專利名稱：預清室的硅化物清除方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種預清室的硅化物清除方法，特別是涉及一種用以清除一物理氣相沉積(PVD)裝置的預清室(pre-clean chamber)中的硅化物的硅化物清除方法。
在半導體制造過程中，物理氣相沉積(以下簡稱PVD)裝置是大多被用來進行金屬鍍膜工藝?，F(xiàn)有的一種PVD裝置如
圖1所示，其主要是由一緩沖室(buffer chamber)1、一預清室2、一搬遷室(transfer chamber)3、一工藝室(process chamber)4、及一機械手臂5等構(gòu)成。其中，該預清室2用以進行一晶片的預清步驟，如圖2所示，該預清室2是主要由一無線電波頻率產(chǎn)生器(RF generator)21、一鐘型缸(belljar)22、一防護體(shield)23、及一預清室本體24所構(gòu)成，當其欲進行晶片6預清時，晶片6會由該機械手臂5而被搬送到該預清室2中，然后，再將如氬氣的氣體導入于上述預清室2中，同時藉由該預清室2的無線電波頻率產(chǎn)生器21將氬氣解離成等離子，進而利用等離子濺射(sputtering)晶片6方式將附著于該晶片6上的微粒清除。
承上所述，由于晶片6的預清是以等離子濺射(sputtering)晶片方式來達成，因此，在濺射的過程中，除會將晶片6上的微粒清除外，亦會同時將該晶片6的表面成分擊出，進而使其表面成分附著于上述預清室2的鐘型缸22及防護體23上。此時，若PVD裝置所進行的金屬沉積工藝是為中間金屬沉積工藝時，則通常于該預清室2進行預清的晶片6的表面成分是主要為硅，換言之，在進行多次預清步驟后，該鐘型缸22及防護體23上將會附著大量的硅化物。由于該鐘型缸22通常是由石英所形成，而石英與硅化物之間的附著效果并不佳，因此，當該鐘型缸22上累積一定厚度的硅化物時，則其將會產(chǎn)生剝離現(xiàn)象，進而對該預清室2中的晶片6產(chǎn)生微粒污染，如此，將會對后續(xù)的金屬薄膜工藝產(chǎn)生不良影響。
為解決此上述問題，一般技術(shù)人員會在一定使用時間后，將鐘型缸22加以清洗，以避免鐘型缸22上的硅化物剝離所造成的微粒問題。然而，由于每次清洗時是須暫停生產(chǎn)，如此將會影響產(chǎn)能，故，如何能以一簡便方式即可有效、快速清除鐘型缸22內(nèi)的硅化物，進而縮短保養(yǎng)時間、提高產(chǎn)能，實為一重要課題。
有鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種以一簡單方式即可有效、快速清除鐘型缸內(nèi)的硅化物，進而縮短保養(yǎng)時間、提高產(chǎn)能的預清室的硅化物清除方法。
本發(fā)明的預清室的硅化物清除方法的特征是藉由一氟化物來產(chǎn)生等離子，并使其與已形成于鐘型缸上的硅化物層反應，再將反應物加以抽離，以有效、快速清除鐘型缸內(nèi)的硅化物。
為達到上述目的，本發(fā)明的預清室的硅化物清除方法包含一氟化物導入步驟、一等離子形成步驟、及一抽離步驟，其中于該氟化物導入步驟中，將一氟化物導入于該預清室中；于該等離子形成步驟中，于該預清室中將該氟化物解離為等離子，以使其與該預清室的鐘型缸內(nèi)的硅化物反應；而于該抽離步驟中，將該氟化物的等離子與硅化物反應后的反應物自該預清室中抽離，據(jù)以清除該預清室的鐘型缸內(nèi)的硅化物。
以下結(jié)合附圖來描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。附圖中圖1是現(xiàn)有物理氣相沉積裝置的主要部分的示意圖；圖2是現(xiàn)有預清室的部分分解圖及真空泵的示意圖；以及圖3是利用本發(fā)明的預清室的硅化物清除方法的一實施例的示意圖，圖中所示的為一PVD裝置的主要部分的簡單示意圖。
附圖標號說明如下1緩沖室 2預清室21無線電波頻率產(chǎn)生器 22鐘型缸23防護體 24預清室本體3搬遷室 4工藝室5機械手臂 6晶片7真空泵在具體說明之前，欲事先說明的是，為說明上的便利，以及避免說明上的冗述，于本實施例中，有關PVD裝置的預清室等相關構(gòu)造說明是沿用前文的附圖標號。
本發(fā)明的預清室的硅化物清除方法于一PVD裝置的預清室的鐘型缸上形成有一一定厚度硅化物層時使用。
本發(fā)明的預清室的硅化物清除方法包含一氟化物導入步驟、一等離子形成步驟、及一抽離步驟。
如圖3所示，于該氟化物導入步驟中，將一氟化物導入于該預清室2中，于本實施例中，該氟化物是為NF3。
于該等離子形成步驟中，于該預清室2中將該氟化物解離為等離子，以使其與該預清室2的鐘型缸22內(nèi)的硅化物反應，氟化物解離可利用上述預清室2的無線電波頻率產(chǎn)生器21來實現(xiàn)；而于該抽離步驟中，將該氟化物的等離子與硅化物反應后的反應物自該預清室中抽離，據(jù)以清除該預清室的鐘型缸內(nèi)的硅化物。由下示的化學反應式可知該氟化物的等離子與硅化物反應后的反應物是為SiF4的氣體。
請再參考圖2所示，該SiF4氣體則可藉由一真空泵7來加以抽離。
綜上所述，由于本發(fā)明的預清室的硅化物清除方法只需將一氟化物導入于預清室2中，并藉由該氟化物的等離子與該預清室2的鐘型缸22內(nèi)的硅化物反應，即可達到清除該鐘型缸22內(nèi)的硅化物效果，因此，無需如現(xiàn)有技術(shù)中需要繁雜的清洗程序。換言之，本發(fā)明的預清室的硅化物清除方法能以一簡單方式即可有效、快速清除鐘型缸內(nèi)的硅化物，如此即可縮短保養(yǎng)時間、提高產(chǎn)能。
于本實施例的詳細說明中所提出的具體的實施例僅為了易于說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，而并非將本發(fā)明狹義地限制于該實施例，在不超出本發(fā)明的精神及以下權(quán)利要求的情況，可作種種變化實施。
權(quán)利要求
1.一種預清室的硅化物清除方法，其中預清室包括一鐘型缸，硅化物形成于該鐘型缸內(nèi)，其特征在于，該預清室的硅化物清除方法包括一氟化物導入步驟，將一氟化物導入于該預清室中；一等離子形成步驟，于該預清室中將該氟化物解離為等離子，以使其與該預清室的鐘型缸內(nèi)的硅化物反應；及一抽離步驟，將該氟化物的等離子與硅化物反應后的反應物自該預清室中抽離，據(jù)以清除該預清室的鐘型缸內(nèi)的硅化物。
2.如權(quán)利要求1所述的預清室的硅化物清除方法，其中該預清室為物理氣相沉積裝置的預清室。
3.如權(quán)利要求1所述的預清室的硅化物清除方法，其中該氟化物是藉由無線電波頻率作用來形成等離子。
4.如權(quán)利要求1所述的預清室的硅化物清除方法，其中該氟化物包括NF3。
5.如權(quán)利要求1所述的預清室的硅化物清除方法，其中該反應物包括SiF4。
全文摘要
一種預清室的硅化物清除方法,包括一氟化物導入步驟、一等離子形成步驟、及一抽離步驟,其是藉由一氟化物來產(chǎn)生等離子,并使氟化物的等離子與已形成于鐘型缸上的硅化物層反應,再將反應物加以抽離,以有效、快速清除鐘型缸內(nèi)的硅化物。
文檔編號H01L21/203GK1374685SQ0111099
公開日2002年10月16日 申請日期2001年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月9日
發(fā)明者郭家銘, 黃昭元 申請人:矽統(tǒng)科技股份有限公司