專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及的是把用于高頻的半導(dǎo)體元件及過(guò)載電流保護(hù)功能收容于空心密封插件的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
現(xiàn)有技術(shù)圖9表示使用現(xiàn)有的空心插件的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子。該電子部件是由陶瓷等組成的主底板1、外部連接引線2和同樣由陶瓷等組成的間隙3構(gòu)成，在引線2的元件裝載部件4表面上粘附著半導(dǎo)體芯片5，接合線6把半導(dǎo)體芯片5和引線2連接起來(lái)，半導(dǎo)體芯片5封于間隙3構(gòu)成的密封空間7內(nèi)部(例如，特開平10-173117號(hào))。
制造這種部件時(shí)，要經(jīng)過(guò)如下的工序在引線框架狀態(tài)下供給引線2，對(duì)于該引線框架將半導(dǎo)體芯片5小片接合、線接合，并在引線框架下面貼上主底板1，然后將間隙3貼在主底板1上夾住引線2，并切斷、整形引線2。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中存在如下的問(wèn)題對(duì)于引線框架，要對(duì)應(yīng)每個(gè)元件貼上主底板1和間隙3，所以制造工序復(fù)雜，難以進(jìn)行大批量生產(chǎn)。
而且，由于把半導(dǎo)體芯片5封在由陶瓷等構(gòu)成的間隙3所構(gòu)成的密封空間7內(nèi)部，所以，在外觀檢查時(shí)無(wú)法確認(rèn)粘接部件的狀態(tài)，難以去除發(fā)生粘接不良的半導(dǎo)體裝置。
而且，由于上述半導(dǎo)體裝置的引線2從主底板1突出出來(lái)，所以往印刷底板上安裝時(shí)，其安裝面積很大。
而且，近年來(lái)的手機(jī)等具有便攜性且驅(qū)動(dòng)充電電池的電子器械，充電時(shí)對(duì)電源逆接也必須實(shí)行一些對(duì)策，此時(shí)，過(guò)載電流保護(hù)元件成為必要，但是以前的元件都不滿足輕薄短小化的要求，導(dǎo)致電子器械的大型化。
鑒于上述的各種問(wèn)題，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是具有如下內(nèi)容由絕緣體構(gòu)成的支撐底板；設(shè)在該支撐底板正面的導(dǎo)電模型以及與該導(dǎo)電模型電連接的設(shè)在背面的外部連接端子；設(shè)在上述支撐底板的上述導(dǎo)電模型上的電路元件；覆蓋上述電路元件，在與上述支撐底板之間形成密封空心部分并粘接的玻璃板。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征理想的是具有如下的結(jié)構(gòu)由于為空心密封上述電路元件而使用了上述玻璃板，所以在外觀檢查時(shí)可以確認(rèn)粘接部件的狀態(tài)，并容易除去發(fā)生粘接不良的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征理想的是具有如下的結(jié)構(gòu)上述底板上設(shè)有通路孔，可以電連接內(nèi)部元件和上述外部連接端子，往印刷底板上安裝時(shí)，可大大減少其安裝面積。
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征是具有以下工序準(zhǔn)備正面設(shè)有形成了多個(gè)裝載部件的導(dǎo)電模型，背面設(shè)有外部連接端子的支撐底板的工序；在上述各裝載部件上粘附電路元件的工序；覆蓋上述電路元件，在與上述支撐底板之間，為了對(duì)上述每個(gè)裝載部件形成密封空心部分而粘接玻璃板的工序；切割上述支撐底板和上述玻璃板的粘接部件，并按上述每個(gè)登載部件進(jìn)行分離的工序。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法理想的是其特征為上述分割工序中，上述每個(gè)裝載部件都具有凹部，其周圍環(huán)繞著柱狀部件，由于切割上述柱狀部件的大致中央位置，因此制造工序簡(jiǎn)潔，可以進(jìn)行大批量生產(chǎn)。


圖1是說(shuō)明本發(fā)明的(A)斷面圖、(B)平面圖。
圖2是說(shuō)明本發(fā)明的(A)斷面圖、(B)平面圖。
圖3是說(shuō)明本發(fā)明的(A)側(cè)視圖、(B)側(cè)視圖。
圖4是說(shuō)明本發(fā)明的(A)側(cè)視圖、(B)側(cè)視圖。
圖5是說(shuō)明本發(fā)明的側(cè)視圖。
圖6是說(shuō)明本發(fā)明的(A)側(cè)視圖、(B)側(cè)視圖。
圖7是說(shuō)明本發(fā)明的(A)側(cè)視圖、(B)側(cè)視圖。
圖8是說(shuō)明本發(fā)明的(A)側(cè)視圖、(B)側(cè)視圖。
圖9是說(shuō)明現(xiàn)有例子的(A)斷面圖、(B)平面圖。
實(shí)施方式以下參照?qǐng)D面，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
圖1是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的1實(shí)施例的斷面圖(A)、平面圖(B)。從大塊底板21分割的底板21a，是由陶瓷或環(huán)氧玻璃鋼板等絕緣材料構(gòu)成的，具有100～300微米的板厚和俯視(如圖1(B)那樣觀測(cè))長(zhǎng)邊×短邊為2.5mm×1.9mm左右的長(zhǎng)方形形狀。而且，底板21a分別在正面具有第1主面22a，在背面具有第2主面22b，這些表面互相平行延伸。柱狀部件23是環(huán)繞底板21a外圍附近的高0.4mm、寬0.5mm左右的環(huán)形柱狀部件，借助柱狀部件23形成使底板21a中央部分凹下去的凹部件24。底板21a和柱狀部件23是用粘著劑37把各個(gè)分別形成的部件材料粘接起來(lái)的部件。當(dāng)然，底板21a和柱狀部件23也可以是預(yù)先已一體化的部件。
底板21a的第1主面22a的表面平坦，借助鍍金等導(dǎo)電模型在該表面上形成島狀部件26和電極部件27、28。而且，在底板21a的島狀部件26中，例如，小片接合著肖托基勢(shì)壘型二極管、MOSFET元件等半導(dǎo)體芯片29。在半導(dǎo)體芯片29的表面形成的電極墊和電極部件27、28由接合線30連接起來(lái)。
在底板21a的第2主面22b的表面上，借助鍍金等導(dǎo)電模型形成外部連接端子32、33、34。而且，在電極部件32、33、34中設(shè)有從底板21a的第1主面22a貫通到第2主面22b的通路孔35。在通路孔35內(nèi)部埋置著鎢、銀、銅等導(dǎo)電材料，島狀部件26、電極部件27、電極部件28分別與外部連接端子32、33、34電連接。外部連接端子32、33、34的端部從底板21的端部后退0.01～0.1mm左右。此外，由于電極部件27、28的通路孔35上并不平坦，所以，接合線30最好避開各個(gè)電極部件27、28的通路孔35進(jìn)行連接。外部連接端子32、33、34預(yù)先在大塊底板21上形成。
為了將凹部件24內(nèi)部變成密封空間，用粘著劑37把板厚為0.1～0.3mm左右的透明玻璃板36粘接、固定在柱狀部件23的上部。因此，半導(dǎo)體芯片29和金屬細(xì)線30被完全收容于密封空間內(nèi)。而且，在玻璃板36的粘接面上預(yù)先全部涂滿粘著劑37。
用切割切斷的柱狀部件23包圍在半導(dǎo)體芯片29周圍，而且上部被用切斷的玻璃板36密閉著。柱狀部件23和底板21a的第1主面22a，以及柱狀部件23和玻璃板36均用粘著劑37粘接起來(lái)。這樣，半導(dǎo)體芯片29和金屬細(xì)線30被收容在凹部件24構(gòu)成的密封空間內(nèi)。底板21a、柱狀部件23及玻璃板36的外圍端面成為被切割切斷的平坦的切斷端面。
上述半導(dǎo)體裝置，對(duì)于安裝底板上的電極模型，是將外部連接電極32、33、34對(duì)向粘接安裝的。
這里，對(duì)用樹脂遮蓋底板，并用共同的樹脂層遮蓋粘附在各裝載部件上的各個(gè)半導(dǎo)體芯片情形的實(shí)施例，進(jìn)行簡(jiǎn)單的說(shuō)明。
制造工序中，準(zhǔn)備在能維持機(jī)械強(qiáng)度的板厚為200～350微米的底板上，將多個(gè)的裝載部件，例如，將100個(gè)橫豎配置為10行10列的大塊底板。底板是由陶瓷或環(huán)氧玻璃鋼板等構(gòu)成的絕緣底板。而且，對(duì)每個(gè)裝載部件將半導(dǎo)體芯片小片接合，滴下(potting)一定量的環(huán)氧系列液體樹脂，用共同的樹脂層遮蓋所有的半導(dǎo)體芯片。將滴下的樹脂層在100～200度進(jìn)行數(shù)小時(shí)的熱處理(cure)使其硬化后，通過(guò)研削彎曲面把樹脂層的表面加工成平坦面。研削要用切割裝置，借助切割片磨削樹脂層表面使得樹脂層表面以底板為基準(zhǔn)達(dá)到一定的高度。此工序把樹脂層的膜厚變成0.3～1.0mm。上述切片中已準(zhǔn)備好各種板厚的部件，使用較厚的切片，經(jīng)過(guò)反復(fù)多次切削，全部形成平坦面。
接著，圖2是表示使用保險(xiǎn)絲的過(guò)載電流保護(hù)裝置的實(shí)施例的斷面圖(A)、平面圖(B)。底板51由陶瓷或環(huán)氧玻璃鋼板等絕緣材料構(gòu)成。具有100～300微米的板厚和俯視(如圖2(B)那樣觀測(cè))長(zhǎng)邊×短邊為2.5mm×1.9mm左右的長(zhǎng)方形形狀。而且，底板51分別在正面具有第1主面52a，在背面具有第2主面52b。柱狀部件53是環(huán)繞底板51外圍附近的高0.4mm、寬0.5mm左右的環(huán)形側(cè)面部件，借助柱狀部件53形成使底板51中央部分凹下去的凹部件54。底板51和柱狀部件53是用粘著劑61把各個(gè)分別形成的部件材料粘接起來(lái)的部件。當(dāng)然，底板51和柱狀部件53也可以是預(yù)先已一體化的部件。
底板51的第1主面52a的表面平坦，借助鍍金等導(dǎo)電模型在該表面上形成電極部件55、56。例如，用線接合把直徑為30微米的金屬細(xì)線57貼在電極部件55、56之間。金屬細(xì)線57由純度為99.99％的金線和焊接的細(xì)線等構(gòu)成，在電極部件55上打入第1接合點(diǎn)，用不超過(guò)凹部件54高度的線環(huán)在電極部件56上打入第2接合點(diǎn)。
在底板51的第2主面52b的表面上，借助鍍金等導(dǎo)電模型形成外部連接端子58、59。而且，在電極部件55、56的下部設(shè)有貫通底板51的通路孔60。通路孔60的內(nèi)部埋置鎢等導(dǎo)電材料，電極部件55和電極部件56分別與外部連接端子58和59電連接。外部連接端子58、59的端部從底板51的端部后退0.01～0.1mm左右。此外，由于電極部件27、28的通路孔35上并不平坦，所以，接合線30最好避開各個(gè)電極部件27、28的通路孔35進(jìn)行連接。
為了將凹部件54內(nèi)部變成密封空間，用粘著劑61把板厚為0.1～0.3mm左右的透明玻璃板62粘接、固定在柱狀部件53的表面。由此，金屬細(xì)線57被完全收容于密封空間內(nèi)。當(dāng)然，在玻璃板36的粘接面上預(yù)先全部涂滿粘著劑37。
上述過(guò)載電流保護(hù)裝置，對(duì)于安裝底板上的電極模型，是把外部連接電極58、59對(duì)向粘接安裝的。外部連接端子58、59之間通過(guò)額定以上的過(guò)載電流時(shí)，該過(guò)載電流流過(guò)金屬細(xì)線57，由于金屬細(xì)線57的固有電阻，使溫度急劇上升。因?yàn)榘l(fā)熱熔斷金屬細(xì)線57，從而起到了對(duì)過(guò)載電流的保護(hù)作用。如果是上述直徑為30微米的金(Au)線，則當(dāng)線長(zhǎng)約為0.7mm時(shí)，熔斷電流約為4A(1～5秒)。在多數(shù)情況下，根據(jù)散熱性和電阻的關(guān)系，熔斷與發(fā)生在電極部件55、56附近相比，更多發(fā)生在金屬細(xì)線57的正中附近。此時(shí)，由于熔斷處沒(méi)有接觸樹脂等其它素材，所以，在外觀上可以得到不著火，不冒煙，不變色，不變形的裝置。而且，由于金屬細(xì)線27熔斷，所以過(guò)載電流發(fā)生時(shí)端子間可以變成完全開放的元件。
當(dāng)然，作為保險(xiǎn)絲元件，除金屬細(xì)線之外，通過(guò)粘著把形成電極部件55、56的導(dǎo)電模型的一部分作成楔形狀的窄帶并使其連續(xù)的物體，或多晶硅電阻等也可以形成。要點(diǎn)是將熔斷處收容在凹部件54內(nèi)即可。而且，凹部件54內(nèi)部在大氣中是密封的，例如，也可以填充氮?dú)獾炔豢扇細(xì)怏w。
如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，為了空心密封半導(dǎo)體芯片29、接合線30等而使用了透明玻璃板36，由此，在外觀檢查時(shí)可以確認(rèn)玻璃板36和柱狀部件23的粘接部件的狀態(tài)，并可以容易地除去發(fā)生粘接不良的半導(dǎo)體裝置。
而且，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，由于使用了柱狀部件23及玻璃板36而可以形成空心結(jié)構(gòu)，底板21a上小片接合的半導(dǎo)體芯片29等，被收容在由空心部件凹部件24構(gòu)成的密封空間里。由此，與用樹脂層遮蓋在底板21a上，用樹脂層遮蓋粘附在裝載部件上的半導(dǎo)體芯片29的情形相比，可以大大降低材料成本。
而且，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，由于使用了柱狀部件23及玻璃板36而可以形成空心結(jié)構(gòu)，作為空心結(jié)構(gòu)的蓋使用了玻璃板36，所以不需要將半導(dǎo)體元件的表面進(jìn)行平坦化的工序，與用樹脂層遮蓋在底板21a上，用樹脂層遮蓋粘附在裝載部件上的半導(dǎo)體芯片29的情形相比，可以大大降低制造成本。
而且，底板21a上設(shè)有從第1主面22a貫通到第2主面22b的通路孔35。并且，在通路孔35內(nèi)部埋置著鎢、銀、銅等導(dǎo)電材料，把島狀部件26、電極部件27、電極部件28分別與外部連接端子32、33、34電連接，并可以將內(nèi)部元件和上述外部連接端子電連接，因不必從底板21a向外部引出引線，所以往印刷底板上安裝時(shí)，可以大大減少安裝面積。
以下詳細(xì)說(shuō)明圖1所示的本發(fā)明的第1實(shí)施例。
第1工序參照?qǐng)D3(A)首先，準(zhǔn)備大塊底板21。大塊底板21由陶瓷或環(huán)氧玻璃鋼板等絕緣材料構(gòu)成，具有100～300微米的板厚。而且，大塊底板21分別在正面具有第1主面22a，在背面具有第2主面22b。符號(hào)23是按高0.1～0.5mm，寬0.25～0.5mm左右的一定幅度設(shè)置的格子狀的柱狀部件，借助柱狀部件23形成使底板21的中央部分凹下去的凹部件24。底板21和柱狀部件23預(yù)先形成一體化，連同柱狀部件23成為上述的板厚。當(dāng)然，也可以分別形成底板21和柱狀部件23再粘著固定。
凹部件24，例如一個(gè)的大小約有0.8mm×0.6mm，被橫豎等間距配置在底板21上。在凹部件24的第1主面22a上，借助鍍金等導(dǎo)電模型描繪著多組島狀部件26和電極部件27、28。各凹部件24和包圍其周圍的第2底板21b的柱狀部件23的一部分構(gòu)成元件裝載部件41。
第2工序參照?qǐng)D3(B)準(zhǔn)備好這種底板21后，對(duì)每個(gè)凹部件24，在島狀部件26上小片接合半導(dǎo)體芯片29，線接合接合線30。而且，在半導(dǎo)體芯片29上線接合的接合線30的一端，連接著電極部件27、28。此時(shí)，接合線30的線環(huán)高度控制在柱狀部件23的高度以下。
第3工序參照?qǐng)D4(A)準(zhǔn)備板厚為0.1～0.3mm左右的透明玻璃板36，并將其粘接在跨過(guò)多個(gè)裝載部件41的柱狀部件23上，用玻璃板36密封各個(gè)凹部件24。粘接時(shí)使用環(huán)氧系列等粘著劑。由此，半導(dǎo)體芯片29和接合線30被完全收容于密封空間內(nèi)。當(dāng)然，在玻璃板36的粘接面上預(yù)先全部涂滿粘著劑37。
然后，通過(guò)目測(cè)檢查柱狀部件23和玻璃板36是否發(fā)生粘接不良。
第4工序參照?qǐng)D4(B)而且，以底板21表面形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)，分割每個(gè)裝載部件41，如圖5所示，得到個(gè)別的裝置。分割時(shí)使用切割片42，在底板21的背面一側(cè)貼上切割圖，沿著切割線43把底板21和玻璃板36橫豎一起切斷。當(dāng)然，切割線43位于柱狀部件23的中心。而且，把切割圖貼在玻璃板36一側(cè)，也可以從第2主面22b一側(cè)切割。
以下對(duì)圖1所示的本發(fā)明的第2實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。這是柱狀部件23作為個(gè)別部件構(gòu)成的情形。
第1工序參照?qǐng)D6(A)首先，準(zhǔn)備平板狀的大塊底板21。大塊底板21由陶瓷和環(huán)氧玻璃鋼板等絕緣材料構(gòu)成，具有100～300微米的板厚。而且，大塊底板21分別在正面具有第1主面22a，在背面具有第2主面22b。在第1主面22a的表面上，借助鍍金等導(dǎo)電模型描繪著多組島狀部件26和電極部件27、28。包圍島狀26和電極部件27、28周圍的領(lǐng)域構(gòu)成元件裝載部件41，多個(gè)該元件裝載部件41被等間距橫豎配置。
第2工序參照?qǐng)D6(B)準(zhǔn)備好這種底板21后，對(duì)每個(gè)元件裝載部件41，在島狀部件26上小片接合半導(dǎo)體芯片29，線接合接合線30。而且，在半導(dǎo)體芯片29上線接合的接合線30的一端，連接在電極部件27、28。此時(shí)，接合線30的線環(huán)高度控制在柱狀部件24的深度以下的高度。
第3工序參照?qǐng)D7(A)對(duì)于完成了小片接合、線接合的底板21，在對(duì)應(yīng)元件裝載部件41的地方，把具有凹部件24(貫通穴)的第2底板21a粘接固定在第1主面22a表面上。粘接使用環(huán)氧系列等的粘著劑。
凹部件24，例如一個(gè)的大小約有0.8mm×0.6mm，被等間距橫豎配置在第2底板21b上。凹部件24和凹部件24之間，柱狀部件23以高0.1～0.2mm、寬0.2～0.5mm左右的一定幅度圍成格子狀。于是在凹部件24上露出島狀26、半導(dǎo)體芯片29、電極墊27、28等，這樣和圖3(B)的狀態(tài)等價(jià)。如果是這種方法，可以對(duì)平板形底板21進(jìn)行小片接合、線接合，所以吸附夾頭和接合工具與柱狀部件23不接觸，可以縮小凹部件24的尺寸。
第4工序參照?qǐng)D7(B)準(zhǔn)備板厚為0.1～0.3mm左右的透明玻璃板36，并將其粘接在跨過(guò)多個(gè)裝載部件41的柱狀部件23上，用玻璃板36密封各個(gè)凹部件24。粘接時(shí)使用環(huán)氧系列或玻璃系列的粘著劑。因此，半導(dǎo)體芯片29和接合線30被完全收容于密封空間內(nèi)。當(dāng)然，在玻璃板36的粘接面上預(yù)先全部涂滿粘著劑37。
然后，通過(guò)目測(cè)檢查柱狀部件23和玻璃板36是否發(fā)生粘接不良。
第5工序參照?qǐng)D8(A)而且，以底板21表面形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)，分割每個(gè)裝載部件41，如圖8(B)所示，得到單個(gè)的裝置。分割時(shí)使用切割片42，在底板21的第2主面22b一側(cè)貼上切割圖，沿著切割線43把底板21、第2底板21b及玻璃板36橫豎一起切斷。當(dāng)然，切割線43位于柱狀部件23的中心。而且，也可以從第2主面22b一側(cè)切割。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)閷?duì)空心密封半導(dǎo)體芯片、接合線等使用透明玻璃板，所以，在外觀檢查時(shí)可以確認(rèn)玻璃板和柱狀部件的粘接部件的狀態(tài)，并可以容易地除去發(fā)生粘接不良的半導(dǎo)體裝置。
而且，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，可以在底板上使用柱狀部件及玻璃板形成空心結(jié)構(gòu)，在此空心部分粘附半導(dǎo)體芯片等來(lái)形成半導(dǎo)體元件，所以與用樹脂層遮蓋底板，用樹脂層遮蓋裝載部件上粘附的半導(dǎo)體芯片的情形相比，可以大大降低材料成本。
而且，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，除了可以一次形成多個(gè)半導(dǎo)體元件外，還因?yàn)槭褂昧瞬ＡО遄鳛榭招牟寮纳w而不需要進(jìn)行將半導(dǎo)體元件的表面平坦化的工序，所以可以大大降低制造成本。
而且，在底板上設(shè)有從第1主面貫通到第2主面的通路孔。并且，在通路孔內(nèi)部埋置著鎢、銀、銅等導(dǎo)電材料，可以將島狀部件及電極部件與外部連接端子電連接，并且可以將內(nèi)部元件與上述外部連接端子電連接，因?yàn)椴恍枰獜牡装逑蛲獠恳鲆€，所以在往印刷底板上安裝時(shí)，可以大大減少其安裝面積。
而且，用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在底板上形成多個(gè)裝載部件，且每個(gè)裝載部件都有凹部，其周圍環(huán)繞著柱狀部件，在底板上形成多個(gè)半導(dǎo)體元件。并且，在分割工序中，切割包圍底板上所形成的多個(gè)半導(dǎo)體元件的柱狀部件的大致中央位置，從而形成單個(gè)的半導(dǎo)體元件，這種制造方法，使得大批量生產(chǎn)成為可能。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括由絕緣體構(gòu)成的支撐底板；設(shè)在該支撐底板正面的導(dǎo)電模型以及與該導(dǎo)電模型電連接的設(shè)在背面的外部連接端子；設(shè)在上述支撐底板的上述導(dǎo)電模型上的電路元件；覆蓋上述電路元件，與上述支撐底板之間形成密封空心部分并粘接的玻璃板。
2.權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，其特征還在于上述玻璃板是透明玻璃板。
3.權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，其特征還在于上述支撐底板由平坦的支撐部件和柱狀部件構(gòu)成，并把上述導(dǎo)電模型設(shè)在上述支撐部件上。
4.權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，其特征還在于上述玻璃板粘接在上述柱狀部件上。
5.權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，其特征還在于通路孔設(shè)在上述支撐底板上，電連接上述電路元件和上述外部連接端子。
6.權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，其特征還在于上述電路元件是半導(dǎo)體元件或保險(xiǎn)絲元件。
7.權(quán)利要求6記載的半導(dǎo)體裝置，其特征還在于上述保險(xiǎn)絲元件是由接合線形成的。
8.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括以下工序準(zhǔn)備正面設(shè)有形成了多個(gè)裝載部件的導(dǎo)電模型，背面設(shè)有外部連接端子的支撐底板的工序；在上述各裝載部件上粘附電路元件的工序；覆蓋上述電路元件，在與上述支撐底板之間，為使上述每個(gè)裝載部件形成密封空心部件而粘接玻璃板的工序；切割上述支撐底板和上述玻璃板的粘接部件，并按上述每個(gè)登載部件進(jìn)行分離的工序。
9.權(quán)利要求8記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征還在于上述支撐底板和上述玻璃板粘接后，對(duì)上述粘接部件進(jìn)行外觀檢查。
全文摘要
本發(fā)明主要是關(guān)于在把用于高頻的半導(dǎo)體元件收容于空心密封插件的半導(dǎo)體裝置中,可在外觀檢查時(shí)判定粘接不良品的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。在本發(fā)明中,底板21a的正面一側(cè)具有第1主面22a。在第1主面22a上形成島狀部件26,并粘附著半導(dǎo)體芯片29等。半導(dǎo)體芯片29等被柱狀部件23及透明玻璃板36密封在空心中。而且,柱狀部件23和玻璃板36用環(huán)氧樹脂等粘接,此時(shí)若發(fā)生粘接不良,由于使用了玻璃板,所以能夠在外觀檢查時(shí)發(fā)現(xiàn)該粘接不良的情況,提供上述的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
文檔編號(hào)H01L23/10GK1347152SQ0113540
公開日2002年5月1日 申請(qǐng)日期2001年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月10日
發(fā)明者兵藤治雄, 木村茂夫, 高野靖弘 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社