專利名稱：多層印刷電路板以及多層印刷電路板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于增層(build up)多層印刷電路板，特別是關(guān)于內(nèi)藏IC芯片等的電子元件的多層印刷電路板及多層印刷電路板的制造方法。
背景技術(shù)：
IC芯片是通過線接合(wire bonding)、TAB、倒裝片接合(flip-chip)等的安裝方法，而取得與印刷電路板的電連接。
電線連接是通過粘接劑使IC芯片模接于印刷電路板，以金屬等的電線連接該印刷電路板的墊與IC芯片的墊后，為了保護IC芯片與電線而施加熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂等的封裝樹脂。
TAB是通過焊錫稱為引線(lead)的線等一起連接IC芯片的墊與印刷電路板的墊后，以樹脂進行封裝。
倒裝片接合是通過凸塊而使IC芯片與印刷電路板的墊部連接，并以樹脂填充與凸塊的空隙而進行。
然而，各個安裝方法，是在IC芯片與印刷電路板之間通過連接用的引線部件(電線、引線、凸塊)而進行電連接。這些引線部件容易切斷、腐蝕，因此成為與IC芯片的連接中斷、錯誤動作的原因。
另外，各個安裝方法，為了保護IC芯片以環(huán)氧樹脂等的熱可塑性樹脂進行封裝，但是填充該樹脂時因含有氣泡，氣泡成為起點，導致引線部件的破壞和IC墊的腐蝕、可靠性的降低。以熱可塑性樹脂封裝，必須結(jié)合各個零件而做成樹脂填裝用柱塞(plunger)、模型，另外，即使是熱硬化性樹脂也必須選定考慮引線部件、焊錫阻擋層(solder resist)的材料等的樹脂，因此也成為成本較高的原因。
本發(fā)明為了解決上述課題，其目的為提供一種不通過引線部件，而得到與IC芯片直接電連接的多層印刷電路板及多層印刷電路板的制造方法。
本發(fā)明人等經(jīng)過詳細研究之后，提出在樹脂絕緣性基板設(shè)置開口部、通孔和銃孔(ザグリ)部而預先內(nèi)藏IC芯片等的電子元件，而積層間絕緣層，在該IC芯片的模墊上，以光蝕刻或激光，設(shè)置過孔，形成導電的導體電路后，再重復層間絕緣層與導電層而設(shè)置多層印刷電路板，不使用封裝樹脂，通過無引線(leadless)而可取得與IC芯片的電連接構(gòu)造。
再者，本發(fā)明人等，提出在樹脂絕緣性基板設(shè)置開口部、通孔和銃孔部而預先內(nèi)藏IC芯片等的電子元件，積層間絕緣層，在該IC芯片的模墊上，以光蝕刻或激光，設(shè)置過孔，而形成導電層導體電路后，再重復層間絕緣層與導電層，并在多層印刷電路板的表層也安裝IC芯片等的電子元件的構(gòu)造。因此，不使用封裝樹脂，以無引線而能取得與IC芯片的電連接。另外，可安裝各個功能不同的IC芯片等的電子元件，可得到更高功能的多層印刷電路板。具體例，為在內(nèi)藏IC芯片埋入快速緩沖存儲器(cache memory)，通過在表層安裝具有運算功能的IC芯片，可分別制造成品率低的快速緩沖存儲器與IC芯片，但可相近配置IC芯片與快速緩沖存儲器。
并且，本發(fā)明人等詳細研究的結(jié)果，提出在樹脂絕緣性基板設(shè)置開口部、通孔和銃孔部而預先收容IC芯片等的電子元件，在該IC芯片的模墊上形成至少2層以上組成的過渡層。在過渡層的上層積層間樹脂絕緣層，在該IC芯片的過渡層的過孔上，通過光蝕刻或激光設(shè)置過孔，形成導電層導體電路后，再重復層間絕緣層與導電層，而設(shè)置多層印刷電路板，不使用封裝樹脂，并以無引線而能取得與IC芯片的電連接。另外，在IC芯片部分形成過渡層，由于IC芯片部分被平坦化，所以上層的層間絕緣層也被平坦化，膜厚度也變得平均。并且，通過前述的過渡層，形成上層的過孔時，也可保持形狀的穩(wěn)定性。
在IC芯片的墊上設(shè)置過渡層的理由，如下所述。第1模墊微細且尺寸小，形成過孔時的對位變得困難，因此設(shè)置過渡層使對位容易。設(shè)置過渡層的話，模墊節(jié)距(pitch)150μm以下，墊尺寸20μm以下也可穩(wěn)定形成增層(build up)層。沒有形成過渡層的模墊，以光蝕刻形成層間絕緣層的過孔時，過孔直徑比模墊的直徑大，在進行除去過孔底殘渣，層間樹脂絕緣層表面粗化處理時，模墊表面的保護層聚亞酰胺(polyimide)層將溶解、損傷。另一方面，激光的場合，過孔直徑比模墊的直徑大的時候，模墊及鈍態(tài)保護(passivation)膜聚亞酰胺層(IC的保護膜)將被激光破壞。并且IC芯片的模墊非常小，過孔直徑比模墊尺寸大，不論是以光蝕刻方法，或激光方法都非常難對合位置，常發(fā)生模墊與過孔的連接不良。
相對于此，在模墊上設(shè)置過渡層，模墊節(jié)距150μm以下，墊尺寸20μm以下，也可可靠地在模墊上連接過孔(via)，使墊與過孔的連接性和可靠性提高。并且，IC芯片的墊上通過比較大直徑的過渡層，在去殘渣(desmear)、電鍍步驟等的后續(xù)步驟時，即使浸漬于酸和蝕刻液，經(jīng)過各種回火步驟，也不會有溶解模墊及IC的保護膜溶解、損傷的危險。
即使分別僅得到多層印刷電路板功能，視場合做為半導體裝置的安裝基板的功能，為了外部基板的母板和子板的連接，也可設(shè)置BGA、焊錫凸塊、和PGA(導電連接拴)。另外，該構(gòu)成，在已知的安裝方法連接的場合也可縮短配線長，也可減低回路感抗。
下列說明本發(fā)明定義的過渡層。
過渡層尚未用于已知技術(shù)的IC芯片安裝技術(shù)，為了取得半導體元件IC芯片與印刷電路板的直接連接，是指設(shè)置的中間的中介層。其特征是以2層以上的金屬層形成。而且，比半導體元件IC芯片的模墊大。借此，提高電連接和位置接合性，且不會造成模墊損傷，可用激光和光蝕刻加工過孔。因此，可可靠地埋入、收容、收納和連接IC芯片于印刷電路板。另外，過渡層上，可直接形成印刷電路板的導體層金屬。該導體層之一例為層間樹脂絕緣層的過孔和基板上的通孔等。
本發(fā)明使用的內(nèi)藏IC芯片等的電子元件的樹脂制基板，是用將玻璃環(huán)氧樹脂等的加強材料或芯材含浸于環(huán)氧樹脂、BT樹脂、酚樹脂等的樹脂，與含浸環(huán)氧樹脂的預烤(プリプレグ)積層形成物，但也可使用一般印刷電路板使用的材料。除此以外也可使用兩面銅張積層板、單面板、沒有金屬膜的樹脂板、樹脂薄膜。但是，施加350℃以上的溫度時，樹脂會完全溶解、炭化。另外，陶瓷的話，由于外型加工性差，不可使用。
在芯基板等的預先樹脂制絕緣基板上收容IC芯片等的電子元件的凹洞(cavity)形成銃孔、通孔、開口之處以粘接劑等接合該IC芯片。
在內(nèi)藏IC芯片的芯基板全面地進行蒸鍍、濺射等，而全面性形成導電特性的金屬膜(第1薄膜層)。該金屬以錫、鉻、鈦、鎳、鋅、鈷、金、銅等為佳。厚度以在0.001～2.0μm之間為佳。未滿0.001μm，無法全面性平均積層，超過2.0μm形成困難，也無法提高效果。特佳為0.01～1.0μm。鉻的場合以0.1μm的厚度為佳。
通過第1薄膜層，進行模墊的披覆，可在過渡層與IC芯片上提高與模墊的界面的密著性。用這些金屬披覆模墊，可防止水分侵入至界面，以及模墊的溶解、腐蝕，提高可靠性。另外，通過該第1薄膜層，可以沒有引線等的安裝方法取得與IC芯片的連接。在此，使用鉻、鎳、鈦，是因為可防止水分侵入至界面，金屬密著性優(yōu)良。鉻、鈦的厚度，為在濺射層不造成裂痕且可獲得上層與金屬的密著性的厚度。于是，以IC芯片的定位標記為基準在芯基板上形成定位標記。
在第1薄膜層上，以濺射、蒸鍍或無電解電鍍形成第2薄膜層。該金屬為鎳、銅、金、銀等。以電特性、經(jīng)濟性、還有在后續(xù)形成的厚度施加層主要為銅來說，使用銅較好。
在此設(shè)置第2薄膜層的理由，是第1薄膜層無法取得形成后述的厚度施加層的電解電鍍用的引線。第2薄膜層36被用為施加厚度的引線。該厚度以0.01～5μm的范圍進行為佳。未滿0.01μm，無法得到做為引線的作用，超過5μm，蝕刻時，比下層的第1薄膜層多去除而產(chǎn)生空間，水分容易侵入，可靠性降低。
第2薄膜層上，以無電解或電解電鍍施加厚度。因為電特性、經(jīng)濟性，做為過渡層的強度和構(gòu)造上的耐性，還有后續(xù)形成的增層的導體層主要為銅，較好的是使用銅電解電鍍形成。該厚度以1～20μm的范圍進行為佳。比1μm薄時，與上層的過孔的連接可靠性降低，比20m厚，蝕刻時將引起底切(undercut)，形成的過渡層與過孔界面發(fā)生空隙。另外，視場合，可在第1薄膜層上直接電鍍施加厚度，也可再積層多層。
之后，以芯基板的定位標記為基準形成蝕刻阻擋層，曝光、顯像而露出過渡層以外部分的金屬而進行蝕刻，在IC芯片的模墊上形成第1薄膜層、第2薄膜層、厚度施加層組成的過渡層。
再者，以減層工序(subtractive process)形成過渡層的場合，金屬膜上，以無電解或電解電鍍，施加厚度。形成的電鍍的種類為銅、鎳、金、銀、鋅、鐵等。由于電特性、經(jīng)濟性、還有后續(xù)形成的增層導體層主要為銅，因此使用銅較好。該厚度以1～20μm的范圍進行為佳。比該厚度厚時，蝕刻時引起底切，形成的過渡層與過孔的界面發(fā)生空隙。之后，形成蝕刻阻擋層，曝光顯像而露出過渡層以外的部分的金屬而進行蝕刻，在IC芯片的墊上形成過渡層。
如上所述，本發(fā)明人等，提出在形成于芯基板的凹部收容IC芯片，在該芯基板上積層間樹脂絕緣層與導體電路，而在安裝基板內(nèi)內(nèi)藏IC芯片的方案。
該方法，在收納IC芯片的芯基板上全面形成金屬膜，而披覆、保護電子元件IC芯片的墊，視場合，通過在該墊上形成過渡層，取得墊與層間樹脂絕緣層的過孔的電連接。
然而，由于全面性施加金屬膜，在IC芯片上形成的定位標記完全被隱藏，因此描繪有配線等的掩膜和激光裝置等無法吻合基板的位置。所以，該IC芯片的墊與過孔的位置發(fā)生偏差，無法取得電連接。
本發(fā)明即為了解上述問題，其目的為提供與內(nèi)藏IC芯片可取得適當連接的多層印刷電路板的制造方法。
權(quán)利要求14的多層印刷電路板的制造方法，是在基板上重復形成層間絕緣層與導體層，在該層間絕緣層形成過孔，并通過該過孔而電連接，該方法至少具備以下(a)～(c)步驟(a)在前述基板收容電子元件；(b)根據(jù)前述電子元件的定位標記，在前述基板形成定位標記；以及(c)根據(jù)前述基板的定位標記進行加工或形成。
權(quán)利要求14中，根據(jù)電子元件的定位標記，在收容電子元件的基板形成定位標記，并根據(jù)基板的定位標記進行加工或形成。因此，電子元件與位置正確地封合，可在基板上的層間樹脂絕緣層形成過孔。
該場合的加工，是指在電子元件IC芯片或基板上形成的全部。例如，IC芯片的墊上的過渡層、識別字符(英文字母、數(shù)字等)、定位標記等。
另外，該場合的形成，是指在芯基板上施加的層間樹脂絕緣層(未含有玻璃布等的加強材料者)上形成的全部。例如，過孔、配線、識別字符(英文字母、數(shù)字等)、定位標記等。
權(quán)利要求15的多層印刷電路板的制造方法，是在基板上重復形成層間絕緣層與導體層，在該層間絕緣層形成過孔，并通過該過孔而電連接，該方法至少具備以下(a)～(d)步驟(a)在前述基板收容電子元件；(b)根據(jù)前述電子元件的定位標記，以激光在前述基板形成定位標記；
(c)在前述基板的定位標記上形成金屬膜；以及(d)根據(jù)前述基板的定位標記進行加工或形成。
權(quán)利要求15，是根據(jù)電子元件的定位標記，以激光在收容電子元件的基板上穿設(shè)定位標記，在以激光穿設(shè)的定位標記形成金屬膜后，根據(jù)基板的定位標記進行加工或形成。因此，電子元件與位置正確地封合，可在基板上的層間樹脂絕緣層形成過孔。另外，以激光穿設(shè)的定位標記上形成金屬膜，因此可容易地以反射認出定位標記，可正確地封合位置。
權(quán)利要求16的多層印刷電路板的制造方法，在基板上重復形成層間絕緣層與導體層，在該層間絕緣層形成過孔，并通過該過孔而電連接，該方法至少具備以下(a)～(e)步驟(a)在前述基板收容電子元件；(b)根據(jù)前述電子元件的定位標記，而以激光在前述基板形成定位標記；(c)在前述基板的定位標記上形成金屬膜；(d)在前述基板形成層間絕緣層；以及(e)根據(jù)前述基板的定位標記在前述層間絕緣層進行加工或形成過孔用開口。
權(quán)利要求16，是根據(jù)電子元件的定位標記，而在收容電子元件的基板上形成定位標記，在定位標記形成金屬膜后，根據(jù)基板的定位標記進行加工或形成。因此，電子元件與位置正確地封合，可在基板上的層間樹脂絕緣層形成過孔。另外，在以激光穿設(shè)的定位標記上也形成金屬膜，即使在該定位標記上形成層間絕緣層，以反射方式進行圖像識別，可容易地識別定位標記，可正確地決定位置。
如上所述，本發(fā)明人等，提出通過由在樹脂絕緣性基板上設(shè)置開口部、通孔和銃孔部，而預先內(nèi)藏IC芯片等的電子元件，積層間絕緣層，并在該IC芯片的墊上，以光蝕刻或激光，設(shè)置過孔，而形成導電層導體電路后，再重復設(shè)置層間絕緣層與導體層，而形成多層印刷電路板，可不使用封裝樹脂，以無引線、無凸塊取得與IC芯片的電連接的構(gòu)造。
然而，IC芯片的墊，一般是以鋁等制造，在制造步驟中氧化，在表面形成氧化披覆膜。因此，通過在表面形成的氧化披覆膜，凸塊的連接電阻增加，無法取得到IC芯片適當?shù)碾娺B接。另外，模墊上殘存氧化膜，墊與過渡層的密著性不充足無法滿足可靠性。
本發(fā)明為了解決上述課題，其目的為提供在IC芯片上可以無引線而取得適當?shù)仉娺B接的多層印刷電路板及多層印刷電路板的制造方法。
為了達到上述目的，權(quán)利要求17的多層印刷電路板的制造方法，至少具有以下(a)～(e)步驟(a)在前述基板收容電子元件；(b)將前述電子元件的模墊的表面的披覆膜除去；(c)在前述模墊上，形成用以與最下層的層間絕緣層的過孔連接的過渡層；(d)在前述基板上，形成層間絕緣層；以及(e)在前述層間絕緣層上，形成導體電路以及連接過渡層的過孔。
權(quán)利要求17中，為了在基板內(nèi)收容IC芯片，可以無引線而取得與IC芯片的電連接。并且，因為在IC芯片等的電子元件的模墊的連接面施予氧化披覆膜除去處理，因此模墊的電阻減少，可提高導電特性。另外，由于在IC芯片部分設(shè)置過渡層，IC芯片部分被平坦化，上層的層間絕緣層也被平坦化，膜厚度變得平均。再者，上層的過孔形成時，也可保持形狀的穩(wěn)定性。較理想的為完全地除去披覆膜。
權(quán)利要求18，是以逆濺射、等離子處理完去地除去氧化披覆膜而提高IC芯片的模墊的導電特性。
進行逆濺射的場合，是以氬等的惰性氣體做為濺射氣體，對模墊表面的氧化披覆膜進行逆濺射，而完全地除去氧化披覆膜。以等離子進行處理的場合，將基板放置于真空狀態(tài)的裝置內(nèi)，在氧、或氮、碳酸氣體、四氟化碳中放出等離子，而除去模墊表面的氧化披覆膜。
權(quán)利要求19，因為除去披覆膜，與過渡層的最下層的形成，連續(xù)地在非氧氛圍中進行，因此不會在墊表面再形成氧化披覆膜，可提高IC芯片的模墊與過渡層之間的導電特性與密著性。
權(quán)利要求20的多層印刷電路板，是在基板上重復形成層間絕緣層與導體層，在該層間絕緣層形成過孔，并通過該過孔而電連接，在前述基板中內(nèi)藏電子元件；在前述電子元件的模墊上，形成與最下層的層間絕緣層的過孔連接的過渡層；以及除去前述模墊的表面的披覆膜。
權(quán)利要求20，因為在基板內(nèi)收容IC芯片，可以無引線取得與IC芯片的電連接。并且，由于對IC芯片等的電子元件的模墊的連接面施加氧化披覆膜除去處理，因此可減低模墊的電阻，提高導電特性。另外，通過在IC芯片部分設(shè)置過渡層，由于IC芯片部分被平坦化，上層的層間絕緣層也被平坦化，膜厚度也變得平均。再者，形成上層的過孔時，也可保持形狀的穩(wěn)定性。較理想的是披覆膜完全地除去。
附圖
的簡單說明第1圖是本發(fā)明的實施例1的多層印刷電路板的制造工序圖。
第2圖是實施例1的多層印刷電路板的制造工序圖。
第3圖是實施例1的多層印刷電路板的制造工序圖。
第4圖是實施例1的多層印刷電路板的制造工序圖。
第5圖是實施例1的多層印刷電路板的制造工序圖。
第6圖是實施例1的多層印刷電路板的剖面圖。
第7圖，(A)是擴大顯示第3圖(A)中的過渡層，(B)是第7圖(A)的B箭頭處放大圖，(C)、(D)、(E)是過渡層的改變例的說明圖。
第8圖，(A)是實施例1的多層印刷電路板的透視圖，(B)是擴大顯示該多層印刷電路板的一部分的說明圖。
第9圖，(A)是實施例1的第1改變例的多層印刷電路板的透視圖，(B)是擴大顯示該多層印刷電路板的一部分的說明圖。
第10圖是實施例1的第2改變例的多層印刷電路板的剖面圖。
第11圖是實施例1的第3改變例的多層印刷電路板的剖面圖。
第12圖是實施例1的第4改變例的多層印刷電路板的剖面圖。
第13圖是實施例1的多層印刷電路板的制造工序圖。
第14圖是實施例1的多層印刷電路板的制造工序圖。
第15圖是實施例1的多層印刷電路板的制造工序圖。
第16圖是實施例1的多層印刷電路板的制造工序圖。
第17圖是實施例1的多層印刷電路板的制造工序圖。
第18圖是實施例1的多層印刷電路板的制造工序圖。
第19圖，(A)是第13圖(D)中的芯基板的平面圖，(B)是第13圖(E)的平面圖。
第20圖，(A)是光掩膜載置前的芯基板的平面圖，(B)是載置光掩膜狀態(tài)的芯基板的平面圖。
第21圖是實施例2的第1改變例的多層印刷電路板的剖面圖。
第22圖是實施例3的多層印刷電路板的制造工序圖。
第23圖是實施例3的多層印刷電路板的制造工序圖。
第24圖是實施例3的多層印刷電路板的制造工序圖。
第25圖是實施例3的多層印刷電路板的制造工序圖。
第26圖是實施例3的多層印刷電路板的剖面圖。
第27圖，(A)是擴大顯示第22圖(C)中的模墊部的說明圖，(B)是擴大顯示第23圖(A)中的模墊部的說明圖，(C)是擴大顯示第24圖(A)中的模墊部的說明圖。
第28圖是實施例32的第1改變例的多層印刷電路板的剖面圖。
第29圖是擴大顯示實施例3的第1改變例的模墊部的圖， (A)是顯示氧化披覆膜除去處理前的狀態(tài)的圖，(B)是顯示氧化披覆膜除去處理后的狀態(tài)的圖，(C)是顯示在模墊上形成過渡層后的圖。
第30圖是顯示進行評價實施例3與比較例的多層印刷電路板的1)剖面狀態(tài)、2)電阻測定值、3)可靠性試驗后的剖面狀態(tài)、4)電阻測定值的共4個項目的結(jié)果的圖表。
發(fā)明的最佳實施狀態(tài)以下，參照圖而說明本發(fā)明的實施例。
實施例1首先，參照第6圖所示的多層印刷電路板10的剖面而說明本發(fā)明的實施例1的多層印刷電路板的構(gòu)成。
第6圖所示的多層印刷電路板10，是由收容IC芯片20的芯基板30，與層間樹脂絕緣層50、層間樹脂絕緣層150所組成。層間樹脂絕緣層50上，形成過孔60以及導體電路58，層間樹脂絕緣層150上，形成過孔160以及導體電路158。
IC芯片20上，披覆著鈍化膜24，在該鈍化膜24的開口內(nèi)配設(shè)構(gòu)成輸出端子的模墊24。在鋁制的模墊24之上，形成過渡層38。該過渡層38是由第1薄膜層33、第2薄膜層36、施加厚度膜37這3層所組成。
層間樹脂絕緣層150上，配設(shè)著焊錫阻擋層70。在焊錫阻擋層70的開口部71下的導體電路158上，設(shè)置與未圖示的子板、母板等的外部基板連接用的BGA76。
在實施例1的多層印刷電路板10，在芯基板30預先內(nèi)藏IC芯片20，而在該IC芯片20的模墊24上配設(shè)過渡層38。因此，可不使用引線部件和封裝樹脂，而取得IC芯片與多層印刷電路板(安裝基板)的電連接。另外，因為在IC芯片部分形成過渡層38，所以IC芯片部分被平坦化，因此上層的層間絕緣層50也被平坦化，膜厚度也變得平均。并且，通過過渡層，也可在形成上層的過孔60時保持形狀的穩(wěn)地性。
再者，在模墊24上設(shè)置銅制的過渡層38，可防止模墊24上的樹脂殘留，另外，在后續(xù)步驟時即使經(jīng)過浸漬于酸和氧化劑或蝕刻液中、各種回火步驟也不會產(chǎn)生模墊的變色，溶解。借此，使IC芯片的模墊與過孔的連接性和可靠性提高。且，40μm前后的直徑的模墊24上通過60μm以上的過渡層38，而可可靠地連接60μm直徑的過孔。
接著，參照第1～5圖說明參照第6圖的上述的多層印刷電路板的制造方法。
(1)首先，以將玻璃布等的心材與含浸于環(huán)氧等的樹脂的預烤層積的絕緣樹脂基板(芯基板)30為出發(fā)材料(參照第1圖(A))。接著，在芯基板30的一面上，以激光加工形成IC芯片收容用的凹部32(參照第1圖(B))。在此，通過激光加工設(shè)置凹部，但也可通過將設(shè)有開口的絕緣樹脂基板與未設(shè)開口的樹脂絕緣基板貼合，而形成具備收容部的芯基板。
(2)之后，在凹部32上，使用印刷機而涂布粘接材料34。此時，除了涂布以外，也可灌注(potting)。接著在粘接材料34上載置IC芯片20(參照第1圖(C))。
(3)于是，擠壓，或輕敲IC芯片20的上面而完全地收容于凹部32內(nèi)(參照第1圖(D))。借此，可平滑芯基板30。
(4)之后，在收容IC芯片20的芯基板30的全面進行蒸鍍、濺射等，而全面形成導電特性的第1薄膜層33(第2圖(A))。該金屬可為錫、鉻、鈦、鎳、鋅、鈷、金、銅等。特別是，使用鎳、鉻、鈦，可抑制在界面的水分侵入，且在膜形成上與電特性上更適合。厚度較好是以0.001～2.0μm的范圍形成，特別是，0.01～1.0μm為更佳。在鉻的場合，較好為0.1μm的厚度。
通過第1薄膜層33，可進行模墊24的披覆，并提高過渡層與在IC芯片上與模墊24的界面的密著性。另外，以這些金屬披覆模墊24，可防止水分往界面的侵入，以及模墊的溶解、腐蝕，并提高可靠性。另外，通過該第1薄膜層33，可以沒有引線的安裝方法取得與IC芯片的連接。
在此，使用鉻、鈦、鎳，可抑制在界面的水分侵入，提高金屬密著性。
(5)在第1薄膜層33上，通過濺射、蒸鍍、或無電解電鍍，形成第2薄膜層36(第2圖(B))。該金屬為鎳、銅、金、銀等。由于電特性、經(jīng)濟性、在后續(xù)步驟中形成的增層的導體層主要為銅，因此使用銅較好。
設(shè)置第2薄膜層的理由，是因為在第1薄膜層，無法取得用以形成后述的厚度施加層的電解電鍍用的引線。第2薄膜層36，被用為施加厚度的引線。其厚度較好是以0.01～5μm的范圍進行。特別是，較好為0.1～3μm之間，最適合第1薄膜層的披覆與引線。未滿0.01μm，無法得到作為引線的部分，一超過5μm，蝕刻的時候，下層的第1薄膜層多去除而產(chǎn)生空隙，水分容易侵入，可靠性降低。
再者，較好的第1薄膜層與第2薄膜層的組合，是鉻-銅、鉻-鎳、鈦-銅、鈦-鎳等。以于金屬的接合性和電特性傳達性的觀點比其他的組合為優(yōu)。
(6)之后，涂布阻擋層、曝光、顯像而在IC芯片的模墊的上部設(shè)置開口那樣設(shè)置電鍍阻擋層35，以下列條件施予電解電鍍，而設(shè)置電解電鍍膜(施加厚度膜)37(第2圖(C))。
硫酸 2.24mol/l硫酸銅0.26mo1/l添加劑(アトテツクジヤパン制造，カパラシド HL)19.5ml/l[電解電鍍條件]電流密度1A/dm2時間65分鐘溫度22+2℃除去電鍍阻擋層35后，以蝕刻除去電鍍阻擋層35下的無電解第2薄膜層36、第1薄膜層33，而在IC芯片的模墊24上形成過渡層38(第2圖(D))。在此，通過電鍍阻擋層而形成過渡層，但是也可在無電解第2薄膜層36上平均地形成電解電鍍膜后，形成蝕刻阻擋層，曝光、顯像露出過渡層以外的部分的金屬而進行蝕刻，而在IC芯片的模墊上形成過渡層。電解電鍍膜的厚度較好為1～20μm的范圍。如果比該厚度厚，則蝕刻時會引起底切，因為在形成的過渡層、過孔與界面會產(chǎn)生空隙。
(7)接著，以噴灑方式吹付蝕刻液于基板上，通過蝕刻而將過渡層38的表面形成粗化面38a(圖3A)。也可使用無電解電鍍和氧化還原處理形成粗化面。第7圖(A)是擴大顯示第3圖(A)中的過渡層38，第7圖(A)的B箭頭所指處示于第7圖(B)。過渡層38，是由第1薄膜層33、第2薄膜層36、施加厚度膜37的3層構(gòu)造組成。如第7圖(A)所示，過渡(transition)是以圓形形成，但是也可如第7圖(C)所示的橢圓形、第7圖(D)所示的矩形、第7圖(E)所示的形狀取而代之。
(8)經(jīng)過上述步驟的基板上，一邊升溫至溫度50～150℃一邊以壓力5kg/cm2真空壓著層壓(laminate)厚度50μm的熱硬化型樹脂片(sheet)，而設(shè)置層間樹脂絕緣層50(參照第3圖(B))。真空壓著的真空度為10mmHg。
(9)之后，以波長10.4μm的CO2氣體激光，并以光束直徑5μm、最熱模式、脈沖波寬5.0μm秒、掩膜的孔徑0.5mm、1射程的條件，在層間樹脂絕緣層50上設(shè)置直徑80μm的過孔用開口48(參照第3圖(C))。使用鉻酸而除去開口48內(nèi)的樹脂殘留。在模墊上設(shè)置銅制的過渡層38，可防止模墊24上的樹脂殘留，借此，使模墊24與后述的過孔60的連接性和可靠性提高。并且，在40μm直徑前后的模墊24上通過60μm以上的過渡層38，而可可靠地連接60μm直徑的過孔用開口48。再者，此處，是使用過錳酸而除去樹脂殘留，但也可使用氧等離子而進行去殘渣處理。
(10)接著，通過浸漬于鉻酸、過錳酸鹽等的氧化劑中，而設(shè)置層間樹脂絕緣層50的粗化面50α(參照第3圖(D))。該粗化面50α可以在0.05-5μm的范圍。作為一例，在過錳酸鈉溶液50g/l，在溫度60℃中浸漬5-25分鐘，設(shè)置1-5μm的粗化面50α。除了上述以外，也可使用日本真空技術(shù)有限公司制造的SV-4540進行等離子處理，在層間樹脂絕緣層50的表面形成粗化面50a。此時，使用氬氣為惰性氣體，以電力200W、氣壓0.6Pa、溫度70℃的條件，實施2分鐘等離子處理。
(11)在形成粗化面50α的層間樹脂絕緣層50上，設(shè)置金屬層52(參照第4圖(A))。金屬層52，是以無電解電鍍形成。通過預先在層間樹脂絕緣層50的表面施加鈀(pallodoum)等的觸媒，并浸漬于無電解電鍍液中5～60分鐘，設(shè)置以0.1～5μm的范圍的電鍍膜的金屬層52。其一例為，[無電解電鍍水溶液]NiSO40.003mol/l酒石酸 0.200mol/l硫酸銅 0.030mol/lHCHO 0.050mol/lNaOH 0.1 00mol/lα，α′-吡啶 100mg/l聚乙烯乙二醇(PEG) 0.10g/l浸漬于34℃的液體溫度40分鐘。
除了上述以外也可使用與上述的等離子處理同樣裝置，交換內(nèi)部的氬氣體后，以Ni及Cu為靶材而濺射，以氣壓0.6Pa、溫度80℃、電力200W時間5分鐘的條件進行，而在層間樹脂絕緣層50的表面形成Ni/Cu金屬層52。此時，形成的Ni/Cu金屬層52的厚度為0.2μm。另外，也可以蒸鍍、電著等取代濺射形成金屬膜。并且，以濺射、蒸鍍、電著等的物理性方法形成施加薄層后，也可施予無電解電鍍。
(12)在完成上述處理的基板30上，貼合市售的感光性干膜，并載置鉻氣掩膜，而以40mJ/cm2曝光后，以0.8％碳酸鈉顯像處理，而設(shè)置厚度25μm的電鍍阻擋層54。接著，以下列條件施予電解電鍍，而形成厚度18μm的電鍍阻擋層膜56(參照第4圖(B))。再者，電解電鍍水溶液中的添加劑為アトテツクジヤパン制造，カパラシドHL。
電流密度1A/dm2時間 65分鐘溫度 22+2℃
(13)以5％NaOH剝離除去電鍍阻擋層54后，使用硝酸及硫酸與過氧化氫的混合液蝕刻該電鍍阻擋層下的金屬層52而溶解除去，形成金屬層52與電解電鍍膜56組成的厚度16μm的導體電路58及過孔60，以含有第二銅錯體與有機酸的蝕刻液，形成粗化面58α、60α(參照第4圖(C))。也可使用無電解電鍍和氧化還原處理形成粗化面。
(14)接著，通過重復上述(9)～(13)的步驟，在形成上層的層間150及導體電路158(含有過孔160)(參照第5圖(A))。
(15)接著，混合60重量％的甲酚酶(cresol)酚醛固形物(novolak)型環(huán)氧樹脂(日本化學醫(yī)藥公司制造)的環(huán)氧基50％烷基化的給予感光性的低聚合物(oligomer)(分子量4000)46.67重量份、溶解于甲基乙基酮的80重量％的雙酚A型環(huán)氧樹脂(油化シエル制造、Epicote1001)15重量份、咪唑硬化劑(四國化成制造、2E4MZ-CN)1.6重量份、具有感光性單體的多價烷基單體(共榮化學制造、R604)3重量份、相同多價烷基單體(共榮化學制造、DPE6A)1.5重量份、分散系消泡劑(サンノプコ公司制造、S-65)0.71重量份溶解于DMDG中放入容器中，攪拌、混合而調(diào)整成混合組成物，再對該混合組成物加入光起始劑二苯基酮(benzophenone)(關(guān)東化學制造)2.0重量份、光增感劑米其勒酮(Michler’s ketone)(關(guān)東化學制造)0.2重量份，而得到在25℃的黏度調(diào)整至2.0Pa.s的焊錫阻擋層組成物(有機樹脂絕緣材料)。
再者，黏度測定是以B型黏度劑(東京計器公司制造、DVL-B型在60rpm的場合是以轉(zhuǎn)子No.4、6rpm的場合則以轉(zhuǎn)子No.3而得。
(16)接著，在基板30上，以20μm的厚度涂布上述焊錫阻擋層組成物，并以70℃20分鐘、70℃30分鐘的條件進行干燥處理后，使描繪有焊錫阻擋層開口部的圖案的厚度5mm的掩膜密著于焊錫阻擋層70而以1000mJ/cm2的紫外線暴光，以DMTG溶液顯像處理，而形成陸(land)直徑620μm、開口直徑460μm的開口71(參照第5圖(B))。
(17)接著，將形成焊錫阻擋層(有機樹脂絕緣層)70的基板，浸漬于含有氯化鎳(2.3×10-1mol/l)、次亞磷酸鈉(2.8×10-1mol/l)、檸檬酸鈉(1.6×10-1mol/l)的pH＝4.5的無電解電鍍液中20分鐘，而在開口部71形成厚度5μm的鎳電鍍層72。再將該基板于含有氰化金鉀(7.6×10-3mol/l)、氯化銨(1.9×10-1mol/l)、檸檬酸鈉(1.2×10-1mol/l)、次亞磷酸鈉(1.7×10-1mol/l)的無電解電鍍液中，在80℃的條件浸漬7.5分鐘，而在鎳電鍍層72上形成厚度0.03μm的金電鍍層74，而于導體電路158上形成焊錫墊75(參照第5圖(C))。
(18)之后，在焊錫阻擋層70的開口部71上印刷焊錫膏材(paste)，在200℃通過回流(reflow)形成BGA76。以此而內(nèi)藏IC芯片20，可得到具有BGA76的多層印刷電路板10(參照第6圖)。也可配設(shè)PGA(導電連接拴)取代PGA。
在上述的實施例中，層間樹脂絕緣層50、150是使用熱硬化性樹脂片。該熱硬化性樹脂片是含有難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化劑、其他成分者。以下分別加以說明。
實施例1的熱硬化性樹脂片使用而得的環(huán)氧系樹脂，是在酸或氧化劑中分散可溶性的粒子(以下稱為可溶性粒子)酸或氧化劑中分散難溶性的樹脂(以下稱為難溶性樹脂)者。
再者，所謂實施例1使用的“難溶性” “可溶性”，是在同一時間浸漬于同一種酸或氧化劑組成的溶液中時，相對溶解速度快的簡稱為“可溶性”，相對地，溶解速度慢的簡稱為“難溶性”。
上述可溶性粒子，舉例為酸或氧化劑中可溶性的樹脂粒子(以下稱為可溶性樹脂粒子)、酸或氧化劑中可溶性的無機粒子(以下稱為可溶性無機粒子)、酸或氧化劑中可溶性的金屬粒子(以下稱為可溶性金屬粒子)等。這些可溶性粒子可單獨使用，也可兩種以上并用。
上述可溶性粒子的形狀并無特別限制，例如球狀、碎片狀等。又上述可溶性粒子的形狀較好為一樣的形狀。因為可形成具有平均粗度的凹凸的粗化面。
上述可溶性粒子的平均粒徑較好0.1～10μm。該粒徑的范圍也可含有兩種以上不同粒徑者。也就是說，含有平均粒徑為0.1～0.5μm的可溶性粒子與平均粒徑1～3μm的可溶性粒子等。借此可形成較復雜的粗化面，與導體電路的密著性也優(yōu)良。再者，實施例1中，可溶性粒子的粒徑是可溶性粒子的最長部分的長度。
上述可溶性樹脂粒子舉例如熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂所組成者，浸漬于酸或氧化劑所組成的溶液時，若為比上述難溶性樹脂溶解速度快者沒有特別限定。
上述可溶性樹脂粒子的具體例為例如環(huán)氧樹脂、酚樹脂、聚亞酰胺樹脂、聚苯基樹脂、聚烯烴樹脂、氟樹脂等所組成者，可為選自上述樹脂一種，或為兩種以上的樹脂的混合物。
另外，上述可溶性樹脂粒子也可使用橡膠組成的樹脂粒子。上述橡膠可舉例如聚丁二烯橡膠、環(huán)氧改質(zhì)、胺脂改質(zhì)、 (甲基)丙烯腈改質(zhì)等的各種改質(zhì)聚丁二烯橡膠、含有羧基的(甲基)丙烯腈丁二烯橡膠等。通過使用上述的橡膠，可溶性樹脂粒子變得容易溶解于酸或氧化劑中。最后，使用酸而溶解可溶性樹脂粒子時，也可以強酸以外的酸溶解，使用氧化劑溶解可溶性樹脂粒子時，也可以氧化力比較弱的過錳酸鹽溶解。另外，使用鉻酸時，也可以低濃度溶解。因此，在樹脂表面沒有酸或氧化劑殘留，如后述那樣，粗化面形成后，施加氯化鈀等的觸媒時，給予觸媒，觸媒不會氧化。
上述可溶性無機粒子，可舉例如至少一種選自鋁化合物、鈣化合物、鉀化合物、鎂化合物以及矽化合物組成的群組所組成的粒子。
上述鋁化合物舉例有鋁、氫氧化鋁等，上述鈣化合物可舉例如碳酸鈣、氫氧化鈣等，上述鉀化合物可舉例如碳酸鉀等，上述鎂化合物可舉例如鎂、白云石(dolomite)、氯鹵性碳酸鎂等，上述矽素化合物可舉例如矽、沸石(zeolite)等。這些化合物可單獨使用，也可兩種以上并用。
上述可溶性金屬粒子可舉例如至少一種選自銅、鎳、鐵、鋅、鉛、金、銀、鋁、鎂、鈣以及矽素所組成的粒子等。另外，這些可溶性金屬粒子，為了確保絕緣性，也可在表層披覆樹脂。
上述可溶性粒子混合兩種以上使用時，混合兩種的可溶性粒子的組合較好為樹脂粒子與無機粒子的組合。兩者導電特性皆低，因此可確保樹脂薄膜的絕緣性，同時可容易地調(diào)整與難溶性樹脂之間的熱膨脹，不會發(fā)生樹脂薄膜所組成的層間樹脂絕緣層的斷裂，而層間樹脂絕緣層與導體電路間也不會發(fā)生剝離。
上述難溶性樹脂，在層間樹脂絕緣層上使用酸或氧化劑形成粗化面時，只要能保持粗化面的形狀，并無特別限定，例如熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂、上述的復合體等。
另外，也可為施加上述樹脂感光性的感光性樹脂。通過使用感光性樹脂，可使用暴光、顯像處理在層間樹脂絕緣層形成過孔用開口。
上述之中，較好為含有熱硬化樹脂者。據(jù)此，即使以電鍍液或各種的加熱處理，也可保持粗化面的形狀。
上述難溶性樹脂的具體例為例如環(huán)氧樹脂、酚樹脂、苯氧(phenoxy)樹脂、聚亞酰胺樹脂、聚苯基(polyphenylene)樹脂、聚烯烴樹脂、氟素樹脂等。這些樹脂可單獨使用，或兩種以上并用也可。熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、這些復合體也可。
此外，較好為在1分子中，具有2個以上的環(huán)氧基的環(huán)氧樹脂。可形成前述的粗化面，耐熱性等也優(yōu)良，因此即使在熱循環(huán)條件下，也不會在金屬層發(fā)生應力的集中，且難以引起金屬層的剝離。
上述環(huán)氧樹脂可舉例如甲酚酶(cresol)酚醛固形物(novolak)型環(huán)氧樹脂、雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、酚醛固形物型環(huán)氧樹脂、烷基酚醛固形物型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、奈型環(huán)氧樹脂、雙環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂、具有酚類與酚性氫氧基的芳香族醛的縮合物的環(huán)氧化物、三環(huán)氧(glycidyl)異三聚氰酸酯(cyanurate)、脂環(huán)式環(huán)氧樹脂等。上述可單獨使用也可兩種以上并用。借此可成為耐熱性等優(yōu)良者。
關(guān)于實施例1使用的樹脂薄膜，上述可溶性粒子較好為在上述難溶性樹脂中幾乎平均分散者。因為可形成具有平均的粗糙度的凹凸的粗化面，也可在樹脂薄膜上形成過孔與通孔，而可確保形成于其上的導體電路的金屬層的緊密性。此外，也可僅在形成粗化面的表層部使用含有可溶性粒子的樹脂薄膜。借此，在樹脂薄膜的表層部以外可不以酸或氧化劑暴光，因此可可靠地保持通過層間樹脂絕緣層的導體電路間的絕緣性。
上述樹脂薄膜中，分散于難溶性樹脂中的可溶性粒子的配合量較好為樹脂薄膜的3～40重量％?？扇苄粤Ｗ拥呐浜狭课礉M3重量％時，無法形成具有所期望的凹凸的粗化面，而超過40重量％時，使用酸或氧化劑而溶解可溶性粒子時，不能溶解到樹脂薄膜的深部，而不能維持通過樹脂薄膜組成的層間樹脂絕緣層的導體電路間的絕緣性，將成為短路的原因。
上述樹脂薄膜除了上述可溶性粒子、上述難溶性樹脂以外，較好為含有硬化劑、其他成分等。
上述硬化劑舉例有咪唑系硬化劑、胺系硬化劑、胍(guanidine)系硬化劑、上述硬化劑的環(huán)氧加成物(adduct)和上述硬化劑微膠囊化(microcapsule)者，三酚膦(triphenolephosphine)、四酚磷根(phosphonium)四酚硼酸鹽(borate)等的有機膦系化合物等。
上述硬化劑的含有量較好為樹脂薄膜的0.05～10重量％。未滿0.05重量％時，樹脂薄膜的硬化不充分，因此酸和氧化劑侵入樹脂薄膜的程度增加，而損壞樹脂薄膜的絕緣性。另一方面，超過10重量％時，過剩的硬化劑成分將使樹脂的組成變質(zhì)，而導致可靠性的降低。
上述的其他成分，例如有不影響粗化面的形成的無機化合物或樹脂等的填充劑。上述無機化合物例如有矽、鋁、白云石等，上述樹脂例如有聚亞酰胺樹脂、聚丙烯酸樹脂、聚酰胺亞酰胺樹脂、聚伸苯基樹脂、黑素(melanin)樹脂、烯烴系樹脂等。通過含有上述的填充劑，可達到熱膨脹系數(shù)的整合以及耐熱性、耐藥品性的增加等，而提高印刷電路板的性能。
另外，上述樹脂填充劑也可含有溶劑。上述溶劑例如有丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮等的酮類，乙基乙酸、丁基乙酸、賽珞蘇乙酸鹽(cellosolveacetate)和甲苯、二甲苯等的芳香族碳氫化合物。上述溶劑可單獨使用，也可兩種類以上并用。但是，這些的層間樹脂絕緣層，加入350℃以上的溫度時將完全溶解、碳化。
貼附上述樹脂薄膜后，以激光開口，而在層間樹脂絕緣層上開口過孔。之后，浸漬于酸或氧化劑，而在層間樹脂絕緣層形成粗化層。酸可使用硫酸、磷酸、鹽酸、蟻酸等的強酸，氧化劑可使用鉻酸、鉻硫酸、過錳鹽酸等。借此，可將可溶性粒子溶解或使其脫落而在層間樹脂絕緣層的表面上形成粗化層。形成該粗化層的層間樹脂絕緣層上，使施加Pb等的觸媒后，施予無電解電鍍。在無電解電鍍膜上施加阻擋層，通過暴光、顯影而形成電鍍阻擋層的非形成部。在該非形成部上施予電解電鍍而剝離阻擋層，通過蝕刻而除去層間樹脂絕緣層上的無電解電鍍膜形成過孔與導體電路。
第8圖(A)是為實施例1的多層印刷電路板10的側(cè)視圖，第8圖(B)是擴大顯示該多層印刷電路板10的一部分的說明圖。在實施例1的多層印刷電路板10的表面上，以多格子狀在基板全面配設(shè)焊錫墊(BGA)76。在實施例1，在IC芯片20上也形成BGA76，可縮短從IC芯片20的配線長度。
第9圖(A)是實施例1的第1改變例的多層印刷電路板的側(cè)視圖，第9圖(B)是擴大顯示該多層印刷電路板10的一部分的說明圖。在改變例的多層印刷電路板10的表面，除了四個角落以外以多格子狀于IC芯片20配設(shè)焊錫墊(BGA)76。該改變例中，具有避免IC芯片，BGA76不易受到來自IC芯片的熱的、電磁影響的優(yōu)點。
接著，參照第10圖說明實施例1的第2改變例的多層印刷電路板。上述的實施例1中，是以配設(shè)BGA的場合說明。
第2改變例與實施例1相同，但是是通過如第10圖所示的導電連接拴96而取得連接的PGA方式而構(gòu)成。
接著，參照第11圖說明實施例1的第3改變例的多層印刷電路板。
上述的實施例1中，是在以凹部設(shè)置于芯基板30的凹部32收容IC芯片。相對于此，第3改變例，是在形成于芯基板30通孔32收容IC芯片20。該第3改變例，因為可直接安裝散熱槽(heat sink)于IC芯片20的里側(cè)，因此具有可有效地冷卻IC芯片20的優(yōu)點。
接著，參照第12圖說明實施例1的第4改變例的多層印刷電路板。
上述的實施例1，是在多層印刷電路板內(nèi)收容IC芯片。
相對于此，第4改變例中，在多層印刷電路板內(nèi)收容IC芯片20的同時，在表面載置IC芯片120。內(nèi)藏的IC芯片20被用為發(fā)熱量較小的快速緩沖儲存存儲器，而表面的IC芯片120是載置運算用的CPU。
IC芯片20的模墊24與IC芯片120的模墊124是通過過渡層38-過孔-60-導體電路58-過孔-160-導體電路158-BGA 76而連接著。另一方面，IC芯片120的模墊124與子板90的墊92是通過BGA-76U-導體電-158-過孔160-導體電路58-過孔60-通孔136-過孔60-導體電路58-過孔160-導體電路158-BGA 76U而連接著。
第4改變例，可分別制造成品率低的快速緩沖存儲器20與CPU用的IC芯片120，但可相近配置IC芯片120與快速緩沖儲存存儲器20，且IC芯片的動作也可高速進行。該第4改變例，內(nèi)藏IC芯片的同時也在表面載置，可安裝各功能相異的IC芯片的電子元件，可得到更高功能的多層印刷電路板。
根據(jù)實施例1的構(gòu)造，可不通過引線部件，取得IC芯片與印刷電路板的連接。因此，也不需要樹脂封裝。不會引起因引線部件和封裝樹脂的不適合，而能提高連接性和可靠性。另外，因為可直接連接IC芯片的模墊與印刷電路板的導電層，而能使電特性提高。
此外，比起已知的IC芯片的安裝方法，也可縮短到IC芯片～基板～外部基板的配線長，也具有可減低回路感抗(loopinductance)的效果。
接著，參照第18圖所示的多層印刷電路板210的剖面說明本發(fā)明的實施例2的多層印刷電路板的構(gòu)造。
第18圖所示的多層印刷電路板210，是由收容IC芯片220的芯基板230與層間樹脂絕緣層250、層間樹脂絕緣層350所組成。層間樹脂絕緣層250上形成過孔260及導體電路258，層間樹脂絕緣層350上則形成過孔360及導體電路358。
IC芯片220上披覆鈍化膜224，在該鈍化膜224的開口內(nèi)配設(shè)構(gòu)成輸出端子的模墊224，及定位標記223。在墊224的上面，形成主要由銅組成的過渡層238。
層間樹脂絕緣層350上，配設(shè)著焊錫阻擋層270。焊錫阻擋層270的開口部271下的導體電路358上，設(shè)置與未圖示的子板、母板等的外部基板連接用的BGA 276。
實施例2的多層印刷電路板210，在芯基板230預先內(nèi)藏IC芯片220，該IC芯片220的墊224上配設(shè)過渡層238。因此，可不使用引線部件和封裝樹脂，取得IC芯片與多層印刷電路板(安裝基板)的電連接。
另外，在模墊224上設(shè)置銅制的過渡層238，可防止墊224上的樹脂殘留，另外，即使在后序步驟時浸漬在酸和氧化劑或蝕刻液中，各種回火步驟也不會發(fā)生墊224的變色、溶解。
并且，在后述的制造步驟中，以IC芯片220的定位標記223為基準在芯基板230上形成定位標記231，以符合該定位標記231而形成過孔260。因此，在IC芯片220的墊224上正確地決定過孔260的位置，可可靠地連接墊224與過孔260。
接著，參照第13～17圖說明參照第18圖的上述的多層印刷電路板的制造方法。
(1)首先，以將玻璃布等的心材與含浸于環(huán)氧等樹脂的預烤層積的絕緣樹脂基板(芯基板)230為出發(fā)材料(參照第13圖(A))。接著，在芯基板230的一面上，以挖洞加工形成IC芯片收容用的凹部232(參照第13圖(B))。
(2)之后，在凹部232，用印刷機涂布粘接材料234。此時，除了涂布以外，也可灌注。接著，在粘接材料234上載置IC芯片220(參照到13圖(C))。
(3)于是，擠壓、或輕敲IC芯片220的上面而完全地收容于凹部232內(nèi)(參照第13圖(D))。第19圖(A)是顯示第13(D)圖所示的IC芯片220及芯基板230的平面圖。收容于芯基板230的凹部232的IC芯片220，因為凹部的加工精密度，還有通過粘接材料234，而無法正確地對芯基板決定位置。
(4)以照相機(camera)280于IC芯片220的4個角落攝影定位標記223，并以該定位標記223為基準，以激光在芯基板230的4個角落穿設(shè)定位標記用凹部231a(第13圖(E))。第19圖(B)是顯示第13圖(E)中所示的IC芯片220及芯基板230的平面圖。
(5)之后，在收容IC芯片220的芯基板230的全面進行蒸鍍、濺射等物理性蒸鍍，而全面性形成導電特性的金屬膜233(第14圖(A))。該金屬也可為一種以上的錫、鉻、鈦、鎳、鋅、鈷、金、銅等所形成，視場合，也可以2層以上不同金屬形成。厚度較好是以0.01～2.0μm之間形成.特別好為0.01～1.0μm。
在金屬膜233上，在通過無電解電鍍、電解電鍍或這些的復合電鍍，形成電鍍膜236(第14圖(B))。形成的電鍍的種類為銅、鎳、金、銀、鋅、鐵等。由于電特性、經(jīng)濟性、在后續(xù)步驟中形成的增層的導體層主要為銅，因此可以使用銅。其厚度較好是以0.01～5μm的范圍進行。未滿0.01μm將無法全面性形成電鍍膜，超過5μm的話，難以用蝕刻除去，且定位標記將完全被埋住，難以認出。較好的范圍為0.1～3.0μm。也可以濺射、蒸鍍形成。
(6)之后，施予阻擋層235a，載置描繪有對應墊224的圖案239a及定位標記239b的掩膜239(第14圖(C))。該掩膜235的決定位置，是在描繪環(huán)(ring)狀的定位標記239b內(nèi)，放入芯基板230側(cè)的定位標記用通孔231a，從上方照射光，以照相機289進行照相來自定位標記231的反射光。實施例2，因為在定位標記231上也形成銅電鍍膜，因此反射光容易穿透阻擋層235a，且能容易地封合基板與掩膜的位置。
(7)暴光、顯像而在IC芯片的墊224的上部以設(shè)置開口的狀態(tài)形成電鍍阻擋層235，施予電解電鍍而設(shè)置電解電鍍膜237(第14圖(D))。除去電鍍阻擋層235后，除去電鍍阻擋層235下的無電解電鍍膜236、金屬膜233，而在IC芯片的墊224上形成過渡層238，又在凹部231a上形成定位標記231(第14圖(E))。
(8)接著，以噴灑方式吹付蝕刻液于基板上，通過蝕刻而將過渡層238的表面形成粗化面238a(參照第15圖(A))。也可使用無電解電鍍和氧化還原處理形成粗化面。
(9)經(jīng)過上述步驟的基板上，用與實施例1同樣的真空壓著層壓熱硬化樹脂片，而設(shè)置層間樹脂絕緣層250(參照第15圖(B))。
(10)接著，透過層間樹脂絕緣層250以照相機280照相定位標記231進行位置封合，以波長10.4μm的CO2氣體激光，并以光束直徑5μm、脈沖波寬5.0m秒、掩膜的孔徑0.5mm、1射程的條件，在層間樹脂絕緣層250上設(shè)置直徑80μm的過孔用開口248(參照第15圖(C))。
(11)接著，將層間樹脂絕緣層250的表面粗化，形成粗化面250a(參照第15圖(E))。
(12)接著，在層間樹脂絕緣層250的表面形成金屬膜252(參照第16圖(A))。
(13)在完成上述處理的基板230上，貼合市售的感光性干膜254a，并載置描繪有對應墊的圖案253a及定位標記253b的掩膜膜253。第20圖(A)顯示載置掩膜膜253前的芯基板230的平面圖，而第20圖(B)顯示載置掩膜膜253的狀態(tài)。該記號253的決定位置，是在描繪環(huán)狀的定位標記253b，放入芯基板230側(cè)的定位標記231，從上方照射光，以照相機289進行照相從定位標記231的反射光。實施例2，因為在定位標記231上也形成電鍍膜237，因此反射光容易穿透層間樹脂絕緣層250及薄膜254a，可正確地進行決定位置。再者，如上述對構(gòu)成定位標記231的銅電鍍膜237施予粗化處理，但是因為表面的反射率高，不進行該粗化處理，或進行粗化處理后，可以藥液、激光等進行表面的平滑化處理。
(14)之后，以100mJ/cm2暴光，以0.8％碳酸鈉顯像處理，而設(shè)置厚度15μm的電鍍阻擋層254。
(第16圖(C))。
(15)接著，以與實施例1相同的條件施予電解電鍍，而形成厚度15μm的電鍍阻擋層膜256(參照第16圖(D))。
(16)以5％NaOH剝離除去電鍍阻擋層254后，以蝕刻溶解除去該電鍍阻擋層下的金屬層252而進行溶解除去，形成金屬層252與電解電鍍膜256組成的厚度16μm的導體電路258及過孔260，以蝕刻液，形成粗化面258a、260a(參照第17圖(A))。
(17)接著，通過重復上述(6)～(12)的步驟，在形成上層的層間樹脂絕緣層350及導體電路358(含有過孔360)(參照第17圖(B))。
(18)接著，在基板230上，以20μm的厚度涂布與實施例1同樣的焊錫阻擋層組成物，進行干燥處理后，使掩膜密著于焊錫阻擋層270而暴光，以DMTG溶液顯像處理，而形成直徑200μm的開口271(參照第17圖(C))。
(19)接著，將形成焊錫阻擋層(有機樹脂絕緣層)270的基板，浸漬于無電解電鍍液中，而在開口部271形成厚度5μm的鎳電鍍層272。再將該基板浸漬于無電解電鍍液中，而在鎳電鍍層272上形成厚度0.03μm的金電鍍層274，在導體電路358上形成焊錫墊275(參照第17圖(D))。
(20)之后，在焊錫阻擋層270的開口部271上印刷焊錫膏材(paste)，在200℃通過回流(reflow)形成BGA276。以此而內(nèi)藏IC芯片220，可得到具有BGA 276的多層印刷電路板210(參照第18圖)。也可配設(shè)PGA(導電連接拴)取代BGA。
接著，參照第21圖說明實施例2的第1改變例的多層印刷電路板。
上述的實施例2，是在多層印刷電路板內(nèi)收容IC芯片。
相對于此，實施例2的第1改變例中，是在多層印刷電路板內(nèi)收容IC芯片220的同時，在表面載置IC芯片320。內(nèi)藏的IC芯片220被用為發(fā)熱量較小的快速緩沖存儲器，而表面的IC芯片320則載置運算用的CPU。
該實施例2的第1改變例，構(gòu)成芯基板230的通孔336的貫通孔335，是以芯基板的定位標記231為基準而形成。
接著，參照第26圖所示的多層印刷電路板410的剖面說明本發(fā)明的實施例3的多層印刷電路板的構(gòu)造。
第26圖所示的多層印刷電路板410，是由收容IC芯片420的芯基板430，與層間樹脂絕緣層450、層間樹脂絕緣層550所組成。層間樹脂絕緣層450上形成過孔460及導體電路458，層間樹脂絕緣層550上則形成過孔560及導體電路558。
IC芯片420上披覆IC保護膜(鈍化+聚亞酰胺)422，在該IC保護膜422的開口內(nèi)配設(shè)構(gòu)成輸出端子的鋁制的模墊424。在模墊424的表面，形成氧化披覆膜426。在模墊424上，形成過渡層438，并除去模墊424與過渡層438的接觸面的氧化披覆膜426。
層間樹脂絕緣層550上，配設(shè)著焊錫阻擋層470。焊錫阻擋層470的開口部471下的導體電路558上，設(shè)置與未圖示的子板、母板等的外部基板連接用的焊錫凸塊476，或設(shè)置未圖示的導電連接拴。
本實施例的多層印刷電路板410，在芯基板430預先內(nèi)藏IC芯片420，該IC芯片420的模墊424上配設(shè)過渡層438。因此，容易進行形成過孔時的對位，即使模墊節(jié)距150μm以下、墊尺寸20μm以下也可穩(wěn)定形成增層。未形成過渡層的模墊，以光蝕刻形成層間絕緣層的過孔時，過孔直徑比模墊直徑大，進行過孔底部殘渣去除、層間樹脂絕緣層表面粗化處理的去殘渣處理時將溶解、損傷模墊表面的保護層聚亞酰胺層。另一方面，激光的場合，過孔直徑比模墊直徑大時，模墊及鈍態(tài)保護、聚亞酰胺層(IC的保護膜)因激光而被破壞。再者，IC芯片的墊非常小，過孔直徑比模墊尺寸大，不論以光蝕刻、激光，位置封合都非常困難，多發(fā)生模墊與過孔的連接不良。
相對于此，模墊424上設(shè)置過渡層438，即使模墊節(jié)距150μm以下、墊尺寸20μm以下也可在模墊424上可靠地連接過孔460，可提高墊424與過孔460的連接性和可靠性。并且，通過比IC芯片的墊更大直徑的過渡層，即使在去殘渣、電鍍等后續(xù)步驟時，浸漬于酸和蝕刻液中，經(jīng)過各種回火步驟，也不會發(fā)生溶解、損傷模墊及IC保護膜(鈍態(tài)保護、聚亞酰胺層)的危險。
另外，在鋁制的模墊424表面上形成的氧化披覆膜426，因為以后述的氧化披覆膜除去處理模墊424與過渡層438的接觸面，而可減低模墊424的電阻，并可提高導電特性。
接著，參照第22～27圖說明參照第26圖的上述的多層印刷電路板的制造方法。
(1)首先，以將玻璃布等的心材與含浸于環(huán)氧等的樹脂的預烤層積的絕緣層樹脂基板(芯基板)430為出發(fā)材料(參考第22圖(A))。接著，在芯基板430的一面上，以挖洞加工形成IC芯片收容用的凹部432(參照第22圖(B))。
(2)之后，在凹部432，用印刷機涂布粘接材料434。此時，除了涂布以外，也可灌注。接著，在粘接材料434上載置IC芯片420。IC芯片420上，披覆IC保護膜(鈍態(tài)保護+聚亞酰胺)422，在IC保護膜422的開口內(nèi)配設(shè)構(gòu)成輸出端子的模墊424。另外，模墊424的表面覆蓋氧化披覆膜426(參照第22圖(C))。在此，第27圖(A)是擴大顯示IC芯片420的模墊424部分的說明圖。
(3)于是，擠壓、或輕敲IC芯片420的上面而完全地收容于凹部432內(nèi)(參照第22圖(D))。借此，可平滑芯基板430。
(4)接著，將收容IC芯片420的芯基板430放入為真空狀態(tài)的濺射裝置內(nèi)，以惰性氣體氬氣做為濺射氣體，露出模墊424表面而以氧化披覆膜為靶材進行逆濺射，除去露出的氧化披覆膜426(參照第23圖(A))。在此，第27圖(B)是擴大IC芯片420的模墊424部分的說明圖。
借此，可減低模墊424的電阻，并提高導電特性，且增加與過渡層的密著性。在此，使用逆濺射為氧化披覆膜除去處理，但是除了逆濺射外也可使用等離子處理。以等離子處理進行的場合，是將基板放入真空狀態(tài)的裝置內(nèi)，在氧、或氮、碳酸氣體、四氟化碳中放出等離子，而除去模墊表面的氧化披覆膜。再者，除了逆濺射、等離子處理以外，也可以酸處理模墊表面而除去氧化披覆膜。氧化披覆膜除去處理，較好是使用磷酸。在此，雖是除去氧化披覆膜，但也可在模墊上形成防銹用的氮化膜等的披覆膜時，而進行用于提高導電特性的除去處理。
(5)之后，連續(xù)地使用相同裝置，不在氧氛圍中暴光IC芯片，在芯基板430的全面進行以Cr及Cu為靶材的濺射，而全面性形成導電特性的金屬膜433(參照第23圖(B))。金屬膜433可為一層以上錫、鉻、鎳、鋅、鈷、金、銅等的金屬形成。厚度以0.001～2.0μm之間為佳。特別好為0.01～1.0μm。鉻的厚度，是不在濺射層中導入裂痕，且與銅濺射層的密著充足的厚度。在實施例3，因為除去披覆膜，與過渡層的最下層(金屬膜)433的形成是以同一裝置連續(xù)在非氧素氛圍中進行，不再于墊表面形成氧化披覆膜，可提高IC芯片的模墊424與過渡層438之間的導電特性。
在金屬膜433上，也可通過無電解電鍍、電解電鍍、或該復合電鍍，形成電鍍膜436(參照第23圖(C))。形成的電鍍的種類為銅、鎳、金、銀、鋅、鐵等。從電特性、經(jīng)濟性、還有在后序形成的增層的導體層主要為銅來說，使用銅為佳。其厚度較好為以0.01～5μm的范圍進行。特佳為0.1～3μm。也可以濺射、蒸鍍形成。再者，較好的第1薄膜層與第2薄膜層的組合為鉻-銅、鉻-鎳、鈦-銅、鈦-鎳等。以與金屬的接合性和電傳導性來說比其他的組合為優(yōu)。
(6)之后，涂布阻擋層、或?qū)訅焊泄庑员∧?，暴光、顯像而在IC芯片420的墊的上部以設(shè)置開口的狀態(tài)設(shè)置電鍍阻擋層435，并設(shè)置電解電鍍膜437(第23圖(D))。電解電鍍膜437的厚度1～20μm為佳。除去電鍍阻擋層435后，以蝕刻除去電鍍阻擋層435下的無電解電鍍膜436、金屬膜433，而在IC芯片的墊424上形成過渡層438(參照第24圖(A))。另外，第27圖(C)是擴大顯示IC芯片420的模墊424部分的說明圖。
在此，是以電鍍阻擋層形成過渡層438，但是也可在無電解電鍍膜436之上均一地形成電解電鍍膜437后，形成蝕刻阻擋層，暴光、顯像而露出過渡層以外的部分的金屬而進行蝕刻，在IC芯片420的模墊424上形成過渡層438。在該場合，電解電鍍膜437的厚度較好為1～20μm的范圍。如果比該厚度厚時，在蝕刻的時候會引起底切，因為形成的過渡層與過孔的界面會發(fā)生空隙。
(7)接著，以噴灑方式吹付蝕刻液于基板上，通過蝕刻而將過渡層438的表面形成粗化面438a(參照第24圖(B))。也可使用無電解電鍍和氧化還原處理形成粗化面。
(8)經(jīng)過上述步驟的基板上，用與實施例1同樣的真空壓著層壓熱硬化樹脂片，而設(shè)置層間樹脂絕緣層450(參照第24圖(C))。
(9)接著，以CO2氣體激光在層間樹脂絕緣層450上設(shè)置過孔用開口448(參照第24圖(D))。之后，也可使用鉻酸、過錳酸等的氧化劑除去開口448內(nèi)的樹脂殘留。模墊424上設(shè)置銅制的過渡層438，形成過孔時的對位容易，且在模墊424上可可靠地連接過孔，而提高墊與過孔的連接性和可靠性。借此，可穩(wěn)定形成增層。通過在IC芯片的墊上以更大直徑的過渡層進行過孔底部殘渣去除，層間樹脂絕緣層表面粗化處理時，電鍍步驟等的后續(xù)步驟時，浸漬于酸和蝕刻液中，即使通過各種回火，也不會有溶解、損傷模墊424及IC的保護膜(鈍態(tài)保護、聚亞酰胺層)422的危險。再者，此處雖使用過錳酸除去樹脂殘渣，也可使用氧等離子進行去殘渣處理。
(10)接著，將層間樹脂絕緣層450的表面粗化，形成粗化面450a(參照第25圖(A))。再者，也可省略該粗化工序。
(11)接著，在層間樹脂絕緣層450的表面施加鈀觸媒后，浸漬基板于無電解電鍍液中，在層間樹脂絕緣層450的表面形成無電解電鍍膜452(參照第25圖(B))。
(12)在完成上述處理的基板430上，貼合市售的感光性干膜，并載置鉻玻璃掩膜，而以40mJ/cm2暴光后，以0.8％碳酸鈉顯像處理，設(shè)置厚度25μm的電鍍阻擋層454。接著，以與實施例1相同的條件施予電解電鍍，而形成厚度18μm的電鍍阻擋層膜456(參照第25圖(C))。
(13)以5％NaOH剝離除去電鍍阻擋層454后，以蝕刻溶解除去該電鍍阻擋層下的無電解電鍍膜452而溶解除去，形成無電解電鍍膜452與電解電鍍膜456組成的厚度16μm的導體電路458及過孔460，以蝕刻液，形成粗化面458a、460a(參照第25圖(D))。之后的步驟，與上述實施例1的(13)～(17)相同因此省略說明。
接著，參照第28圖及第29圖說明實施例3的第1改變例的多層印刷電路板。第28圖是顯示多層印刷電路板510雙剖面，第29圖則擴大模墊424部分而顯示的圖，第29圖(A)是顯示氧化披覆膜被除去處理前的狀態(tài)的圖，第29圖(B)是顯示氧化膜除去處理后的狀態(tài)的圖，第29圖(C)是顯示模墊424上形成過渡層438后的圖。
上述的實施例3中，是以配設(shè)BGA的場合說明。實施例3的第1改變例，與實施例3相同，但是是通過如第28圖所示的導電連接拴496而取得連接的PGA方式而構(gòu)成。
實施例3的第1改變例的制造方法如第29圖(B)所示將模墊424的氧化披覆膜426的一部分施予逆濺射、等離子處理、酸處理的任一種氧化膜除去處理而除去。之后，如第29圖(C)所示在模墊424上，形成金屬膜433及無電解電鍍膜436、電解電鍍膜437組成的過渡層438。借此，可與實施例3同樣地降低模墊426的電阻，并提高導電特性。
除了不除去披覆膜以外，與實施例3同樣形成過渡層而得到多層印刷電路板。
試驗結(jié)果將實施例3與比較例的多層印刷電路板以1)剖面狀態(tài)、2)電阻測定值、3)可靠性試驗后的剖面狀態(tài)、4)電阻測定值的共計4個項目進行評價的結(jié)果示于第30圖中的圖表。
(1)剖面狀態(tài)形成過渡層后，切斷剖面，以顯微鏡(×100)觀察墊上的氧化膜的有無。
(2)電阻測定值形成過渡層后，測定連接電阻。測定的數(shù)值是在20處測定的平均值。
(3)可靠性試驗后的剖面狀態(tài)形成多層印刷電路板后，熱循環(huán)試驗以((130℃/3分鐘)+(-60℃/3分鐘)為1循環(huán)實施1000循環(huán))完成后，切斷剖面，以顯微鏡(×100)觀察墊上的氧化披覆膜的有無、及過渡層的剝離的有無。
(4)可靠性試驗后的電阻測定值形成多層印刷電路板后，熱循環(huán)試驗以((130℃/3分鐘)+(-60℃/3分鐘)為1循環(huán)實施1000循環(huán))完成后，切斷剖面，測定連接電阻。測定的數(shù)值是在20處測定的平均值。
如第30圖中的圖表所示，實施例3的多層印刷電路板，由于沒有氧化膜，連接電阻值小，因此不會發(fā)生電連接問題。另外，可靠性試驗后也不會惡化。即，重復熱循環(huán)試驗2000循環(huán)后，也未發(fā)現(xiàn)這樣程度的電阻值的增加。
比較例中，氧化膜既會殘留，連接電阻值也大。視場合也發(fā)現(xiàn)完全沒取得電連接?？煽啃栽囼灠l(fā)現(xiàn)該傾向更為明顯。
權(quán)利要求
1.一種多層印刷電路板，在基板上重復形成層間絕緣層與導體層，在該層間絕緣層上形成過孔，通過該過孔電連接，其中前述基板上內(nèi)藏有電子元件。
2.如權(quán)利要求1所述的多層印刷電路板，其中在表面安裝有電子元件。
3.如權(quán)利要求1或2所述的多層印刷電路板，其中在前述基板上設(shè)置與外部基板連接的端子。
4.一種多層印刷電路板，在基板上重復形成層間絕緣層與導體層，在該層間絕緣層上形成過孔，通過該過孔電連接，其中前述基板上內(nèi)藏有電子元件，且前述該電子元件的墊部形成用以與最下層的層間絕緣層的過孔連接的過渡層。
5.如權(quán)利要求1、2、3或4所述的多層印刷電路板，其中前述基板是封裝基板。
6.一種多層印刷電路板，在內(nèi)藏電子元件的基板上重復形成層間樹脂絕緣層與導體層，其中前述該電子元件的墊部分，形成至少2層用以與最下層的層間樹脂絕緣層的過孔連接的過渡層。
7.如權(quán)利要求6所述的多層印刷電路板，其中前述過渡層的寬度，為墊的寬度的1.0～30倍。
8.一種多層印刷電路板，在內(nèi)藏電子元件的基板上重復形成層間樹脂絕緣層與導體層，其中前述該電子元件的墊部分，以第1薄膜層、第2薄膜層、厚度施加層形成用以與最下層的層間樹脂絕緣層的過孔連接的過渡層。
9.如權(quán)利要求8所述的多層印刷電路板，其中前述第1薄膜層是選自錫、鉻、鈦、鎳、鋅、鈷、金、銅一種以上。
10.如權(quán)利要求8所述的多層印刷電路板，其中前述第2薄膜層是選自鎳、銅、金、銀一種以上。
11.一種多層印刷電路板的制造方法，該多層印刷電路板在內(nèi)藏電子元件的基板上重復形成層間樹脂絕緣層與導體層，該方法是通過至少(a)～(c)步驟而在電子元件上形成過渡層(a)在埋藏前述電子元件的基板的全部表面上形成第1薄膜層、第2薄膜層；(b)在前述薄膜層上施加阻擋層，而在阻擋層的非形成部形成厚度施加層；以及(c)以蝕刻除去薄膜層。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中前述第1薄膜層是以濺射、蒸鍍的任一種進行。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中前述第2薄膜層是以濺射、蒸鍍、無電解電鍍的任一種進行。
14.一種多層印刷電路板的制造方法，所述電路板在基板上重復形成層間絕緣層與導體層，在該層間絕緣層形成過孔，并通過該過孔而電連接，該方法至少包括以下(a)～(c)步驟(a)在前述基板收容電子元件；(b)根據(jù)前述電子元件的定位標記，在前述基板形成定位標記；以及(c)根據(jù)前述基板的定位標記進行加工或形成。
15.一種多層印刷電路板的制造方法，所述電路板在基板上重復形成層間絕緣層與導體層，在該層間絕緣層形成過孔，并通過該過孔而電連接，該方法至少包括以下(a)～(d)步驟(a)在前述基板收容電子元件；(b)根據(jù)前述電子元件的定位標記，以激光在前述基板形成定位標記；(c)在前述基板的定位標記上形成金屬膜；以及(d)根據(jù)前述基板的定位標記進行加工或形成。
16.一種多層印刷電路板的制造方法，所述電路板在基板上重復形成層間絕緣層與導體層，在該層間絕緣層形成過孔，并通過該過孔而電連接，該方法至少包括以下(a)～(e)步驟(a)在前述基板收容電子元件；(b)根據(jù)前述電子元件的定位標記，以激光在前述基板形成定位標記；(c)在前述基板的定位標記上形成金屬膜；(d)在前速基板形成層間絕緣層；以及(e)根據(jù)前述基板的定位標記在前述層間絕緣層進行加工或形成過孔用開口。
17.一種多層印刷電路板的制造方法，所述電路板在基板上重復形成層間絕緣層與導體層，在該層間絕緣層形成過孔，并通過該過孔而電連接，該方法至少具備以下(a)～(e)步驟(a)在前述基板收容電子元件；(b)將前述電子元件的模墊的表面的披覆膜除去；(c)在前述模墊上，形成用以與最下層的層間絕緣層的過孔連接的過渡層；(d)在前述基板上，形成層間絕緣層；以及(e)在前述層間絕緣層上，形成導體電路以及連接過渡層的過孔。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中前述披覆膜的除去，是以逆濺射、等離子處理的任一者進行。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中前述披覆膜的除去，與過渡層的最下層的形成，是在非氧氛圍中進行。
20.一種多層印刷電路板，在基板上重復形成層間絕緣層與導體層，在該層間絕緣層形成過孔，并通過該過孔而電連接，其中，在前述基板中內(nèi)藏電子元件；在前述電子元件的模墊上，形成與最下層的層間絕緣層的過孔連接的過渡層；以及除去前述模墊的表面的披覆膜。
全文摘要
多層印刷電路板，在芯基板30預先內(nèi)藏IC芯片20，而在該IC芯片20的墊(pad)24上配設(shè)過渡(transition)層38。因此，可不使用引線(lead)零件和封裝樹脂，取得IC芯片與多層印刷電路板的電連接。另外，通過在模墊(die pad)24上設(shè)置銅制的過渡層38，可防止墊24上的樹脂殘留，并能使墊24與過孔(via hole)60的連接性與可靠性提高。
文檔編號H01L23/544GK1406455SQ01805638
公開日2003年3月26日 申請日期2001年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2000年2月25日
發(fā)明者坂本一, 杉本直, 王東冬, 苅谷隆 申請人:揖斐電株式會社