專利名稱：多層集成式基片和多層陶瓷元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種由其而得到多個(gè)多層陶瓷元件的多層集成式基片，本發(fā)明還涉及多層陶瓷元件的制造方法，這種方法使用多層集成式基片。本發(fā)明尤其涉及為增加多層集成式基片的強(qiáng)度的修改，包括使凹槽折斷而有助于折斷多層集成式基片以去掉多層陶瓷元件的處理。
為了增加生產(chǎn)效率，常常以多層集成式基片的形式制備諸如多層陶瓷基片之類的多層陶瓷元件，并通過使多層集成式基片折斷而得到這種多層陶瓷元件。


圖10是示出傳統(tǒng)多層集成式基片1的平面圖。
通過焙燒多個(gè)陶瓷生片的層疊體，以便具有包括多個(gè)陶瓷層的層疊結(jié)構(gòu)而得到多層集成式基片1。
為多層集成式基片1設(shè)置多個(gè)折斷凹槽2，這些凹槽2以格子樣式安排在主表面中。在由折斷凹槽3切成的塊體3中構(gòu)成期望的多層陶瓷元件4。然后能夠通過沿折斷凹槽2折斷多層集成式基片1得到多層陶瓷元件4。
對(duì)于安裝在例如移動(dòng)通信裝置中的電子元件，歷來要求減小它們的高度。為了滿足這一要求，還必須減小電子元件中所包含的多層陶瓷元件的高度。
相應(yīng)地，參照?qǐng)D10，必須減小多層集成式基片1的厚度，以使多層陶瓷元件4更薄。
另一方面，為了構(gòu)成多層陶瓷元件4，還需要諸如電鍍、印刷焊膏、安裝其它電子元件和其它處理。為了同時(shí)一起處理所有的多層陶瓷元件4，在從多層集成式基片1得到多層陶瓷元件4之前完成這些處理是有效的。
但是，當(dāng)如上所述減小多層集成式基片1的厚度時(shí)，常常沿折斷凹槽2發(fā)生多層集成式基片1的破裂，這是不希望的。這種不希望的破裂是由例如在諸如安裝部件之類的上述處理過程中施加到多層集成式基片1的壓力和熱引起的。
在極端情況下，多層集成式基片1還可能由于焙燒處理中的不均勻收縮或當(dāng)溫度降低時(shí)的熱沖擊而引起破裂。
為了克服上述問題，本發(fā)明的較佳實(shí)施例提供了一種多層集成式基片和通過使用這種沒有上述問題的多層集成式基片來制造多層陶瓷元件的方法。
本發(fā)明的較佳實(shí)施例可以應(yīng)用于通過焙燒多個(gè)陶瓷生片的層疊結(jié)構(gòu)(它具有包含多個(gè)陶瓷層的層疊結(jié)構(gòu)，并設(shè)置有以格子樣式安排在主表面內(nèi)的折斷凹槽，和多層陶瓷元件，后者由多個(gè)折斷凹槽七個(gè)的塊構(gòu)成，并通過沿折斷凹槽折斷多層集成式基片得到)而得到的多層集成式基片。為了得到上述優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明的較佳實(shí)施例的多層集成式基片包含兩個(gè)或多個(gè)設(shè)置得跨越至少一個(gè)折斷凹槽的防裂部件。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例的多層集成式基片，防裂部件最好包含一個(gè)或多個(gè)含有金屬成份的防裂導(dǎo)體。較好地，將防裂導(dǎo)體設(shè)置在折斷凹槽比其交叉點(diǎn)更接近于多層集成式基片的周邊的區(qū)域中的端部，并且在由四周的折斷凹槽包圍的每一個(gè)塊體中構(gòu)成每一個(gè)多層陶瓷元件。
防裂導(dǎo)體最好包括一個(gè)或多個(gè)設(shè)置在至少一個(gè)陶瓷層上的防裂導(dǎo)電薄膜。
另外，最好將上述防裂導(dǎo)電薄膜設(shè)置在陶瓷層中的表面至少一個(gè)表面界面上。
可以將防裂部件設(shè)置在多層集成式基片的邊緣。在這種情況下，可以將防裂部件設(shè)置得跨越基本上相互平行的兩個(gè)或多個(gè)的折斷凹槽，或者跨越相互交叉的兩個(gè)折斷凹槽。
防裂導(dǎo)體可包含一個(gè)或多個(gè)防裂導(dǎo)電通孔替代防裂導(dǎo)電薄膜，所述防裂導(dǎo)電通孔形成得穿透至少一個(gè)陶瓷層。
在這種情況下，最好使防裂導(dǎo)電通孔形成得穿透一個(gè)或多個(gè)未設(shè)置多個(gè)折斷凹槽的陶瓷層。
較好地，通過通過與層疊體同時(shí)焙燒得到防裂導(dǎo)體。另外，較好地，防裂導(dǎo)體含有基本上與陶瓷層中含有的相同的陶瓷成份。
本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例提供了通過使用上述多層集成式基片的多層陶瓷元件的制造方法。本發(fā)明的這些較佳實(shí)施例的多層陶瓷元件的制造方法包含步驟制備如上所述多層集成式基片，和沿折斷凹槽折斷多層集成式基片。多層陶瓷元件的制造方法還包含將電子元件安裝到設(shè)置在多層集成式基片中的塊體上的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例，為多層集成式基片設(shè)置設(shè)置電鍍跨越折斷凹槽的防裂部件，從而增加其強(qiáng)度。當(dāng)將含有金屬成份的防裂導(dǎo)體用作防裂部件時(shí)，由于金屬成份的柔軟性有效防止了多層集成式基片沿折斷凹槽不理想地破裂。
更具體地說，在施加到多層集成式基片的各種處理過程中，它不會(huì)在多層陶瓷元件由其得到之前破裂。
由于不容易發(fā)生破裂，故可以增加多層集成式基片的尺寸。相應(yīng)地，還可以增加構(gòu)成在多層集成式基片上的多層陶瓷元件的數(shù)量。結(jié)果，可以大大減小多層陶瓷元件的制造成本。
多層集成式基片沿折斷凹槽折斷的容易度可通過調(diào)節(jié)折斷凹槽的深度和形狀控制。另外，可以通過防裂導(dǎo)體控制防止不希望的破裂的加固強(qiáng)度。相應(yīng)地，可以更加自由設(shè)定施加給多層集成式基片的各種處理的處理?xiàng)l件，從增加多層陶瓷元件的制造效率。
如上所述，可以將防裂導(dǎo)體設(shè)置得在其端部跨越折斷凹槽，并設(shè)置在比折斷凹槽交叉點(diǎn)更接近于多層集成式基片周邊的區(qū)域中，并且多層陶瓷元件可以分別構(gòu)成在由四周的折斷凹槽包圍的塊體中。在這種情況下，可以形成防裂導(dǎo)體，而不影響其中構(gòu)成多層陶瓷元件的區(qū)域。
另外，當(dāng)設(shè)置防裂導(dǎo)電薄膜，以確定防裂導(dǎo)體時(shí)，可以將防止不理想破裂的加固效果提供給相對(duì)更大的區(qū)域。
另外，當(dāng)將防裂導(dǎo)電薄膜設(shè)置在陶瓷層中的至少一個(gè)表面界面上時(shí)，折斷凹槽并分開防裂導(dǎo)電薄膜。
另外，當(dāng)將防裂部件設(shè)置在多層集成式基片的邊緣時(shí)，可確定多層陶瓷元件的設(shè)置，而不必考慮防裂導(dǎo)電部件。相應(yīng)地，可以使多層陶瓷元件構(gòu)成和安排得覆蓋相對(duì)大的區(qū)域。
如上所述，如上所述設(shè)置在邊緣處的防裂部件可形成得跨越基本上相互平行的折斷凹槽。在這種情況下，可以在相對(duì)大的區(qū)域上，沿多層集成式基片的側(cè)面提供防止不理想破裂的加固效果。
另外，還可以將防裂部件設(shè)置得跨越相互交叉的折斷凹槽。在這種情況下，有效地防止了多層集成式基片在其角上的不理想破裂。
另外，當(dāng)設(shè)置防裂導(dǎo)電通孔以確定防裂導(dǎo)體時(shí)，和上述防裂導(dǎo)電薄膜相比能夠容易地增加垂直尺寸。相應(yīng)地，大大改善了加固效果。特別地，當(dāng)形成防裂導(dǎo)電通孔，以便穿透大于一個(gè)的陶瓷層時(shí)，進(jìn)一步增加了防裂導(dǎo)電通孔的垂直尺寸，從而進(jìn)一步改善了加固效果。
另外，當(dāng)防裂導(dǎo)電通孔形成得穿透未設(shè)置折斷凹槽的陶瓷層時(shí)，防裂導(dǎo)電通孔未由折斷凹槽分開。
另外，可以通過與由多個(gè)陶瓷生片構(gòu)成的層疊體一起焙燒而形成防裂導(dǎo)體，并且防裂導(dǎo)體可以含有基本上與陶瓷層中含有的陶瓷成份相同的陶瓷成份。在這種情況下，防裂導(dǎo)體以類似于焙燒處理過程中周圍陶瓷部分收縮的的方式收縮，從而減小了多層集成式基片的內(nèi)應(yīng)力。相應(yīng)地，防止了由內(nèi)應(yīng)力引起的破裂，并防止多層集成式基片發(fā)生波動(dòng)和彎曲。
相應(yīng)地，通過使用上述多層集成式基片以高產(chǎn)率制造多層陶瓷元件。
另外，多層陶瓷元件的制造過程可包含將電子元件安裝到設(shè)置在多層集成式基片中的塊體上的步驟。在這種情況下，傳統(tǒng)型多層集成式基片容易在安裝電子元件的步驟中沿折斷凹槽破裂。但是，這種破裂通過使用本發(fā)明的較佳實(shí)施例的多層集成式基片有效地得到防止。相應(yīng)地，可以沒有任何問題地安裝其它電子元件。
從下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)的描述，本發(fā)明的其它特點(diǎn)、元素、特征和優(yōu)點(diǎn)將是顯然的。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的多層集成式基片的平面圖；圖2是圖1中沿線II-II的展開的截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的多層集成式基片的平面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的多層集成式基片的平面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的第四較佳實(shí)施例的多層集成式基片的平面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的第五較佳實(shí)施例的多層集成式基片的平面圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的第六多層集成式基片的平面圖；圖8是圖7中沿線VIII-VIII的展開的截面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明的第七較佳實(shí)施例的多層集成式基片的展開的截面圖，示出對(duì)應(yīng)于圖8的部分；圖10是傳統(tǒng)多層集成式基片的平面圖。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例的多層集成式基片11的平面圖。圖2是圖1沿線II-II的展開截面圖。
通過焙燒多個(gè)陶瓷生片，以得到包括多層陶瓷生片12的層疊結(jié)構(gòu)而得到多層集成式基片11。
為多層集成式基片11設(shè)置多個(gè)以格子樣式安排在主表面中的折斷凹槽13。在由折斷凹槽13切成的塊體14中構(gòu)成諸如多層陶瓷基片之類的多層陶瓷元件15。雖然圖中未示，多層陶瓷元件15設(shè)置有電氣線路等。
能夠通過沿折斷凹槽13折斷多層集成式基片11得到多層陶瓷元件15。
其中構(gòu)成有多層陶瓷元件15的塊體14在四側(cè)上由折斷凹槽13包圍，并設(shè)置在多層集成式基片11的大致中心區(qū)域中。
多層集成式基片11包括一邊緣，它將上述大致中心區(qū)域包圍在其中，并且最好將含有金屬成份的防裂導(dǎo)電薄膜16設(shè)置在邊緣內(nèi)。防裂導(dǎo)電薄膜6確定了防裂部件，該防裂部件提供了本發(fā)明的較佳實(shí)施例的一些優(yōu)點(diǎn)。多層陶瓷元件15最好不形成在邊緣中。防裂導(dǎo)電薄膜16最好設(shè)置在邊緣中并跨越折斷凹槽13。更具體地說，最好將防裂導(dǎo)電薄膜16設(shè)置在折斷凹槽13的端部，并在比折斷凹槽13的交叉點(diǎn)更加接近于多層集成式基片11的周邊的區(qū)域內(nèi)。相應(yīng)地，不將防裂導(dǎo)電薄膜16設(shè)置在其中構(gòu)成有多層陶瓷元件15的塊體14內(nèi)部。
另外，最好不將導(dǎo)電薄膜16設(shè)置在多層集成式基片11的主表面內(nèi)，而是最好設(shè)置在陶瓷層12之間的至少一個(gè)表面邊界上。由此，如能夠從圖2看到的，折斷凹槽13不使導(dǎo)電薄膜16分離。
另外，如圖2所示，為每一個(gè)折斷凹槽13設(shè)置多個(gè)與層壓方向?qū)?zhǔn)的導(dǎo)電薄膜16。
制備多個(gè)陶瓷生片，以得到多層集成式基片11，并通過將導(dǎo)電膏印刷在一些陶瓷生片上而在多層陶瓷元件15中形成電氣線路。當(dāng)要設(shè)置導(dǎo)電通孔時(shí)，在陶瓷生片中形成通孔，然后，將導(dǎo)電膏施加到通孔中。
另外，還通過例如印刷或其它適當(dāng)方法將導(dǎo)電膏施加到一些陶瓷生片形成防裂導(dǎo)電薄膜16。為了減少處理的數(shù)量，最好同時(shí)進(jìn)行為形成防裂導(dǎo)電薄膜16而印刷導(dǎo)電膏的處理，以及為在多層陶瓷元件15中形成電氣線路而印刷導(dǎo)電膏的處理。
然后，層疊和壓制陶瓷生片，并將折斷凹槽13設(shè)置在層疊體的主表面上。然后焙燒層疊體，以得到多層集成式基片11。
通過沿折斷凹槽13折斷多層集成式基片11而得到多層陶瓷元件15。但是，最好在折斷處理之前完成諸如對(duì)設(shè)置在多層陶瓷元件15表面上的電極上電鍍、安裝裸片(bare chip)、結(jié)合、表面安裝部件之類的處理和其它處理。
在完成上述處理之后，沿折斷凹槽13折斷多層集成式基片11而得到多層陶瓷元件15。然后，根據(jù)需要，進(jìn)行諸如安裝外殼、測量特性等處理。
相應(yīng)地，本較佳實(shí)施例的多層集成式基片11設(shè)置有含有金屬成份的防裂導(dǎo)電薄膜16，這種防裂導(dǎo)電薄膜16設(shè)置得跨越折斷凹槽13。防裂導(dǎo)電薄膜16中含有的金屬有延伸性，它有效地防止了多層集成式基片11沿折斷凹槽13不理想地破裂。另外，即使當(dāng)多層集成式基片11的一部分破裂時(shí)，仍然可以防止在破裂在設(shè)置有防裂導(dǎo)電薄膜16的一個(gè)位置處延伸。
相應(yīng)地，可靠地防止了由于在諸如安裝部件之類的上述處理中施加的壓力或熱量引起的多層集成式基片11的意外破裂。另外，還可靠地防止了由焙燒處理中不均勻收縮，或當(dāng)溫度降低時(shí)熱沖擊引起的不希望的破裂。
圖3到9是概圖，用于解釋本發(fā)明的其它較佳實(shí)施例。在圖中，類似于圖1或圖2所示的元件由相同放電標(biāo)號(hào)表示，并且由此省略了多余的解釋。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的多層集成式基片的平面圖。
根據(jù)圖3所示的多層集成式基片11a，將防裂導(dǎo)電薄膜設(shè)置得跨越多于一個(gè)的折斷凹槽13，其中這些折斷凹槽設(shè)置得基本上相互平行。在本較佳實(shí)施例中，最好為多層集成式基片11a在其四周設(shè)置四個(gè)防裂導(dǎo)電薄膜17。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的多層集成式基片11b的平面圖。
根據(jù)如圖4所示的多層集成式基片11b，將防裂導(dǎo)電薄膜18設(shè)置得跨越兩個(gè)相互交叉的折斷凹槽13。在較佳實(shí)施例中，最好在多層集成式基片11b的四個(gè)角上為其設(shè)置四個(gè)基本上為L形的防裂導(dǎo)電薄膜18。
如可以從圖4所示的多層集成式基片11b中知道的，可以不為所有折斷凹槽13設(shè)置防裂導(dǎo)電薄膜18。防裂導(dǎo)電薄膜可以僅僅設(shè)置在容易破裂的部分。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的第五較佳實(shí)施例的多層集成式基片11c的平面圖。
根據(jù)圖5所示的多層集成式基片11c，將基本上L形的防裂導(dǎo)電薄膜18設(shè)置在角上，并跨越相互交叉的兩個(gè)折斷凹槽13。另外，最好以如圖1所示的多層集成式基片11中相同的方式形成防裂導(dǎo)電薄膜16，以跨越剩余的折斷凹槽13。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的第五較佳實(shí)施例的多層集成式基片11d的平面圖。
根據(jù)如圖6所述的多層集成式基片11d，防裂導(dǎo)電薄膜19沿其四周連續(xù)地形成。防裂導(dǎo)電薄膜19既具有圖3所示的防裂導(dǎo)電薄膜17的特點(diǎn)，也具有如圖4和5所示的防裂導(dǎo)電薄膜18的特點(diǎn)。更具體地說，將防裂導(dǎo)電薄膜19設(shè)置得跨越兩個(gè)基本上相互平行的折斷凹槽13和相互交叉的折斷凹槽13。
分別根據(jù)圖4、圖5和圖6所示的多層集成式基片11b、11c和11d，其四個(gè)角上設(shè)置有防裂薄膜18或防裂導(dǎo)電薄膜19。相應(yīng)地，多層集成式基片11b、11c和11d的角不容易破裂。另外，即使當(dāng)多層集成式基片11b、11c和11d的一部分在角上沿折斷凹槽13折斷，通過防裂導(dǎo)電薄膜18或19可防止破裂的延伸，由此防止角部分碎裂。
另外，這些類型的多層集成式基片在焙燒處理中趨向于彎曲，并容易由于例如在印刷焊料膏處理中安裝金屬掩模而破裂。即使當(dāng)多層集成式基片不彎曲，當(dāng)處理多層集成式基片時(shí)，角也容易由于由根據(jù)的敲打而破裂。根據(jù)圖4到6所示的多層集成式基片，有效地加固了容易破裂的角。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的第六較佳實(shí)施例的多層集成式基片11e的平面圖。圖8是圖7沿線VIII-VIII的展開的截面圖。
根據(jù)圖7所示的多層集成式基片11e，設(shè)置防裂導(dǎo)電通孔20，替代上述防裂導(dǎo)電薄膜，作為防裂導(dǎo)體。每一個(gè)防裂導(dǎo)電通孔20穿透至少一個(gè)陶瓷層12。在第六較佳實(shí)施例中，最好將防裂導(dǎo)電通孔20形成得穿透其中未設(shè)置折斷凹槽13的陶瓷層12。可通過基本上和在多層陶瓷元件15中設(shè)置形成電氣線路的導(dǎo)電通孔相同的處理形成防裂導(dǎo)電通孔20。
雖然圖7所示的防裂導(dǎo)電通孔20的橫截面基本上是圓形的，但是可以對(duì)其橫截面形狀進(jìn)行各種修改。另外，雖然如圖7所示成對(duì)地設(shè)置防裂導(dǎo)電通孔20，還可以以任意數(shù)量的組安排它們。與上述防裂導(dǎo)電薄膜16到19比較，可以容易地增加防裂導(dǎo)電通孔20的垂直尺寸，從而大大增加了加固效果。為了增加加固效果，可以使用下面的較佳實(shí)施例。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的第七較佳實(shí)施例的多層集成式基片11f的展開視圖，示出對(duì)應(yīng)于圖8的部分。
根據(jù)圖9所示的多層集成式基片11f，防裂導(dǎo)電通孔21穿透多個(gè)陶瓷層12。
還可以將較佳實(shí)施例中描述的防裂導(dǎo)電薄膜16到19以及防裂導(dǎo)電通孔20和21的組合應(yīng)用于多層集成式基片中。例如，可以在多層集成式基片中形成防裂導(dǎo)電薄膜16到19中的一個(gè)和防裂導(dǎo)電通孔20和21中的一個(gè)。
在上述較佳實(shí)施例中，將防裂導(dǎo)電薄膜16到19與防裂導(dǎo)電通孔20和21與層疊體(其中，由該層疊體得到多層集成式基片11到11f)一起焙燒。在這種情況下，可以通過和用于在多層陶瓷元件15中形成電氣線路的導(dǎo)電膏相同的導(dǎo)電膏形成防裂導(dǎo)電薄膜16到19和防裂導(dǎo)電通孔20和21。但是，對(duì)于防裂導(dǎo)體，可以忽視電特性，從而還可以使用含有幾個(gè)到50百分比重量的陶瓷粉末的導(dǎo)電膏。陶瓷粉末的組份基本上可以與陶瓷層12中所含有的陶瓷成份的組份相同。
當(dāng)使用含有陶瓷成份的導(dǎo)電膏來形成防裂導(dǎo)體時(shí)，得到下面的優(yōu)點(diǎn)。
即，在焙燒處理中，由于其中含有相同的陶瓷成份，故用于形成防裂導(dǎo)體的導(dǎo)電膏以類似于周圍的陶瓷部分的方式收縮。相應(yīng)地，減少了在焙燒處理之后剩余的應(yīng)力，從而在施加給多層集成式基片的各種處理中不容易由于剩余應(yīng)力而發(fā)生破裂。
在設(shè)置防裂導(dǎo)電薄膜作為防裂導(dǎo)體的情況下，將它們?cè)O(shè)置在邊緣內(nèi)。由此，由防裂導(dǎo)電薄膜占據(jù)的面積與多層集成式基片整體面積的比例相對(duì)高。相應(yīng)地，當(dāng)防裂導(dǎo)電薄膜與周圍的陶瓷部分以極不相同的方式收縮時(shí)，多層集成式基片在其周圍部分可能有起伏，或者在整體上彎曲。為了防止這一點(diǎn)，用于形成導(dǎo)電層的導(dǎo)電膏應(yīng)當(dāng)含有陶瓷成份。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例，防裂部件不限于由導(dǎo)電膏形成的導(dǎo)電薄膜或?qū)щ娡?。防裂部件還可以是例如由陶瓷膏形成的陶瓷薄膜，它能夠增加多層集成式基片在折斷凹槽的強(qiáng)度。在這種情況下，陶瓷膏可含有基本上和陶瓷層含有的陶瓷成份相同的陶瓷成份。較好地，陶瓷膏含有諸如觸須之類的額外的加固件。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的較佳實(shí)施例，部分地示出和描述了本發(fā)明，但是那些熟悉現(xiàn)有技術(shù)的人應(yīng)該知道，在不背離本發(fā)明的主旨和范圍的情況下，可以有上述和其它形式和細(xì)節(jié)上的修改。
權(quán)利要求
1.一種多層集成式基片，其特征在于包含包括多個(gè)陶瓷生片，并具有一個(gè)主表面的層疊體；以格子樣式設(shè)置在所述主表面內(nèi)的多個(gè)折斷凹槽；多個(gè)多層陶瓷元件，在由所述多個(gè)折斷凹槽分成的多個(gè)塊體中構(gòu)成，并通過沿所述多個(gè)折斷凹槽折斷所述多層集成式基片而得到；和至少一個(gè)防裂部件，設(shè)置得跨越所述多個(gè)折斷凹槽中的至少一個(gè)。
2.如權(quán)利要求1所述的多層集成式基片，其特征在于所述至少一個(gè)防裂部件包含至少一個(gè)含有金屬成份的防裂導(dǎo)體。
3.如權(quán)利要求1所述的多層集成式基片，其特征在于將所述至少一個(gè)防裂導(dǎo)體設(shè)置在所述多個(gè)折斷凹槽比其交叉點(diǎn)部分更加接近于所述多層集成式基片的周邊的區(qū)域中的端部，并且在其四周由所述多個(gè)折斷凹槽圍繞的每一個(gè)所述多個(gè)塊體中構(gòu)成所述多個(gè)多層陶瓷元件中的每一個(gè)。
4.如權(quán)利要求2所述的多層集成式基片，其特征在于所述至少一個(gè)防裂導(dǎo)體包括至少一個(gè)設(shè)置在所述多個(gè)陶瓷層中的至少一個(gè)陶瓷層上的防裂導(dǎo)電薄膜。
5.如權(quán)利要求4所述的多層集成式基片，其特征在于在所述多個(gè)陶瓷層中的至少一個(gè)表面界面上設(shè)置所述至少一個(gè)防裂導(dǎo)電薄膜。
6.如權(quán)利要求1所述的多層集成式基片，其特征在于將所述至少一個(gè)防裂部件設(shè)置在所述多層集成式基片的邊緣中。
7.如權(quán)利要求6所述的多層集成式基片，其特征在于將所述至少一個(gè)防裂部件設(shè)置得跨越所述多個(gè)折斷凹槽中基本上相互平行的兩個(gè)或多個(gè)折斷凹槽。
8.如權(quán)利要求6所述的多層集成式基片，其特征在于所述至少一個(gè)防裂部件設(shè)置得跨越多個(gè)折斷凹槽中相互交叉的兩個(gè)折斷凹槽。
9.如權(quán)利要求2所述的多層集成式基片，其特征在于所述至少一個(gè)防裂導(dǎo)體包含至少一個(gè)防裂導(dǎo)電通孔，所述防裂導(dǎo)電通孔設(shè)置得穿透所述多個(gè)陶瓷層中的至少一個(gè)陶瓷層。
10.如權(quán)利要求9所述的多層集成式基片，其特征在于所述至少一個(gè)防裂導(dǎo)電通孔設(shè)置得穿透未設(shè)置所述多個(gè)折斷凹槽的所述多個(gè)陶瓷層中的至少一個(gè)陶瓷層。
11.如權(quán)利要求2所述的多層集成式基片，其特征在于所述至少一個(gè)防裂導(dǎo)體確定了與所述層疊體一起焙燒的部件。
12.如權(quán)利要求11所述的多層集成式基片，其特征在于至少一個(gè)防裂導(dǎo)體包含基本上與所述多個(gè)陶瓷層中含有的陶瓷成份相同的陶瓷成份。
13.如權(quán)利要求1所述的多層集成式基片，其特征在于還包含多個(gè)所述防裂部件，它們?cè)O(shè)置得跨越所述多個(gè)折斷凹槽。
14.如權(quán)利要求13所述的多層集成式基片，其特征在于所述多個(gè)防裂部件包括防裂導(dǎo)體和防裂導(dǎo)電通孔中的至少一種。
15.一種多層陶瓷元件的制造方法，其特征在于包含以下步驟通過提供包含多個(gè)陶瓷生片，并具有主表面的層疊體制備多層集成式基片，其中以格子樣式將多個(gè)折斷凹槽設(shè)置在主表面內(nèi)，在由所述多個(gè)折斷凹槽分成的多個(gè)塊體中構(gòu)成多個(gè)多層陶瓷元件；和至少一個(gè)防裂部件，設(shè)置得跨越所述多個(gè)折斷凹槽中的至少一個(gè)凹槽；及沿所述多個(gè)折斷凹槽折斷所述多層集成式基片。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于還包含將電子元件安裝在所述多個(gè)塊體上的步驟。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于多層集成式基片包括多個(gè)設(shè)置得跨越所述多個(gè)折斷凹槽的所述防裂部件。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于所述防裂部件包含防裂導(dǎo)體和防裂導(dǎo)電通孔中的至少一個(gè)。
19.一種陶瓷元件的制造方法，其特征在于包含步驟制備基片，所述基片具有主表面，多個(gè)以格子樣式設(shè)置在主表面內(nèi)的多個(gè)折斷凹槽，在由所述折斷凹槽分成的多個(gè)塊體中構(gòu)成的多個(gè)陶瓷元件，和至少一個(gè)設(shè)置得跨越所述折斷凹槽中至少一個(gè)凹槽的防裂部件；和沿所述多個(gè)折斷凹槽折斷所述基片。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于還包含將電子元件安裝到所述多個(gè)塊體上的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種多層集成式基片,其特征在于包括以格子樣式設(shè)置,以使基片的主表面分為多個(gè)塊體的折斷凹槽,還包含設(shè)置得跨越折斷凹槽的防裂導(dǎo)體薄膜。防裂導(dǎo)體薄膜含有金屬成份,它防止多層集成式基片沿折斷凹槽不理想地破裂。
文檔編號(hào)H01L21/48GK1322105SQ01110979
公開日2001年11月14日 申請(qǐng)日期2001年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月3日
發(fā)明者酒井范夫, 飯?zhí)锖秃?申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所