專利名稱：電磁波吸收體、其制造方法和使用該電磁波吸收體的器具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新的電磁波吸收體，該電磁波吸收體的制造方法，含該電磁波吸收體的復(fù)合件和器具，特別涉及一種包含由磁性金屬晶粒和陶瓷組成的復(fù)合磁性顆粒的電磁波吸收體，所述陶瓷特別包括至少一種選自非磁或軟磁金屬氧化物、碳化物和氮化物的材料的細(xì)晶粒，和該電磁波吸收體的制造方法，使用該電磁波吸收體的復(fù)合件，和半導(dǎo)體器件，印刷電路板，光發(fā)送和接收模件，使用該磁性金屬顆粒的電子收費(fèi)系統(tǒng)和電子器件殼。
通過本發(fā)明，可得到用于使用光纖的高速通信網(wǎng)絡(luò)的光學(xué)發(fā)送模件、光學(xué)接收模件或集成了光發(fā)送模件和光接收模件的光發(fā)送和接收模件，并且可通過消除發(fā)射到外部的噪聲和模件內(nèi)部的噪聲干擾制造出尺寸小、重量輕、加工速率快和靈敏度高的模件。
近年來，電子設(shè)備中的高速處理的趨勢在加快，集成電路如大規(guī)模集成電路或微處理器的工作頻率在迅速提高，因此可能發(fā)射出不需要的噪聲。
此外，在通信領(lǐng)域，第二代多媒體移動通信(2GHz)和無線局域網(wǎng)(2-30GHz)中使用千兆赫(GHz)波段電磁波。在智能降送系統(tǒng)(ITS)領(lǐng)域中，電子收費(fèi)系統(tǒng)(ETC)使用5.8GHz電磁波，先進(jìn)的高速路巡邏輔助系統(tǒng)(Advanced Cruise-assist Highwaysystem)(AHS)使用76GHz電磁波。預(yù)計(jì)將來高頻電磁波的使用范圍會迅速地進(jìn)一步拓寬。
當(dāng)電磁波的頻率增加時，電磁波往往以噪聲的形式發(fā)射。另一方面，在最近的電子設(shè)備中，通過減少設(shè)備消耗的電功率而降低噪聲容限，或通過數(shù)碼電路對模擬電路的替換以及小尺寸和高裝配密度的傾向而降低抗擾性(抗噪聲性)，設(shè)備內(nèi)部的噪聲環(huán)境惡化導(dǎo)致由于電磁干擾(下文稱為EMI)而使設(shè)備誤操作的問題。
因此，采取在電子設(shè)備中放入電磁波吸收體的措施來降低電子設(shè)備內(nèi)部的EMI。作為GHz波段的電磁波吸收體，主要使用由一種電絕緣有權(quán)材料如橡膠、樹脂等和一種磁損耗材料如軟磁金屬氧化物、軟磁金屬材料等組成的板片。
而且，電阻率是大約500-1000μΩ·cm，并不高。因此，由于GHz區(qū)域的渦電流引起導(dǎo)磁性降低是不可避免的。此外，對于復(fù)合比介電常數(shù)，由于電阻率不夠高使得虛數(shù)部分比實(shí)數(shù)部分大，難以調(diào)節(jié)阻抗匹配。
通常，對于電子信息-和-通信設(shè)備使用的電磁波吸收體需要的特性是①大反射衰減系數(shù)(小反射系數(shù))，②能夠吸收電磁波的寬帶，和③薄厚度。然而，目前還沒有能滿足所有特性的電磁波吸收體。
為了實(shí)現(xiàn)上述①項(xiàng)，必需使反射在該吸收體表面的電磁波量減少。為此，必需使該物質(zhì)的特性阻抗值 接近自由空間的特性阻抗值 。其中，μr是復(fù)合比磁導(dǎo)率μr(μr′＋jμr″)，εr是復(fù)合比介電常數(shù)εr(εr′+jεr″)，μo和εo分別是自由空間的磁導(dǎo)率和介電常數(shù)。為實(shí)現(xiàn)上述②項(xiàng)，值μr′和μr″必須相對于頻率逐漸單一性降低，期間μr′和μr″之間的關(guān)系保持基本恒定。為實(shí)現(xiàn)上述③項(xiàng)，必須使物質(zhì)內(nèi)部的電磁波衰減量大。為此，該物質(zhì)的傳播常數(shù)(γ＝2πf(μr，εr)0.5)的實(shí)數(shù)部分必須大，即，讓預(yù)期頻率下的復(fù)合比磁導(dǎo)率和復(fù)合比介電常數(shù)大。然而，當(dāng)復(fù)合比磁導(dǎo)率變大時，難以調(diào)節(jié)該物質(zhì)與自由空間阻抗匹配。
由于作為經(jīng)證實(shí)的電磁吸收體，尖晶石晶體結(jié)構(gòu)的軟磁金屬氧化物材料的電阻率遠(yuǎn)大于軟磁金屬材料的，盡管渦電流產(chǎn)生的反射小，磁導(dǎo)率仍然在GHz波段迅速降低。因此，需要相當(dāng)厚的厚度以便很好地吸收電磁波。
另一方面，軟磁金屬材料有實(shí)現(xiàn)薄電磁波吸收體的可能性，因?yàn)槠浔却艑?dǎo)率非常高。然而，在高頻區(qū)，因?yàn)殡娮杪实?，由于渦電流損耗，比磁導(dǎo)率顯著下降，復(fù)合比介電常數(shù)的虛數(shù)部分顯著增加。因此，反射變大，并且軟磁材料不能充當(dāng)電磁波吸收體。
為解決上述問題，日本待批專利申請公開號9-181476提出使用不等粒結(jié)構(gòu)的超細(xì)結(jié)晶金屬膜在高頻區(qū)作為電磁波吸收體，其中鐵磁性超細(xì)結(jié)晶金屬相分散于金屬氧化物相中。這種磁膜的特征在于通過鐵磁性超細(xì)晶體實(shí)現(xiàn)了軟磁性，通過金屬氧化物相實(shí)現(xiàn)了高電阻率，因此渦電流損耗降低，在高頻區(qū)可得到高磁導(dǎo)率。
電磁波吸收體的制造方法是將軟磁金屬和氧、氮、碳連同上述元素有親和力的金屬氧化物相構(gòu)成元素在一起同時濺射在基體上，形成含有這些元素的無定形膜如有機(jī)膜。然后將該膜熱處理，通過在金屬氧化物相中產(chǎn)生鐵磁性超細(xì)晶體形成兩相結(jié)構(gòu)。然而，由于需要大的成膜裝置，該電磁波吸收體存在成本高的問題，并且由于薄膜結(jié)構(gòu)限制了該電磁波吸收體的使用。
JP7-212079和JP11-354973公開了一種由扁圓形軟磁金屬顆粒和有機(jī)粘合劑組成的電磁波干擾抑制體或電磁波吸收體。形成的扁圓形軟磁金屬顆粒的厚度薄于趨膚深度，能抑制渦電流，通過形狀的各向異磁性效應(yīng)可提高磁共振頻率，通過減少由形狀引起的消磁場可改良磁導(dǎo)率。結(jié)果，在幾MHz至1GHz范圍內(nèi)可得到優(yōu)異的電磁波吸收體。然而作為用于電子設(shè)備內(nèi)部或用于高頻區(qū)的電磁波吸收體，其厚度和吸收能力還不足。
此外，JP9-111421提出了一種用于加載感線圈的磁性材料，該材料在高頻區(qū)具有高電阻率，這是通過在高于結(jié)晶溫度的溫度下，在含有至少一種選自氧氣、氮?dú)夂桶睔獾目諝庵校瑹崽幚砀叽艑?dǎo)率無定形合金形成由高磁導(dǎo)率合金和圍繞晶粒的氧化物或氮化物構(gòu)成的晶粒而獲得的。
此外，JP11-16727提出了一種用于高頻磁元件的磁性薄膜，由具鐵磁性的鐵和具磁性的鎳鐵氧體組成，其結(jié)構(gòu)是將磁相分散于鐵磁相中或鐵磁相分散于磁相中，或?qū)㈣F磁相和磁相層疊成多層。然而，該公報未提出使用磁性薄膜作為電磁波吸收體。
此外，JP9-74298提出一種電磁波屏蔽材料，該材料是通過在使用氮化硅球的球磨機(jī)中混和陶瓷和磁晶粒，然后燒結(jié)該混和物得到的。然而，該公報未提議任何電磁波吸收體。
此外，關(guān)于光發(fā)送和接收模件，在JP11-196055中公開了一種對于由在光學(xué)發(fā)送部分和接收部分之間發(fā)送和接收噪聲引起的內(nèi)部干擾的預(yù)防措施。
本發(fā)明的一個目的是提供一種薄的電磁波吸收體，該吸收體在高頻區(qū)有優(yōu)異的電磁波吸收特性，是通過較少數(shù)目的生產(chǎn)工序制造的，和提供一種制造該電磁波吸收體的方法，一種使用該電磁波吸收體的組件，和使用該電磁波吸收體的器具。
本發(fā)明的另一目的是提供光發(fā)送模件，先接收模件和光發(fā)送和接收模件，使用具有良好適用性的電磁波吸收體可制成尺寸小、重量輕、處理速度快和靈敏度高的上述模件，上述模件具有電磁波吸收特性，即使在傳輸速度超過2.4GHz的條件下也不會惡化。
本發(fā)明的電磁波吸收體的特征在于該電磁波吸收體包括復(fù)合磁晶粒，該晶粒優(yōu)選拉徑小于10μm，特別優(yōu)選小于5μm，磁性金屬顆粒和陶瓷在該晶粒中一體化，優(yōu)選其中含超過10體積％，更優(yōu)選超過20體積％的磁性金屬顆粒和陶瓷；還在于通過用陶瓷包封大量磁性金屬細(xì)粒使大量磁性金屬細(xì)粒和陶瓷一體化于復(fù)合磁性顆粒中；和在于通過將陶瓷(優(yōu)選棒型)包埋于磁性金屬顆粒中使大量磁性金屬顆粒和陶瓷成一體，變?yōu)閺?fù)合磁性顆粒。
即，本發(fā)明的電磁波吸收體的特征在于該電磁波吸收體包括復(fù)合磁性顆粒，其中大量優(yōu)選小于0.1μm、更優(yōu)選小于50nm的磁性金屬細(xì)粒和超過10體積％、優(yōu)選20-70體積％的陶瓷成一體。特別是，在每個顆粒中磁性金屬和陶瓷形成交替疊層的形式，磁性金屬是復(fù)雜形狀的顆粒形式，大多數(shù)顆粒的粒徑小于100nm，該顆粒被陶瓷包封。復(fù)雜形狀的顆粒是粒徑小于20nm的細(xì)粒聚集形成的。大多數(shù)陶瓷形成圍繞磁性顆粒的形狀，少量陶瓷形成棒型顆粒。
優(yōu)選磁性金屬是至少一種選自鐵、鈷和鎳的金屬或合金，陶瓷是至少一種選自包括鐵、鈷、鎳、鈦、鋇、錳、鋅、鎂、鋁、硅和銅的氧化物、氮化物和碳化物的陶瓷；或陶瓷顆粒是粘合在復(fù)合磁性顆粒的表面，從而使陶瓷顆粒和復(fù)合磁性顆粒成一體；或大多數(shù)陶瓷顆粒存在于磁性金屬顆粒的晶粒內(nèi)部和晶粒界面。優(yōu)選該磁性金屬是一種軟磁金屬。
此外，本發(fā)明中復(fù)合磁性顆粒是這樣一種通過復(fù)合磁性顆粒，其中將納米級陶瓷如金屬氧化物顆粒精細(xì)包埋和混和于軟磁性超細(xì)晶體的磁性金屬顆粒中，從而使磁性金屬顆粒和陶瓷成一統(tǒng)?？赏瑫r實(shí)現(xiàn)通過精細(xì)結(jié)晶軟磁金屬獲得高磁導(dǎo)率和通過分散超細(xì)陶瓷顆粒獲得高電阻率兩者的材料化。因此，即使在高頻區(qū)也能保持高磁導(dǎo)率和較好的吸收特性。
此外，由于該復(fù)合磁性顆粒具有交替疊層軟磁金屬相和金屬氧化物相的形式，軟磁金屬相的寬度變得低于趨膚深度，因此存在分散具有厚度低于趨膚深度的軟磁金屬粉末的等效作用。因此，可降低渦電流，有效吸收電磁波。此外，通過改變混和比和將金屬氧化物相與鐵磁性超細(xì)晶體金屬相的結(jié)合，可比較自由地控制與復(fù)合比磁導(dǎo)率和復(fù)合比介電常數(shù)的電磁波吸收特性相關(guān)的參數(shù)，因此在目標(biāo)頻帶可獲得較好的電磁吸附特性。
關(guān)于添加陶瓷顆粒的混和比，當(dāng)陶瓷對軟磁金屬顆粒的體積混和比低于20體積％時，不能顯著改良電阻率。此外，當(dāng)非磁性陶瓷的體積混和比超過80體積％時，復(fù)合磁性顆粒的磁導(dǎo)率過度降低至使電磁波吸收特性退化。根據(jù)這些事實(shí)，優(yōu)選陶瓷的體積混和比是30-60體積％。
在本發(fā)明中，磁性金屬粉末和陶瓷粉末是通過機(jī)械合金化法在超細(xì)狀態(tài)彼此混和而為一統(tǒng)的。本發(fā)明的電磁波吸收體的制造方法的特征在于形成復(fù)合磁性顆粒，其中將磁性金屬顆粒和優(yōu)選超過10％體積比的陶瓷一統(tǒng)化。此外，本發(fā)明的電磁波吸收體的制造方法是所謂的機(jī)械合金化法，其中在罐中容納了由磁性金屬粉末和陶瓷粉末組成的復(fù)合粉末和金屬球或陶瓷球，球徑大于金屬粉末的粒徑，球的用量大于復(fù)合粉末的用量，優(yōu)選球與復(fù)合粉末的重量比為50-100∶1，在高速下旋轉(zhuǎn)該罐，優(yōu)選1500-3000rpm，通過向粉末施加強(qiáng)大能量使超細(xì)狀態(tài)的磁性金屬粉末和陶瓷粉末混和和并一統(tǒng)化。通過該方法，形成其中一統(tǒng)化大量磁性金屬細(xì)粒和陶瓷的復(fù)合磁性顆粒。
即，本發(fā)明的電磁波吸收體的制造方法的特征在于復(fù)合磁性顆粒是通過常規(guī)所謂的合金法形成的，該復(fù)合磁性顆粒中分散有超過10％的超細(xì)磁性金屬顆粒和陶瓷顆粒，在該方法中將由磁性金屬粉末和陶瓷粉末組成的復(fù)合金屬粉末混和并一統(tǒng)化成超細(xì)狀態(tài)。由于通過形成超細(xì)狀態(tài)，使復(fù)合磁性顆粒在高頻區(qū)有高電阻率，因此可獲得高磁性。因此，可獲得高電磁波吸收性。
本發(fā)明的電磁波吸收體的特征在于上述的復(fù)合磁性顆粒，優(yōu)選20-70重量％的復(fù)合磁性顆粒分散于其電阻率高于復(fù)合磁性顆粒的材料中，特別是樹脂、絕緣漆或陶瓷燒結(jié)材料。其中，將復(fù)合磁性顆粒分散于電阻率高于復(fù)合磁性顆粒的材料中的原因在于，復(fù)合磁性顆粒本身的電阻率沒有小到足以滿足作為電磁波吸收體的需要，并且通過改變復(fù)合磁性顆粒的混和比可增加設(shè)計(jì)波吸收體的自由度。因此根據(jù)這一觀點(diǎn)可以說復(fù)合磁性材料的顆粒形優(yōu)于薄膜形。
上所述，本發(fā)明的由復(fù)合磁性顆粒組成的電磁波吸收體可廣泛用于各種用途，例如通過將電磁波吸收體混入密封型半導(dǎo)體包裝的包封樹脂中可在半導(dǎo)體元件程度范圍防止輻射噪聲；或通過將電磁波吸收體混入由樹脂制成的電路板或由金屬氧化物陶瓷制成的電路板中吸收電路板本身產(chǎn)生的電磁波；或通過將電磁波吸收體與絕緣漆一起涂覆到金屬制成的電子器件外殼的內(nèi)表面可防止內(nèi)部干擾。
本發(fā)明的復(fù)合件的特征在于，該復(fù)合件包括粒徑小于10μm的復(fù)合磁性顆粒，在該復(fù)合磁性顆粒中超過20體積％的磁性金屬顆粒和陶瓷一體化；或復(fù)合磁性顆粒，其中通過用陶瓷包封大量磁性金屬微粒使大量磁性金屬微粒和陶瓷一體化；或復(fù)合磁性顆粒，其中通地將棒型陶瓷包埋于磁性金屬顆粒中使磁性金屬顆粒和陶瓷一體化。
本發(fā)明的復(fù)合件的特征在于該復(fù)合件包括任何一種粒徑小于10μm的復(fù)合磁性顆?；蚱浣M合，在該復(fù)合磁性顆粒中優(yōu)選超過10體積％的磁性金屬顆粒和陶瓷一統(tǒng)化；和復(fù)合磁性顆粒，其中通過用陶瓷包封大量磁性金屬微粒使大量磁性金屬微粒和陶瓷一統(tǒng)化；和復(fù)合磁性顆粒，其中通過將陶瓷包埋入磁性金屬顆粒中使磁性金屬顆粒和陶瓷成一統(tǒng)。該復(fù)合件可通過與上文所述相似的方法制造。
本發(fā)明涉及一種通過復(fù)合磁性顆粒與電阻率高于復(fù)合磁性顆粒的物質(zhì)復(fù)合形成的復(fù)合件，其中在復(fù)合磁性顆粒中磁性金屬顆粒和陶瓷被一統(tǒng)化。
此外，本發(fā)明涉及一種通過混和復(fù)合磁性顆粒與至少一種選自電阻率高于復(fù)合磁性顆粒的樹脂、氧化鋁和二氧化硅的物質(zhì)形成的復(fù)合件，其中在復(fù)合磁性顆粒中磁性金屬顆粒和陶瓷已一體化。
優(yōu)選陶瓷在復(fù)合磁性顆粒中含10-75vol％，并且是分散于磁性金屬顆粒中的顆粒狀結(jié)構(gòu)。此外，在本發(fā)明中，優(yōu)選復(fù)合磁性顆粒是通過將磁性金屬的細(xì)晶體和陶瓷經(jīng)一體化形成的，所述磁性金屬的細(xì)晶體的平均粒徑小于50nm，優(yōu)選小于20nm，所述陶瓷占10體積％，優(yōu)選15-70體積％，所述復(fù)合磁性顆粒的平均晶粒尺寸小于50nm。此外，所述磁性金屬顆粒和陶瓷的材料如上所述。
電磁波吸收體的特征在于復(fù)合磁性顆粒表面涂覆了一種電阻率高于該復(fù)合磁性顆粒的物質(zhì)；和在于復(fù)合磁性顆粒的長寬比大于2，并且是扁圓形的；和在于該復(fù)合磁性顆粒均勻地分散于具有高電阻率的物質(zhì)中；和在于扁圓形復(fù)合磁性顆粒在具有高電阻率的物質(zhì)中以單一方向被定向；和在于具有高電阻率的物質(zhì)是一種聚合物或陶瓷燒結(jié)材料。
與單相金屬顆粒相比，通過形成具有如上所述結(jié)構(gòu)的復(fù)合磁性顆粒，即具有高電阻率的陶瓷包住超細(xì)磁性金屬晶體的結(jié)構(gòu)，可改良在GHz波段的電阻率，此外還可改良復(fù)合比磁導(dǎo)率。
其中，當(dāng)構(gòu)成復(fù)合磁性顆粒的磁性金屬的晶粒尺寸(增大)時，金屬晶體之間的交換相互作用削弱以致使軟磁性退化。因此，磁導(dǎo)率降低，電阻率增加。
結(jié)果，本發(fā)明中構(gòu)成復(fù)合磁性顆粒的磁性金屬的晶粒尺寸優(yōu)選低于50nm，特別優(yōu)選低于20nm。
此外，通過控制陶瓷在復(fù)合磁性顆粒中所占的體積比，可控制涉及復(fù)合比磁導(dǎo)率和復(fù)合比介電常數(shù)的電磁波吸收特性的參數(shù)。因此，在目標(biāo)波段可獲得良好的電磁波吸收特性。當(dāng)陶瓷對磁性金屬的體積混和比低于10體積％時，因?yàn)殡娮杪蕸]有顯著增加，使復(fù)合比磁導(dǎo)率變高，但由于渦電流的損耗使GHz區(qū)的復(fù)合比磁導(dǎo)率迅速降低。此外，復(fù)合比介電常數(shù)的虛數(shù)部分變得太大以致于不能獲得足夠的電磁波吸收特性。特別是在陶瓷相是非磁性的情況下，當(dāng)陶瓷的體積混和比超過70體積％時，復(fù)合磁性顆粒的復(fù)合比磁導(dǎo)率和復(fù)合比介電常數(shù)的實(shí)數(shù)部分減少至非常低。因此，為了獲得充分的電磁波吸收特性，需要電磁波吸收體具有相當(dāng)厚的厚度。根據(jù)上述原因，優(yōu)選陶瓷對軟磁性金屬顆粒的體積混和比是20-70體積％。
本發(fā)明的電磁波吸收體的特征在于優(yōu)選20-80體積％的復(fù)合磁性顆粒被分散于電阻率高于該復(fù)合磁性顆粒的物質(zhì)中，特別是樹脂、絕緣漆或陶瓷燒結(jié)材料。
在本發(fā)明中，與通常使用的單相金屬顆粒相比，通過形成具有高電阻率的陶瓷包住超細(xì)磁性金屬晶體的結(jié)構(gòu)的復(fù)合磁性顆粒，可提高在GHz波段的電阻率，此外還可提高復(fù)合比磁導(dǎo)率。
此外，通過通過控制陶瓷在復(fù)合磁性顆粒中所占的體積比，可控制涉及復(fù)合比磁導(dǎo)率和復(fù)合比介電常數(shù)的電磁波吸收特性的參數(shù)。因此，在目標(biāo)波段可獲得良好的電磁波吸收特性當(dāng)陶瓷相對磁性金屬相的體積混和比低于20體積％時，電阻率沒有顯著增加。特別是當(dāng)陶瓷的體積混和比超過70體積％時，復(fù)合磁性顆粒的磁導(dǎo)率減少至非常低。因此，電磁波吸收體的厚度不能制得更薄。根據(jù)上述原因，優(yōu)選陶瓷對軟磁性金屬顆粒的體積混和比是20-70體積％。
將復(fù)合磁性顆粒分散于電阻率高于復(fù)合磁性顆粒的材料中的原因在于①作為電磁波吸收體，復(fù)合磁性顆粒本身的電阻率不夠高，和②因?yàn)樾纬闪耸褂迷搹?fù)合磁性顆粒作為電極的微電容，可使復(fù)合比介電常數(shù)的實(shí)數(shù)部分變大，和③通過控制顆粒形狀和復(fù)合磁性顆粒的分散形式可控制復(fù)合比磁導(dǎo)率和復(fù)合比介電常數(shù)的頻率特征，和④通過控制復(fù)合磁性顆粒與絕緣樹脂的體積混和比，可控制復(fù)合比磁導(dǎo)率和復(fù)合比介電常數(shù)的頻率特征。
在本發(fā)明中，與兩層結(jié)構(gòu)如磁性金屬單相顆粒和絕緣樹脂的復(fù)合體或磁性金屬單相顆粒和陶瓷的復(fù)合體相比，磁性金屬相、高電阻率陶瓷相和絕緣材料相的三相結(jié)構(gòu)更為優(yōu)選，該三相結(jié)構(gòu)是通過用電阻率高于復(fù)合磁性顆粒的絕緣材料與該復(fù)合磁性顆粒一體化而形成的。
其中，為進(jìn)一步改善電磁波吸收性優(yōu)選形成的復(fù)合磁性顆粒的形狀是扁圓形的，其長寬比大于2，厚度薄于趨膚深度，并且該扁圓形復(fù)合磁性顆粒在具有高電阻率的物質(zhì)中被定向。即，通過抑制由于渦電流導(dǎo)致的復(fù)合比磁導(dǎo)率的迅速降低，和通過降低由于顆粒形狀產(chǎn)生的消磁場效應(yīng)和增大由于形狀的各向異磁性的磁共振頻率來增加磁導(dǎo)率，和通過增加電容電極的面積改良復(fù)合比介電常數(shù)的實(shí)數(shù)部分，可進(jìn)一步改善電磁波吸收性和實(shí)現(xiàn)使電磁波吸收體變薄。
將適用于本發(fā)明的磁性金屬的細(xì)晶粒(下文稱為磁性金屬顆粒)和陶瓷一體化的方法如下。即，機(jī)械合金化方法；和通過霧化方法制造合金粉，然后通過對該合金物進(jìn)行熱處理分別產(chǎn)生軟磁性金屬相和陶瓷相的方法，其中的合金粉是由磁性金屬和具有對氧、氮和碳的親和力高于該磁性金屬的元素組成的，并且含有高含量的任何一種這些氣體元素；和通過霧化方法制造合金粉，然后在含有氧、氮和碳任何一種的氣氛中對該合金粉進(jìn)行熱處理的方法，其中的合金粉是由磁性金屬和具有對氧、氮和碳的親和力高于該磁性金屬的元素組成的，并且含有高含量的任何一種這些氣體元素；和分別產(chǎn)生軟磁性金屬相和陶瓷相的方法；和使用金屬醇鹽的溶膠-凝膠方法。制造方法并不限于上述方法，但制造方法應(yīng)能最終獲得由磁性金屬顆粒相和高電阻率的陶瓷相組成的復(fù)合磁性顆粒。
為了增加復(fù)合磁性顆粒本身的電阻率，可以在產(chǎn)生復(fù)合磁性顆粒的同時在該復(fù)合磁性顆粒表面形成高電阻率的膜如氧化物膜或氮化物膜。
此外，可以通過機(jī)械一體化方法，優(yōu)選使用一種剪切型磨機(jī)通過機(jī)械-熔合方法用高電阻率的材料涂覆復(fù)合磁性顆粒的表面。
將復(fù)合磁性顆粒與30-80體積％的絕緣聚合物材料捏合。優(yōu)選的絕緣聚合物材料是聚酯類樹脂；聚氯乙烯類樹脂；polyvinyl butylal樹脂；聚氨酯樹脂；纖維素類樹脂；這些樹脂的共聚物；環(huán)氧樹脂；酚醛樹脂；酰胺類樹脂；酰亞胺類樹脂；尼龍；丙烯酸樹脂；合成橡膠；等。優(yōu)選環(huán)氧樹脂。當(dāng)向樹脂中填充復(fù)合磁性顆粒的體積填充率超過50體積％時，樹脂復(fù)合體的電阻率由于復(fù)合磁性顆粒本身之間的接觸而降低。因此，必須同時加入硅烷基團(tuán)、烷基化基團(tuán)或鈦酸鹽基團(tuán)的偶合處理劑，或磷酸鎂-硼酸鎂絕緣處理劑。
如上所述，通過單獨(dú)或結(jié)合使用表面氧化方法、機(jī)械一體化方法或化學(xué)表面處理方法用高電阻率材料涂覆復(fù)合磁性顆粒表面，可提高復(fù)合比磁導(dǎo)率和復(fù)合比介電常數(shù)的實(shí)數(shù)部分和電磁波吸收性并且即使當(dāng)復(fù)合磁性與樹脂的混和比增加時，也可保持電阻率恒定。
經(jīng)考慮，本發(fā)明電磁波吸收體有下列應(yīng)用。
(1)在樹脂密封型的半導(dǎo)體集成電路中，將復(fù)合磁性顆?；烊朊芊鈽渲?，從而在半導(dǎo)體元件范圍的抑制輻射噪聲。
(2)在印刷電路板中，將包括本發(fā)明的電磁波吸收體的涂料直接涂覆或?qū)⒃撏苛闲纬傻钠文べN到其上形成有電路的表面和無電路的絕緣板表面上，形成電磁波吸收層。由此可抑制由于產(chǎn)自印刷電路板的電磁波而出現(xiàn)的噪聲如串音現(xiàn)象。特別是可獲得具有高可靠性的高密度和高集成化多層電路板。其中，多層電路板是第一層線路層形成于半導(dǎo)體板的至少一側(cè)的主表面上，絕緣膜形成于第一層線路多層表面上，第二層線路層與第一層線路層通過形成于絕緣膜上的通孔電連接，重復(fù)這一迭層工序，形成多層線路。
(3)將一個由復(fù)合磁性顆粒和電阻率高于該復(fù)合磁性顆粒的材料制成的殼安裝在印刷電路板上以便封住噪聲源半導(dǎo)體元件。由此，可有效地吸收從半導(dǎo)體元件中發(fā)射出的電磁波，和抑制電磁波內(nèi)部干擾。
將含復(fù)合磁性顆粒的絕緣漆涂覆到金屬電子設(shè)備殼的內(nèi)表面，或使用由復(fù)合磁性顆粒和樹脂形成的電子設(shè)備殼。由此可抑制電磁波內(nèi)部干擾。
此外，本發(fā)明的特征在于一種半導(dǎo)體器件，其中用含電磁波吸收體的樹脂密封安裝在印刷電路板上的半導(dǎo)體元件，其中在元件側(cè)面的樹脂被不含電磁波吸收體的樹脂覆蓋。本發(fā)明的特征還在于一種印刷電路板，該印刷電路板包括在絕緣板上的線路，該線路被絕緣層覆蓋，其中在絕緣板背面有線路的面上并且在絕緣層上形成多個包括電磁波吸收體的層。
此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件是安裝在印刷電路板上的半導(dǎo)體元件被一個金屬殼覆蓋，該金屬殼的內(nèi)周表面是由電磁波吸收體形成的；或安裝在印刷電路板上的半導(dǎo)體元件被含有電磁波吸收體的殼覆蓋；或印刷電路板和安裝在板上的半導(dǎo)體元件被含有電磁波吸收的殼覆蓋。優(yōu)選將上述材料用作電磁波吸收體，在本發(fā)明中的每種半導(dǎo)體器件中使用。
在本發(fā)明中，在包含用于高速通信網(wǎng)絡(luò)的電-光轉(zhuǎn)換器的光發(fā)送或接收模件中，通過用含有復(fù)合磁性顆粒和陶瓷的電磁波吸收體，或用其中一統(tǒng)化復(fù)合磁性顆粒和電阻率高于該復(fù)合磁性顆粒的材料這樣的電磁波吸收體覆蓋光發(fā)送元件或光接收元件以及相關(guān)電路，可抑制該模件外發(fā)射的電磁波和該模件內(nèi)的噪聲干擾。用于本發(fā)明的電磁波吸收體如上所述。
根據(jù)本發(fā)明，與由簡單混和的粉末制成的電磁波吸收體相比，由復(fù)合磁性顆粒組成的電磁波吸收體可得到具有優(yōu)異的電磁波吸收性的顯著效果，所述復(fù)合磁性顆粒中磁性金屬和非磁性或磁性陶瓷以超細(xì)分散的形式一體化。
此外，根據(jù)本發(fā)明，電磁波吸收體是通過將復(fù)合磁性顆粒一體化而形成的，每個復(fù)合磁性顆粒是由磁性金屬的細(xì)晶粒(磁性金屬顆粒)和陶瓷相組成的，特別是該細(xì)晶粒包括至少一種非磁性或磁性氧化物、碳化物和氮化物，并且該物質(zhì)的電阻率高于復(fù)合磁性顆粒。該電磁波吸收體在高頻區(qū)，特別是在GHz區(qū)具有良好的電磁波吸收性，并且可形成薄電磁波吸收體的形式，可有效抑制電子設(shè)備內(nèi)部的電磁波干擾。


圖1是顯微照片(透射電子顯微鏡照片)，表示本發(fā)明的Fe-SiO2磁性復(fù)合顆粒的橫截面。
圖2的曲線圖表示本發(fā)明磁性復(fù)合顆粒的磁導(dǎo)率和對照的混和粉末磁導(dǎo)率的頻率特征的測量結(jié)果。
圖3的曲線圖表示本發(fā)明的磁性復(fù)合顆粒的介電常數(shù)和對比的混和粉末介電常數(shù)的頻率特征的測量結(jié)果。
圖4的曲線圖表示本發(fā)明的磁性復(fù)合顆粒的反射率和對比的混和粉末的反射率的頻率特征的測量結(jié)果。
圖5是高分辨率透射電子顯微鏡照片，表示本發(fā)明的復(fù)合磁性顆粒的橫截面。
圖6的曲線圖表示磁性復(fù)合顆粒的復(fù)合比磁導(dǎo)率的頻率特征，其中的復(fù)合磁性顆粒中磁性金屬相和陶瓷相以納米級成一體。
圖7的曲線圖表示磁性復(fù)合顆粒的復(fù)合比介電常數(shù)的頻率特征，其中的復(fù)合磁性顆粒中磁性金屬相和陶瓷相以納米級成一體。
圖8的曲線圖表示磁性復(fù)合顆粒的電磁波吸收特性，其中的復(fù)合磁性顆粒中磁性金屬相和陶瓷相以納米級成一體。
圖9是表示其中的扁圓形復(fù)合磁性顆粒于樹脂中已定向的電磁波吸收體的橫截面視圖。
圖10是半導(dǎo)體集成元件的橫截面視圖，該集成元件用混和了復(fù)合磁性顆粒的密封樹脂澆鑄在一個封裝中。
圖11是具有電磁波吸收層的印刷電路板的橫截面視圖，所述電磁波吸收層是由本發(fā)明的電磁波吸收體形成的。
圖12是電磁波吸收殼的橫截面視圖，該電磁波吸收殼安置在印刷電路板上以便封閉噪聲源半導(dǎo)體元件。
圖13是由本發(fā)明的電磁波吸收體形成的電子設(shè)備殼的橫截面視圖。
圖14是完全被含有復(fù)合磁性顆粒的樹脂混和物密封的光發(fā)送模件的橫截面視圖，其外面進(jìn)一步被金屬殼覆蓋。
圖15是除去金屬殼的光發(fā)送模件的橫截面視圖。
圖16是兩層結(jié)構(gòu)的光發(fā)送模件的橫截面視圖，其中只有線路部分被不含復(fù)合磁性顆粒的絕緣樹脂密封，絕緣樹脂外部被含有復(fù)合磁性顆粒的樹脂混和物密封。
圖17是光學(xué)發(fā)送和接收模件的第一種形式的平面視圖。
圖18是表示使用電子收費(fèi)系統(tǒng)(ETC)的收費(fèi)站的構(gòu)造的橫截面視圖，其中將本發(fā)明的電磁波吸收體安裝在收費(fèi)站屋頂?shù)奶旎ò灞砻婧椭又小?br> 圖19是本發(fā)明的具有多層結(jié)構(gòu)的電磁波吸收體的橫截面視圖。
(實(shí)施方案1)將50體積％粒徑1-5μm的Fe粉與50體積％平均粒徑0.3μm的SiO2粉的混和粉末和由SUS410(直徑9.5mm)制成的球，以粉末∶球＝1-80的重量比一起倒入不銹鋼制成的罐中，罐中充滿氬氣，以200rpm的轉(zhuǎn)速進(jìn)行MA(機(jī)械合金化)處理100小時。經(jīng)過MA處理后的復(fù)合磁性顆粒是具有復(fù)雜形狀的不確定形狀，其平均粒徑是幾十微米。
圖1是使用TEM觀察復(fù)合磁性顆粒得到的結(jié)構(gòu)的TEM照片。照片中黑色部分的Fe的晶粒粒徑是10nm，該復(fù)合磁性顆粒具有復(fù)雜形狀，白色部分的Si氧化物形成網(wǎng)形以便封入粒徑低于l00nm的Fe顆粒。粒徑低于2nm的細(xì)Fe顆粒是獨(dú)立形成的，粒徑大于該細(xì)粒的復(fù)雜形狀的Fe顆粒是通過聚集細(xì)粒形成的。此外，Si氧化物分散于Fe晶粒邊界中，F(xiàn)e粒和Si氧化物交替形成扁圓形。此外，Si氧化物也形成棒形，形成的粒徑低于0.05μm和長度為0.2-0.5μm的Si氧化物的密度總計(jì)為10-20/1μm2。
此外，經(jīng)過MA后，在真空(真空度超過10-6乇)中500℃下對復(fù)合磁性顆粒退火1小時。之后，將與環(huán)氧樹脂的體積比為50％的復(fù)合磁性顆粒與環(huán)氧樹脂捏合，并壓成片形，然后對片用210千克力在180℃單軸加壓老化。之后，將老化過的片最后加工成外徑7-0.05mm、內(nèi)徑3.04+0。06mm、厚2mm和4mm的圓環(huán)形。
當(dāng)使用由網(wǎng)絡(luò)分析器(HP8720c產(chǎn)品)和同軸波導(dǎo)組成的測量系統(tǒng)測量試樣的復(fù)合比介電常數(shù)和復(fù)合比磁導(dǎo)率時，該測量系統(tǒng)已經(jīng)過較準(zhǔn)使自由空間的磁導(dǎo)率和介電常數(shù)為1，將試樣插入同軸波導(dǎo)使用兩個端口測量兩個參數(shù)S11和S21，然后根據(jù)測定的參數(shù)計(jì)算復(fù)合比介電常數(shù)和復(fù)合比磁導(dǎo)率。
此外，當(dāng)測量反射性時，先經(jīng)過較準(zhǔn)使自由空間的反射系數(shù)為0，將試樣插入同軸波導(dǎo)中測量參數(shù)S11，然后根據(jù)測得的參數(shù)計(jì)算試樣的反射系數(shù)。測定頻率的范圍是50MHz-20GHz。
為研究絕緣的金屬氧化物顆粒分散于軟磁性金屬顆粒中的復(fù)合磁性顆粒的作用，使用通過本發(fā)明的方法制造的Fe-50體積％SiO2和試樣，測量復(fù)合比磁導(dǎo)率、復(fù)合比介電常數(shù)和反射系數(shù)的頻率特征，該試樣是在與MA處理相同的條件下分別對Fe粉和SiO2粉進(jìn)行機(jī)械研磨處理，然后將粉末低溫退火，之后使用V-混和器將兩種退火粉末簡單混和，然后與環(huán)氧樹脂形成復(fù)合結(jié)構(gòu)得到的。比較結(jié)果示于圖2-圖4中。
根據(jù)圖2，很清楚在高頻區(qū)復(fù)合磁性顆粒試樣的復(fù)合比磁導(dǎo)率的實(shí)數(shù)部分和虛數(shù)部分均高于使用V-混和器簡單混和Fe粉和SiO2粉得到的試樣。
根據(jù)圖3，很清楚復(fù)合磁性顆粒試樣的復(fù)合比介電常數(shù)的實(shí)數(shù)部分和虛數(shù)部分均由于該復(fù)合結(jié)構(gòu)而稍微降低，因此易于調(diào)節(jié)阻抗與自由空間匹配。
圖4表示在試樣厚108mm的情況下，反射系數(shù)的頻率特征。復(fù)合磁性顆粒的反射系數(shù)較小，復(fù)合磁性顆粒的中央頻率(反射系數(shù)最小處的頻率)在較低的頻率側(cè)。此外，在復(fù)合磁性顆粒試樣中，滿足反射系數(shù)低于-10dB的頻率帶寬較寬。
根據(jù)上述結(jié)果，很清楚與簡單混和兩種粉末得到的試樣相比，在軟磁性金屬粉末和絕緣金屬氧化物以納米級范圍一體化得到的復(fù)合磁性顆粒的電磁波吸收性有所改善。
(實(shí)施方案2)將粒徑1-5μm的Fe粉與平均粒徑0.7μm的軟磁性金屬氧化物粉(Ni-Zn-Cu)Fe2O4或(Mn-Zn)Fe2O4(以50∶50的體積比混和)的混和粉末和由SUS410(直徑9.5mm)制成的球，以粉末∶球＝1-80的重量比一起倒入不銹鋼制成的罐中，罐中充滿氬氣，以200rpm的轉(zhuǎn)速進(jìn)行MA(機(jī)械合金化)處理100小時。經(jīng)過MA處理后的復(fù)合磁性顆粒是不確定形狀的，其平均粒徑是幾十微米。而且，使用TEM觀察該復(fù)合磁性顆粒的結(jié)果與實(shí)施方案1相似。Fe的晶粒粒徑是大約10nm，包括軟磁性金屬氧化物成分的氧化物在晶粒界面上被細(xì)微地分散成網(wǎng)形。在真空中(真空度超過10-6托)500℃下將復(fù)合磁性顆粒退火1小時。該復(fù)合磁性顆粒表現(xiàn)出與實(shí)施方案1相似的結(jié)構(gòu)。
為研究復(fù)合磁性顆粒的作用，使用本發(fā)明的復(fù)合磁性顆粒和如下制備的試樣測量各種特性，該試樣的制造是在與MA處理相同的條件下分別對Fe粉和軟磁性金屬氧化物粉進(jìn)行機(jī)械研磨處理，然后將粉末低溫退火，之后使用V-混和器將兩種退火粉末簡單混和，然后與環(huán)氧樹脂形成復(fù)合結(jié)構(gòu)。根據(jù)比較結(jié)果，得到與實(shí)施方案1相似的作用。
(實(shí)施方案3)將粒徑1-5μm的Fe粉與平均粒徑1.0μm的Si粉以50∶50的體積比混和的混和粉末和如上所述由SUS410制成的球，以粉末∶球＝1-80的重量比一起倒入不銹鋼制成的罐中，罐中充滿氧氣(Ar∶O2＝4∶1)，以200rpm的轉(zhuǎn)速進(jìn)行機(jī)械合金化(MA)處理100小時。經(jīng)過MA處理后的復(fù)合粉是不確定形狀的，其平均粒徑是5.0μm。而且，根據(jù)使用TEM觀察該復(fù)合磁性顆粒的結(jié)果，F(xiàn)e的晶粒粒徑是大約10nm，包括Si氧化物成分的氧化物在晶粒界面上被細(xì)微地分散成網(wǎng)形。而且，根據(jù)X-射線衍射分析的結(jié)果，證實(shí)有鐵氧化物(Fe2O3，F(xiàn)e3O4)。以類似于上述方法，測量與環(huán)氧樹脂混和的復(fù)合磁性顆粒的各種特性。結(jié)果，得到與通過實(shí)施方案1的方法制造的復(fù)合磁性顆粒相似的結(jié)構(gòu)和特性。
(實(shí)施方案4)用高電阻率的非磁性或磁性氧化物涂覆從實(shí)施方案1-3獲得的復(fù)合磁性顆粒的顆粒表面。使用的涂覆方法是表面氧化法或機(jī)械組成法(mechanicalcomposition method)。
通過在復(fù)合磁性顆粒的制造過程中在退火時將大氣條件設(shè)置成如表面氧化方法的大氣或氧氣環(huán)境，根據(jù)X-射線衍射分析證實(shí)產(chǎn)生了氧化物如Fe3O4。
另一方面，使用一種剪切型磨的機(jī)械熔合法被用作機(jī)械組成法。詳細(xì)地說，使用復(fù)合磁性顆粒(平均粒徑10μm)作為晶核顆粒，SiO2(平均粒徑0.016μm)或(Ni-Zn-Cu)Fe2O4(平均粒徑0.5μm)作為客晶顆粒。將晶核顆粒和客晶顆粒以2∶3的體積比混和，然后倒入機(jī)械熔合裝置中。機(jī)械熔合的條件是真空，轉(zhuǎn)速1000rpm，處理時間3小時。結(jié)果根據(jù)SEM觀察結(jié)果證實(shí)復(fù)合磁性顆粒的表面涂覆了較為緊密的由客晶顆粒形成的氧化物膜.大約1.0μm厚。
(實(shí)施方案5)將70體積％的粒徑1-5μm的Fe粉與30體積％的平均粒徑0。3μm的SiO2粉的混和粉末和由不銹鋼制成的球一起倒入不銹鋼制成的罐中，罐中充滿氬氣，進(jìn)行機(jī)械合金化處理。經(jīng)過機(jī)械合金化處理后的復(fù)合磁性顆粒是不確定形狀的，其平均粒徑是幾十微米。之后，在真空中(真空度超過10-6托)500℃下將復(fù)合磁性顆粒退火1小時。
將磁性金屬的細(xì)晶粒(下文稱為磁性金屬顆粒)和陶瓷粒一體化的方法并不限于上述機(jī)械合金比方法。例如，可使用下列方法。通過霧化方法制造由磁性金屬和對氧、氮和碳的親和力高于該磁性金屬的元素組成的，并且含有高含量的任何一種這些氣體元素的合金粉末，然后通過對該合金粉末進(jìn)行熱處理分別產(chǎn)生軟磁性金屬相和陶瓷相的方法；通過霧化方法制造由磁性金屬和對氧、氮和碳的親和力高于該磁性金屬的元素組成的，并且含有高含量的任何一種這些氣體元素的合金粉末，然后在含有任何一種氧、氮和碳的氣氛中對合金粉末進(jìn)行熱處理的方法；分別產(chǎn)生軟磁性金屬相和陶瓷相的方法；和使用金屬醇鹽的溶膠-凝膠方法。制造方法并不限于上述方法，但制造方法應(yīng)能最終獲得由磁性金屬顆粒相和高電阻率的陶瓷相組成的復(fù)合磁性顆粒。
為了增加復(fù)合磁性顆粒本身的電阻率，可以在產(chǎn)生復(fù)合磁性顆粒的同時在該復(fù)合磁性顆粒表面形成高電阻率的膜如氧化物膜或氮化物膜。
此外，可以通過機(jī)械一體化(unifying)方法，優(yōu)選通過使用一種剪切型磨的機(jī)械-熔合方法用高電阻率的材料涂覆復(fù)合磁性顆粒的表面。詳細(xì)地說，使用復(fù)合磁性顆粒(平均粒徑10μm)作為晶核顆粒，SiO2(平均粒徑0.016μm)或(Ni-Zn-Cu)Fe2O4(平均粒徑0.5μm)作為客晶顆粒。將晶核顆粒和客晶顆粒以2∶3的體積比混和，然后倒入機(jī)械熔合裝置中(優(yōu)選在真空中，轉(zhuǎn)速1000rpm，處理時間3小時)。結(jié)果根據(jù)SEM觀察證實(shí)復(fù)合磁性顆粒的表面涂覆了較為致密的由客晶顆粒形成的氧化物膜，大約1.0μm厚。
圖5是經(jīng)過機(jī)械合金化處理后在真空下退火的復(fù)合磁性顆粒的TEM照片。照片中黑色部分是Fe的細(xì)晶粒，其粒徑是10-20nm。存在無定形Si氧化物以便封入Fe細(xì)晶粒。
然后經(jīng)過干燥和粉碎處理，在室溫下將復(fù)合磁性顆粒壓成片形。再用210千克力在180℃單軸壓制片，使其固化。其中，作為制造樹脂復(fù)合體的其他方法，有注塑法、傳遞成形法等。當(dāng)制造片形樹脂復(fù)合體時，可使用刮涂法、旋涂法、壓延軋制法。
這些樹脂復(fù)合體通過機(jī)械加工和拋光最后加工成外徑7-0.05mm、內(nèi)徑3.04+0.06mm、厚0.5m至2mm的圓環(huán)形。其次，關(guān)于評估性能方法，當(dāng)使用由網(wǎng)絡(luò)分析器(HP8720c產(chǎn)品)和同軸波導(dǎo)組成的測量系統(tǒng)測量試樣的復(fù)合比介電常數(shù)和復(fù)合比磁導(dǎo)率時，該測量系統(tǒng)已經(jīng)過校準(zhǔn)讓自由空間的磁導(dǎo)率和介電常數(shù)為1，將試樣插入同軸波導(dǎo)使用兩個端口測量兩個參數(shù)S11和S21，然后根據(jù)測定的參數(shù)采用Nicolson-Ross，Weir方法計(jì)算復(fù)合比介電常數(shù)和復(fù)合比磁導(dǎo)率。
此外，當(dāng)測量反射性時，先經(jīng)過校準(zhǔn)使自由空間的反射系數(shù)為0，將試樣插入同軸波導(dǎo)中測量參數(shù)S11，然后根據(jù)測得的參數(shù)計(jì)算試樣的反射系數(shù)。測定頻率的范圍是0.1-18GHz。
為比較復(fù)合磁性顆粒與單相Fe顆粒的特性，通過在與機(jī)械合金化處理相同的條件下分別對粒徑1-5μm的鐵粉和平均粒徑0.3μm的二氧化硅粉進(jìn)行機(jī)械研磨處理，將鐵粉和二氧化硅粉以70∶30的體積比放到一起，使用V-混和器充分混和，然后通過如上所述相同方法，將在如上所述同樣條件下退火的混和粉末與環(huán)氧樹脂形成復(fù)合結(jié)構(gòu)來制造試樣。測量試樣的復(fù)合比磁導(dǎo)率、復(fù)合比介電常數(shù)和反射系數(shù)的頻率特征。
圖6至圖8表示復(fù)合磁性顆粒和單相鐵顆粒之間復(fù)合比磁導(dǎo)率、復(fù)合比介電常數(shù)和反射系數(shù)的頻率特征的比較結(jié)果。根據(jù)圖5，很清楚復(fù)合磁性顆粒在高頻區(qū)的復(fù)合比磁導(dǎo)率的實(shí)數(shù)部分和虛數(shù)部分高于鐵粉和二氧化硅粉的簡單混和粉末。根據(jù)圖7，很清楚復(fù)合磁性顆粒的復(fù)合比介電常數(shù)的實(shí)數(shù)部分大于簡單混和粉末，并且復(fù)合磁性顆粒的虛數(shù)部分也略微增加。圖8(a)表示在電磁波吸收體的一面上有金屬板的情況下，反射系數(shù)的頻率特征，復(fù)合磁性顆粒的反射系數(shù)較小。圖8(b)表示電磁波吸收體自身的電磁波吸收量的測量結(jié)果，復(fù)合磁性顆粒的電磁波吸收量較大。
根據(jù)上述結(jié)果，很清楚通過在納米水平將軟磁性金屬顆粒相和高電阻率陶瓷相一體化可提高電磁波吸收性。
(實(shí)施方案6)在實(shí)施方案5中，在使用含Ni、Co而不是Fe或含這些金屬中的至少一種鐵磁性金屬的合金的情況下，例如Fe-Ni組的parmalloy、Fe-Al-Si組鐵硅鋁磁合金、Fe-Ni合金組、Fe-Cr合金組、Fe-Cr-Al合金組，和使用尖晶石組的氧化鋁(Al2O3)、Mn-Zn組鐵氧體、Ni-Zn組鐵氧體作為磁性氧化物，此外六方面型鐵氧體、磁性-planbite型鐵氧體代替二氧化硅的情況下，可得到同樣的效果。
(實(shí)施方案7)為了使在實(shí)施方案5或6中經(jīng)過機(jī)械合金化處理的復(fù)合磁性顆粒的形狀為扁圓形，通過將復(fù)合磁性顆粒與有機(jī)溶劑如乙醇一起置于粉碎機(jī)如行星式球磨(或磨光器)中進(jìn)行濕處理以得到長寬比大于2的扁圓形復(fù)合磁性顆粒。熱處理后，將扁圓形復(fù)合磁性顆粒與液體樹脂混和形成糊狀，通過將剪切力施加于復(fù)合磁性顆粒上的刮涂法形成片形，然后使用熱壓機(jī)壓制成形。根據(jù)使用SEM觀察該薄片的橫截面的結(jié)果，定向扁圓形復(fù)合磁性顆粒，如圖9所示。
預(yù)先制造扁圓形復(fù)合磁性顆粒和樹脂的混和物，然后使用注塑機(jī)注入金屬模具中。根據(jù)使用SEM觀察模制件橫截面的結(jié)果，高度定向扁圓形復(fù)合磁性顆粒，如圖9所示。在扁圓形復(fù)合磁性顆粒高度于樹脂中定向的情況下，與實(shí)施方案5和6相比，改善了復(fù)合比磁導(dǎo)率和復(fù)合比介電常數(shù)的實(shí)數(shù)部分，電磁波吸收性也顯著改良。
(實(shí)施方案8)圖10表示半導(dǎo)體集成元件的橫截面視圖，該集成元件被混和了實(shí)施方案1-7中的復(fù)合磁性顆粒的密封樹脂密封。如圖10所示，通過在微處理器或大規(guī)模集成電路的制造過程中用混和了復(fù)合磁性顆粒的密封樹脂模制包裝，產(chǎn)生于集成電路和構(gòu)成半導(dǎo)體集成元件的內(nèi)部引線的電磁波被吸收，從而抑制內(nèi)部干擾。通過用不含復(fù)合磁性顆粒的樹脂覆蓋半導(dǎo)體元件側(cè)面混和復(fù)合磁性顆粒的密封樹脂，可以防止與引線電接觸。集成電路與外部的電連接是由通過印刷電路板的焊球7進(jìn)行的。引線8是由任何一種金、銅或鋁線制成的。
(實(shí)施方案9)
圖11表示具有電磁波吸收層的印刷電路板的橫截面視圖，所述電磁波吸收層是由實(shí)施方案1-7中所述電磁波吸收體形成的。在包含位于絕緣板9中的電路13的印刷電路板中，將包括電磁波吸收體的涂料直接涂覆或?qū)⒃撏苛闲纬傻钠文べN到絕緣板9上有電路形成的表面上的絕緣層10的一部分或全部和絕緣板9的無電路的相反面，形成電磁波吸收層，其中的電磁波吸收體是由復(fù)合磁性顆粒和電阻率高于該復(fù)合磁性顆粒的物質(zhì)組成的。由此可抑制由于產(chǎn)自印刷電路板的電磁波而出現(xiàn)噪聲如串音現(xiàn)象。此外，通過在每層電磁波吸收層外安置一層導(dǎo)電層，可提高電磁波吸收性，和提高對外部電磁波的屏蔽效應(yīng)。
(實(shí)施方案10)圖12是安置在印數(shù)電路板上以便密封噪聲源半導(dǎo)體元件的電磁波吸收殼的橫截面視圖。本發(fā)明的電磁波吸收殼被安置在印數(shù)電路板上以便密封噪聲源的半導(dǎo)體元件如微處理器、大規(guī)模集成電路系統(tǒng)等。圖12(a)是本發(fā)明的電磁波吸收層安置在金屬殼內(nèi)表面的情況，可屏蔽來自外部的電磁波，吸收從內(nèi)部發(fā)射的電磁波。圖12(b)是使用通過注塑本發(fā)明的電磁波吸收體塑造的殼的情況。通過安裝該殼，可有效吸收從半導(dǎo)體元件發(fā)射的電磁波，從而抑制內(nèi)部干擾。
(實(shí)施方案11)圖13是由本發(fā)明的電磁波吸收體形成的電子沒備殼的橫截面視圖。圖13(a)是將本發(fā)明的電磁波吸收層涂覆到用于電子設(shè)備的金屬殼的內(nèi)表面上，或?qū)⑼ㄟ^注塑形成的電磁波吸收層安置在內(nèi)表面上的情況。圖13(b)是電子設(shè)備殼是通過注塑本發(fā)明的電磁波吸收體模制形成的情況。通過將吸收電磁波的功能添加到上述電子設(shè)備殼上，可抑制電子器件內(nèi)部的電磁波干擾。
(實(shí)施方案12)圖14是表示本發(fā)明的光發(fā)送模件的構(gòu)造的視圖。光發(fā)送模件21包括一條光纖25，一個光導(dǎo)通道(optical guide path)29，一個LD26，一個發(fā)送電路27，一個電路板28等。發(fā)送電路27是由一個用于驅(qū)動激光二極管LD26的LD驅(qū)動器，一個激光輸出控制部件，一個觸發(fā)電路等組成的。實(shí)際上，有引線框、配線等，但在圖中未表示。在本實(shí)施方案中，通過將光發(fā)送模件置于塑模中，向模中倒入含實(shí)施方案1-7所述的復(fù)合磁性顆粒的樹脂混和物，并固化該樹脂混和物使光發(fā)送模件被完全密封。此外，模制的光發(fā)送模件的外部被金屬殼30覆蓋。經(jīng)過如此處理?？梢员Ｗo(hù)元件和板不受水和氣體的損害，同時可吸收和屏蔽電磁波，從而抑制發(fā)送模件內(nèi)部的噪聲干擾，和完全防止電磁波發(fā)射到模件外。
金屬殼30并非始終必備。因此。如圖15所示，模件可只用樹脂混和物密封。這種結(jié)構(gòu)在電磁波的吸收和屏蔽效果方面劣于上述用金屬殼覆蓋的情況，但具有低成本的優(yōu)點(diǎn)。
此外，用絕緣材料涂覆復(fù)合磁性顆粒表面可防止電路之間短路。作為絕緣材料的涂覆方法，有通過在大氣中經(jīng)熱處理在復(fù)合磁性顆粒表面形成有電阻的膜如氧化物膜或氮化物膜的方法；使用硅烷基團(tuán)、烷基化基團(tuán)或鈦酸鹽基團(tuán)的偶合處理劑或磷酸鎂-硼酸鎂絕緣處理劑的化學(xué)成膜方法；和通過使用一種剪切型磨機(jī)的機(jī)械熔合方法將具有較高電阻率的材料涂覆復(fù)合磁性顆粒表面的機(jī)械成膜法。
此外，防止電路間短路的更可靠方法是兩層結(jié)構(gòu)，即用不含復(fù)合磁性顆粒的絕緣樹脂僅密封電路部分，然后在其上用含有復(fù)合磁性顆粒的樹脂密封，如圖16所示。
由于尺寸取決于復(fù)合磁性顆粒的組成，考慮到樹脂混和物的流動性，復(fù)合磁性顆粒的粒徑優(yōu)選低于40μm。復(fù)合磁性顆粒的形狀可以是球形或扁圓形的。從保證樹脂混和物的流動性的觀點(diǎn)來看，復(fù)合磁性顆粒填充樹脂的量優(yōu)選低于60體積％。除了通常用作電子設(shè)備的密封樹脂的環(huán)氧基樹脂外，可用的樹脂是聚酯類樹脂；聚氯乙烯類樹脂；polyvinyl butylal樹脂；聚氨酯樹脂；纖維素類樹脂；這些樹脂的共聚物；環(huán)氧樹脂；酚樹脂；酰胺基樹脂；酰亞胺類樹脂；尼龍；丙烯酸樹脂；合成橡膠；等。
盡管本實(shí)施方案描述的是LD26和發(fā)送電路27，通過用PD和接收電路代替這些可類似地構(gòu)造光接收模件。
(實(shí)施方案13)圖17是光發(fā)送和接收模件的一種光發(fā)送和接收模件的第一形式的平面視圖。光發(fā)送和接收模件23同時包括上述光發(fā)送模件和光接收模件的功能。光發(fā)送部分包括光纖25，光導(dǎo)通道29，LD26，發(fā)送電路27，電路板28等。發(fā)送電路包括用于驅(qū)動激光的LD驅(qū)動器。激光輸出控制部件，觸發(fā)電路等。光接收部分包括光纖25。光導(dǎo)槽29，PD35。接收電路36，電路板28等。接收電路包括具有預(yù)放大功能的預(yù)放大器集成電路，由定時提取部分(clock extractionportion)和等效放大器組成的中央數(shù)據(jù)記錄大規(guī)模集成電路，窄帶濾波器的SAW，APD偏壓控制電路等。實(shí)際上，還有引線框，電路等，但在圖中未表示。
如上所述，在集成了發(fā)送模件和接收模件的發(fā)送和接收模件中，由于先發(fā)送部分和光接收部分之間的噪聲發(fā)送和接收產(chǎn)生的內(nèi)部噪聲干擾特別成問題。
在本實(shí)施方案中，電磁波吸收體的裝配可以與實(shí)施方案12類似地構(gòu)造，如圖14-圖16所示。
在常規(guī)的光發(fā)送和接收模件中，通達(dá)在發(fā)送模件和接收模件之間安裝由金屬制成的屏蔽板可防止噪聲干擾，或通過將每個模件封入金屬制成的包裝中形成單獨(dú)的發(fā)送模件和單獨(dú)的接收模件。然而，這種模件有整個模件尺寸變大，重量變重的問題，此外由于使用的高成本的金屬包裝不能降低成本。通過采用本發(fā)明的構(gòu)造，可防止模件內(nèi)部的噪聲干擾，并且可制成尺寸小、重量輕和低成本的模件。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可提供光發(fā)送模件、光接收模件或同時含有光發(fā)送部分和光接收部分的光發(fā)送和接收模件，這些模件能用于高速電信網(wǎng)絡(luò)，可抑制內(nèi)部噪聲干擾和噪聲發(fā)射到外部，并且可加工成小尺寸、輕重量、高處理速度和高靈敏度的模件。
(實(shí)施方案14)圖18表示使用電子收費(fèi)系統(tǒng)(下文稱為ETC)的收費(fèi)站的構(gòu)造的橫截面視圖。ETC能發(fā)送和接收路旁的通信裝置和安裝在經(jīng)過收費(fèi)站車輛上車內(nèi)裝置之間的信息。
如圖18所示，在入口部分天線40、出口部分天線41和車內(nèi)裝置41之間使用5.8GHz頻率的電磁波以交換付費(fèi)和收費(fèi)所需的信息。由于電磁波與路面43和站頂43的天花板44或柱45之間的多重反射現(xiàn)象使出口部分天線41(直達(dá)波46)發(fā)出的電磁波的傳播變寬。由此，如圖18所示，可預(yù)料由于電磁波干擾會引起誤操作，如對鄰近車道的車輛的干擾問題和車輛間分辨的問題，即發(fā)自出口部分天線41(直達(dá)波46)的電磁波發(fā)送到車輛A48的車內(nèi)裝置，同時路表面43發(fā)射的發(fā)射波47被發(fā)送到后面的車輛B48的車內(nèi)裝置42。因此，通過在站頂44的天花板表面和柱子上裝配含復(fù)合磁性顆粒的電磁波吸收體來吸收反射波可解決上述問題。
常規(guī)的ETC用電磁波吸收體是完整型的，其厚度為幾十厘米。因此，難以將其粘到復(fù)雜形狀的部分上。因此，需要研制涂料型或軟且薄的電磁波吸收體。電磁波吸收體49是由含復(fù)合磁性顆粒的樹脂混和物制成的，根據(jù)樹脂的選擇可制造成涂料型或軟片型。此外，與常規(guī)的軟磁性金屬顆粒相比，復(fù)合磁性顆粒在超過5GHz的高頻區(qū)的電磁波吸收性特別優(yōu)異。因此，本發(fā)明的電磁波吸收體可解決這些問題。
使用含復(fù)合磁性顆粒的樹脂混和物的電磁波吸收體49可制成單層結(jié)構(gòu)。然而，為了改善斜入射性能，形成多層結(jié)構(gòu)更有效，在多層結(jié)構(gòu)中電磁波吸收劑對入射波50的阻抗從波入射表面朝向全反射器的金屬層面逐漸降低。詳細(xì)地說，從波入射表面向金屬層51的面，復(fù)合比磁導(dǎo)率和復(fù)合比介電常數(shù)逐漸下降。為此，需改變同樣組成的復(fù)合磁性顆粒向樹脂中的填充量或樹脂中的復(fù)合磁性顆粒的組成。其中，當(dāng)附著表面是由金屬制成時，金屬層不是必需的。在圖19中，電磁波吸收體49是由三層組成的。由于尺寸取決于復(fù)合磁性顆粒的組成，考慮到樹脂混和物的流動性，復(fù)合磁性顆粒的粒徑優(yōu)選低于40μm。復(fù)合磁性顆粒的形狀可以是球形或扁圓形的，但沒有特別限制。從保證樹脂混和物的流動性的觀點(diǎn)來看，復(fù)合磁性顆粒填充樹脂的量優(yōu)選最大60體積％?？捎玫臉渲梢允侨魏谓^緣聚合物，優(yōu)選實(shí)施方案12中所述的樹脂。
權(quán)利要求
1.一種電磁波吸收體，包括粒徑小于10μm的復(fù)合磁性顆粒，磁性金屬顆粒和陶瓷在該復(fù)合磁性顆粒中成一體。
2.一種包括復(fù)合磁性顆粒的電磁波吸收體，該復(fù)合磁性顆粒中通過用所述陶瓷包封所述大量磁性金屬細(xì)粒將大量磁性金屬細(xì)粒和陶瓷成一體。
3.一種包括復(fù)合磁性顆粒的電磁波吸收體，該復(fù)合磁性顆粒中通過將陶瓷粒包埋于磁性金屬顆粒中使磁性金屬顆粒和大量陶瓷粒成一體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的電磁波吸收體，其中所述磁性金屬是至少一種選自鐵、鈷和鎳的金屬或合金，所述陶瓷是至少一種選自包括鐵、鋁、硅、鈦、鋇、錳、鋅、鎂、鈷和鎳的氧化物、氮化物和碳化物的陶瓷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的電磁波吸收體，其中磁性金屬顆粒和陶瓷是通過將陶瓷粘合到復(fù)合磁性顆粒表面上而成一體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的電磁波吸收體，其中所述復(fù)合磁性顆粒的平均晶粒粒徑小于50nm。
7.一種電磁波吸收體，其中權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述復(fù)合磁性顆粒被分散于電阻率高于該復(fù)合磁性顆粒的物質(zhì)中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電磁波吸收體，其中所述高電阻率物質(zhì)是樹脂、絕緣聚合物漆和陶瓷燒結(jié)材料中的任何一種。
9.一種電磁波吸收體的制造方法，其中的復(fù)合磁性顆粒是通過機(jī)械合金化方法由磁性金屬粉和陶瓷粉形成的，磁性金屬顆粒和陶瓷在其中成一體。
10.一種電磁波吸收體的制造方法，其中的復(fù)合磁性顆粒是通過使用金屬球或陶瓷球的機(jī)械合金化方法，由含有磁性金屬粉和陶瓷粉的復(fù)合粉形成的，磁性金屬顆粒和陶瓷在其中混合并成一體，所述球的尺寸大于金屬粉的粒徑，所述球的體積量大于所述復(fù)合粉的體積量。
11.一種包括復(fù)合磁性顆粒的復(fù)合件，磁性金屬顆粒和陶瓷在復(fù)合磁性顆粒中成一體。
12.一種復(fù)合件，是通過將復(fù)合磁性顆粒和電阻率高于該復(fù)合磁性顆粒的物質(zhì)復(fù)合到一起形成的，在復(fù)合磁性顆粒中有磁性金屬顆粒和陶瓷成一體。
13.一種電磁波吸收體，是通過將復(fù)合磁性顆粒和至少一種選自電阻率高于該復(fù)合磁性顆粒的樹脂、氧化鋁和氧化硅的材料復(fù)合到一起形成的，在復(fù)合磁性顆粒中有磁性金屬顆粒和陶瓷成一體。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-8，12和13任一項(xiàng)所述的電磁波吸收體，其中所述陶瓷與復(fù)合磁性顆粒的體積比是10-75％，并且所述陶瓷是包埋于所述磁性金屬顆粒中的。
15.根據(jù)權(quán)利要求1-8和12-14任一項(xiàng)所述的電磁波吸收體，其中所述復(fù)合磁性顆粒的平均晶粒粒徑小于50nm。
16.根據(jù)權(quán)利要求1-8和12-15任一項(xiàng)所述的電磁波吸收體，其中所述復(fù)合磁性顆粒的表面上涂覆了電阻率高于所述復(fù)合磁性顆粒的物質(zhì)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1-8和12-16任一項(xiàng)所述的電磁波吸收體，其中所述復(fù)合磁性顆粒的長寬比大于2，并且是扁圓形的。
18.根據(jù)權(quán)利要求1-8和12-17任一項(xiàng)所述的電磁波吸收體，其中所述復(fù)合磁性顆粒是均勻分散于所述具有高電阻率的物質(zhì)中的。
19.根據(jù)權(quán)利要求1-8和12-18任一項(xiàng)所述的電磁波吸收體，其中所述扁圓形復(fù)合磁性顆粒沿一個方向于所述高電阻率的物質(zhì)中定向。
20.根據(jù)權(quán)利要求12-19任一項(xiàng)所述的電磁波吸收體，其中所述具有高電阻率的物質(zhì)是聚合物或陶瓷燒結(jié)材料。
21.一種半導(dǎo)體器件，其中安裝在印刷電路板上的半導(dǎo)體元件被含電磁波吸收體的樹脂密封，其中在所述元件一面上的所述樹脂被不含所述電磁波吸收體的樹脂覆蓋。
22.一種包括位于絕緣板上電路的印刷電路板，所述電路被絕緣層覆蓋，其中在所述絕緣板上與形成有所述電路的表面相反的表面上和所述絕緣層上形成了包括電磁波吸收體的層。
23.一種半導(dǎo)體器件，其中安裝在印刷電路板上的半導(dǎo)體元件被金屬殼覆蓋，該金屬殼的內(nèi)周表面是由電磁波吸收體形成的。
24.一種半導(dǎo)體器件，其中安裝在印刷電路板上的的半導(dǎo)體元件被含有電磁波吸收體的殼覆蓋。
25.一種半導(dǎo)體器件，其中的印刷電路板和安裝在所述板上的半導(dǎo)體元件被含有電磁波吸收體的殼覆蓋。
26.一種半導(dǎo)體器件，其中的印刷電路板和安裝在所述板上的半導(dǎo)體元件被內(nèi)周表面由電磁波吸收體形成的金屬殼覆蓋。
27.一種光發(fā)送或接收模件，包括至少一種光發(fā)射元件和光接收元件；和至少一種位于電路板上的發(fā)送電路和接收電路，其中所述電路板、所述元件和所述電路被含有電磁波吸收體的部件覆蓋。
28.一種光發(fā)送或接收模件，包括至少一種光發(fā)射元件和光接收元件；和至少一種位于電路板上的發(fā)送電路和接收電路，其中所述電路板、所述元件和所述電路被內(nèi)表面由含電磁波吸收體的部分覆蓋的金屬殼覆蓋。
29.一種光發(fā)送或接收模件，包括至少一種光發(fā)射元件和光接收元件；和至少一種位于電路板上的發(fā)送電路和接收電路，其中所述電路板、所述元件和所述電路被含有電磁波吸收體的元件覆蓋，和所述元件的外周表面被金屬殼覆蓋。
30.根據(jù)權(quán)利要求27-29中任一項(xiàng)所述的光發(fā)送或接收模件，其中所述電路板、所述元件和所述電路被絕緣樹脂覆蓋。
31.一種自動收費(fèi)站包括收費(fèi)站屋頂；一種安裝在面向經(jīng)過收費(fèi)站車輛入口的入口部分天線；一種安裝在面向經(jīng)過收費(fèi)站車輛出口的出口部分天線；一種用于發(fā)送和接收路旁的通信裝置和安裝在所述車輛上車內(nèi)裝置之間信息的電子收費(fèi)系統(tǒng)，其中包括磁性金屬顆粒和陶瓷的電磁波吸收體形成于所述站頂?shù)乃鲕囕v運(yùn)行側(cè)的表面和用于支撐入口部分天線的出口部分天線的柱子表面。
32.一種自動收費(fèi)站包括收費(fèi)站屋頂；一種安裝在面向經(jīng)過收費(fèi)站車輛入口的入口部分天線；一種安裝在面向經(jīng)過收費(fèi)站車輛出口的出口部分天線；一種用于發(fā)送和接收路旁的通信裝置和安裝在所述車輛上車內(nèi)裝置之間的信息的電子收費(fèi)系統(tǒng)，其中電磁波吸收體形成于所述站頂?shù)乃鲕囕v運(yùn)行一側(cè)的表面和用于支撐入口部分天線的出口部分天線的柱子表面，該電磁波吸收體是由復(fù)合磁性顆粒和電阻率高于該復(fù)合磁性顆粒的物質(zhì)復(fù)合成的，所述復(fù)合磁性顆粒含有磁性金屬顆粒和陶瓷。
33.根據(jù)權(quán)利要求31和32任一項(xiàng)所述的自動收費(fèi)站，其中所述電磁波吸收體具有多層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)的電磁波入射側(cè)的阻抗高于相反側(cè)的阻抗。
34.一種電子器件，其中安裝在印刷電路板上的電子元件被含有電磁波吸收體的樹脂密封。
35.一種包括位于絕緣板上的電路的印刷電路板，其中含有電磁波吸收體的層形成于含有所述電路的所述絕緣板的表面和與所述含有所述電路的表面相反的表面的至少一個上。
36.一種電子設(shè)備殼，其中在具有開口部分(opeing portion)的金屬殼的內(nèi)周表面形成電磁波吸收體。
37.一種自動收費(fèi)站包括收費(fèi)站屋頂；一種安裝在面向經(jīng)過收費(fèi)站車輛入口的入口部分天線；一種安裝在面向經(jīng)過收費(fèi)站車輛出口的出口部分天線；一種用于發(fā)送和接收路旁的通信裝置和安裝在所述車輛上車內(nèi)裝置之間信息的電子收費(fèi)系統(tǒng)，其中在所述收費(fèi)站的表面和收費(fèi)站附近反射電磁波的部件上形成包括磁性金屬顆粒和陶瓷的電磁波吸收體。
全文摘要
本發(fā)明目的是提供一種在超過1GHz的高頻區(qū)有優(yōu)異的電磁波吸收特性的電磁波吸收體,和提供該電磁波吸收體的制造方法和器具。本發(fā)明的電磁波吸收體和復(fù)合件的特征在于磁性金屬顆粒被超過20體積%的陶瓷覆蓋。其制造方法的特征在于復(fù)合磁性顆粒是通過機(jī)械合金化方法由磁性金屬粉和陶瓷粉組成的復(fù)合粉形成的,其中復(fù)合磁性顆粒中有大量磁性金屬顆粒和陶瓷成一體。此外,本發(fā)明提供使用該電磁波吸收體的半導(dǎo)體器件,光發(fā)送模件,光接收模件,光發(fā)送和接收模件,防止由于電磁波干擾而誤操作的自動收費(fèi)站。
文檔編號H01L23/552GK1336793SQ0112072
公開日2002年2月20日 申請日期2001年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月10日
發(fā)明者藤枝正, 池田伸三, 小川宰, 阿部輝宜, 青野泰久 申請人:株式會社日立制作所