專利名稱：低磁滯損耗的顯像管偏轉磁芯的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是一種用于顯像管的偏轉磁芯，尤其是一種以鐵氧體材料制造的低磁滯損耗的偏轉磁芯。
背景技術：
隨著大屏幕高清晰度電視和計算機用高分辨率顯示器的的發(fā)展，使得偏轉線圈的掃描頻率越來越高。彩色顯示管的大偏轉角、高分辨率發(fā)展趨勢，對偏轉系統(tǒng)提出了更高的要求。偏轉電流和偏轉頻率的提高，對偏轉系統(tǒng)帶來的是發(fā)熱和能量損耗的增大，這對偏轉系統(tǒng)性能的穩(wěn)定性是十分不利的。偏轉系統(tǒng)的發(fā)熱是影響顯示管性能的主要因素之一，它帶來了圖象質量的不穩(wěn)定，因此應該設法降低。
偏轉系統(tǒng)的發(fā)熱，除了偏轉線圈的發(fā)熱以外，另外一個主要原因是偏轉磁芯中的磁滯損耗引起的發(fā)熱。偏轉線圈的發(fā)熱由偏轉系統(tǒng)設計的繞線分布和電路所決定；偏轉磁芯的發(fā)熱則由磁性材料的選擇和磁芯的形狀能影響的磁場分布所決定。降低偏轉系統(tǒng)的能量損耗和發(fā)熱，較為有效可行的方法是降低偏轉磁芯的能量損耗。選擇低磁滯損耗偏轉磁芯用鐵氧體材料，可以有效地降低偏轉磁芯的能量損耗，這可以通過磁性材料的各項特性的比較進行選擇；改變磁芯內(nèi)的磁場分布和磁通密度，也可以降低磁芯的能量損耗。
對于磁性材料，在交變磁場中存在磁滯損耗，如果交變磁場的最大磁通密度為Bmax’當交變磁場的頻率為f時，每秒的磁滯損耗密度即磁滯損耗功率密度Ph和f、Bmax的關系用以下的經(jīng)驗公式來表示Ph=ηfnBmaxmW/m3----(1)]]>這里η為常數(shù)，n和m次方為經(jīng)驗值，它們可以通過對標準樣品磁環(huán)的在不同頻度、磁通密度和溫度下進行測量得到。
一種典型的偏轉磁芯的結構其沿軸截面為與軸垂直方向的橫截面為一個圓環(huán)形或由兩個半圓環(huán)型拼為一個圓環(huán)形，在此截面上偏轉磁芯內(nèi)的磁能分布一般為余弦分布。因為電子束水平偏轉的頻率遠遠高于垂直偏轉的頻率，因此在偏轉磁芯中水平偏轉的磁場的磁滯損耗遠大于垂直轉磁場產(chǎn)生的磁滯損耗。由于磁滯損耗與磁通密度的非線形關系，和磁場的余弦分布，如果加厚磁場較強部位的磁芯厚度，可以有效的降低磁芯的磁滯損耗。
三、技術內(nèi)容1、發(fā)明目的本發(fā)明的目的是提供一種降低顯像管偏轉磁芯中的磁滯損耗、降低偏轉磁芯的工作溫升、提高偏轉系統(tǒng)工作穩(wěn)定性的低磁滯損耗的顯像管偏轉磁芯。
2、技術方案本發(fā)明的低磁滯損耗的顯像管偏轉磁芯的設計方法是在橫截面為環(huán)形的偏轉磁芯中，磁通密度高的部位的磁芯厚度比磁通密度低的部位磁芯厚度厚，在保證磁芯總重量不變的情況下，可以減薄磁通密度小的部位的磁芯厚度，增加磁通密度大的部位的磁芯厚度，減少偏轉磁芯垂直方向的磁芯厚度，增加水平方向的磁芯厚度，磁芯橫截面的內(nèi)孔和外孔形狀分別為圓形或橢圓形或矩形，但內(nèi)孔與外孔的形狀不同時為圓形。
3、技術效果本發(fā)明的優(yōu)點是偏轉磁芯中總的磁滯損耗小，磁芯的工作溫升低，因此整個偏轉系統(tǒng)的工作穩(wěn)定性也相應提高，尤其可以提高偏轉系統(tǒng)在高頻、大偏轉角度工作狀態(tài)下的穩(wěn)定性。
因為電子束水平偏轉的頻率遠遠高于垂直偏轉的頻率，因此在偏轉磁芯中水平偏轉磁場的磁滯損耗遠大于垂直偏轉磁場的磁滯損耗。而水平偏轉的偏轉線圈的大部分線圈繞線集中在線圈和其上下對稱面的附近，因此在偏轉磁芯中，對應部位的磁通密度也將很強，相應的磁滯損耗也就很大，造成局部的溫度過高。為了降低磁滯損耗，可以通過增加相應部位的磁芯厚度，從而使通過這一部分磁芯中的磁通密度降低，達到減小磁滯損耗的目的。
增加磁芯的厚度在一定程度上增加了磁芯所用鐵氧體材料的總量，增加了成本，為了保證所用材料總量的不變，可以減小磁通密度較小部位的磁芯厚度，但這增加了相應部位的磁滯損耗，因為磁滯損耗和磁通密度的非線性關系，在保證磁芯總重量的不變的情況下，可以使偏轉磁芯總體的磁滯損耗降低。
四

圖1是本發(fā)明磁芯中，磁芯橫截面為內(nèi)圓，外橢圓的結構示意圖。
圖2是本發(fā)明磁芯中，磁芯橫截面為內(nèi)橢圓，外橢圓的結構示意圖。
圖3是本發(fā)明磁芯中，磁芯橫截面為內(nèi)矩形，外橢圓的結構示意圖。
圖4是本發(fā)明磁芯中，磁芯橫截面為內(nèi)矩形，外矩形的結構示意圖。
圖5是本發(fā)明沿軸向的剖面結構示意圖。
五、具體實施方法采用鐵氧體制作軸向為喇叭狀、橫截面的內(nèi)孔為圓形、橢圓形、矩形，外側為圓形、橢圓形、矩形的偏轉磁芯，但內(nèi)孔與外側的截面形態(tài)不同時為圓形，其設計的要點是磁通密度高的部位的磁芯厚度比磁通密度低的部位的磁芯厚度厚。根據(jù)生產(chǎn)工藝的要求，其橫截面形狀沿軸線方向的不同位置的厚度可以相同，也可以不同。
權利要求
1.一種低磁滯損耗的顯像管偏轉磁芯，其特征在于在橫截面為環(huán)形的偏轉磁芯中，磁通密度高的部位的磁芯厚度比磁通密度低的部位磁芯厚度厚。
2.根據(jù)權利要求1所述的低磁滯損耗的顯像管偏轉磁芯，其特征在于在保證磁芯總重量不變的情況下，減薄磁通密度小的部位的磁芯厚度，增加磁通密度大的部位的磁芯厚度。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的低磁滯損耗的顯像管偏轉磁芯，其特征在于減少偏轉磁芯垂直方向的磁芯厚度，增加水平方向的磁芯厚度。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的低磁滯損耗的顯像管偏轉磁芯，其特征在于磁芯橫截面的內(nèi)孔和外孔形狀分別為圓形或橢圓形或矩形，但內(nèi)孔與外孔的形狀不同時為圓形。
全文摘要
低磁滯損耗的顯像管偏轉磁芯是一種以鐵氧體為材料制造的低磁滯損耗、低工作溫升、高工作穩(wěn)定性的偏轉磁芯,其設計方法是在橫截面為環(huán)形的偏轉磁芯中,磁通密度高的部位的磁芯厚度比磁通密度低的部位磁芯厚度厚,在保證磁芯總重量不變的情況下,減薄磁通密度小的部位的磁芯厚度,增加磁通密度大的部位的磁芯厚度,減少偏轉磁芯垂直方向的磁芯厚度,增加水平方向的磁芯厚度,磁芯橫截面的內(nèi)孔和外孔形狀分別為圓形或橢圓形或矩形,但內(nèi)孔與外孔的形狀不同時為圓形。
文檔編號H01F3/00GK1354492SQ01137398
公開日2002年6月19日 申請日期2001年12月18日 優(yōu)先權日2001年12月18日
發(fā)明者張曉兵, 尹涵春 申請人:東南大學