專利名稱：基板清洗系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及基板清洗系統(tǒng)，更具體地說，本發(fā)明涉及濕法清洗技術，該清洗技術用于在半導體或電子部件等的器件制造步驟中，在采用濺射或CVD處理等方式形成薄膜的處理步驟的前階段所進行的將半導體片等進行晶片清洗處理的濕法清洗技術中。
作為對半導體片等(下面簡稱為“晶片”)進行濕法清洗的方法，在過去，所謂的批式濕法清洗成為主流，在批式濕法清洗中，相對多個清洗槽連續(xù)地排列的濕法多段式(bench)清洗槽，通過傳送裝置依次對接納于裝載盒中的多個晶片依次進行浸滲處理，或省略裝載盒，直接通過傳送裝置依次對多張晶片進行浸滲處理，但是，在半導體裝置也面臨半導體裝置的亞微米時代，伴隨這樣的裝置結構細微化，高集成化，晶片外表面也所要求的非常高的清潔度的最近，作為滿足更高的清潔度的要求的濕法清洗技術，到目前人們開發(fā)提出了下述的單張式濕法清洗法，其在封閉的清洗室中，在沒有盒的情況下，逐張地對晶片進行濕法清洗。
該單張式濕法清洗具有下述優(yōu)點，即也沒有微粒的再次附著等情況，可以較高精度在較高的清潔度氣氛中進行清洗，此外，裝置結構簡單，整體尺寸減小，還可有效地應付對多品種少量的生產。
但是，在過去的批式和單張式濕法清洗中的任何一種中，由于清洗裝置本身設置于保持于較高清潔氣氛中的除塵室中，故裝置整體采用下述裝置結構，其中將襯底或晶片送入送出部等打開，并且裝置主體的內部的各室之間相互開放等，作業(yè)性優(yōu)良。
然而，這樣的裝置結構具有下述問題，即微粒再次附著于清洗處理后的晶片上，或不能夠完全防止伴隨該晶片的清洗處理的清洗液等的飛沫或來自晶片本身的灰塵對作業(yè)人員造成的不利影響，此外，還有必要對裝置主體的整個壁面，進行耐腐蝕性的材料涂敷，裝置成本較高。
本發(fā)明是針對上述已有的問題而提出的，本發(fā)明的目的在于提供一種基板清洗系統(tǒng)，該基板清洗系統(tǒng)具有在密封的清洗室內部，逐張地，在無盒的情況下對晶片進行濕法清洗的單張式濕法清洗的優(yōu)點，同時也沒有微粒的再次附著等情況，可以較高的精度在較高清潔度的氣氛中進行清洗，此外，裝置結構簡單，整體尺寸減小，成本性能也優(yōu)良。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的基板清洗系統(tǒng)的特征在于在以可密封的方式構成的裝置主體內部，設置有裝卸室，該裝卸室由多個清洗處理前的基板按照疊置的方式實現(xiàn)送入等待的基板送入部和多個清洗處理后的基板按照疊置的方式實現(xiàn)送出等待的基板送出部構成；處理室，處理室具有通過多種清洗液逐張地對基板進行清洗處理的至少一個單張式的基板清洗腔；機器人室，該機器人室具有在上述處理室與裝卸室之間，逐張地輸送基板的輸送機器人，這些室通過具有必要的最小程度的開口面積的隔壁，分隔形成。
作為優(yōu)選的實施例，在上述裝置主體的前后兩側，分別設置上述裝卸室和處理室，并且在該裝卸室與處理室之間，設置上述機器人室，在上述裝卸室中，開設有可朝向裝置主體的外部的操作空間開放的開閉口。
上述裝卸室按照下述方式構成，該方式為疊置于上述基板送入部和基板送出部中的基板沿上下方式以規(guī)定的排列間距，按照水平狀態(tài)排列，并且在上述裝卸室內部流動的清潔空氣從上述基板送出部朝向基板送入部水平地流動。
上述機器人室中的輸送機器人采用具有能進行升降動作同時也能進行水平動作的一對手部的擺動臂機器人的形式，該輸送機器人按照其中一個手部對清洗處理前的基板進行輸送處理，并且另一手部對清洗處理后的基板進行輸送處理的方式構成。
對上述處理室的內壁面進行氯乙烯樹脂的耐腐蝕性涂敷處理，并且對其它的壁面進行耐酸涂敷處理。此外，上述處理室的單張式基板清洗腔由腔主體和基板旋轉裝置形成，該腔主體包括沿上下方向排列的多個環(huán)狀處理槽，沿上下方向進行升降動作，該基板旋轉裝置在該腔主體的中間部，與腔主體呈同心狀設置，在于水平狀態(tài)支承一張基板的同時，使其水平旋轉，該清洗腔按照下述方式形成，該方式為通過上述腔主體的沿上下方向的升降，實現(xiàn)支承于上述基板旋轉裝置上的基板和上述環(huán)狀處理槽的定位。還有，上述腔主體采用具有可開閉的基板送入送出用的門的密封容器的形式。
在本發(fā)明中，由于在按照可密封的方式的構成的裝置主體內部，設置有上述裝卸室，處理室和機器人室，這些室通過具有必要的最小程度的開口面積的隔壁，分隔形成，故可將空氣相對裝置主體的內部和外部的除塵室的進出抑制在必要的最小程度，可使裝置主體內部保持在非常高的清潔度的氣氛中。
另外，由于采用逐張地對晶片進行處理的單張式，故微粒等的再次附著也幾乎沒有，可對每個晶片進行精密的處理，基板清洗腔的清洗空間較小，清洗液用量也較少。
此外，由于采用單腔式，其中通過借助多種清洗液逐張地對晶片進行清洗處理的，即在一個基板清洗腔內，進行全部清洗步驟，故在清洗步驟中，晶片不進出，不受到在與大氣接觸后，金屬污染，離子或氧氣等的影響，還可簡化各基板清洗腔的結構，并且使其整體尺寸減小。
如果在上述裝置主體的前后兩側，分別設置有裝卸室和處理室，并且在該裝卸室與處理室之間，設置有機器人室，故在處理室中的清洗處理時所產生的有害氣體或微粒不會泄漏到裝置主體外部的操作空間。
還有，由于上述裝卸室按照下述方式構成，該方式為疊置于上述基板送入部和基板送出部中的晶片沿上下方式以規(guī)定的排列間距，按照水平狀態(tài)排列，并且在上述裝卸室內部流動的清潔空氣從上述基板送出部朝向基板送入部水平地流動，或者由于上述機器人室中的輸送機器人采用具有一對手部的擺動臂機器人的形式，其按照其中一個手部對清洗處理前的晶片進行輸送處理，并且另一手部對清洗處理后的晶片進行輸送處理的方式構成，故有效地防止來自清洗處理前的晶片的微粒等再次附著于清洗處理好的晶片上。
下面通過附圖，對本發(fā)明的實施例進行描述。


圖1為表示本發(fā)明的一個實施例的基板清洗系統(tǒng)的外觀的正視圖；圖2為表示上述基板清洗系統(tǒng)的外觀的右側視圖；圖3為表示上述基板清洗系統(tǒng)的外觀的左側視圖；圖4為表示上述基板清洗系統(tǒng)的外觀的背面圖5為上述基板清洗系統(tǒng)的裝卸室A的內部結構的正視圖；圖6為表示上述基板清洗系統(tǒng)的內部結構的側面剖視圖；圖7為表示上述基板清洗系統(tǒng)的內部結構的平面剖視圖；圖8為表示上述基板清洗系統(tǒng)的裝卸室的基板保持部和升降裝置的正視圖；圖9為表示上述基板保持部和升降裝置的側視圖；圖10為表示上述基板保持部和升降裝置的平面圖；圖11為以局部剖面表示上述升降裝置的側視圖；圖12為表示上述裝卸室的晶片映像傳感器和基板突出修正裝置的平面圖；圖13為表示上述晶片映像傳感器和基板突出修正裝置的背面圖；圖14為表示上述基板清洗系統(tǒng)的機器人室的輸送機器人的平面圖；圖15為表示上述輸送機器人的側視圖；圖16為表示上述基板清洗系統(tǒng)的機器人室的基板反轉裝置的正視圖；圖17為表示上述基板反轉裝置的側面剖視圖；圖18為表示上述基板反轉裝置的平面圖；圖19為表示上述基板清洗系統(tǒng)的處理室中的基板清洗腔的側視圖；圖20為表示上述基板清洗腔的平面圖；圖21為表示上述基板清洗腔的正面剖視圖；圖22為表示上述基板清洗腔中的旋轉裝置的平面圖；圖23為表示上述旋轉裝置的正面剖視圖；圖24為以放大方式表示上述旋轉裝置中的基板支承部的主要部分的正面剖視圖。
圖1～22表示本發(fā)明的基板清洗系統(tǒng)。具體來說，該基板清洗系統(tǒng)以逐張地對晶片W進行清洗的單張式的基板清洗腔為基本單元而構成，其設置于形成清潔氣氛的除塵室內部。
該基板清洗系統(tǒng)在按照可密封的方式構成的裝置主體1的內部，設置有裝卸室A，機器人室B和處理室C，這些室A，B，C通過隔壁2，3分隔形成。
在圖示的實施例中，在裝置主體1的前后兩側，分別設置有裝卸室A和處理室C，并且在該裝卸室A與處理室C之間，設置有機器人室B，在上述裝卸室A的前面?zhèn)?，設置有可朝向裝置主體1的外部的操作空間○敞開的開閉口4，5。另外，在處理室C內部，采用的是設置有多臺(在圖的實例中為兩臺)的基板清洗腔10，10的雙腔式。
上述基板清洗腔10分別與作為清洗液的供給源的清洗液供給裝置D連接，各室和裝置A～D按照通過系統(tǒng)控制裝置E，相互保持聯(lián)動而驅動控制的方式構成。下面依次對每個組成部分進行描述。
I.裝置主體1如上所述，裝置主體1采用下述結構，該結構可相對外部的除塵室，保持封閉，以便保持促進裝置主體1的內部的清潔度。
對裝置主體1的外周壁的鋼板的外表面，進行耐酸涂敷處理，并且僅僅對上述處理室C的內周壁的，鋼板的外周，進行耐腐蝕性材料的涂敷處理，具體來說進行氯乙烯樹脂(PVC)的涂敷處理，從而確保抵抗清洗液的耐腐蝕性。按照上述方式，可僅僅對處理室C的內壁面進行耐腐蝕性處理的原因在于裝置主體1內部的各室A，B，C形成盡可能地通過隔壁2，3間隔開的空間，通過這樣的壁面結構，使裝置框架制造的成本降低，使施工時間的縮短。
如圖1所示，在裝置主體1的前壁面上，設置裝卸室A用的裝載口11與卸載口12，如后面所述的那樣，這兩個開口11，12采用下述自動開閉機構，該自動開閉機構的開口面積可按照分上下兩層的方式插入接納有晶片W，W…的裝載器，并且可由看到其內部的透明蓋形成，該開口形成沿上下滑動而可自動開閉的封閉結構。由此，在裝卸室A內部，將來自除塵室的微粒等的侵入量抑制到最小程度。標號13表示HEPA過濾器，通過該HEPA過濾器13，向裝卸室A內部，清潔空氣被吸入。標號14表示同時用作接觸面板的顯示器，通過該顯示器14，設定各種配方或參數(shù)的裝置程序的運用方式。在顯示器14的右側，設置有緊急停止按鈕(紅)15和暫時停止按鈕(綠)16，此外在其右鄰處，設置有用于連接操作盤的手寫筆管連接件17和分區(qū)燈18。另外，在上述顯示器14的左側，設置有警報蜂鳴器20，在其底側，設置有進行各種組成裝置的啟動停止的通斷開關21。在上述顯示器14的頂側，主要并排設置有裝置的電氣系統(tǒng)或定序器等的各電氣部的帶鎖定機構的開閉門22，23。此外，在前壁面底部，以可開閉的方式設置有裝卸室A的各種驅動機構用的機械維修口24，25。
如圖2所示，在裝置主體1的右側壁面，在中間部分，設置有傳送系統(tǒng)用的開口30，該開口30采用可看到內部的透明蓋形成的自動開閉機構，該開口形成可自動開閉的封閉結構。另外，在該開口30的周圍，以可開閉的方式設置有各種維修口31～34。
如圖3所示，在裝置主體1的左側壁面，在中間部分設置有機器人室B的機器人維修用開口40，該開口40具有作業(yè)人員可進出的開口面積，并且對該開口40采取下述安全措施，在該措施中，可通過帶有鑰匙開關的門而實現(xiàn)開閉，如果插入鑰匙而釋放該開關，則裝置的通電中斷(暫停狀態(tài))。另外，在開口40的兩側，分別設置有目視窗41和目視窗42，該目視窗41用于目視裝卸室A的內部，該目視窗42用于目視處理室C的內部，在其底側，分別設置有維修口43，44。
如圖4所示，在裝置主體1的背面?zhèn)缺诿?，設置有緊急停止按鈕45和暫停(暫時停止)按鈕46和手寫筆管連接件47，并且設置有面板48，其中在其底側，設置有基板清洗腔10的運用的使用點的N2壓力或空氣壓力的顯示儀、調節(jié)器等。標號49，50表示處理室C的基板清洗腔10用的維修口，這些開口49，50形成雙重密封結構，以便有效地防止清洗液等朝向裝置外部的泄漏。標號51，52表示裝置主體1的內部的空氣的排氣口，標號53，53，…表示各種管線連接用的連接口。
II.裝卸室A該裝卸室A由基板送入部Aa和基板送出部Ab形成。
該基板送入部Aa為從前一步驟送入晶片W的部位，在這里，多個清洗處理前的晶片W，W，…以疊置方式送入等待。另外，基板送出部Ab為將晶片W朝向下一步驟送出的部位，在這里，多個清洗處理后的晶片W，W，…以疊置方式送出等待。這兩個部分Aa，Ab具有與下面描述的那樣的相同的基本結構。
即以實例對基板送入部進行描述，如圖5～7所示，該基板送入部Aa可通過上述裝置主體1的前面?zhèn)缺诿娴难b載口11，相對操作空間○，實現(xiàn)開閉，并且通過隔壁2的開口55，與機器人室B連通。將該開口55的開口面積設定為必要最小程度的尺寸，即后面將要描述的輸送機器人70的手保持晶片W，可穿過的最小的尺寸。
另外，基板輸入部Aa包括基板保持部60，該基板保持部60保持裝載器56，該裝載器56沿上下方向具有規(guī)定的排列間距，按照水平狀態(tài)接納有多張晶片W，W，…；升降定位裝置61，該升降定位裝置61進行裝載器56內部的晶片W，W…的送入或送出用的定位。
具體來說，如圖8～10所示，基板保持部60包括保持臺60a，該保持臺60a具有放置保持裝載器56的水平放置面，該裝載器56中接納有多張(在圖示的情況為26張)晶片W，W，…，在圖示的實施例中，在支承架62上，沿上下方向，按照規(guī)定間距，設置兩個保持臺60a，60a。與此相對應，如上所述，上述裝載口11的開口面積可同時將兩個裝載器56，56，相對上述兩層的保持臺60a，60a插入放置。
此外，上述裝載器56同時用作本系統(tǒng)之外的晶片傳送之用，在其內部，按照規(guī)定的排列間距，設置有保持晶片W的周緣部的保持槽，雖然這一點在圖中未示出。此外，在傳送晶片時，按照使晶片W，W，…保持垂直直立狀的姿勢對裝載器56操縱，在放置于上述保持臺60a上時，按照使晶片W，W，…保持水平臥倒的狀態(tài)的姿勢對該裝載器56操縱。
具體來說，如圖8～11所示，升降定位裝置61采用裝載器升降機構的形式，該機構由進給絲桿機構61a，以及驅動馬達61b構成，該進給絲桿61a使上述支承架62實現(xiàn)升降，該驅動馬達61b使該進給絲桿機構61a旋轉驅動。此外，通過按照與后面將要描述的輸送機器人70的動作相對應的方式動作的驅動馬達61的驅動，借助進給絲桿61a，使保持臺60a，60a以及裝載器56，56內部的晶片W，W，…每次按照規(guī)定間距沿上下方向升降，進行用于該晶片的送入送出的定位。
還有，對應于上述結構，設置有裝載器傾斜檢測傳感器63，晶片突出對齊機構64和晶片映像傳感器65。
裝載器傾斜檢測傳感器63對裝載器56是否正確地設置于保持臺60a，60a上的情況進行檢測，在圖示的情況下，為對裝載器56是否正確地沿水平方向放置在保持臺60a，60a上的情況進行檢測的透射型光學傳感器，其用作下述安全機構，該安全機構在將裝載器56傾斜地放置于保持臺60a，60a上時，不能夠進行檢測，從而停止裝置的驅動。
晶片突出對齊機構64用于順利并且準確地通過后面將要描述的輸送機器人70，進行晶片W的抽取動作等，如圖12和圖13所示，在可水平擺動的擺動臂64a的前端部分，設置有可與晶片W，W…的邊緣接觸，壓動該晶片的接觸件64b，并且具有使上述擺動臂64a擺動的驅動馬達64c。
另外，通過驅動馬達64c的驅動，相對保持臺60a，60a上的裝載器56，56，晶片突出對齊機構64中的擺動臂64a水平擺動，接觸件64b與裝載器56內部的晶片W，W…的邊緣接觸，由此，按壓已突出的晶片的邊緣，將該晶片W對齊地排列于規(guī)定位置。該晶片突出對齊機構64按照升降定位裝置61確定的裝載器56，56的每個規(guī)定間距的升降程度動作，確保在平時將晶片W，W…在規(guī)定位置對齊排列。
此外，也可采用下述結構，其中設置檢測晶片W的突出的光學傳感器，通過該光學傳感器，檢測晶片W的突出，僅僅在晶片W突出的情況，使上述晶片突出對齊機構64動作。
晶片映像傳感器65為用于控制機器人室B的輸送機器人70的驅動的透射型光學傳感器，如圖12和圖13所示，在可水平擺動的擺動臂65a的前端部分，設置有與具有晶片W，W…相對應的多個槽的梳形的檢測部65b，并且具有使上述擺動臂65a擺動的驅動馬達65c。
還有，通過驅動馬達65c的驅動，相對保持臺60a，60a上的裝載器56，56，晶片映像傳感器65的擺動臂65a水平擺動，檢測部65b接近裝載器56內部的晶片W，W…，由此，檢測晶片W，W…按照什么樣的排列進入裝載器56，56，或檢測在晶片W，W…的排列中，是否有脫齒狀的部分等。將其檢測結果發(fā)送給系統(tǒng)控制裝置E，對輸送機器人70的運動進行控制。晶片映像傳感器65在放置于保持臺60a，60a上的裝載器56，56上時，僅僅動作一次。
在本實施例中，系統(tǒng)控制裝置E的輸送機器人70的驅動控制采用可進行四種選擇設定的結構。即，可從下述的四種方法中選擇，該四種方法包括i)從基板送入部Aa的相應裝載器56的頂側的晶片W抽出，使處理后的晶片W從基板送出部Ab的各裝載器56的頂側進入，ii)從基板送出部Ab的各裝載器56的頂側的晶片W抽出，使處理后的晶片W從基板送出部Ab的各裝載器56的底側進入，iii)從基板輸入部Aa的各裝載器56的底側的晶片W抽出，使處理后的晶片W從基板送出部Ab的各裝載器56的頂側進入，以及iv)從基板送入部Aa的各裝載器56的底側的晶片W抽出，使處理后的晶片W從基板送出部Ab的各裝載器56的底側進入。
基板送出部Ab除了未設置有晶片映像傳感器65的方面以外，其它的基本結構與上述基板送入部系統(tǒng)，卸載口12的結構也與上述的卸載口11相同。
還有，在裝卸室A中，如上所述，疊置于基板送入部Aa和基板送出部Ab上的晶片W，W…按照上下方向，具有規(guī)定的排列間隙地水平排列，并且在裝卸室A內不流動的清潔空氣的流路按照從上述基板送出部Ab，朝向基板送入部Aa的方向沿水平流動的方式構成。具體來說，從裝置主體1的前面部的HEPA過濾器13吸入的清潔空氣首先從作為卸載側的基板送出部Ab的處理好的晶片W，W…之間通過，然后，從作為裝載側的基板送入部Aa的處理前的晶片W，W…之間通過，從裝置主體1的背面部的排氣口51，送向圖外的工廠排氣通路。
通過進行考慮了這樣的晶片W，W…的設置結構的清潔空氣的氣流控制，確保處理好的晶片W，W…的較高的清潔度。與此相對應，在機器人室B和處理室C內部流動的清潔空氣的流路分別從設置于裝置主體1的平頂部上的HEPA過濾器66，67朝向下方垂直地流動，從裝置主體1的背面部的排氣口52，送向圖外的工廠排氣通路，此時，各隔壁2，3起對這些清潔空氣流換向的換向作用，形成在裝卸室A內部流動的清潔空氣的流路的隔壁，由此確保裝置主體1內部的平順的空氣流路。
再有，裝卸室A中的機械機構的驅動部，即升降定位裝置61，晶片突出對齊機構64和晶片映像傳感器65等的機械式驅動部全部按照SEMI標準，設置于高度900mm處的底側，進行揚塵防止措施。
III.機器人室B
機器人室B為在裝卸室A與處理室C之間逐張地輸送晶片W的部位，按照上述方式，其通過隔壁2的開口55，55，與裝卸室A連通，并且通過相同的隔壁3的開口72，72，與處理室C連通。與上述隔壁2的開口55相同，將該開口72的開口面積設定在必要最小程度的尺寸即設定為使輸送機器人70的手保持晶片，可穿過的最小的尺寸。
另外，采用下述結構，其中在處理室C的開口72，72的頂側部分，設置有電離器94(參照圖6)，在晶片W出入清洗處理腔10時，通過電離器94進行離子簇射(供給離子化的N2等)，由此，防止晶片W的靜電。即，由于在清洗處理腔10中，在晶片W的干燥時實現(xiàn)很高速度的旋轉，故在晶片W中，產生靜電，發(fā)生帶電的可能性較高。由于這樣的靜電使灰塵等附著于晶片W上，故設置離子簇射94，以便防止上述靜電。
機器人室B的主要部分由輸送機器人70和基板翻轉裝置71構成。
輸送機器人70在基板送入部Aa和基板清洗腔10之間，以及基板清洗腔10和基板送出部Ab之間，逐張地在水平狀態(tài)輸送晶片W。
具體來說，如圖14和圖15所示，該輸送機器人70采用下述雙臂機器人的形式，該雙臂機器人具有進行升降動作和水平動作的一對手部70a，70b。該對手部70a，70b按照下述方式構成，該方式為其中一個手部70a對清洗處理前的晶片W進行輸送處理，另一手部70b對清洗處理后的晶片W進行輸送處理，防止在處理好的晶片W上附著微粒等的雜質。
此外，設置于輸送機器人70的手部70a，70b的前端部的基板保持部75采用放置晶片W的底面的軟著陸式的支承形式，形成防止晶片W破損等的結構。
具體來說，輸送機器人70可在機器人室B內部沿橫向水平移動，輸送機器人70中的手部70a，70b按照可升降和旋轉的方式設置于機器人主體70c上。該手部70a，70b的驅動源由設置于機器人主體70c的內部的驅動馬達形成。另外，雖然具體的結構沒有示出，但是形成下述的結構，其中作為上述基板保持部75，采用陶瓷制的叉狀部件，通過該基板保持部75的平直的頂面，從底側將晶片W保持在水平狀態(tài)，通過設置于該基板保持部75的頂面上的多個帶錐體的定位銷，使晶片W的外周緣實現(xiàn)定位。
此外，雖然在圖中未示出，但是也可采用過去公知的真空吸附式的輸送機器人的形式，為此，手部70a，70b的前端部分的基板保持部75為以真空吸附的方式夾緊晶片W的基板吸附部是可更換的結構，并且可與真空泵等的負壓源連通，但是這一點在圖中未示出。
還有，在輸送機器人70中，通過手部70a或70b的手連桿動作，基板保持部75在水平狀態(tài)，抽取基板送入部Aa的裝載器56內部或基板清洗腔10中的基板支承部104上的晶片W，在輸送機器人70移動后，或在其位置，朝向水平方向旋轉運動規(guī)定角度，然后將該晶片轉移上述基板支承部104上或基板送出部Ab的裝載器56上。
在此情況，在基板送入部Aa或基板送出部Ab上，在晶片W相對裝載器56進出時，通過按照隨輸送機器人70的動作而動作的升降定位裝置61，裝載器56沿垂直方向按照一個間距的量進行升降動作，實現(xiàn)晶片W，W…的送入送出用的定位。
再有，與上述的實施例相反，也可采用下述結構，其中在晶片W相對裝載器56進出時，輸送機器人70的手部70a或70b沿垂直方向按照一個間距量進行升降動作，然后，按照依次反復進行與上述相同的動作的方式，進行驅動控制。在此情況，無需升降定位裝置61。
基板翻轉裝置71采用下述結構，其中對晶片W的內表面的上下位置進行轉換處理，不僅對晶片W的外表面，也對內面進行清洗處理，進行工作。
具體來說，如圖16～18所示，基板翻轉裝置71的主要部分由夾緊機構76，驅動缸裝置77和驅動馬達78構成。夾緊機構76采用下述結構，其中按照持握的方式夾緊支承晶片W的外周緣，一對活動夾頭76a，76b按照可開閉的方式設置，在兩個夾頭76a，76b上，以嵌合方式支承晶片W的外周緣的帶環(huán)狀槽的支承輥79，79，79分別對應于晶片W的圓周，按照每三個呈環(huán)狀設置，呈這樣的環(huán)狀設置的支承輥79，79，79分別成對地設置于同一軸上，同時可通過夾頭支承兩張晶片W，W。
上述活動夾頭76a，76b采用通過驅動缸裝置77，朝向水平方向中心實現(xiàn)開閉動作的結構。驅動缸裝置77具體由將壓縮空氣作為工作媒體的氣缸形成。
此外，兩個夾頭76a，76a通過驅動馬達78，借助傳動轉矩機構，以沿垂直方向可旋轉的方式被支承。
另外，不僅對晶片W的外表面，也對內面進行清洗處理，通過輸送機器人70，將外表面?zhèn)鹊那逑刺幚硗瓿傻木琖，W輸送到基板翻轉裝置71上，對其進行翻轉處理。即，基板翻轉裝置71通過驅動缸裝置77，使夾緊機構76工作，呈持握方式夾緊支承晶片W的外周緣，然后通過驅動馬達78的驅動，以低速，使以夾緊方式支承晶片W，W的夾緊機構76旋轉180°，將晶片W，W翻轉。再次通過輸送機器人70，按照處理前的內面為頂側的方式，分別將其內表面翻轉的晶片W，W供給到處理腔C的基板清洗腔10，10中，還對該內面，進行清洗處理。
此外，與裝卸室A相同，機器人室B的機械機構的驅動部，即輸送機器人70和基板翻轉裝置71的機械式驅動部均按照SEMI標準，設置于高度900mm處的底側，進行揚塵防止措施。
IV.處理室C處理室C包括至少一個單張式基板清洗腔10，該基板清洗腔10通過多種清洗液，逐張地對晶片W進行清洗，在圖示的實施例中，如上所述，采用具有兩臺基板清洗腔10，10的雙腔式。另外，作為通過量的對應措施，也可采用適當?shù)厥够迩逑辞?0增加的，三腔式，四腔式。
如圖19～24所示，基板清洗腔10的主要部分由可進行相對的上下方向移動的腔主體80和基板旋轉裝置81形成，基板旋轉裝置81呈同心狀設置于腔主體80的中間部。
腔主體80采用下述結構，其中具有沿上下方向排列的多個(在圖示的實施例中，為四個)的圓環(huán)狀處理槽85～88，可沿上下方向進行升降動作。
具體來說，腔主體80采用具有可開閉的基板送入出用門90的密封容器的形式，具有化學藥劑供給部91，惰性氣體供給部92和排放部93，94等。
腔主體80采用一個清洗槽的結構，其接納一張晶片W，可實現(xiàn)封閉，該腔主體80由頂部處理等待部95和底部處理部96形成。
頂部處理等待部95為送入送出晶片W的部位，其采用下述結構，其中在其側部，設置有送入送出晶片W用的上述門90，在該上半部上，按照可通過扳手拆下的方式設置有腔蓋95a，容易進行腔主體80的內部的維修。
上述門90構成腔主體80的基板送入送出口，可實現(xiàn)開閉，具體來說，門90的開口面積可使將晶片W保持在水平狀態(tài)的上述輸送機器人70的手部70a，70b通過。另外，上述門90的門體90a通過氣缸等的驅動源，可沿上下方向實現(xiàn)開閉，按照具有氣密水密性的方式封閉。
還有，在頂部處理等待部95的內部，設置有上述化學藥劑供給部91和惰性氣體供給部92。
化學藥劑供給部91向支承于基板旋轉裝置81上的晶片W的表面，供給清洗液，具體來說，其采用噴嘴的形式，其中該噴嘴從頂側，向支承于基板旋轉裝置81的基板支承部104上的晶片W的表面，噴射供給清洗液。
該噴嘴91按照在朝向下方的狀態(tài)，可水平旋轉的方式，設置于上述腔主體80的頂部處理等待部95的內部，可與清洗液供給裝置D連通。標號97表示噴嘴91的擺動用的驅動馬達。
再有，噴嘴91在相對以水平狀態(tài)旋轉地支承于基板旋轉裝置81的基板支承部104上的晶片W的外表面，從其外周轉到中心而水平旋轉的同時，或在水平旋轉而靜止后，以噴射方式供給清洗液。
在圖示的實施例中，在噴嘴91上，設置四個噴射孔(圖中省略)，它們分別用作后面將要描述的APM液，純水，DHF液，N2的供給口。這些噴射孔呈橢圓錐狀，它們按照將化學藥劑呈橢圓錐狀擴散地供給到晶片W的外表面上的方式構成。由此，隨著晶片W的旋轉動作的進行，清洗液相對晶片W外表面的供給分布快速并且均勻。
惰性氣體供給部92供給惰性氣體，該惰性氣體用于排出置換腔主體80內部的清洗液，其設置于頂部處理等待部95的頂部，并且可與惰性氣體供給源(圖中省略)連通。在圖示的實施例中，惰性氣體采用N2。另外，上述惰性氣體供給源也可與上述噴嘴91連通，該噴嘴91還可采用能夠用作惰性氣體供給部的結構。
底部處理部96為對晶片W進行清洗處理的部位，如后面所述，其內徑尺寸按照與基板旋轉裝置81的基板支承部104的關系設定。具體來說，基板支承部104的外徑邊緣和上述底部處理部96的內徑邊緣是不接觸的，并且形成于這兩個邊緣之間形成的環(huán)狀間隙按照阻止清洗液等朝向底側泄漏的程度的微小間隙的方式設定。
另外，在底部處理部96的內部，上述四個圓環(huán)狀處理槽85～88沿上下方向呈多層式或層狀設置，并且在各處理槽85～88與底部處理部96的底部96a，分別設置有與裝置外部連通的上述排放部93，94，通過這些排放部93，94，將各處理槽85～88內部的清洗液或惰性氣體朝向裝置外部排出。另外，各處理槽85～88中的排放部93采用下述結構，其中其僅僅在進行清洗處理時開口，在進行另一處理槽的清洗處理時其封閉。
此外，腔主體80通過LM導向部98，按照可沿上下方向垂直地升降的方式支承，并且具有升降機構100，該升降機構100相對基板旋轉裝置81的基板支承部104，每次按照規(guī)定行程的量實現(xiàn)升降。
具體來說，如圖21所示，該升降機構100由進給絲桿100a和驅動馬達100b，該進給絲桿100a使上述支承臂62進行升降動作，該驅動馬達100b使該進給絲桿100a旋轉驅動。
還有，通過隨后面所述的基板旋轉裝置81的動作而動作的驅動馬達100b的驅動，通過進給絲桿100a，腔主體80沿上下方向每次按照升降量升降規(guī)定行程，應進行清洗處理步驟的圓環(huán)狀處理槽85～88中的任何有一個處理槽相對上述旋轉裝置81的基板支承部104，有選擇地在其規(guī)定方向實現(xiàn)定位。
基板旋轉裝置81在對一張晶片W進行旋轉清洗時和旋轉干燥時，按照水平狀態(tài)支承的同時，實現(xiàn)水平旋轉，如圖21～24所示，其包括驅動馬達105，該驅動馬達105將基板支承部104按照水平狀態(tài)安裝支承于旋轉軸103的前端部分，并且旋轉驅動該旋轉軸103。
基板支承部104和旋轉軸103按照下述方式構成，該方式為通過軸承支承筒體106，以可旋轉的方式呈同心狀設置于腔主體80的中間部，按照水平狀態(tài)將一張晶片W支承在基板支承部104上。具體來說，如圖22～24所示，基板支承部104包括以夾緊方式支承晶片W的周緣部的多個(在圖示的實例中，為六個)的夾緊臂110，110，…。
如圖所示，這些夾緊臂110，110在水平狀態(tài)，呈放射狀設置，并且可通過開閉機構111沿放射方向作往復移動。分別設置于夾緊臂110，110…的前端的夾緊爪112，112…按照處于同一高度的方式設定，由此，在夾緊時，在水平狀態(tài)以夾緊方式支承晶片W的周緣部。
再有，夾緊爪112的夾緊面112a的截面形狀與晶片W的周緣部的截面形狀相對應。即，具體來說，夾緊面112a按照下述方式形成，該方式為其形成沿上下方向傾斜的直角平面，相對晶片W的矩形截面的周緣部，在點接觸狀態(tài)或線接觸狀態(tài)，以接觸方式支承該周緣角部，雖然這一點在圖中未示出。
由此，在夾緊臂110，110，…進行夾緊時，晶片W的周緣部通過上述夾緊面112a，112a，…按照沿上下方向約束的狀態(tài)的方式支承。另外，該支承狀態(tài)按照晶片W的周緣部不是固定的，允許周緣部有一定的移動的方式設定。由于通過形成這樣的結構，僅僅支承晶片W的周緣部，故不將晶片W的內側弄臟，由于夾緊面112a與晶片W的周緣部的截面形狀相對應，故具有夾緊晶片W的周緣部不發(fā)生破損等的效果。
上述開閉機構111的主要部分由設置于旋轉軸103的內部的驅動缸裝置111a，以及連接金屬絲111b，111b，…構成，該連接金屬絲111b，111b，…將該驅動缸裝置111a和上述夾緊臂110，110，…連接。
另外，形成下述結構，其中通過上述驅動缸裝置111a的伸出動作，借助連接金屬絲111b，111b，…，將夾緊臂110，110，…朝向徑向內側拉入，進行夾緊動作，通過驅動缸裝置111a的回收動作，在恢復彈簧111c，111c，…的彈性恢復力的作用下，將夾緊臂110，110，…朝向徑向外側推動，解除夾緊動作。
此外，形成下述結構，其中旋轉軸103通過軸承支承筒體106，呈直立狀旋轉地支承，并且其底端部以可通過帶驅動的方式與驅動馬達105連接，通過該驅動馬達105的驅動，實現(xiàn)旋轉驅動，上述基板支承部104按照規(guī)定的旋轉數(shù)量實現(xiàn)旋轉。在圖示的實施例中，軸承支承筒體106的旋轉速度在旋轉清洗處理時，設定在40～50r.p.m的范圍內，并且在旋轉干燥時，設定在約3000r.p.m。
于是，在按照上述方式構成的基板清洗腔10中，通過上述腔主體80沿上下方向的升降，實現(xiàn)支承于基板旋轉裝置81的基板支承部104上的晶片W與上述腔主體80的處理槽85～88中的任何一個的定位，并且通過基板旋轉裝置81，按照規(guī)定的旋轉速度，使支承于基板支承部104上的晶片W水平旋轉。
按照上述方式，由于基板清洗腔10按照下述方式構成，該方式為將基板旋轉裝置81沿上下方向的移動固定，并且上述腔主體80沿上下方向升降，故具有下述優(yōu)點，即實現(xiàn)高速旋轉的基板旋轉裝置81的支承結構簡單，并且牢固，有效地防止在基板旋轉裝置81的旋轉部，即基板支承部104上，產生旋轉振動，其結果是，正確地保持底部處理部96的內徑邊緣和基板旋轉裝置81的基板支承部104的外徑邊緣之間的微小間隙，可長期穩(wěn)定地阻止清洗液等朝向底側泄漏。但是，對應于此目的，也可采用與此相反的方案，即采用下述方案，其具有確保基板旋轉裝置81沿上下方向移動的結構，并且上述腔主體80沿上下方向固定。
V.清洗液供給裝置D清洗液供給裝置D為供給源，該供給源將清洗液供給處理室C的基板清洗腔10，在圖示的實施例中，采用雙化學藥劑系統(tǒng)，該系統(tǒng)有選擇地包括用于進行APM(NH4OH+H2+O2+H2O)液的清洗的結構，用于進行DHF(HF+H2O)液的清洗的結構，與此相對應，在基板清洗腔10的腔主體80中的處理槽85～88中，最底層的處理槽85用于采用APM液的清洗步驟，其上層的處理槽86用于采用DHF液的清洗步驟，其上層的處理槽87用于采用純水的沖洗，最頂層的處理槽88用于旋轉干燥。
另外，通過有選擇地設定清洗步驟的配方，可有選擇地進行i)APM+DHF+O3+DIW+DRY，ii)APM+DHF+DRY，iii)APM+DRY和DHF+DRY等的清洗步驟。
VI.系統(tǒng)控制裝置E系統(tǒng)控制裝置E按照相互保持聯(lián)動的方式，對上述的基板送入部Aa，輸送機器人70，基板翻轉裝置71，基板清洗腔10，10和基板送出部Ab進行驅動控制，通過該系統(tǒng)控制裝置E，下面的基板清洗系統(tǒng)的一系列的晶片處理步驟從晶片W的前步驟的送入時到下一步驟的送出時，全自動地進行。
(1)晶片W，W，…的送入清洗處理前的晶片W，W…通過AGV等，從前一步驟，按照接納于裝載器56中的垂直狀態(tài)，傳送到操作空間○。
將裝置主體1的裝載口11打開，清洗處理前的晶片W，W…從將裝載器56臥倒的垂直狀態(tài)，變化到水平狀態(tài)，然后通過自動送入裝置(圖中省略)或操作人員的手動作業(yè)，借助上述裝載口11，在接納于裝載器56中的狀態(tài)，分別送入設置到裝卸室A的基板輸入部Aa的基板保持部60中的上下兩層的保持臺60a，60a上。
在此情況，首先，將裝載器56放置到頂側的第一層的保持臺60上，然后，通過升降定位裝置61，基板保持部60上升，將下一裝載器56放置到底側的第二層的保持臺60上。
在再次關閉上述裝載口11后，通過裝載器傾斜檢測傳感器63，檢測裝載器56的傾斜的有無進行檢測，如果未傾斜，則通過晶片突出對齊機構64，將其對齊，并且通過晶片映像傳感器65，檢測晶片W，W，…的排列狀態(tài)，等待機器人室B的輸送機器人70。
輸送機器人70對應于晶片映像傳感器65的檢測結果，逐張地在水平狀態(tài)，抽取裝載器56內的晶片W，依次將其送入處理室C的各處理清洗腔10的腔主體80的內部。
此時的輸送機器人70的晶片W的抽取通過隔壁2的開口55進行，按照晶片映像傳感器65的檢測結果，隨著借助升降定位裝置61進行的裝載器56的定位動作(裝載器56沿垂直方向按照一個間距量升降，晶片W，W，…的送入用的定位動作)的進行，依次從最頂部或最底部的晶片W進行上述抽取動作。
借助輸送機器人70的晶片W的輸入在下述狀態(tài)，通過隔壁3的開口72和腔主體80的門90進行，該狀態(tài)指基板清洗腔10的基板支承部104上升等待于腔主體80的頂部處理等待部95內部的晶片送入送出位置。上述門90僅僅在晶片W的送入送出時打開，從而有效地防止腔主體80內部的煙塵的擴散，腔主體80內部的微粒的流入等情況。
如果將晶片W送入到腔主體80內部的基板支承部104上，則夾緊臂110，110，…在水平狀態(tài)，以夾緊方式支承晶片W的周緣部。
(2)基板清洗腔10中的濕法處理如果基板支承部104以夾緊方式支承晶片W，則通過腔主體80的升降動作，將該晶片定位于底部處理部96內部的晶片清洗處理位置，然后按照預定的順序，進行上述的各種清洗處理。
比如，如果采用上述ii)的清洗處理步驟(APM+DHF+DRY)，則通過腔主體80的升降定位，將基板支承部104上的晶片W首先定位設置于最底層的處理槽85中，從噴嘴91供給APM液，并且通過基板選擇裝置81的低速旋轉，進行旋轉清洗，然后，將該晶片W定位設置于從上方數(shù)的第二層的處理槽87中，從噴嘴91，供給純水，與此同時，通過基板旋轉裝置81的低速旋轉，進行沖洗。接著，將該晶片W定位設置于從上方數(shù)的第3層的處理槽86中，從噴嘴91，供給DHF液，并且通過基板選擇裝置81的低速選擇，進行旋轉清洗，然后，再次將其定位設置于處理槽87中，從噴嘴91，供給純水，與此同時，通過基板旋轉裝置81的低速選擇，進行沖洗。最后，將其定位設置于最頂層的處理槽88中，從噴嘴91，噴射惰性氣體，即N2(氮氣)，與此同時，通過基板旋轉裝置81的高速旋轉，進行旋轉干燥。
在此情況，通過來自惰性氣體供給部92的惰性氣體，即在本實施例的情況，為N2(氮氣)的送入，通過該N2對該腔主體80內部進行洗滌，從各腔的排放部93，強制排放氣體，由此，在腔主體80的內部，產生從惰性氣體供給部92，到各腔的排放部93的通路的氣流，有效地防止腔主體80的內部的煙霧的卷起。
此外，各處理槽85～88的排放部93僅僅在于該處理槽中進行清洗處理時打開，在另一處理槽中進行清洗處理時關閉，由此，促進上述腔主體80的內部的N2的洗滌效果。
如果對晶片W外表面的一系列的清洗處理結束，則通過腔主體80的下降動作，再次將基板支承部104相對地上升到頂部處理等待部95內部的晶片送入送出位置，然后等待機器人室B中的輸送機器人70。
在此情況，當還對晶片W的內面進行清洗處理時，通過輸送機器人70將晶片W朝向基板翻轉裝置71傳送，在將內表面翻轉后，再次將其送入上述基板支承部104，對該晶片W的內面，進行上述一系列的清洗處理。
(3)晶片W，W，…的送出再次通過輸送機器人70，按照與前述相反的步驟，從各基板清洗腔10的腔主體80中，將進行完基板清洗腔10的一系列的清洗處理的晶片W送出，依次按照水平狀態(tài)，將其送出接納于裝載器56，56的內部，該裝載器56，56分別等待于基板送出部Ab的基板保持部60的上下兩層的保持臺60a，60a上。
此情況的具體送出接納動作與上述的(1)的晶片W，W，…的送入動作的核心內容相同。
接著，如果在這些裝載器56，56的內部的全部保持槽中，排列滿清洗后的晶片W，W，…，則將裝置主體1的卸載口12打開，將裝載器56，56朝向下一步驟的濺射或CVD處理等的薄膜形成用的處理步驟傳送。
在以上的一系列的動作中，借助輸送機器人70的裝載器56內的晶片W，W…的處理順序按照前述的方式，從四種的方法i)～ii)中選擇設定。
還有，裝卸室A的基板送入部Aa與基板送出部Ab的裝載作業(yè)與卸載作業(yè)實際上是同時進行的。
于是，在按照上述方式構成的基板清洗系統(tǒng)中，由于在以可密封的方式形成的裝置主體1的內部，設置有裝卸室A，機器人室B和處理室C，各室A，B，C按照具有必要最小程度的開口面積的隔壁2，3分隔形成，故將裝置主體1內部與外部的除塵室的空氣的進出抑制到必要的最小程度，可將裝置主體1的內部保持在非常高的清潔度的氣氛中。
再有，由于采用逐張地對晶片W進行處理的單張式，故可在幾乎不會再次付著微粒等的情況下，對每張晶片W進行精密處理，另外基板清洗腔10的清洗空間也較小，此外清洗液的量也較少。
另外，由于采用下述單腔式，其中通過借助多種清洗液，逐張地對晶片W進行清洗處理的，即以一個基板清洗腔10，進行全部清洗步驟，故在清洗步驟中，晶片W沒有進出動作，也不受到在與大氣接觸后，金屬污染，離子或氧氣等的影響，還可簡化各基板清洗腔的結構，使其整體尺寸減小。
此外，在上述裝置主體1的前后兩側，分別設置上述裝卸室A和處理室C，并且在這兩個室A，C之間，設置機器人室B，這樣在處理室C的清洗處理時所產生的有害氣體或微粒不會泄漏到裝置主體1的外部的操作空間○。
還有，上述裝卸室A按照下述方式構成，該方式為疊置于上述基板送入部Aa和基板送出部Ab上的晶片W以規(guī)定間距，沿上下方向，按水平狀態(tài)排列，并且在裝卸室A內部流動的清潔空氣從基板送出部Ab，朝向基板送入部Aa水平地流動，故有效地防止來自清洗處理前的晶片W的微粒等再次附著于清洗處理后的晶片W上。
同樣，由于機器人室中的輸送機器人70采用具有一對手部的擺動臂機器人的形式，其按照其中一個手部對清洗處理前的晶片W進行輸送處理，并且另一手部對清洗處理后的晶片W進行輸送處理的方式構成，故有效地防止來自清洗處理前的晶片W的微粒等再次附著于清洗處理完的晶片W上。
再有，上述的實施例完全給出的是本發(fā)明的優(yōu)選的實施形式，本發(fā)明可不限于該實施例，可在本發(fā)明的范圍內，進行各種設計變更。
比如，本實施例的基板清洗腔10具有下述結構，其中該腔顯然用作作為上述的基板清洗系統(tǒng)的基本單元組成部分的基板清洗裝置，即使在本裝置獨立的情況下，其也可用作單腔單張式的基板清洗裝置，該裝置在單一的腔主體80的內部逐張地通過多種清洗液對晶片W進行清洗處理，本裝置也可單獨使用。
另外，本實施例中所采用的清洗液完全是一個實例，也可根據(jù)使用目的，采用比如，HPM(HCl+H2O2+H2O)或SPM(H2SO4+H2O2+H2O)等的其它的清洗液。
如上面具體描述的那樣，根據(jù)本發(fā)明，由于在以可密封的方式構成的裝置主體內部，設置有裝卸室，該裝卸室由多個清洗處理前的基板按照疊置的方式實現(xiàn)送入等待的基板送入部和多個清洗處理后的基板按照疊置的方式實現(xiàn)送出等待的基板送出部構成；處理室，處理室具有通過多種清洗液逐張地對基板進行清洗處理的至少一個單張式的基板清洗腔；機器人室，該機器人室具有在上述處理室與裝卸室之間，逐張地輸送基板的輸送機器人，這些室按照具有必要的最小程度的開口面積的隔壁，分隔形成，故可提供下述基板清洗系統(tǒng)，該基板清洗系統(tǒng)具有密封的清洗室內部，在不帶盒的情況下逐張地對晶片進行濕法清洗的單張式濕法清洗的優(yōu)點，并且微粒也不再次附著，可高精度地在較高清潔度氣氛中進行清洗，此外裝置結構簡單，整體尺寸較小，成本性能也優(yōu)良。
因此，可迎接最近的半導體裝置的亞微米時代的到來，即使對于伴隨這樣的裝置結構細微化，高集成化，晶片外表面所要求的非常高的清潔度，仍可充分地應對。
即，由于在按照可密封的方式構成的裝置主體內部，設置上述裝卸室，處理室和機器人室，這些室通過具有必要的最小程度的開口面積的隔壁，分隔形成，故可將空氣相對裝置主體的內部和外部的除塵室的進出抑制在必要的最小程度，可使裝置主體內部保持在非常高的清潔度的氣氛中。
其結果是，可有效地防止微粒再次附著于清洗處理后的晶片上，或有效防止伴隨晶片的清洗處理的清洗液等的飛沫或來自晶片本身的灰塵對作業(yè)人員造成的不利影響。
此外，由于各室通過具有必要的最小程度的開口面積的隔壁，分隔形成，故可僅僅在處于最腐蝕性氣氛中的處理室中，進行耐腐蝕性材料的涂敷處理，不必在裝置主體的整個壁面上，進行耐腐蝕性涂敷處理。因此，可減小系統(tǒng)的制造成本和裝置成本。
還有，由于采用逐張地處理晶片的單張式，故微粒等也幾乎不再次附著，可對每個晶片進行精密處理，基板清洗腔的清洗空間也減小，清洗液用量也較少，還可降低成本。
再有，由于采用單腔式，其中通過借助多種清洗液逐張地對晶片進行清洗處理的，即以一個基板清洗腔，進行全部清洗步驟，故在清洗步驟中，晶片不進出，不受到在與大氣接觸后，金屬污染，離子或氧氣等的影響，還可簡化各基板清洗腔的結構，并且使其整體尺寸減小。
另外，由于采用下述結構，其中在上述裝置整體的前后兩側，分別設置有裝卸室和處理室，并且在該裝卸室與處理室之間，設置有機器人室，故在處理室中的清洗處理時所產生的有害氣體或微粒不會泄漏到裝置主體外部的操作空間，可進一步有效地防止對作業(yè)人員的不利影響。
由于上述裝卸室按照下述方式構成，該方式為疊置于上述基板送入部和基板送出部中的晶片沿上下方式以規(guī)定的排列間距，按照水平狀態(tài)排列，并且在上述裝卸室內部流動的清潔空氣從上述基板送出部朝向基板送入部水平地流動，故可有效地防止來自清洗處理前的晶片的微粒等再次附著于清洗處理好的晶片上。
同樣，由于上述機器人室的輸送機器人采用具有一對手部的擺動臂機器人的形式，其按照其中一個手部對清洗處理前的晶片進行輸送處理，并且另一手部對清洗處理后的晶片進行輸送處理的方式構成，故有效地防止來自清洗處理前的晶片的微粒等再次附著于清洗處理好的晶片上。
權利要求
1.一種基板清洗系統(tǒng)，其特征在于在以可密封的方式構成的裝置主體內部，設置有裝卸室，該裝卸室由多個清洗處理前的基板按照疊置的方式實現(xiàn)送入等待的基板送入部和多個清洗處理后的基板按照疊置的方式實現(xiàn)送出等待的基板送出部構成；處理室，處理室具有通過多種清洗液逐張地對基板進行清洗處理的至少一個單張式的基板清洗腔；機器人室，該機器人室具有在上述處理室與裝卸室之間，逐張地輸送基板的輸送機器人，這些室通過具有必要的最小程度的開口面積的隔壁，分隔形成。
2.如權利要求1所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于在上述裝置主體的前后兩側，分別設置上述裝卸室和處理室，并且在該裝卸室與處理室之間，設置上述機器人室；在上述裝卸室中，開設有可朝向裝置主體的外部的操作空間開放的開閉口。
3.如權利要求1或2所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于上述裝卸室按照下述方式構成，該方式為疊置于上述基板送入部和基板送出部中的基板沿上下方式以規(guī)定的排列間距，按照水平狀態(tài)排列，并且在上述裝卸室內部流動的清潔空氣從上述基板送出部朝向基板送入部水平地流動。
4.如權利要求1～3中的任何一項所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于在上述基板送入部和基板送出部中，分別具有基板保持部，該基板保持部保持下述裝載器，該裝載器沿上下方向，以規(guī)定排列間距按照水平狀態(tài)接納有多張基板；升降定位裝置，該升降定位裝置使該基板保持部沿上下方向移動，進行上述裝載器內部的基板的送入或送出用的定位。
5.如權利要求4所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于上述基板保持部沿上下方向，按照至少兩個規(guī)定間距，設置保持上述裝載器的保持臺。
6.如權利要求1～5中的任何一項所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于上述機器人室中的輸送機器人具有能進行升降動作的同時也能進行水平動作的一對手部的擺動臂機器人的形式；該輸送機器人按照其中一個手部對清洗處理前的基板進行輸送處理，并且另一手部對清洗處理后的基板進行輸送處理的方式構成。
7.如權利要求6所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于設置于上述輸送機器人中的手部的前端部分的基板保持部采用放置支承基板的底面的軟著陸方式的支承形式。
8.如權利要求1～7中的任何一項所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于上述機器人室包括對基板的內外表面的上下位置進行轉換處理的基板翻轉裝置。
9.如權利要求1～8中的任何一項所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于對上述處理室的內壁面進行氯乙烯樹脂的耐腐蝕性涂敷處理，并且對其它的壁面進行耐酸涂敷處理。
10.如權利要求1～9中的任何一項所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于上述處理室的單張式基板清洗腔由腔主體和基板旋轉裝置形成，該腔主體包括沿上下方向排列的多個環(huán)狀處理槽，沿上下方向進行升降動作，該基板旋轉裝置在該腔主體的中間部，與腔主體呈同心狀設置，在于水平狀態(tài)支承一張基板的同時，使其水平旋轉；該清洗腔按照下述方式形成，該方式為通過上述腔主體的沿上下方向的升降，實現(xiàn)支承于上述基板旋轉裝置上的基板和上述環(huán)狀處理槽的定位。
11.如權利要求10所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于上述腔主體采用具有可開閉的基板送入送出用的門的密封容器的形式。
12.如權利要求10或11所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于上述腔主體包括化學藥劑供給部，該化學藥劑供給部向支承于上述基板旋轉裝置上的基板的外表面，供給清洗液；惰性氣體供給部，該惰性氣體供給部供給排出置換腔主體內部的清洗液用的惰性氣體；排放部，該排放部設置于上述各處理槽中，將該處理槽內的清洗液或惰性氣體排出。
全文摘要
一種基板清洗系統(tǒng)在以可密封的方式形成的裝置主體1的內部,設置有裝卸室A,該裝卸室由清洗處理前的晶片W進行送入等待的基板送入部Aa和清洗處理后的晶片進行送出等待的基板送出部Ab構成;處理室C,該處理室C具有逐張地對晶片W進行清洗處理的兩個單張式的基板清洗腔10;機器人室B,該機器人室B具有在上述兩個室A,C之間逐張地輸送晶片W的輸送機器人70,這些室A,B,C按照具有必要的最小程度的開口面積的隔壁2,3,分隔形成。
文檔編號H01L21/02GK1389906SQ01118479
公開日2003年1月8日 申請日期2001年6月1日 優(yōu)先權日2001年6月1日
發(fā)明者大藏領一, 小野祐司, 山口弘, 高石美雪, 上川內秀夫 申請人:S.E.S.株式會社