專利名稱：高頻可變衰減器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種用于廣播通訊類電子設(shè)備上的射頻信號可變衰減器。
在有線電視、廣播通訊等各類電子設(shè)備中需用射頻信號可變衰減器對射頻信號進(jìn)行連續(xù)衰減，尤其是在有線電視領(lǐng)域內(nèi)各類放大器中，可變衰減器的使用尤為重要?，F(xiàn)有最常用的可變衰減器(工作頻帶為5-1000MHZ)如圖4所示，由于其包覆于外表面用于接地的金屬貼面部份(接地腳)3的結(jié)構(gòu)與造型不夠合理(1)接地腳的接地面為U形或V形門形框架狀，受框架內(nèi)側(cè)的間距(L)和高度的限制，致使金屬貼面部份占整個接地腳的面積過大；(2)金屬接地面與絕緣殼之間無間隙，而使得金屬貼面與電阻膜片22(同時參見圖2)過于貼近。因而其表征阻抗特性的參數(shù)如反射損耗(dB)較差，當(dāng)工作頻率升至550MHZ-1000MHZ時，反射損耗下降至16dB以下，致使電路匹配變壞，引起信號反射及輻射；而當(dāng)可變衰減器處于0dB位置時(不衰減)，反射損耗下降，引起信號反射及輻射，影響整機(jī)性能指標(biāo)，即輸入輸出阻抗變壞，影響整機(jī)增益可調(diào)范圍及最大輸出電平。
本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有射頻信號可變衰減器的結(jié)構(gòu)上的不足，提供一種結(jié)構(gòu)合理，能達(dá)到頻帶更寬，性能更好的高頻可變衰減器。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種高頻可變衰減器，包括一絕緣殼體及封于其內(nèi)的一芯體，該芯體的二側(cè)引腳分別由殼體兩側(cè)底邊的槽口穿出，向下延伸至殼體下部；一包覆于絕緣殼體外面的接地腳，該接地腳的橫截面為一冂形，其三個貼面分別與絕緣殼體的正面及二側(cè)面鄰接，各接地面分別為一下部開口的金屬門形框架，且各腳接地端延伸至殼體下部，其特點(diǎn)是，所述接地腳的正接地面門形框架的內(nèi)側(cè)最大間距為5.5-7.5mm，側(cè)接地面門形框架的內(nèi)側(cè)最大間距為8-10mm，各接地面門形框架的高為12.5-18mm；所述門形框架上設(shè)有加強(qiáng)筋；所述接地面的二側(cè)面與絕緣殼之間分別留有間隙。
上述的高頻可變衰減器中，在所述接地腳的二側(cè)接地面的內(nèi)壁上還分別設(shè)有一凸塊。
本實(shí)用新型對可變衰減器的接地腳的結(jié)構(gòu)形狀進(jìn)行了改進(jìn)，因而具有以下優(yōu)點(diǎn)1.形狀改變后的金屬接地面門形框架的兩相對邊之間距離加大，使框架變細(xì)，達(dá)到金屬貼面的面積大大縮小，從而可減小分布電容的影響，提高反射損耗指標(biāo)。
2.同時在金屬門形框架上設(shè)置加強(qiáng)筋進(jìn)行強(qiáng)化，可彌補(bǔ)形狀改變后的接地面門形框架本身變細(xì)，支撐強(qiáng)度受影響的不足。
3.接地面的二側(cè)面與絕緣殼之間分別留有間隙，并在二側(cè)接地面的內(nèi)壁上分別設(shè)設(shè)置凸塊，可保證在操作時始終保持有間隙，而可保持電路匹配良好，不會引起信號反射及輻射。
以下結(jié)合附圖及附圖給出的實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明

圖1為本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的外觀立體結(jié)構(gòu)圖；圖2為圖1的包括內(nèi)部結(jié)構(gòu)的立體圖；圖3為圖1的俯視狀態(tài)結(jié)構(gòu)圖；圖4為已有技術(shù)的外觀立體結(jié)構(gòu)圖；圖5為已有技術(shù)與本實(shí)用新型反射損耗特性的比較曲線。
參見圖1-3，本實(shí)用新型為一種寬頻帶高頻可變衰減器，包括一方形絕緣殼體1及封于其內(nèi)的一芯體2，該芯體的二側(cè)支腳21分別由殼體兩側(cè)底邊的槽口穿出，向下延伸至殼體下部；一包覆于絕緣殼體1外面的接地腳3，在接地腳的四角下端分別延伸出一接地端31。接地腳3的橫截面為一冂形，由三個接地面組成，其正接地面33及二側(cè)接地面32分別與絕緣殼體的正面及二側(cè)面鄰接。各接地面的形狀如圖1所示，為下部開口的門形框架，框架的上內(nèi)邊緣呈梯形。在門形框架上設(shè)有加強(qiáng)筋4，除可增加強(qiáng)度外，還可減小分布電容的影響。
接地腳的二側(cè)接地面內(nèi)壁與絕緣殼外壁之間分別留有間隙5，該間隙的距離可為0.2-0.7mm，以0.5mm為佳。
此外，正接地面33門形框架的兩相對邊的內(nèi)側(cè)間距L1可為5.5-7.5mm，其中以6mm為宜；側(cè)接地面32門形框架的內(nèi)側(cè)間距L2一般可為8-10mm；各接地面門形框架的高H為12.5-18mm，以14mm為宜。
在接地腳的二側(cè)接地面的內(nèi)壁上還分別設(shè)有一圓形凸塊6，凸塊6位于接地面?zhèn)让媾c絕緣殼之間的間隙4內(nèi)，是為了避免在操作時誤將側(cè)接地面的內(nèi)壁貼緊絕緣殼的外壁。
在框架的內(nèi)、外邊緣上可設(shè)置一個或多個凹部和/或凸部7、8，形成不規(guī)則的多邊形，也是為了既加大門形框架兩相對邊之間的距離，又可保證接地面的強(qiáng)度而設(shè)。
圖5為已有技術(shù)與本實(shí)用新型反射損耗特性的比較曲線，試驗(yàn)曲線清楚顯示了改進(jìn)后的衰減器反射損耗特性，證明采用本實(shí)用新型可明顯提高可變衰減器的阻抗特性在0dB衰減位置及300MHZ-1000MHZ工作頻率上，其反射損耗指標(biāo)提高5dB以上；典型情況下550MHZ-750MHZ可提高6dB；750MHZ-1000MHZ可提高5dB以上。
權(quán)利要求1.一種高頻可變衰減器，包括一絕緣殼體(1)及封于其內(nèi)的一芯體(2)，該芯體的二側(cè)引腳(21)由絕緣殼體穿出；一包覆于絕緣殼體1外面、截面為一冂形的金屬接地腳(3)，其三個接地面分別與絕緣殼體的正面及二側(cè)面鄰接，所述接地面的形狀為下部開口的門形框架，在該接地腳的四角下端分別延伸出一接地端(31)，其特征在于所述接地腳的正接地面(33)門形框架的兩相對邊的內(nèi)側(cè)間距(L1)為5.5-7.5mm，側(cè)接地面(32)門形框架的內(nèi)側(cè)間距(L2)為8-10mm，各接地面門形框架的高(H)為12.5-18mm；所述門形框架上設(shè)有加強(qiáng)筋(4)；所述接地腳的二側(cè)接地面內(nèi)壁與絕緣殼外壁之間分別留有間隙(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻可變衰減器，其特征在于所述金屬接地腳(3)的側(cè)接地面與絕緣殼之間的間隙(5)距離為0.2-0.7mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻可變衰減器，其特征在于在所述接地腳的二側(cè)接地面的內(nèi)壁上分別設(shè)有一凸塊(6)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻可變衰減器，其特征在于所述框架的上內(nèi)邊緣為梯形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻可變衰減器，其特征在于在該框架的內(nèi)邊緣上設(shè)有一個或一個以上凹/凸部(7)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻可變衰減器，其特征在于在該框架的外邊緣上分別設(shè)有一個或一個以上凹/凸部(8)。
專利摘要高頻可變衰減器,包括一絕緣殼體及封于其內(nèi)的芯體;一包覆于絕緣殼體外面的接地腳,接地腳的橫截面為一冂形,其三個貼面分別與絕緣殼體的正面及二側(cè)面鄰接,各接地面分別為一下部開口的金屬門形框架,其中,接地腳的正接地面門形框架的內(nèi)側(cè)最大間距5.5—7.5mm,側(cè)接地面門形框架的內(nèi)側(cè)最大間距8—10mm,門形框架的高12.5—18mm;門形框架上設(shè)有加強(qiáng)筋;接地面的二側(cè)面與絕緣殼之間分別留有間隙?？杀３蛛娐菲ヅ淞己?不會引起信號反射及輻射。
文檔編號H01P1/22GK2473761SQ0123903
公開日2002年1月23日 申請日期2001年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月25日
發(fā)明者伍頌誼 申請人:伍頌誼