專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法、電路基板以及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法、電路基板以及電子裝置。
背景近年來(lái)，正在開(kāi)發(fā)具有將多片半導(dǎo)體芯片重疊起來(lái)的層疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。其中的多數(shù)將連線或引線鍵合到半導(dǎo)體芯片的電極以求得電連接，但為了設(shè)置連線等，要做到小型化是有限度的。
概述本發(fā)明就是為解決這一問(wèn)題而提出來(lái)的，其目的在于提供能夠容易以高可靠性實(shí)現(xiàn)電連接的半導(dǎo)體裝置及其制造方法、電路基板以及電子裝置。
(1)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括在具有電極的半導(dǎo)體元件上，在上述電極的位置形成貫通的第1通孔的第1工序；在包含上述第1通孔內(nèi)側(cè)的區(qū)域，敷設(shè)絕緣材料，使得備有貫通上述絕緣材料的第2通孔的第2工序；以及在上述第1通孔的內(nèi)側(cè)，至少在貫通上述絕緣材料的第2通孔內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電構(gòu)件的第3工序。
按照本發(fā)明，由于導(dǎo)電構(gòu)件設(shè)置在半導(dǎo)體元件的第2通孔內(nèi)，可以期求半導(dǎo)體元件的一個(gè)面和另一個(gè)面實(shí)現(xiàn)電連接。由于導(dǎo)電構(gòu)件設(shè)置在貫通絕緣材料的第2通孔內(nèi)，可以很容易實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體元件與導(dǎo)電構(gòu)件之間的絕緣。
(2)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，還可包括把用上述方法制成的多個(gè)半導(dǎo)體裝置層疊起來(lái)，使上下的上述半導(dǎo)體元件經(jīng)上述導(dǎo)電構(gòu)件進(jìn)行電連接的工序。
按照本發(fā)明，借助于貫通半導(dǎo)體元件的導(dǎo)電構(gòu)件，將多個(gè)半導(dǎo)體元件進(jìn)行電連接。據(jù)此，可以用最小的體積很容易制造例如3疊以上的層疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。
(3)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括
在具有電極的第1和第2半導(dǎo)體元件上，在上述電極的位置形成貫通的第1通孔的第1工序；在包含上述第1通孔內(nèi)側(cè)的區(qū)域，敷設(shè)絕緣材料，使得備有貫通上述絕緣材料的第2通孔的第2工序；以及在上述第1半導(dǎo)體元件的上述電極處設(shè)置導(dǎo)電構(gòu)件進(jìn)行電連接，將上述導(dǎo)電構(gòu)件嵌入上述第2半導(dǎo)體元件的上述第2通孔內(nèi)，同時(shí)使上述第1和第2半導(dǎo)體元件重疊起來(lái)的第3工序。
按照本發(fā)明，可將多個(gè)半導(dǎo)體元件組裝成疊層結(jié)構(gòu)，同時(shí)可使各個(gè)半導(dǎo)體元件的兩面實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通。因此，制造工序可期求得到簡(jiǎn)化。由于導(dǎo)電構(gòu)件設(shè)置在貫通絕緣材料的第2通孔內(nèi)，可以很容易實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體元件與導(dǎo)電構(gòu)件之間的絕緣。
(4)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在上述第2工序內(nèi)，可敷設(shè)上述絕緣材料，使之覆蓋住與上述半導(dǎo)體元件的上述電極形成面相背的面。
按照本發(fā)明，由于可敷設(shè)絕緣材料，使之覆蓋住半導(dǎo)體元件的面，這樣的敷設(shè)十分容易。另外，特別是半導(dǎo)體元件很薄時(shí)，在以后的工序中很容易對(duì)半導(dǎo)體元件進(jìn)行處理。此外，譬如說(shuō)因?yàn)槭褂昧私^緣材料作為半導(dǎo)體元件的應(yīng)力減緩層，可以提高制造過(guò)程中或成品的半導(dǎo)體裝置的可靠性。
(5)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，上述絕緣材料由樹(shù)脂構(gòu)成，采用上述樹(shù)脂作為粘結(jié)劑使多個(gè)上述半導(dǎo)體元件貼合在一起，對(duì)上述樹(shù)脂加熱，使之完成上述樹(shù)脂的固化收縮，借以使上述導(dǎo)電構(gòu)件與上述電極進(jìn)行電連接。
按照本發(fā)明，樹(shù)脂不僅可作為粘結(jié)劑使用，還可利用樹(shù)脂的固化收縮作用對(duì)上下的半導(dǎo)體元件進(jìn)行電連接，從而可簡(jiǎn)化工序。
(6)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在使多個(gè)上述半導(dǎo)體元件貼合前，對(duì)上述樹(shù)脂加熱，可使其粘結(jié)力顯現(xiàn)出來(lái)。
(7)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，上述絕緣材料由樹(shù)脂構(gòu)成，在上述第2工序中，可涂布敷設(shè)上述樹(shù)脂。
按照本發(fā)明，由于僅靠涂布樹(shù)脂即可敷設(shè)絕緣材料，很容易對(duì)半導(dǎo)體元件進(jìn)行處理。即，可以不使用特殊裝置而形成絕緣材料。因此，很容易在短時(shí)間內(nèi)以低成本形成絕緣材料。
(8)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在上述第2工序中，敷設(shè)上述絕緣材料以填埋上述第1通孔，在上述第1通孔的內(nèi)側(cè)可形成上述第2通孔，使得以比上述第1通孔小的孔徑貫通上述絕緣材料。
這樣一來(lái)，通過(guò)形成絕緣材料，確實(shí)可使半導(dǎo)體元件與導(dǎo)電構(gòu)件絕緣。即，可在不使半導(dǎo)體元件發(fā)生電短路的情況下，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體元件兩面之間的電連接。
(9)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，上述導(dǎo)電構(gòu)件是導(dǎo)電膏，在上述第3工序中，可使上述導(dǎo)電膏充填到上述第2通孔內(nèi)。
按照本發(fā)明，由于敷設(shè)導(dǎo)電膏，使之充填第2通孔，故可在不降低半導(dǎo)體元件機(jī)械強(qiáng)度的情況下實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體元件兩面之間的電連接。
(10)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，上述導(dǎo)電構(gòu)件是凸點(diǎn)，在上述第3工序中，可將上述凸點(diǎn)的至少一部分嵌入上述第2半導(dǎo)體元件的上述第2通孔內(nèi)。
(11)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，上述凸點(diǎn)也可以由多個(gè)層疊起來(lái)。
(12)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在上述第3工序以后，可使上述凸點(diǎn)熔融，充填到上述第2通孔內(nèi)。
按照本發(fā)明，由于第2通孔得到充填，可增高半導(dǎo)體元件的機(jī)械強(qiáng)度。
(13)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，可形成上述第2通孔，使其附有越接近上述半導(dǎo)體元件的上述電極就變得越小的圓錐面。
按照本發(fā)明，例如可很容易將固體的導(dǎo)電構(gòu)件嵌入第2通孔內(nèi)。
(14)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，可形成上述第2通孔，使其附有越遠(yuǎn)離上述半導(dǎo)體元件的上述電極就變得越小的圓錐面。
按照本發(fā)明，可期求防止在第2通孔內(nèi)設(shè)置的導(dǎo)電構(gòu)件松脫。
(15)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，上述第1通孔或上述第2通孔至少有某一個(gè)可用激光光束形成。
按照本發(fā)明，可以很容易在半導(dǎo)體元件內(nèi)形成小孔。因此，即使半導(dǎo)體元件的電極外形很小，也能在電極位置處確實(shí)形成貫通半導(dǎo)體元件的通孔。
(16)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，上述激光光束可從與上述半導(dǎo)體元件的上述電極形成面相背的面照射。
按照本發(fā)明，很難使因使用激光光束而生成的堆積物堆積在電極上。因此，可很容易形成通孔，形成可靠性高的半導(dǎo)體元件。
(17)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置應(yīng)用上述半導(dǎo)體裝置的制造方法制造而成。
(18)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括具有電極、在上述電極位置形成通孔的半導(dǎo)體元件；在包含上述通孔的內(nèi)表面的區(qū)域敷設(shè)的絕緣材料；以及通過(guò)上述通孔的中心軸而設(shè)置的導(dǎo)電構(gòu)件。
按照本發(fā)明，借助于設(shè)置在通孔內(nèi)的導(dǎo)電構(gòu)件，半導(dǎo)體元件的一個(gè)面與另一個(gè)面可實(shí)現(xiàn)電連接。在半導(dǎo)體元件內(nèi)部，由于能實(shí)現(xiàn)兩個(gè)面之間的導(dǎo)通，可提供小型的半導(dǎo)體裝置。
(19)在該半導(dǎo)體裝置中，上述導(dǎo)電構(gòu)件可填埋上述通孔而設(shè)置。
按照本發(fā)明，不會(huì)使半導(dǎo)體元件的機(jī)械強(qiáng)度降低。
(20)在該半導(dǎo)體裝置中，上述通孔附有越接近上述半導(dǎo)體元件的上述電極就變得越小的圓錐面。
(21)在該半導(dǎo)體裝置中，上述通孔附有越遠(yuǎn)離上述半導(dǎo)體元件的上述電極就變得越小的圓錐面。
按照本發(fā)明，可期求防止設(shè)置在通孔內(nèi)的導(dǎo)電構(gòu)件松脫。
(22)在該半導(dǎo)體裝置中，上述絕緣材料使上述導(dǎo)電構(gòu)件露出，同時(shí)可覆蓋住與上述半導(dǎo)體元件的上述電極形成面相背的面而敷設(shè)。
按照本發(fā)明，例如可減緩施加到半導(dǎo)體元件上的應(yīng)力。因此，可提供可靠性高的半導(dǎo)體裝置。
(23)在該半導(dǎo)體裝置中，在與上述半導(dǎo)體元件的上述電極形成面相背的一側(cè)，上述導(dǎo)電構(gòu)件有一部分可突出到上述通孔的外側(cè)。
按照本發(fā)明，在層疊到另一半導(dǎo)體裝置上時(shí)，很容易以突出的部分作為基準(zhǔn)進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的位置對(duì)準(zhǔn)。
(24)在該半導(dǎo)體裝置中，可使上述半導(dǎo)體裝置層疊起來(lái)，上下的上述半導(dǎo)體元件通過(guò)上述導(dǎo)電構(gòu)件進(jìn)行電連接。
(25)本發(fā)明的電路基板裝載有上述半導(dǎo)體裝置。
(26)本發(fā)明的電子裝置有上述半導(dǎo)體裝置。
附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明

圖1A～1C是應(yīng)用本發(fā)明的第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法示意圖。
圖2A～2C是應(yīng)用本發(fā)明的第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法示意圖。
圖3是應(yīng)用本發(fā)明的第1實(shí)施例的變例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說(shuō)明圖。
圖4A和4B是應(yīng)用本發(fā)明的第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法示意圖。
圖5是應(yīng)用本發(fā)明的第2實(shí)施例的變例的半導(dǎo)體裝置一部分的示意圖。
圖6A和6B是應(yīng)用本發(fā)明的第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法示意圖。
圖7是應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法示意圖。
圖8是安裝了應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的電路基板示意圖。
圖9是具有應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的電子裝置示意圖。
圖10是具有應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的電子裝置示意圖。
詳細(xì)說(shuō)明以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的合適實(shí)施例加以說(shuō)明。然而，本發(fā)明并不限于以下的實(shí)施例。再有，以下實(shí)施例中所示的內(nèi)容也能夠在可能的限度內(nèi)應(yīng)用于另外的實(shí)施例。
(第1實(shí)施例)圖1A～2C是應(yīng)用本發(fā)明的第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法示意圖。圖1A是本實(shí)施例中使用的半導(dǎo)體芯片10(半導(dǎo)體元件)的示意圖。在本實(shí)施例所示的例子中，使用將半導(dǎo)體晶片逐邊切割為多個(gè)的半導(dǎo)體芯片10。半導(dǎo)體芯片10一般為長(zhǎng)方體(包含立方體)，但對(duì)其形狀沒(méi)有限制，也可以是球形。
半導(dǎo)體芯片10是對(duì)原先的半導(dǎo)體芯片12(或半導(dǎo)體晶片)的厚度磨薄而成。詳細(xì)而言，半導(dǎo)體芯片10是它的與集成電路的形成面(有源面)相背的面被研磨。只要使形成集成電路的部分保留下來(lái)，半導(dǎo)體芯片10的厚度可盡量減薄。其厚度雖不加限定，但以50μm左右為宜。使用薄的半導(dǎo)體芯片10后，可以制造小型并且高密度的半導(dǎo)體裝置。
半導(dǎo)體芯片10的研磨，可以在將半導(dǎo)體晶片切成小片前進(jìn)行，也可以在切成小片后進(jìn)行。另外，在半導(dǎo)體晶片內(nèi)，預(yù)先形成一道其深度大于半導(dǎo)體芯片10的厚度的深槽，通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體晶片12進(jìn)行研磨，可用分割法分割成多片薄的半導(dǎo)體芯片10。
半導(dǎo)體芯片10在形成集成電路一側(cè)的面上有多個(gè)電極14。電極14一般是鋁，但也可由銅等形成。電極14的大小隨設(shè)計(jì)而異，但以形成例如邊長(zhǎng)約為100μm的方形為宜。電極14在半導(dǎo)體芯片10的端部或中央部形成。電極14可在半導(dǎo)體芯片10的兩邊或四邊一并形成。
在半導(dǎo)體芯片10上，多形成鈍化膜(圖中未示出)，它避開(kāi)電極14的中央部而覆蓋住端部。鈍化膜可用諸如SiO2、SiN或聚酰亞胺樹(shù)脂之類形成。
在電極14上也可形成鍍層16。形成鍍層16的工序可在研磨半導(dǎo)體芯片12之前或之后。鍍層16可用無(wú)電解鍍形成。通過(guò)在電極14上形成鍍層16，電極14的氧化膜可被除去。此外，在后面工序中形成的焊錫等可借助于鍍層16而易于浸潤(rùn)。鍍層16由電極14的材料決定。當(dāng)電極14為鋁時(shí)，例如，鍍層16可由含鎳和含金的材料形成。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法可使用上述的半導(dǎo)體芯片10進(jìn)行以下的工序?；蛘?，該制造方法還可包含上述工序中的某一工序。
如圖1B所示，在上述半導(dǎo)體芯片10上形成第1通孔18。第1通孔18在各自的電極14的位置處貫通半導(dǎo)體芯片10。第1通孔例如可使用激光器(例如YAG激光器或受激準(zhǔn)分子激光器)形成。如使用激光器，例如即便是電極14的一邊約為100μm的方形，在電極14的內(nèi)側(cè)區(qū)域也很容易形成孔徑比電極小的第1通孔18。再有，第1通孔18在平面上看，可以是圓形或方形中的某一種，也可以是其它形狀。
激光光束可以只從半導(dǎo)體芯片10的一個(gè)面照射，或者也可以從兩面(輪流或同時(shí))照射。在前者的場(chǎng)合，激光光束可從與半導(dǎo)體芯片10的電極14形成面相背的面照射。果若如此，則使用激光光束所產(chǎn)生的堆積物很難堆積在電極14(鍍層16)上。還有，預(yù)先形成覆蓋電極14(鍍層16)的保護(hù)膜(圖中未示出)，可使使用激光光束所產(chǎn)生的堆積物堆積在其保護(hù)膜上。據(jù)此，如以后揭開(kāi)電極14(鍍層16)上的保護(hù)膜，則在電極14(鍍層16)上就沒(méi)有堆積多余物。保護(hù)膜也可以是抗蝕劑或油墨等。再有，當(dāng)照射激光光束時(shí)，預(yù)先形成凹坑(圖中未示出)，能以此作為標(biāo)記照射激光光束。
在第1通孔18的內(nèi)表面，可形成圓錐面。例如，可形成第1通孔18，使其附有越接近半導(dǎo)體芯片10的電極14就變得越小的圓錐面20。此時(shí)，第1通孔18的大孔徑可以是半導(dǎo)體芯片10的厚度的2倍以內(nèi)的大小。據(jù)此，當(dāng)采用激光光束時(shí)，就很容易形成圓錐形的第1通孔18。例如，當(dāng)半導(dǎo)體芯片10的厚度約為50μm時(shí)，可形成第1通孔18的大孔徑為60～80μm左右，小孔徑為30～40μm左右。通過(guò)作成這樣的圓錐面20，在后面的工序中，也可在第2通孔24內(nèi)作成同樣的圓錐面26(參照?qǐng)D2A)。或者，第1通孔18也可形成對(duì)半導(dǎo)體芯片10的面垂直的內(nèi)壁表面。
這些工序也可照此進(jìn)行在研磨時(shí)使用的切割帶上貼附有多個(gè)半導(dǎo)體芯片10。據(jù)此，可將多個(gè)半導(dǎo)體芯片10并列的切割線作為基準(zhǔn)，在正確的位置照射激光光束。
如圖1C所示，在包括第1通孔18內(nèi)側(cè)的區(qū)域敷設(shè)絕緣材料22。如圖所示，可敷設(shè)絕緣材料22以填埋第1通孔18。據(jù)此，半導(dǎo)體芯片10確實(shí)可使第1通孔18內(nèi)絕緣?；蛘?，絕緣材料22也可只在第1通孔18的內(nèi)壁表面形成。再有，絕緣材料22可用樹(shù)脂、氧化膜或氮化膜等形成。
如圖所示，絕緣材料22可覆蓋住與半導(dǎo)體芯片10的電極14形成面相背的面而敷設(shè)。在第1通孔的延長(zhǎng)方向的全長(zhǎng)上，還可敷設(shè)絕緣材料22。此時(shí)，在半導(dǎo)體芯片10上可以在整個(gè)面敷設(shè)絕緣材料。據(jù)此，由于絕緣材料可敷設(shè)在半導(dǎo)體芯片10的整個(gè)面上，所以很容易敷設(shè)在第1通孔18的內(nèi)側(cè)。還有，可使易產(chǎn)生細(xì)小裂痕的半導(dǎo)體芯片10防止裂痕的產(chǎn)生，在此后的工序中，可以很容易地處理半導(dǎo)體芯片10。此外，即使研磨時(shí)因發(fā)熱使半導(dǎo)體芯片10膨脹而成為容易彎曲的狀態(tài)，這種彎曲也會(huì)被絕緣材料22所吸收。即，施加于半導(dǎo)體芯片10上的應(yīng)力可被絕緣材料減緩。
絕緣材料22可用涂布法敷設(shè)。此時(shí)，絕緣材料22也可以是樹(shù)脂。例如可使用配置機(jī)涂布樹(shù)脂。通過(guò)溶劑揮發(fā)使樹(shù)脂干燥，可以很容易使樹(shù)脂覆蓋在半導(dǎo)體芯片10上。據(jù)此，因?yàn)橥坎剂藰?shù)脂，半導(dǎo)體芯片10的處理變得很容易。在使用易產(chǎn)生細(xì)小裂痕的半導(dǎo)體芯片10時(shí)，涂布樹(shù)脂后在不會(huì)弄裂半導(dǎo)體芯片10方面特別有效。
或者，絕緣材料22可使用絲網(wǎng)印刷或噴墨印刷方式敷設(shè)。特別是，如果采用噴墨印刷方式，則借助于應(yīng)用在噴墨印刷方面已實(shí)用化的技術(shù)，即可進(jìn)行高速并且不浪費(fèi)油墨的經(jīng)濟(jì)式涂布。圖中沒(méi)有示出的噴墨頭例如可以是在噴墨印刷方面已實(shí)用化的產(chǎn)品，可使用應(yīng)用了壓電元件的壓電噴射型，或采用了電熱轉(zhuǎn)換體作為能量發(fā)生元件的氣泡噴射型等，可任意設(shè)定噴射面積和噴射圖形。
再有，絕緣材料22也可使用化學(xué)氣相淀積(CVD)或以感光性樹(shù)脂使用掩模形成，其形成方法不受限制。
如圖2A所示，形成第2通孔24。在上述工序中，在將絕緣材料22填埋第1通孔18而敷設(shè)后，可形成第2通孔24。第2通孔24在第1通孔18的內(nèi)側(cè)，以其孔徑比第1通孔18小而形成。第2通孔24貫通絕緣材料22。如圖所示，在將絕緣材料22敷設(shè)達(dá)到半導(dǎo)體芯片10的面上時(shí)，第2通孔24還貫通在第1通孔18的延長(zhǎng)線上所敷設(shè)的絕緣材料22的部分。
對(duì)第1通孔18的說(shuō)明內(nèi)容也能適用于第2通孔24的形成方法。即，第2通孔24可照射激光光束形成。據(jù)此，由于可形成細(xì)小的通孔，具有孔徑比第1通孔18的孔徑還小的第2通孔24就可很容易形成。
在第2通孔24的內(nèi)表面可形成為圓錐形。例如，第2通孔24可形成為附有越接近半導(dǎo)體芯片10的電極14處就變得越小的圓錐面26。據(jù)此，在從與半導(dǎo)體芯片10的電極14形成面相背的一側(cè)例如可很容易嵌入固體的導(dǎo)電構(gòu)件。第2通孔24在其內(nèi)側(cè)用絕緣材料22覆蓋住半導(dǎo)體芯片10，以貫通絕緣材料22為宜，在該范圍內(nèi)可決定孔徑的大小。再有，對(duì)第2通孔24的平面形狀不加限定。
或者，第2通孔24的內(nèi)表面也可形成對(duì)半導(dǎo)體芯片10的面垂直的內(nèi)壁表面。
如圖2B所示，在第2通孔24的內(nèi)側(cè)設(shè)置導(dǎo)電構(gòu)件28。導(dǎo)電構(gòu)件28至少設(shè)置在第2通孔24內(nèi)。導(dǎo)電構(gòu)件28可設(shè)置成通過(guò)第2通孔24的中心軸?；蛘?，如期求導(dǎo)電構(gòu)件28經(jīng)絕緣材料22與半導(dǎo)體芯片10絕緣，亦可偏離中心軸設(shè)置。如圖所示，可使導(dǎo)電構(gòu)件28充填到第2通孔24內(nèi)。導(dǎo)電構(gòu)件28可以是導(dǎo)電膏。作為導(dǎo)電膏，可使用導(dǎo)電樹(shù)脂或焊錫等焊料。通過(guò)設(shè)置導(dǎo)電構(gòu)件28以掩埋第2通孔24，不會(huì)使半導(dǎo)體芯片10的機(jī)械強(qiáng)度降低，同時(shí)可期求對(duì)半導(dǎo)體芯片10的兩面進(jìn)行電連接。
或者，在上述工序中，當(dāng)絕緣材料22僅敷設(shè)在第1通孔18的內(nèi)壁表面時(shí)，導(dǎo)電構(gòu)件28可設(shè)置成通過(guò)在第1通孔18內(nèi)側(cè)用絕緣材料22圍起來(lái)的孔(第2通孔)的中心軸。此時(shí)也可使導(dǎo)電膏充填到孔內(nèi)。
采取以上工序后可得到圖2B所示的半導(dǎo)體裝置1。半導(dǎo)體裝置1包括有電極14并且在電極14的位置形成通孔(例如第2通孔24)的半導(dǎo)體芯片10，絕緣材料22以及導(dǎo)電構(gòu)件28。
在圖示的例子中，絕緣材料22被敷設(shè)在包含第2通孔24的內(nèi)表面的區(qū)域內(nèi)。換言之，第2通孔24用絕緣材料包圍而成。另外，絕緣材料22可覆蓋住與半導(dǎo)體芯片10的電極14形成面相背的面而敷設(shè)。據(jù)此，施加到半導(dǎo)體芯片10的應(yīng)力得到減緩。
導(dǎo)電構(gòu)件28被設(shè)置成通過(guò)第2通孔24的中心軸。導(dǎo)電構(gòu)件28可掩埋第2通孔24而設(shè)置。據(jù)此，由于第2通孔24被掩埋，故不會(huì)降低半導(dǎo)體芯片10的機(jī)械強(qiáng)度。在與半導(dǎo)體芯片10的電極14形成面相背的一側(cè)，導(dǎo)電構(gòu)件28從絕緣材料22或半導(dǎo)體芯片10的面露出。而且，第2通孔24可如上所述形附有圓錐面26，與此相對(duì)應(yīng)，在導(dǎo)電構(gòu)件28的側(cè)面也可形成圓錐形。再有，半導(dǎo)體裝置的其它結(jié)構(gòu)，則如制造方法中所述。
按照本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置，借助于設(shè)置在通孔(例如第2通孔24)內(nèi)的導(dǎo)電構(gòu)件28，可使半導(dǎo)體芯片10的一個(gè)面和另一個(gè)面實(shí)現(xiàn)電連接。在半導(dǎo)體芯片10的內(nèi)部，由于可期求兩個(gè)面之間的導(dǎo)通，可以提供小型的半導(dǎo)體裝置。
如圖2C所示，可使采取上述方法形成的多個(gè)半導(dǎo)體芯片10(半導(dǎo)體裝置1)層疊起來(lái)。詳細(xì)而言，上下的半導(dǎo)體芯片10經(jīng)導(dǎo)電構(gòu)件28進(jìn)行電連接。即，可制造層疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。如圖所示，使與一片半導(dǎo)體芯片10的電極14形成面相背的面與另一片半導(dǎo)體芯片10的電極14形成面相向，可使上下的半導(dǎo)體芯片10層疊起來(lái)?；蛘?，可使電極14兩形成面之間相向，也可使與之相背的面之間相向，也可將這些方式組合起來(lái)，層疊三個(gè)以上的半導(dǎo)體芯片10。
上下的半導(dǎo)體芯片10可通過(guò)焊錫30進(jìn)行電連接。焊錫30可預(yù)先設(shè)置在某一個(gè)或兩個(gè)半導(dǎo)體芯片10上。焊錫30可裝載成球形，或者可依賴熔融時(shí)的表面張力設(shè)置在上下的半導(dǎo)體芯片10之間。
焊錫30在半導(dǎo)體芯片10的電極14(鍍層16)上，與另一半導(dǎo)體芯片10的導(dǎo)電構(gòu)件28相鍵合。此處，焊錫30連接上下的半導(dǎo)體芯片10，同時(shí)在設(shè)置于電極14(鍍層16)這一面的半導(dǎo)體芯片10上的電極14和用絕緣材料22絕緣的導(dǎo)電構(gòu)件28電連接起來(lái)。即，在上下的半導(dǎo)體芯片10層疊的同時(shí)，在設(shè)置于電極14(鍍層16)這一面的半導(dǎo)體芯片10上可期求在電極14和導(dǎo)電構(gòu)件之間實(shí)現(xiàn)電連接。據(jù)此，可期求簡(jiǎn)化制造工序?；蛘撸趯盈B之前，在1片半導(dǎo)體芯片10上，預(yù)先也可將電極14和導(dǎo)電構(gòu)件28電連接起來(lái)。此時(shí)，假如敷設(shè)圖中沒(méi)有示出的導(dǎo)電材料(例如導(dǎo)電膏)，使之覆蓋電極14(鍍層16)和導(dǎo)電構(gòu)件28，則可期求實(shí)現(xiàn)兩者之間的電連接。在圖示的例子中，最上層的半導(dǎo)體芯片10通過(guò)上述沒(méi)有在圖中示出的導(dǎo)電材料使電極14和導(dǎo)電構(gòu)件28電連接起來(lái)。
再有，上下的半導(dǎo)體芯片10的連接形態(tài)除焊錫30外，也可應(yīng)用導(dǎo)電樹(shù)脂膏(包含各向異性導(dǎo)電材料)，或借助于Au-Au或Au-Sn等的金屬鍵合或借助于絕緣樹(shù)脂的收縮力的鍵合等之中的某一形態(tài)。例如，在要進(jìn)行金屬鍵合時(shí)，可設(shè)置凸點(diǎn)連接到與半導(dǎo)體芯片10的電極14形成面相背的面上的導(dǎo)電構(gòu)件28，再使之鍵合到另一半導(dǎo)體芯片10的電極14(鍍層16)上。
在最下層的半導(dǎo)體芯片10上，也可將焊錫30設(shè)置在與朝向另一半導(dǎo)體芯片10的面相背的面上。焊錫30可設(shè)置成上述那樣的球形。焊錫30也可如圖所示，在與半導(dǎo)體芯片10的電極14形成面相背的面上形成，或在朝向電極14的面上形成。通過(guò)在最下層的半導(dǎo)體芯片10上設(shè)置焊錫30，很容易安裝到電路基板(母板)或供安裝到電路基板的基板(中介板)上。
或者，在最下層的半導(dǎo)體芯片10上不使焊錫30形成為球形，而是在安裝到電路基板上時(shí)，在電路基板一側(cè)的布線圖形上涂布焊膏，可藉其熔融時(shí)的表面張力期求實(shí)現(xiàn)電連接。再有，在最下層的半導(dǎo)體芯片10，形成電極14的面既可朝向電路基板，也可朝向與之相背的面。再有，半導(dǎo)體裝置與電路基板的電連接形態(tài)也可應(yīng)用以上記述的形態(tài)。
根據(jù)本實(shí)施例，因?yàn)樵诎雽?dǎo)體芯片10的第2通孔24內(nèi)設(shè)置了導(dǎo)電構(gòu)件28，可期求在半導(dǎo)體芯片10的一個(gè)面與另一個(gè)面之間實(shí)現(xiàn)電連接。如導(dǎo)電構(gòu)件28設(shè)置成通過(guò)用絕緣材料22圍起來(lái)的第2通孔24的中心軸，確實(shí)可期求實(shí)現(xiàn)與電極14的導(dǎo)通。還有，借助于貫通半導(dǎo)體芯片10的導(dǎo)電構(gòu)件28，使多個(gè)半導(dǎo)體裝置層疊起來(lái)，就最小的大小而言，例如很容易制造三疊以上疊層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。
圖3是本實(shí)施例的變例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說(shuō)明圖。在本變例中，將絕緣材料22作為粘結(jié)劑使用，使上下的半導(dǎo)體芯片10貼合在一起。絕緣材料22可以是樹(shù)脂。樹(shù)脂最好是熱固化性樹(shù)脂。樹(shù)脂設(shè)置在與半導(dǎo)體芯片10的電極14形成面相背的面上。
首先，在將多個(gè)半導(dǎo)體芯片10層疊以前，將樹(shù)脂加熱，使其粘結(jié)力顯現(xiàn)出來(lái)。換言之，將樹(shù)脂加熱到成為固化未曾終結(jié)的狀態(tài)(半固化狀態(tài))的程度。據(jù)此，將敷設(shè)在半導(dǎo)體芯片10的面上的樹(shù)脂作為粘結(jié)劑使用，可使上下的半導(dǎo)體芯片10貼合在一起。
然后，使多個(gè)半導(dǎo)體芯片10層疊起來(lái)，同時(shí)借助于敷設(shè)在一片半導(dǎo)體芯片10上的樹(shù)脂來(lái)粘結(jié)上下的半導(dǎo)體芯片10。即，樹(shù)脂在上下的半導(dǎo)體芯片10之間緊密敷設(shè)在各自半導(dǎo)體芯片10的面上。據(jù)此，由于用樹(shù)脂埋設(shè)在各自的半導(dǎo)體芯片10之間，可以減緩施加在半導(dǎo)體裝置上的應(yīng)力(熱應(yīng)力等)。
使上下的半導(dǎo)體芯片10貼合在一起后，將樹(shù)脂加熱使之固化。詳細(xì)而言，使上下的半導(dǎo)體芯片10貼合時(shí)處于半固化狀態(tài)的樹(shù)脂加熱到樹(shù)脂的固化成為終結(jié)狀態(tài)的程度。此時(shí)，可使樹(shù)脂固化收縮，即，通過(guò)使與各自半導(dǎo)體芯片10的面粘結(jié)的樹(shù)脂固化收縮，使上下的半導(dǎo)體芯片10緊貼。據(jù)此，一片半導(dǎo)體芯片10的導(dǎo)電構(gòu)件28(焊錫30)與另一片半導(dǎo)體芯片10的電極14(鍍層16)依靠樹(shù)脂的收縮力可進(jìn)行機(jī)械的連接，即，無(wú)須另行將半導(dǎo)體芯片10朝向另一半導(dǎo)體芯片10擠壓。因此，可期求制造工序的簡(jiǎn)化。
再有，作為粘結(jié)劑使用的樹(shù)脂，可采用不同于上述絕緣構(gòu)件22的工序設(shè)置。即，不同于在第1通孔18內(nèi)側(cè)設(shè)置的絕緣構(gòu)件22，可在與半導(dǎo)體芯片10的電極14形成面相背的面上設(shè)置樹(shù)脂。
在本變例中，示出了采用作為粘結(jié)劑使用的樹(shù)脂埋置于上下的半導(dǎo)體芯片10之間的例子，但也可在上下的半導(dǎo)體芯片10層疊以后，應(yīng)用將樹(shù)脂注入到兩者之間的方法。此時(shí)，也可使樹(shù)脂充填到上下的半導(dǎo)體芯片10之間，減緩施加到半導(dǎo)體裝置的應(yīng)力(熱應(yīng)力等)。
本變例的半導(dǎo)體裝置4包括多片半導(dǎo)體芯片10和在各自的半導(dǎo)體芯片10之間埋置的樹(shù)脂(絕緣材料22)，其形態(tài)如前所述。
(第2實(shí)施例)圖4A和圖4B是應(yīng)用本發(fā)明的第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法示意圖。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電構(gòu)件28的形成方法與上述不同。
如圖4A所示，在本實(shí)施例中，備有第1和第2半導(dǎo)體芯片11、13。第1和第2半導(dǎo)體芯片11、13可借助于上述工序在各自的半導(dǎo)體芯片的電極14的位置形成貫通的第2通孔24。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電構(gòu)件為固態(tài)，設(shè)置于第2半導(dǎo)體芯片13的第2通孔24的內(nèi)側(cè)。導(dǎo)電構(gòu)件也可以是凸點(diǎn)32。凸點(diǎn)32可由焊錫或金等形成。
設(shè)置凸點(diǎn)32并將其連接到第1半導(dǎo)體芯片11的電極14(鍍層16)上。詳細(xì)而言，當(dāng)將第1和第2半導(dǎo)體芯片11、13層疊起來(lái)配置時(shí)，預(yù)先在成為下側(cè)的第1半導(dǎo)體芯片11的電極14(鍍層16)上形成凸點(diǎn)32。在圖示的例子中，第1半導(dǎo)體芯片11是借助于上述實(shí)施例中的制造方法在第2通孔24內(nèi)充填了導(dǎo)電膏的半導(dǎo)體芯片10。凸點(diǎn)32在第1半導(dǎo)體芯片11各自的電極14上形成。如圖所示，凸點(diǎn)32也可使多個(gè)凸點(diǎn)層疊起來(lái)形成。此時(shí)，可使不同種類的金屬凸點(diǎn)之間層疊起來(lái)。例如，可從電極14起層疊金凸點(diǎn)，再在其上層疊焊錫凸點(diǎn)。如圖所示，凸點(diǎn)32能以超過(guò)第2通孔24深度的高度形成。凸點(diǎn)32的直徑，至少其尖端部(僅為尖端部或全部)以穿入第2通孔24的大小形成。
凸點(diǎn)32的形成方法有鍍覆法、蒸發(fā)法或球凸點(diǎn)法等，可應(yīng)用某一方法。特別是，由于采取將鍵合導(dǎo)線熔融形成為球形的球凸點(diǎn)法，很容易使多個(gè)凸點(diǎn)層疊起來(lái)，故很容易形成具有設(shè)定以上高度(例如為超過(guò)第2通孔24深度的高度)的層疊凸點(diǎn)32。
借助于凸點(diǎn)32，在第1半導(dǎo)體芯片11上，可期求實(shí)現(xiàn)電極14和導(dǎo)電構(gòu)件28(導(dǎo)電膏)之間的電連接。據(jù)此，由于供設(shè)置在第2半導(dǎo)體芯片13上之用的凸點(diǎn)32的配置，與第1半導(dǎo)體芯片11上的電極14和導(dǎo)電構(gòu)件28的電連接同時(shí)進(jìn)行，可期求制造工序的簡(jiǎn)化。在凸點(diǎn)32形成以后，將設(shè)置在第1半導(dǎo)體芯片11上的凸點(diǎn)32嵌入第2半導(dǎo)體芯片13的第2通孔24內(nèi)。凸點(diǎn)32可貫通第2通孔24，或不使第2通孔24貫通，而將尖端部位于通孔24的內(nèi)側(cè)。還有，凸點(diǎn)32的基部可位于第2通孔24的外側(cè)，使得它從第2半導(dǎo)體芯片13的絕緣材料22的面突出。再有，如圖所示，在第2通孔24內(nèi)附有上述圓錐面26的情形中，可很容易使凸點(diǎn)32進(jìn)入第2通孔24內(nèi)。
將凸點(diǎn)32嵌入第2通孔24以后，可使凸點(diǎn)32熔融。在這種情形，凸點(diǎn)32以用焊錫形成為宜。通過(guò)使凸點(diǎn)32熔融，可將導(dǎo)電構(gòu)件充填到第2通孔24內(nèi)。即，通過(guò)填埋第2半導(dǎo)體芯片13的第2通孔24的間隙，可增強(qiáng)第2半導(dǎo)體芯片13的機(jī)械強(qiáng)度。
或者，假若是由諸如金之類構(gòu)成的凸點(diǎn)32，如圖所示，插入時(shí)的形態(tài)則一如既往，可將凸點(diǎn)32在第2通孔24的內(nèi)側(cè)形成。總之，確實(shí)可使導(dǎo)電構(gòu)件在第2通孔24的中心軸上形成。
如圖4B所示，在將第1和第2半導(dǎo)體芯片11、13層疊起來(lái)以后，同樣，為了又層疊半導(dǎo)體芯片，可將凸點(diǎn)32在最上層的第2半導(dǎo)體芯片13上形成。由此，在第2半導(dǎo)體芯片13內(nèi)，可期求實(shí)現(xiàn)電極14和第2通孔24內(nèi)的導(dǎo)電構(gòu)件(凸點(diǎn)32)之間的電連接。
按照以上工序，在用凸點(diǎn)32使第1和第2半導(dǎo)體芯片11、13的兩面導(dǎo)通的同時(shí)，也可使第1和第2半導(dǎo)體芯片11、13層疊起來(lái)。因此，可期求制造工序的簡(jiǎn)化。
作為本實(shí)施例的第1變例，在另外的構(gòu)件(例如基板之類)上預(yù)先按上述結(jié)構(gòu)設(shè)置凸點(diǎn)32，將半導(dǎo)體芯片10重疊在上述另外的構(gòu)件上，以此將凸點(diǎn)32嵌入半導(dǎo)體芯片10的第2通孔24以后，將凸點(diǎn)32從上述另外的構(gòu)件剝離，即可在半導(dǎo)體芯片10上設(shè)置導(dǎo)電構(gòu)件。即，采用轉(zhuǎn)移法可將凸點(diǎn)32嵌入半導(dǎo)體芯片10的第2通孔24內(nèi)，假若它突出于例如與電極14形成面相背一側(cè)的外側(cè)，則層疊到另一半導(dǎo)體芯片10上時(shí)，以突出的部分作為基準(zhǔn)可使半導(dǎo)體芯片10的位置對(duì)準(zhǔn)變得很容易。再有，本變例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)及其效果，則如已經(jīng)說(shuō)明的那樣。
圖5是本實(shí)施例的第2變例的半導(dǎo)體裝置一部分的示意圖。在本變例中，多片半導(dǎo)體芯片60、62、64、66層疊起來(lái)，在上下的半導(dǎo)體芯片的連接中，某一半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)電構(gòu)件(例如凸點(diǎn)32)電連接到下側(cè)半導(dǎo)體芯片的電極14上避開(kāi)第2通孔68的部分。換言之，在一個(gè)電極14的平面視圖中，設(shè)置成連接導(dǎo)電構(gòu)件的部分和第2通孔68的開(kāi)口部分在平面上并不重疊。
據(jù)此，在將多片半導(dǎo)體芯片60～66層疊起來(lái)以前，可預(yù)先將供電極14電連接而設(shè)置的凸點(diǎn)32設(shè)置在電極14(鍍層16)的面上。即，由于凸點(diǎn)32并不設(shè)置在下側(cè)半導(dǎo)體芯片的第2通孔68上，可期求與電極14的大致平坦的面在較穩(wěn)定的狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)電連接。
此外，凸點(diǎn)32無(wú)須與下側(cè)半導(dǎo)體芯片的電極14和設(shè)置在下側(cè)半導(dǎo)體芯片的第2通孔68內(nèi)的另一凸點(diǎn)32兩者同時(shí)進(jìn)行電連接。即，凸點(diǎn)32與下側(cè)半導(dǎo)體芯片的電極14的電連接工序和下側(cè)半導(dǎo)體芯片的電極14與下側(cè)半導(dǎo)體芯片的第2通孔68內(nèi)的凸點(diǎn)32的電連接工序可分別進(jìn)行。由此，可減少電連接不良情形，提高制造成品率。
再有，電極14和為貫通形成了該電極14的半導(dǎo)體芯片而設(shè)置的導(dǎo)電構(gòu)件(例如凸點(diǎn)32)可借助于導(dǎo)電膏等導(dǎo)電材料70進(jìn)行電連接。詳細(xì)而言，可將導(dǎo)電材料70設(shè)置成覆蓋住電極14(鍍層16)和導(dǎo)電構(gòu)件(例如凸點(diǎn)32)，以實(shí)現(xiàn)兩者的電連接。
本變例中的其它形態(tài)是將多片半導(dǎo)體芯片60～66中的上下層疊的任意2片芯片作為第1和第2半導(dǎo)體芯片，可應(yīng)用上述內(nèi)容。還有，本變例的半導(dǎo)體裝置的制造方法，則如已經(jīng)說(shuō)明的那樣。
(第3實(shí)施例)圖6A和6B是應(yīng)用本發(fā)明的第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法示意圖。在本實(shí)施例中，第2通孔25的形態(tài)與上述不同。
如圖6A所示，在本實(shí)施例中，第2通孔25附有圓錐面而形成。詳細(xì)而言，第2通孔25可形成為附有越遠(yuǎn)離半導(dǎo)體芯片10的電極14就變得越小的圓錐面27。第2通孔25可從例如半導(dǎo)體芯片10的電極14一側(cè)照射激光光束而形成，或者從與電極14相背的一側(cè)照射激光光束而形成。再有，第2通孔25的其它形態(tài)和形成方法則如上所述。
圖6B具有形成上述第2通孔25的半導(dǎo)體芯片10，是一種層疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置5的示意圖。第2通孔25內(nèi)設(shè)置通過(guò)其中心軸的導(dǎo)電構(gòu)件34。在圖示的例子中，在第2通孔25內(nèi)埋置導(dǎo)電構(gòu)件34。例如，導(dǎo)電構(gòu)件34可用這樣的方法形成在第2通孔25內(nèi)嵌入固態(tài)凸點(diǎn)，使該凸點(diǎn)熔融，充填到第2通孔25內(nèi)，再使之固化即成。該情形下凸點(diǎn)可以是焊錫凸點(diǎn)。固化了的導(dǎo)電構(gòu)件34的一部分可從第2通孔25內(nèi)孔徑小的一側(cè)的開(kāi)口部突出。據(jù)此，憑借第2通孔25的內(nèi)表面所附的圓錐面27，可期求制止導(dǎo)電構(gòu)件34松脫。詳細(xì)而言，如圖所示，在整體地將導(dǎo)電構(gòu)件34設(shè)置在第2通孔25的內(nèi)側(cè)和從第2通孔25的小孔徑開(kāi)口部向外側(cè)突出的部分時(shí)，導(dǎo)電構(gòu)件34會(huì)難以從第2通孔25松脫。再有，其它結(jié)構(gòu)和效果也與上述相同。
上述半導(dǎo)體裝置的制造方法是對(duì)半導(dǎo)體芯片10進(jìn)行的，然而如圖7所示，這也可對(duì)半導(dǎo)體晶片40(半導(dǎo)體元件)進(jìn)行。磨薄半導(dǎo)體晶片原先的厚度，可使用磨薄后的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行上述工序。在應(yīng)用上述制造方法使多個(gè)半導(dǎo)體晶片40上下層疊以后，可再切割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片10。詳細(xì)而言，層疊以后的多個(gè)半導(dǎo)體晶片40按上下方向切斷，可分割成層疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片10?；蛘?，直至上下層疊工序以前，對(duì)半導(dǎo)體晶片40進(jìn)行上述工序，其后，則可使切割后的各個(gè)半導(dǎo)體芯片10層疊起來(lái)，制造層疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。這樣一來(lái)，通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體晶片40進(jìn)行上述工序，可以高效率地制造半導(dǎo)體裝置。再有，關(guān)于半導(dǎo)體晶片，可將本發(fā)明應(yīng)用于一種稱為晶片CSP的對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行了再配置布線處理的工序和設(shè)置了應(yīng)力減緩結(jié)構(gòu)的工序。
圖8示出了在應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例中安裝了半導(dǎo)體裝置7的電路基板50。電路基板50一般使用諸如玻璃環(huán)氧樹(shù)脂基板之類的有機(jī)類基板。在電路基板50上形成例如由銅等構(gòu)成的布線圖形52，使之成為所要的電路，依靠在這些布線圖形52和半導(dǎo)體裝置7的焊錫30之間的機(jī)械式連接以期求實(shí)現(xiàn)它們的電導(dǎo)通。
或者，應(yīng)用第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在例如電路基板50的布線圖形52上預(yù)先形成球凸點(diǎn)之類的凸點(diǎn)32，通過(guò)將半導(dǎo)體芯片10(1個(gè)或形成疊層結(jié)構(gòu)的多個(gè)半導(dǎo)體芯片10)裝載在其上，可將凸點(diǎn)32嵌入第2通孔24內(nèi)。
或者，為了將半導(dǎo)體裝置7安裝到電路基板50上，可將其先安裝到圖中沒(méi)有示出的基板(中介板)上，借助于該基板上形成的外部端點(diǎn)可期求實(shí)現(xiàn)與電路基板50之間的電連接。
而且，作為在應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施例中具有半導(dǎo)體裝置的電子裝置，在圖9上示出了筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)100，在圖10上示出了移動(dòng)電話200。
再有，將上述實(shí)施例中的「半導(dǎo)體芯片」置換成「電子元件」，可以制造電子部件。作為使用這樣的電子元件制成的電子部件有諸如光元件、電阻器、電容器、線圈、振蕩器、濾波器、溫度傳感器、熱敏電阻、變阻器、音量器或熔斷器等。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括在具有電極的半導(dǎo)體元件上，在上述電極的位置形成貫通的第1通孔的第1工序；在包含上述第1通孔內(nèi)側(cè)的區(qū)域，敷設(shè)絕緣材料，使得備有貫通上述絕緣材料的第2通孔的第2工序；以及在上述第1通孔內(nèi)側(cè)，至少貫通上述絕緣材料的第2通孔內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電構(gòu)件的第3工序。
2.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還包括將采用權(quán)利要求1所述的方法制造的多個(gè)半導(dǎo)體裝置層疊起來(lái)、經(jīng)上述導(dǎo)電構(gòu)件將上下的上述半導(dǎo)體元件電連接的工序。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述第2工序中，敷設(shè)上述絕緣材料，使之覆蓋住與上述半導(dǎo)體元件的上述電極形成面相背的面。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述絕緣材料由樹(shù)脂構(gòu)成，采用上述樹(shù)脂作為粘結(jié)劑使多個(gè)上述半導(dǎo)體元件貼合在一起，將上述樹(shù)脂加熱，通過(guò)使上述樹(shù)脂完成固化收縮，將上述導(dǎo)電構(gòu)件與上述電極進(jìn)行電連接。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在使多個(gè)上述半導(dǎo)體元件貼合以前將上述樹(shù)脂加熱，使其粘結(jié)力顯現(xiàn)出來(lái)。
6.如權(quán)利要求1至5中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述絕緣材料由樹(shù)脂構(gòu)成，在上述第2工序中涂布敷設(shè)上述樹(shù)脂。
7.如權(quán)利要求1至5中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述第2工序中，敷設(shè)上述絕緣材料，以之填埋上述第1通孔，在上述第1通孔的內(nèi)側(cè)，形成上述第2通孔，使得它以小于上述第1通孔的孔徑貫通上述絕緣材料。
8.如權(quán)利要求1至5中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述導(dǎo)電構(gòu)件是導(dǎo)電膏，在上述第3工序中，使上述導(dǎo)電膏充填到上述第2通孔內(nèi)。
9.如權(quán)利要求1至5中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于形成上述第2通孔，使其附有越接近上述半導(dǎo)體元件的上述電極就變得越小的圓錐面。
10.如權(quán)利要求1至5中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于形成上述第2通孔，使其附有越遠(yuǎn)離上述半導(dǎo)體元件的上述電極就變得越小的圓錐面。
11.如權(quán)利要求1至5中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述第1通孔或上述第2通孔中至少某一方用激光光束形成。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于使上述激光光束照射與上述半導(dǎo)體元件的上述電極形成面相背的面。
13.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括在具有電極的第1和第2半導(dǎo)體元件上，在上述電極的位置形成貫通的第1通孔的第1工序；在包含上述第1通孔內(nèi)側(cè)的區(qū)域，敷設(shè)絕緣材料，使得備有貫通上述絕緣材料的第2通孔的第2工序；以及將導(dǎo)電構(gòu)件設(shè)置在上述第1半導(dǎo)體元件的上述電極上并與之電連接，將上述導(dǎo)電構(gòu)件嵌入上述第2半導(dǎo)體元件的上述第2通孔內(nèi)，同時(shí)將上述第1和第2半導(dǎo)體元件層疊起來(lái)的第3工序。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述第2工序中，敷設(shè)上述絕緣材料，使之覆蓋住與上述半導(dǎo)體元件的上述電極形成面相背的面。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述絕緣材料由樹(shù)脂構(gòu)成，采用上述樹(shù)脂作為粘結(jié)劑使多個(gè)上述半導(dǎo)體元件貼合在一起，將上述樹(shù)脂加熱，通過(guò)使上述樹(shù)脂完成固化收縮，將上述導(dǎo)電構(gòu)件與上述電極進(jìn)行電連接。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在使多個(gè)上述半導(dǎo)體元件貼合以前將上述樹(shù)脂加熱，使其粘結(jié)力顯現(xiàn)出來(lái)。
17.如權(quán)利要求13至16中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述絕緣材料由樹(shù)脂構(gòu)成，在上述第2工序中涂布敷設(shè)上述樹(shù)脂。
18.如權(quán)利要求13至16中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述第2工序中，敷設(shè)上述絕緣材料，以之填埋上述第1通孔，在上述第1通孔的內(nèi)側(cè)，形成上述第2通孔，使得它以小于上述第1通孔的孔徑貫通上述絕緣材料。
19.如權(quán)利要求13至16中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述導(dǎo)電構(gòu)件是導(dǎo)電膏，在上述第3工序中，使上述導(dǎo)電膏充填到上述第2通孔內(nèi)。
20.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述導(dǎo)電構(gòu)件是凸點(diǎn)，在上述第3工序中，將上述凸點(diǎn)的至少一部分嵌入上述第2半導(dǎo)體元件的上述第2通孔內(nèi)。
21.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述凸點(diǎn)多個(gè)層疊起來(lái)。
22.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述第3工序以后使上述凸點(diǎn)熔融并使之充填到上述第2通孔內(nèi)。
23.如權(quán)利要求13至16中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于形成上述第2通孔，使其附有越接近上述半導(dǎo)體元件的上述電極就變得越小的圓錐面。
24.如權(quán)利要求13至16中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于形成上述第2通孔，使其附有越遠(yuǎn)離上述半導(dǎo)體元件的上述電極就變得越小的圓錐面。
25.如權(quán)利要求13至16中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述第1通孔或上述第2通孔中至少某一方用激光光束形成。
26.如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于使上述激光光束照射與上述半導(dǎo)體元件的上述電極形成面相背的面。
27.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于該半導(dǎo)體裝置采用如權(quán)利要求1至5中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法制成。
28.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于該半導(dǎo)體裝置采用如權(quán)利要求13至16中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法制成。
29.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括具有電極，在上述電極的位置形成通孔的半導(dǎo)體元件；在包含上述通孔的內(nèi)表面敷設(shè)了的絕緣材料；以及設(shè)置成通過(guò)上述通孔的中心軸的導(dǎo)電構(gòu)件。
30.如權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括設(shè)置上述導(dǎo)電構(gòu)件，以之掩埋上述通孔。
31.如權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括上述通孔附有越接近上述半導(dǎo)體元件的上述電極就變得越小的圓錐面。
32.如權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括上述通孔附有越遠(yuǎn)離上述半導(dǎo)體元件的上述電極就變得越小的圓錐面。
33.如權(quán)利要求29至32所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括敷設(shè)上述絕緣材料，使上述導(dǎo)電構(gòu)件露出，同時(shí)覆蓋住與上述半導(dǎo)體元件的上述電極形成面相背的面。
34.如權(quán)利要求29至32所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括上述導(dǎo)電構(gòu)件在與上述半導(dǎo)體元件的上述電極形成面相背的一側(cè)有一部分在上述通孔的外側(cè)突出。
35.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于將權(quán)利要求29至32中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置層疊起來(lái)，上下的上述半導(dǎo)體元件借助于上述導(dǎo)電構(gòu)件進(jìn)行電連接。
36.一種電路基板，其特征在于它裝載權(quán)利要求29至32中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。
37.一種電子裝置，其特征在于它具有權(quán)利要求29至32中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。
全文摘要
本發(fā)明的課題是,提供能夠容易地以高可靠性實(shí)現(xiàn)電連接的半導(dǎo)體裝置及其制造方法、電路基板以及電子裝置。半導(dǎo)體裝置的制造方法包括:在具有電極14的半導(dǎo)體元件10上,在上述電極14的位置形成貫通的第1通孔18的第1工序;在包含上述第1通孔18內(nèi)側(cè)的區(qū)域,敷設(shè)絕緣材料22,使得備有貫通上述絕緣材料22的第2通孔24的第2工序;以及在上述第1通孔18內(nèi)側(cè),設(shè)置導(dǎo)電構(gòu)件28,使之通過(guò)貫通上述絕緣材料22的第2通孔24的第3工序。
文檔編號(hào)H01L21/768GK1338775SQ01132900
公開(kāi)日2002年3月6日 申請(qǐng)日期2001年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2000年8月4日
發(fā)明者倉(cāng)島羊平, 梅津一成, 伊東春樹(shù) 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社