導電材質比如是復晶硅、鎢或其它類似此性質者。第三實施例圖3A至圖3G所示，為根據(jù)本發(fā)明一第三較佳實施例的一種自動對準接觸窗開口的制造流程剖面圖，可以減少導線和導電插塞之間發(fā)生短路的機會。
首先，請參照圖3A，于基底300上依序形成氧化層302、導電層307、含氮的絕緣層308和復晶硅層310，其中導電層307比如是由復晶硅層304和硅化金屬層306的堆棧結構所構成，而硅化金屬層306的材質比如是硅化鎢，而含氮的絕緣層308的材質比如是氮化硅，而復晶硅層310的厚度比如約介于2nm至200nm之間。之后于復晶硅層310上形成一光阻圖案層312。
接著請參照圖3B，以此光阻圖案層312為蝕刻罩幕，進行非等向性蝕刻工藝，以分別形成柵極氧化層302a、字符線307a、含氮的頂蓋層308a和復晶硅保護層310a。
接著請參照圖3C，利用傳統(tǒng)的方法剝除光阻圖案層312后，在柵極氧化層302a、字符線307a、含氮的頂蓋層308a和復晶硅保護層310a的側壁形成含氮的間隙壁314，其材質比如是氮化硅，此含氮的間隙壁314的底部的寬度約介于10nm至80nm之間。
接著請參照圖3D，覆蓋一層已經平坦化的氧化硅層316，其平坦化的方法比如是化學機械研磨法，而此氧化硅層316的表面可以大致與復晶硅保護層310a的表面齊平，或高于復晶硅保護層310a的表面，在此實施例系以前者為例。
接著請參照圖3E，在氧化硅層316上形成光阻圖案層318。之后，以此光阻圖案層318為蝕刻罩幕，并佐以復晶硅保護層310a為罩幕，進行蝕刻工藝，使氧化硅層316轉為如圖所示的氧化硅層316a，以形成暴露出基底300的自動對準接觸窗開口320，其中，蝕刻氧化硅層316的蝕刻劑如第一實施例所述。而在形成接觸窗開口320的過程中，由于復晶硅保護層310a的保護，故可以避免含氮的頂蓋層308a的損耗，而未被復晶硅保護層310a所保護的含氮的間隙壁314，雖然會有部份的損耗，而形成如圖所示的含氮的間隙壁314a，但與公知的結果相較，此損耗幾乎可以忽略。故可以增加字符線307a和后續(xù)將形成的導電插塞的電性隔離的可靠度。
接著請參照圖3F，利用傳統(tǒng)的方法剝除光阻圖案層318后，于氧化硅層316a上覆蓋一層導電層322，并填入接觸窗開口320中與基底300接觸，其中導電層322的材質比如是復晶硅、鎢或其它類似此性質者。
接著請參照圖3G，比如利用化學機械研磨法或回蝕刻法，剝除含氮的頂蓋層308a上的復晶硅保護層310a、氧化硅層316a和多余的導電層322，以于接觸窗開口320中形成如圖所示的導電插塞322a。其中，氧化硅層316a并轉為如圖所示的氧化硅層316b。第四實施例圖4A至圖4E所示，為根據(jù)本發(fā)明一第四較佳實施例的一種自動對準接觸窗開口的制造流程剖面圖，可以避免導線和導電插塞之間發(fā)生短路的機會，并加強導線和導電插塞之間的絕緣效果。
首先，請參照圖4A，圖中大部份組件與圖3A相同，僅標記不同，其中基底為400、閘極氧化層為402、字符線為407、復晶硅層為404、硅化金屬層為406、含氮的頂蓋層為408、復晶硅保護層為410、含氮的間隙壁為414，其余的說明請參照第三實施例的部份。
之后，覆蓋一層氧化硅，其方法比如是化學氣相沉積法，再利用化學機械研磨法將氧化硅層平坦化，之后利用干式或濕式蝕刻法，剝除多余的氧化硅層，直至暴露出含氮的頂蓋層408和含氮的間隙壁414，以形成如圖所示的氧化硅層416，其中氧化硅層416的表面低于復晶硅保護層410的表面一距離417，此距離417比如是約介于10nm至150nm之間。其中，在蝕刻氧化硅層416的期間，含氮的間隙壁414會有部份損耗，而使其頂端略低于復晶硅保護層410的表面。
接著請參照圖4B，在復晶硅保護層410側邊和含氮的間隙壁414暴露出的部份，形成復晶硅間隙壁426。其形成方法比如是于基底100上形成一層厚度約為5nm至80nm的共形的復晶硅層，之后進行回蝕刻步驟至暴露出氧化硅層416。因此，復晶硅保護層410和復晶硅間隙壁414可以完全地保護含氮的頂蓋層408和含氮的間隙壁210的角落。
接著請參照圖4C，在復晶硅保護層410、復晶硅間隙壁426和氧化硅層416上形成光阻圖案層418。之后，以此光阻圖案層418為蝕刻罩幕，并佐以復晶硅保護層410和復晶硅間隙壁426為罩幕，進行蝕刻工藝，使氧化硅層416轉為如圖所示的氧化硅層416a，以形成暴露出基底400的自動對準接觸窗開口420，其中，蝕刻氧化硅層416的蝕刻劑如第一實施例所述。而在形成接觸窗開口420的過程中，由于復晶硅間隙壁426之故，使其下方且位于含氮的間隙壁414側壁的氧化硅層416a并不會被剝除。而余留于含氮的間隙壁414側壁的氧化硅層416a，除了可避免含氮的間隙壁414裸露于蝕刻的環(huán)境中而造成損耗外，并更可進一步加強字符線407和后續(xù)將形成的導電插塞的電性隔離程度。
接著請參照圖4D，利用傳統(tǒng)的方法剝除光阻圖案層418后，于氧化硅層416a、復晶硅保護層410和復晶硅間隙壁426上覆蓋一層導電層422，并填入接觸窗開口420中與基底400接觸，其中導電層422的材質比如是復晶硅、鎢或其它類似此性質者。
接著請參照圖4E，比如利用化學機械研磨法或回蝕刻法，剝除含氮的頂蓋層408a上的復晶硅保護層410a、復晶硅間隙壁426、氧化硅層416a和多余的導電層422，以于接觸窗開口420中形成如圖所示的導電插塞422a。其中，氧化硅層416a并轉為如圖所示的氧化硅層416b。
在上述第一至第四實施例中，導線亦可以是復晶硅、復晶硅化金屬(Polycide)或金屬導線等等。而含氮的頂蓋層亦可是含氮的材質/氧化硅的堆棧層。此外，在含氮的間隙壁形成后且做為內層介電層的氧化硅層形成之前，還可以形成一層材質比如為氮化硅的襯層。
綜上所述，本發(fā)明的優(yōu)點如下(1)傳統(tǒng)的氧化硅蝕刻配方，對氧化硅-復晶硅有極高的選擇蝕刻比，故本發(fā)明利用復晶硅材質做為保護層，以減少或避免氮化硅材質于氧化硅蝕刻制程中的損耗。此外，亦可以其它對傳統(tǒng)氧化硅蝕刻配方有幾乎可以忽略的蝕刻速率的材質來替代復晶硅材質。
(2)應用本發(fā)明所提供的方法，在不改變既有的蝕刻方法下，可以減少甚至避免導線周圍的氮化硅頂蓋層和氮化硅間隙壁的損耗。
(3)由于本發(fā)明可以減少導線周圍的氮化硅頂蓋層和氮化硅間隙壁的損耗，故可以提高導線與導電插塞的電性隔離。
雖然本發(fā)明已以一較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作各種的改進與變型，因此本發(fā)明的保護范圍當以權利要求書界定的范圍為準。
權利要求
1.一種自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于包括于一基底上形成一導線，該導線的上方有一含氮的頂蓋層，該導線和該含氮的頂蓋層的側壁有一含氮的間隙壁；覆蓋一氧化硅層，并剝除部份該氧化硅層，至暴露出該含氮的頂蓋層；于所暴露出的該含氮的頂蓋層上選擇性的形成一復晶硅層；于該復晶硅層和該氧化硅層上形成一光阻圖案層；以該光阻圖案層為蝕刻罩幕，并佐以該復晶硅層為罩幕，進行一蝕刻工藝，以形成該自動對準接觸窗開口；以及剝除該光阻圖案層。
2.如權利要求1所述的自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于其中該含氮的頂蓋層和該含氮的間隙壁的材質包括氮化硅。
3.如權利要求1所述的自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于其中在進行該蝕刻工藝的步驟中，更包括佐以該含氮的間隙壁為罩幕。
4.如權利要求1所述的自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于其中該復晶硅層更包括延伸至該含氮的間隙壁的角落，而呈一突塊狀。
5.如權利要求4所述的自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于其中該自動對準接觸窗開口與該含氮的間隙壁之間更包括部份該氧化硅層。
6.如權利要求1所述的自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于其中該蝕刻工藝的蝕刻劑包括含碳氟的蝕刻劑。
7.如權利要求6所述的自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于其中該含碳氟的蝕刻劑包括C4F8、CH2F2或C5F8。
8.一種自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于包括于一基底上形成一導電層和一含氮的絕緣層；于該含氮的絕緣層上形成一復晶硅層；將該導電層、該含氮的絕緣層和該復晶硅層圖案化，以分別形成一導線、一含氮的頂蓋層和一復晶硅保護層；在該導線、該含氮的頂蓋層和該復晶硅保護層的側壁形成一含氮的間隙壁；覆蓋一氧化硅層于該復晶硅保護層和該含氮的間隙壁上；將該氧化硅層平坦化；于已經平坦化的該氧化硅層上形成一光阻圖案層；以該光阻圖案層為蝕刻罩幕，并佐以該復晶硅保護層為罩幕，進行一蝕刻工藝，以于該氧化硅層中形成該自動對準接觸窗開口；以及剝除該光阻圖案層。
9.如權利要求8所述的自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于其中該含氮的絕緣層和該含氮的間隙壁的材質包括氮化硅。
10.如權利要求8所述的自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于其中將該氧化硅層平坦化后，該氧化硅層的表面高于該復晶硅保護層的表面。
11.如權利要求8所述的自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于其中將該氧化硅層平坦化后，該氧化硅層的表面大致與該復晶硅保護層的表面齊平。
12.如權利要求8所述的自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于其中該蝕刻工藝的蝕刻劑包括含碳氟的蝕刻劑。
13.如權利要求12所述的自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于其中該含碳氟的蝕刻劑包括C4F8、CH2F2或C5F8。
14.一種自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于包括于一基底上形成一導電層和一含氮的絕緣層；于該含氮的絕緣層上形成一復晶硅層；將該導電層、該含氮的絕緣層和該復晶硅層圖案化，以分別形成一導線、一含氮的頂蓋層和一復晶硅保護層；在該導線、該含氮的頂蓋層和該復晶硅保護層的側壁形成一含氮的間隙壁；覆蓋一氧化硅層，并剝除部份該氧化硅層，直至暴露出該復晶硅保護層和部份該含氮的間隙壁；于該含氮的間隙壁的側壁形成一復晶硅間隙壁；于該氧化硅層、該復晶硅保護層和該復晶硅間隙壁上形成一光阻圖案層；以該光阻圖案層為蝕刻罩幕，并佐以該復晶硅保護層和該復晶硅間隙壁為罩幕，進行一蝕刻工藝，以于該氧化硅層中形成該自動對準接觸窗開口；以及剝除該光阻圖案層。
15.如權利要求14所述的自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于其中該含氮的絕緣層和該含氮的間隙壁的材質包括氮化硅。
16.如權利要求14所述的自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于其中該蝕刻工藝的蝕刻劑包括含碳氟的蝕刻劑。
17.如權利要求16所述的自動對準接觸窗開口的制造方法，其特征在于其中該含碳氟的蝕刻劑包括C4F8、CH2F2或C5F8。
全文摘要
一種自動對準接觸窗開口的制造方法,系以復晶硅材質保護導線上方的頂蓋層,或甚至保護至導線側壁的間隙壁的角落,之后利用傳統(tǒng)的氧化硅蝕刻配方蝕刻氧化硅層,以形成自動對準接觸窗開口,而此種傳統(tǒng)的氧化硅蝕刻配方除了氧化硅對氮化硅有高的選擇蝕刻比外,在氧化硅對復晶硅的選擇蝕刻比上可以有極高的值。
文檔編號H01L21/02GK1378244SQ0110953
公開日2002年11月6日 申請日期2001年3月30日 優(yōu)先權日2001年3月30日
發(fā)明者劉豪杰, 許伯如, 陳錫銓, 黃森煥 申請人:華邦電子股份有限公司