專利名稱：半導(dǎo)體激光設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光設(shè)備及其制造方法，尤其是半導(dǎo)體激光設(shè)備所具有的半導(dǎo)體激光芯片是利用導(dǎo)電芯片焊接糊料(die-bonded paste)與焊接表面進(jìn)行芯片焊接(chip die-bonded)的半導(dǎo)體激光設(shè)備及其制造方法。
如日本專利申請?zhí)亻_平6-37403中所述，在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體激光設(shè)備中，半導(dǎo)體激光芯片是通過例如In,Pb/Sn(焊料)，Au/Sn等的金屬釬焊材料將芯片焊接于焊接表面的預(yù)定位置，例如引線框架，管座，或管座上設(shè)置的亞底座上。
圖5表示第一種傳統(tǒng)的半導(dǎo)體激光設(shè)備，其中半導(dǎo)體激光芯片50利用金屬釬焊材料52焊接在亞底座51的芯片焊接表面51a的預(yù)定位置上。金屬釬焊材料52在室溫下是固體，通過蒸發(fā)等方法被沉積在焊接表面的預(yù)定焊接位置上。在半導(dǎo)體激光芯片50被放置在金屬釬焊材料52上之后，將該金屬釬焊材料52加熱至150℃或更高溫度以使之熔化。此時(shí)，半導(dǎo)體激光芯片50用焊接夾頭等(未顯示)固定。最后，將金屬釬焊材料52冷卻以使之硬化或定形。因此，半導(dǎo)體激光芯片50被芯片焊接至芯片焊接表面51a的預(yù)定位置。在圖5中，標(biāo)號53代表半導(dǎo)體激光芯片50的主發(fā)射側(cè)(discharge side)的發(fā)光點(diǎn)，標(biāo)號54表示半導(dǎo)體激光芯片50的監(jiān)視次發(fā)射側(cè)的發(fā)光點(diǎn)，標(biāo)號55代表連接主發(fā)射側(cè)的發(fā)光點(diǎn)和次發(fā)射側(cè)發(fā)光點(diǎn)的半導(dǎo)體激光芯片50的發(fā)光軸。
在圖5所示的第一種傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光設(shè)備的制造方法中，金屬釬焊材料52的熔化點(diǎn)高。因此加熱/冷卻循環(huán)花費(fèi)的時(shí)間多，由此制造該半導(dǎo)體激光設(shè)備需要的時(shí)間長。另外，硬化后的金屬釬焊材料52比0.01mm薄。因此如果該半導(dǎo)體激光設(shè)備用在采用主尋跡控制法的三光束模式進(jìn)行的光學(xué)讀取中，將會產(chǎn)生以下問題。在已經(jīng)從光盤返回的三光束中，一個輔助光束規(guī)則反射離開半導(dǎo)體激光芯片50的放電表面回到該光盤，然后射在信號檢測光二極管上產(chǎn)生噪音。
為了解決半導(dǎo)體激光設(shè)備制造時(shí)間長的問題，提出一種制造半導(dǎo)體激光設(shè)備的方法(以下稱為第二種現(xiàn)有技術(shù))。在該方法中，利用導(dǎo)電的芯片焊接糊料(導(dǎo)電粘合劑)來代替金屬釬焊材料而將半導(dǎo)體激光芯片焊接在焊接表面上。導(dǎo)電的芯片焊接糊料包括樹脂和導(dǎo)電填料例如銀片。可以根據(jù)糊料中的樹脂將該導(dǎo)電芯片焊接糊料的硬化溫度降低至約為100℃。由此，加熱/冷卻循環(huán)變短。因此可以減少制造半導(dǎo)體激光設(shè)備所需的時(shí)間。
圖6表示將半導(dǎo)體激光芯片用導(dǎo)電芯片焊接糊料芯片焊接在芯片焊接表面而制成的半導(dǎo)體激光設(shè)備。在圖6中，與圖5中相同或類似的部分用相同的標(biāo)號表示。標(biāo)號56表示導(dǎo)電芯片焊接糊料。
在根據(jù)第二種現(xiàn)有技術(shù)制造半導(dǎo)體激光設(shè)備的方法中，當(dāng)提高導(dǎo)電填料的比例來降低導(dǎo)電芯片焊接糊料56的電阻時(shí)，該導(dǎo)電芯片焊接糊料56的粘度變高。因而，當(dāng)將半導(dǎo)體激光芯片50放置在導(dǎo)電芯片焊接糊料56上時(shí)，導(dǎo)電芯片焊接糊料56膨脹，并粘附在半導(dǎo)體激光芯片50的末端表面和側(cè)面上，擋住了主發(fā)射側(cè)發(fā)光點(diǎn)53和/或監(jiān)視次發(fā)光點(diǎn)54。這一點(diǎn)將在下面參考圖7A和圖7B具體說明。
參考圖7A，已經(jīng)從分配器(未顯示)中排出的預(yù)定的微量導(dǎo)電芯片焊接糊料56，位于注射器針頭57的尖部。隨著注射器針頭的尖部57沿著58A的向下方向移動，導(dǎo)電芯片焊接糊料56被放置在亞底座51的芯片焊接表面51a的預(yù)定位置上。然后，隨著注射器針頭57的尖部如圖7B所示沿著58B的向上方向移動時(shí)，導(dǎo)電芯片焊接糊料56被施加在亞底座51的芯片焊接表面51a的預(yù)定部分上。
然后，如圖6所示，將半導(dǎo)體激光芯片50放置在已施加在亞底座51的芯片焊接表面51a的導(dǎo)電芯片焊接糊料56之上。半導(dǎo)體激光芯片50的下表面的尺寸約為0.2mm×0.2mm，發(fā)光點(diǎn)位于距離該半導(dǎo)體激光芯片50下表面約為0.05mm的位置處。也就是，發(fā)光點(diǎn)位于比半導(dǎo)體激光芯片安裝表面51a高約0.05mm的水平上。另一方面，就向芯片焊接表面51a可靠施加導(dǎo)電芯片焊接糊料56而言，可以使得注射器針頭57的尖部的直徑小于約0.3mm。因此，導(dǎo)電芯片焊接糊料56的施加面積大于半導(dǎo)體激光芯片50的尺寸(下表面的面積)，導(dǎo)電芯片焊接糊料56的厚度經(jīng)常大于0.05mm。所以，如圖6所示，導(dǎo)電芯片焊接糊料56沿著其上安裝的半導(dǎo)體激光芯片50末端表面和側(cè)面鼓起。該末端表面分別具有主發(fā)射側(cè)發(fā)光點(diǎn)53和監(jiān)測發(fā)光點(diǎn)54。因此如果導(dǎo)電芯片焊接糊料56被加熱和冷卻至上述狀態(tài)，它使得導(dǎo)電芯片焊接糊料56阻擋主發(fā)射側(cè)發(fā)光點(diǎn)53和監(jiān)測發(fā)光點(diǎn)54。
發(fā)明概述已經(jīng)研制出本發(fā)明來解決上述問題。本發(fā)明的一個目的在于提供一種即使是在使用三光束模式進(jìn)行讀取時(shí)也基本不產(chǎn)生噪音的半導(dǎo)體激光設(shè)備。
本發(fā)明的另一個目的在于提供一種半導(dǎo)體激光設(shè)備的制造方法，該方法防止在半導(dǎo)體芯片安裝時(shí)所使用的導(dǎo)電芯片焊接糊料會阻擋半導(dǎo)體芯片的主發(fā)射側(cè)發(fā)光點(diǎn)和監(jiān)測發(fā)光點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種半導(dǎo)體激光設(shè)備，該設(shè)備具有利用導(dǎo)電芯片焊接糊料焊接于焊接表面的半導(dǎo)體激光芯片，該半導(dǎo)體激光芯片在其每一個相對的端面上都具有發(fā)光點(diǎn)。
其中導(dǎo)電芯片焊接糊料粘附與半導(dǎo)體激光芯片端面的最高位置在距離焊接表面大于0.01mm的高度，但是低于半導(dǎo)體激光芯片的發(fā)光點(diǎn)。
具有以上結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光設(shè)備即使在使用三光束模式用于光學(xué)讀取時(shí)也不會產(chǎn)生噪音。
在一個實(shí)施例中，導(dǎo)電芯片焊接糊料含有環(huán)氧樹脂作為基本材料，以及銀片作為導(dǎo)電填料。
該半導(dǎo)體激光設(shè)備可以根據(jù)本發(fā)明的另一方面提供的方法來制造，該方法包括以下步驟在芯片焊接表面的預(yù)定位置施加導(dǎo)電芯片焊接糊料；對所施加的導(dǎo)電芯片焊接糊料進(jìn)行預(yù)加熱，然后將半導(dǎo)體激光芯片放置在該預(yù)加熱的導(dǎo)電芯片焊接糊料上；和將預(yù)加熱的導(dǎo)電芯片焊接糊料加熱至高于該導(dǎo)電芯片焊接糊料開始熱定形反應(yīng)的溫度，由此硬化該導(dǎo)電芯片焊接糊料。
在本發(fā)明的方法中，導(dǎo)電芯片焊接糊料的預(yù)加熱降低了該芯片焊接糊料的粘度，由此使得該導(dǎo)電芯片焊接糊料的厚度比其剛剛施加在芯片焊接表面之后薄。因此，當(dāng)半導(dǎo)體激光芯片安裝在該預(yù)加熱的導(dǎo)電芯片焊接糊料之上時(shí)，防止了該糊料升高至該半導(dǎo)體激光芯片的發(fā)光點(diǎn)處。所以，發(fā)光點(diǎn)不會被該導(dǎo)電芯片焊接糊料阻擋。
預(yù)加熱溫度的下限可以是導(dǎo)電芯片焊接糊料的稀釋體開始蒸發(fā)的溫度，但是該預(yù)加熱溫度應(yīng)當(dāng)?shù)陀谠搶?dǎo)電芯片焊接糊料開始熱定形反應(yīng)的溫度。
在一個實(shí)施例中，導(dǎo)電芯片焊接糊料含有環(huán)氧樹脂作為基本材料，被預(yù)加熱至60℃或更高的溫度，但是低于100℃(優(yōu)選的是60℃-80℃之間)。
含有環(huán)氧樹脂作為基本材料的導(dǎo)電芯片焊接糊料即使在其定形或硬化之后也不會改變形狀。因此，在導(dǎo)電芯片焊接糊料硬化過程中，防止了半導(dǎo)體激光芯片的位置和取向發(fā)生變化，也就是，在導(dǎo)電芯片焊接糊料已經(jīng)定形之后，半導(dǎo)體激光芯片的最初的位置和取向仍很好的保持著。因此，可以容易地按照設(shè)計(jì)來制造半導(dǎo)體激光設(shè)備。
本發(fā)明的其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將在以下的描述中更清楚。
附圖的簡要說明根據(jù)以下的詳細(xì)說明和附圖，本發(fā)明將會更加清楚，附圖只是用于圖示之用，不是對本發(fā)明的限制。


圖1A和1B表示本發(fā)明一個實(shí)施例制造半導(dǎo)體激光設(shè)備的工藝步驟，圖1A表示在施加芯片焊接糊料之前的狀態(tài)，圖1B表示在施加芯片焊接糊料之后的狀態(tài)。
圖2A和圖2B表示本發(fā)明一個實(shí)施例制造半導(dǎo)體激光設(shè)備過程中圖1B步驟之后的工藝步驟，圖2A表示在進(jìn)行預(yù)硬化工藝之前的狀態(tài)，圖2B表示已經(jīng)進(jìn)行預(yù)硬化的狀態(tài)。
圖3表示本發(fā)明實(shí)施例中半導(dǎo)體激光設(shè)備一部分，其中半導(dǎo)體激光芯片已經(jīng)被焊接在管座上。
圖4表示在本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體激光設(shè)備的制造中使用的導(dǎo)電芯片焊接糊料的TG和DTA的溫度依賴曲線，其中糊料含有環(huán)氧樹脂作為基本材料。
圖5表示根據(jù)第一種現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體激光設(shè)備的一部分，其中半導(dǎo)體激光芯片被芯片焊接在亞底座上。
圖6表示根據(jù)第二種現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體激光設(shè)備的一部分，其中半導(dǎo)體激光芯片被芯片焊接在亞底座上。
圖7A和7B表示制造第二種現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體激光設(shè)備的工藝步驟，圖7A表示在施加芯片焊接糊料之前的狀態(tài)，圖7B表示在施加芯片焊接糊料之后的狀態(tài)。
優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說明圖3表示本發(fā)明實(shí)施例中半導(dǎo)體激光設(shè)備的一部分，其中半導(dǎo)體激光芯片5被芯片焊接在管座1上。制造該半導(dǎo)體激光設(shè)備的方法將在下面參考圖1A和1B以及圖2A和2B來描述。
首先參考圖1A和1B，管座1是通過對鐵合金或銅合金的基本金屬進(jìn)行加工，然后對加工后的部件進(jìn)行表面處理例如鍍金而制成的。與現(xiàn)有技術(shù)相類似，導(dǎo)電芯片焊接糊料2被施加在管座1的芯片焊接表面1a的預(yù)定位置上。也就是，預(yù)定的微量導(dǎo)電芯片焊接糊料2，已經(jīng)由分配器(未顯示)從注射器針頭的尖部3推出，如圖1B所示，通過注射器針頭的尖部3如箭頭4A所示向下移動和如箭頭4B所示向上移動而被施加在管座1上。
在該實(shí)施例的半導(dǎo)體激光設(shè)備中所使用的導(dǎo)電芯片焊接糊料2含有環(huán)氧樹脂作為基本材料，以及80wt％或更多的銀片(Ag)導(dǎo)電填料。圖4表示導(dǎo)電芯片焊接糊料2的TG(熱重分析)和DTA(差熱分析)的溫度依賴性的實(shí)例。在圖4中，橫軸代表時(shí)間，圖4顯示在5分鐘之后，溫度與時(shí)間成比例上升。在TG曲線開始下降的點(diǎn)①的溫度是稀釋體開始蒸發(fā)的溫度。同樣，DTA曲線開始上升的點(diǎn)②的溫度是芯片焊接糊料開始熱定形反應(yīng)的溫度。圖4顯示稀釋體開始蒸發(fā)的溫度約是60℃，導(dǎo)電芯片焊接糊料開始熱定形反應(yīng)的溫度約是100℃。
然后管座1在約70℃預(yù)加熱，該溫度低于施加在管座1上的導(dǎo)電芯片焊接糊料2開始熱定形反應(yīng)的溫度。該導(dǎo)電芯片焊接糊料2粘度高，在其被施加與管座1之后立刻象水珠一樣膨脹，如圖2A所示。預(yù)加熱降低了導(dǎo)電芯片焊接糊料2的粘度。因此導(dǎo)電芯片焊接糊料2分散形成預(yù)加熱的薄導(dǎo)電芯片焊接糊料20，如圖2B所示。進(jìn)行預(yù)加熱直至預(yù)加熱的導(dǎo)電芯片焊接糊料20的厚度約為0.02mm薄。預(yù)加熱時(shí)間越短，產(chǎn)率越高。但是，考慮到管座1的熱容量，優(yōu)選將其預(yù)加熱2秒或更長時(shí)間。
導(dǎo)電芯片焊接糊料2開始熱定形反應(yīng)的溫度約為100℃。但是，如果預(yù)加熱的溫度被設(shè)定在高于80℃，稀釋劑的蒸發(fā)速度會變高。因此，根據(jù)預(yù)加熱時(shí)間周期，導(dǎo)電芯片焊接糊料將會部分硬化。另一方面，如果預(yù)加熱溫度低于60℃，導(dǎo)電芯片焊接糊料的粘度不會被充分的降低。因此，優(yōu)選將預(yù)加熱溫度范圍設(shè)定在60℃-80℃。在60℃-80℃的范圍內(nèi)預(yù)加熱會有利地降低導(dǎo)電芯片焊接糊料的粘度，而不會導(dǎo)致該糊料的部分硬化。
在半導(dǎo)體激光芯片5安裝在預(yù)加熱的導(dǎo)電芯片焊接糊料20后，導(dǎo)電芯片焊接糊料20被加熱至高于該導(dǎo)電芯片焊接糊料2開始熱定形反應(yīng)的溫度，因此導(dǎo)電芯片焊接糊料20被完全硬化或定形。按照這種方式，獲得了如圖3所示的半導(dǎo)體激光設(shè)備。在該方法中，預(yù)加熱的導(dǎo)電芯片焊接糊料20不會膨脹或升高至半導(dǎo)體激光芯片5主發(fā)射側(cè)發(fā)光點(diǎn)6或監(jiān)視側(cè)發(fā)光點(diǎn)7之上(每一個發(fā)光點(diǎn)在約0.05mm的高度)。
適當(dāng)?shù)挠不枰S多時(shí)間。因此，優(yōu)選在芯片焊接設(shè)備上對導(dǎo)電芯片焊接糊料2進(jìn)行短時(shí)間的加熱，以將糊料硬化至當(dāng)半導(dǎo)體激光芯片5受到輕微振動時(shí)糊料不會移動的程度，然后將導(dǎo)電芯片焊接糊料2轉(zhuǎn)移至另一個地方，使之完全硬化。
預(yù)加熱的導(dǎo)電芯片焊接糊料20距離半導(dǎo)體激光芯片5的安裝表面1a的高度大于0.01mm。在采用三光束模式進(jìn)行光學(xué)讀取時(shí)，從光盤(未顯示)返回的三光束(未顯示)進(jìn)入半導(dǎo)體激光芯片5的端面，該三光束在基本垂直于芯片焊接表面1a的方向上彼此隔開，間隔約為50μm。因此，在使用該實(shí)施例的半導(dǎo)體激光設(shè)備時(shí)，該三光束(未顯示)之中，主光束返回至發(fā)光點(diǎn)，而一束輔助光束在半導(dǎo)體激光芯片5上傳播，另一束輔助光束被導(dǎo)電芯片焊接糊料20散射，并且不會規(guī)則地在半導(dǎo)體激光芯片5的放電表面上反射。也就是，輔助光束不會返回至光檢測器(未顯示)。因此沒有噪音產(chǎn)生。
在該實(shí)施例中使用的導(dǎo)電芯片焊接糊料含有環(huán)氧樹脂作為基本材料，以及銀片作為導(dǎo)電填料，后者的含量為80wt％或更多。作為該導(dǎo)電芯片焊接糊料基本材料的樹脂不限于環(huán)氧樹脂，也可以使用有機(jī)硅樹脂或聚酰亞胺樹脂。但是，由于聚酰亞胺樹脂具有高熱定形溫度，因此需要許多時(shí)間來使其硬化。所以，聚酰亞胺樹脂會對其它材料產(chǎn)生不好的影響。另一方面，由于有機(jī)硅樹脂即使在其定形或硬化之后仍然是軟的，因此半導(dǎo)體激光芯片的芯片焊接位置和其取向由于外界可能施加給硬化有機(jī)硅樹脂的振動而可能會移動。當(dāng)半導(dǎo)體激光芯片的芯片焊接位置和其取向移動時(shí)，半導(dǎo)體激光芯片的光軸相對于采用該半導(dǎo)體激光設(shè)備的光盤系統(tǒng)的光學(xué)系統(tǒng)的光軸移動。因此，無法讀取該光盤的信息。
另一方面，當(dāng)該實(shí)施例中的導(dǎo)電芯片焊接糊料含有環(huán)氧樹脂作為基本材料時(shí)，導(dǎo)電芯片焊接糊料的形狀在定形或硬化之前與之后幾乎沒有差別。因此，在導(dǎo)電芯片焊接糊料的硬化過程中，防止了半導(dǎo)體激光芯片的位置和取向發(fā)生變化。所以，當(dāng)該實(shí)施例中的半導(dǎo)體激光設(shè)備被用于光學(xué)讀取時(shí)，很容易正確設(shè)定該半導(dǎo)體激光設(shè)備和光學(xué)讀取中的其它光學(xué)元件之間的位置關(guān)系。
以上已經(jīng)描述了半導(dǎo)體激光芯片直接安裝在管座的情況下，該實(shí)施例中的半導(dǎo)體激光設(shè)備及其制造方法。但是很清楚，本發(fā)明也可以用于半導(dǎo)體激光芯片安裝在由陶瓷、硅等材料制成的亞底座上的情況，然后亞底座連同芯片被安裝在管座上，本發(fā)明也可以用于半導(dǎo)體激光芯片安裝在引線框架上的情況。
盡管已經(jīng)描述了采用分配的方法作為導(dǎo)電芯片焊接糊料的施加方法，但是可以使用印(stamping)的方法。
作為導(dǎo)電填料的材料，可以使用例如金、銅或鈀的金屬來代替銀。
如上所述，當(dāng)本發(fā)明的半導(dǎo)體激光設(shè)備用于采用三光束模式光學(xué)讀取時(shí)，導(dǎo)電芯片焊接糊料不會引起輔助光束的規(guī)則反射。因此，沒有噪音形成。
另外，由于該半導(dǎo)體激光設(shè)備是利用導(dǎo)電芯片焊接糊料進(jìn)行裝配的，因此可以縮短加熱/冷卻的時(shí)間周期。并且，由于加熱溫度低，該半導(dǎo)體激光設(shè)備的其它組成部分不會因此而受到影響。另外，導(dǎo)電芯片焊接糊料不會阻塞主發(fā)射側(cè)發(fā)光點(diǎn)或監(jiān)視側(cè)發(fā)光點(diǎn)，因?yàn)樵趯?dǎo)電芯片焊接糊料被分配至預(yù)定位置之后，它被預(yù)加熱而降低了粘度。這實(shí)際上允許使用含有更多導(dǎo)電填料的導(dǎo)電芯片焊接糊料，并因此具有低電阻。所以，本發(fā)明的方法優(yōu)選用于將會被施加大電流的半導(dǎo)體激光芯片的粘合。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體激光設(shè)備制造方法中，由于采用了以環(huán)氧樹脂作為基本材料的導(dǎo)電芯片焊接糊料，半導(dǎo)體激光芯片的芯片焊接位置和其取向在該導(dǎo)電芯片焊接糊料硬化過程中不會移動。因此，在導(dǎo)電芯片焊接糊料硬化后，半導(dǎo)體激光芯片的安裝位置和其取向幾乎不移動。所以，當(dāng)半導(dǎo)體激光設(shè)備被用于光學(xué)讀取時(shí)，很容易正確設(shè)定該半導(dǎo)體激光設(shè)備和其它光學(xué)元件之間的位置關(guān)系。
以上描述了本發(fā)明，很明顯該方法可以有很多變化。這些變化不應(yīng)視作偏離了本發(fā)明的精神和范圍，所有對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是顯而易見的變化都包括在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體激光設(shè)備，具有利用導(dǎo)電芯片焊接糊料芯片焊接于焊接表面的半導(dǎo)體激光芯片，所述半導(dǎo)體激光芯片在其每一個相對的端面都具有發(fā)光點(diǎn)，其中導(dǎo)電芯片焊接糊料與半導(dǎo)體激光芯片端面相粘附的最高位置在距離焊接表面大于0.01mm的高度，但是低于半導(dǎo)體激光芯片的發(fā)光點(diǎn)。
2．權(quán)利要求1的半導(dǎo)體激光設(shè)備，其中所述導(dǎo)電芯片焊接糊料含有環(huán)氧樹脂作為基本材料。
3．權(quán)利要求1的半導(dǎo)體激光設(shè)備，其中所述導(dǎo)電芯片焊接糊料含有銀片作為導(dǎo)電填料。
4．一種制造半導(dǎo)體激光設(shè)備的方法，包括以下步驟在焊接表面的預(yù)定位置施加導(dǎo)電芯片焊接糊料；對所施加的導(dǎo)電芯片焊接糊料進(jìn)行預(yù)加熱，然后將半導(dǎo)體激光芯片放置在該預(yù)加熱的導(dǎo)電芯片焊接糊料上；和將預(yù)加熱的導(dǎo)電芯片焊接糊料加熱至高于該導(dǎo)電芯片焊接糊料開始熱定形反應(yīng)的溫度，由此硬化該導(dǎo)電芯片焊接糊料。
5．權(quán)利要求4的方法，其中導(dǎo)電芯片焊接糊料預(yù)加熱的溫度等于或高于導(dǎo)電芯片焊接糊料稀釋體開始蒸發(fā)的溫度，但是低于導(dǎo)電芯片焊接糊料開始熱定形反應(yīng)的溫度。
6．權(quán)利要求4的方法，其中所述導(dǎo)電芯片焊接糊料含有環(huán)氧樹脂作為基本材料，并被預(yù)加熱至60℃或更高溫度，但低于100℃。
7．權(quán)利要求6方法，其中所述導(dǎo)電芯片焊接糊料被預(yù)加熱至60℃-80℃的溫度范圍內(nèi)。
8．權(quán)利要求4的方法，其中進(jìn)行預(yù)加熱直至導(dǎo)電芯片焊接糊料約為0.02mm薄。
9．權(quán)利要求4方法，其中預(yù)加熱進(jìn)行2秒或更長時(shí)間。
全文摘要
在一種制造半導(dǎo)體激光設(shè)備的方法中,將導(dǎo)電芯片焊接糊料施加在焊接表面的預(yù)定位置,然后在等于或高于導(dǎo)電芯片焊接糊料稀釋體開始蒸發(fā)的溫度并低于導(dǎo)電芯片焊接糊料開始熱定形反應(yīng)的溫度進(jìn)行預(yù)加熱。將半導(dǎo)體激光芯片放置在預(yù)加熱的導(dǎo)電芯片焊接糊料上,加熱后者使其硬化。在如此制備的半導(dǎo)體激光設(shè)備中,導(dǎo)電芯片焊接糊料與半導(dǎo)體激光芯片端面相粘附的最高位置在距離焊接表面大于0.01mm的高度,但是低于半導(dǎo)體激光芯片的發(fā)光點(diǎn)。
文檔編號H01S5/022GK1310499SQ0111624
公開日2001年8月29日 申請日期2001年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2000年2月7日
發(fā)明者孝橋生郎 申請人:夏普公司