專利名稱：加強(qiáng)的集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種加強(qiáng)的集成電路以及加強(qiáng)集成電路的方法。本發(fā)明尤其可用于諸如象銀行信用卡或電話卡、賒購(gòu)卡之類的接觸或非接觸卡的便攜物品領(lǐng)域，或是集成電路標(biāo)簽領(lǐng)域內(nèi)的物品中。
背景技術(shù)：
集成電路一般由硅片制成，硅片具有包括端子焊點(diǎn)的工作表面和與工作表面相反的非工作表面。硅是相對(duì)脆的材料，并且在承受沖擊和彎曲應(yīng)力方面較弱。
在植入卡中的集成電路方面，該集成電路一般首先粘結(jié)到一個(gè)支撐物上，并連接到固定于該支撐物上的導(dǎo)體區(qū)域上，由此形成一個(gè)模塊。然后，該集成電路封裝在與加強(qiáng)相關(guān)的一塊樹脂中，由此改善了該模塊的強(qiáng)度并保護(hù)集成電路和導(dǎo)電區(qū)域之間的連接。盡管如此，這種模塊制造起來相對(duì)昂貴。另外，此模塊結(jié)構(gòu)不太適于特定類型的卡(尤其是薄卡)，且不太適于標(biāo)簽，并且不太適合于制造他們的特定方法。
集成電路承受彎曲的能力的問題由于在實(shí)用中存在于卡中的集成電路其面積趨于增大而其厚度趨于減小這個(gè)事實(shí)而愈發(fā)惡化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用于增大集成電路機(jī)械強(qiáng)度的裝置。
本發(fā)明是通過提供一種如下的集成電路來實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的的，即，該集成電路包括具有端子焊點(diǎn)的工作表面和與工作表面相反的非工作表面、覆蓋集成電路每個(gè)表面的加強(qiáng)片。
加強(qiáng)片給集成電路賦予了抵抗彎曲的良好的強(qiáng)度，并且他們保護(hù)集成電路的他們所覆蓋的表面不受沖擊。以這種方式加強(qiáng)的集成電路易于植入薄卡中和植入標(biāo)簽中。另外，該集成電路然后可以放置在卡體厚度中靠近卡的中性纖維(neutral fiber)的位置處。這就約束了集成電路易于遭遇的彎曲應(yīng)力。
優(yōu)選地是，加強(qiáng)片借助于一層粘結(jié)劑固定到集成電路相應(yīng)的表面上。粘結(jié)劑層優(yōu)選地為足以適應(yīng)加強(qiáng)片和集成電路之間膨脹變化的厚度。這使得正確利用具有不同于構(gòu)成集成電路的材料的膨脹系數(shù)的加強(qiáng)片成為可能。
本發(fā)明也提供了一種加強(qiáng)集成電路的方法，其中集成電路分別具有包括端子焊點(diǎn)的工作表面和與工作表面相反的非工作表面，該方法包括以下步驟將加強(qiáng)片淀積到集成電路的每個(gè)表面上，同時(shí)集成電路彼此以晶片形式關(guān)聯(lián)；通過切割晶片而分別處理集成電路。
從而，以單獨(dú)一次操作，可以將數(shù)以百計(jì)的集成電路覆蓋在加強(qiáng)片中。另外，由于分別處理集成電路時(shí)加強(qiáng)片與晶片同時(shí)切割，因此每個(gè)加強(qiáng)片精確地定位在相應(yīng)地集成電路上。最后，加強(qiáng)片在其切割之前提高了晶片地強(qiáng)度，并且防止可能在晶片切割時(shí)產(chǎn)生地裂縫擴(kuò)散。


本發(fā)明地其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在閱讀以下對(duì)本發(fā)明地特定非限定實(shí)施例地描述時(shí)得以清楚。
參照附圖，圖中圖1是通過構(gòu)成本發(fā)明第一實(shí)施例的集成電路的橫截面圖；圖2是包括第一實(shí)施例的集成電路的晶片的平面圖；圖3是包括構(gòu)成本發(fā)明第二實(shí)施例的集成電路的晶片的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
參照附圖，如傳統(tǒng)方式，集成電路1包括硅片，該硅片呈現(xiàn)出其中帶有端子焊點(diǎn)3的工作表面2和與工作表面2相反的非工作表面4。
更詳細(xì)的參照?qǐng)D1和圖2，并根據(jù)本發(fā)明，加強(qiáng)片5和6借助于相應(yīng)的粘結(jié)劑層7、8分別固定到集成電路的工作表面2和非工作表面4上。
在這種情況下，加強(qiáng)片5和6由諸如鎳和銅的金屬制成，并且他們大約100微米(μm)厚。
粘結(jié)劑層7和8厚度足以補(bǔ)償存在于加強(qiáng)片5和6的金屬與硅之間的膨脹的變化，并足以包容由這種膨脹變化產(chǎn)生的應(yīng)力。從而，硅具有10-7數(shù)量級(jí)的膨脹系數(shù)，而銅加強(qiáng)片具有大約10-6數(shù)量級(jí)的膨脹系數(shù)。在這種條件下，有可能借助于膨脹系數(shù)為10-3和10-4數(shù)量級(jí)的粘結(jié)劑并將其擴(kuò)展到幾十微米左右的厚度來形成粘結(jié)劑層6、8。
覆蓋工作表面2的加強(qiáng)片5和粘結(jié)劑層7在與端子焊點(diǎn)3對(duì)齊處呈現(xiàn)出開口9、10。
集成電路1得以加強(qiáng)，同時(shí)集成電路1仍然與其他以總地用附圖標(biāo)記11標(biāo)示并且承載幾百個(gè)集成電路的晶片的形式的集成電路相關(guān)聯(lián)。
加強(qiáng)片5和6被切割成晶片的尺寸，而開口9通過光刻加強(qiáng)片5而形成。
集成電路1的工作表面2覆蓋在感光粘結(jié)劑樹脂中而形成粘結(jié)劑層7，集成電路1的非工作面4覆蓋在粘結(jié)劑樹脂中而形成粘結(jié)劑層8。對(duì)于每個(gè)粘結(jié)劑層7、8，樹脂可以利用旋涂方法沉積到相應(yīng)的晶片11的表面2、4上，該旋涂方法包括將晶片11設(shè)定為轉(zhuǎn)動(dòng)，并將樹脂傾倒到相應(yīng)的表面上，從而樹脂在離心力的作用下在晶片11的表面上擴(kuò)散。
然后，通過將加強(qiáng)片5和6施加到相應(yīng)的粘結(jié)劑層7和8上而在初始真空(primary vacuum)下將加強(qiáng)片粘結(jié)到位。在初始真空下工作使得可以確保粘結(jié)劑層中不形成氣泡。為了相同的目的，也有可能使微小的穿孔例如借助于激光穿過加強(qiáng)片5和6形成，從而使得封閉在加強(qiáng)片和粘結(jié)劑層之間的空氣得以溢出。在加強(qiáng)片5粘結(jié)到位的同時(shí)，加強(qiáng)片5中的開口9放置成與晶片11上的端子焊點(diǎn)3對(duì)齊。
如果所用的樹脂是加熱時(shí)可再次活化的，那么粘結(jié)劑層在加強(qiáng)片5和6施加的同時(shí)加熱。
然后除去與端子焊點(diǎn)3對(duì)齊的形成粘結(jié)劑層7的樹脂，從而形成開口10。樹脂可以例如以傳統(tǒng)方式通過將粘結(jié)劑層7經(jīng)由加強(qiáng)片5曝光于紫外光，然后借助于僅作用于粘結(jié)劑層7上已經(jīng)被曝光的那些區(qū)域，即，與開口9對(duì)齊的那些區(qū)域，的溶劑蝕刻來予以去除，其中加強(qiáng)片5由此形成一個(gè)掩膜。
在第一種變型中，樹脂層7也可以利用絲網(wǎng)通過絲網(wǎng)印刷沉積在集成電路1的晶片11上，從而端子焊點(diǎn)3不會(huì)覆蓋在形成粘結(jié)劑層7的樹脂中。
在第二種變型中，粘結(jié)劑層7可以由包含導(dǎo)電顆粒的樹脂形成，該導(dǎo)電顆粒使粘結(jié)劑層7電各向異性，從而粘結(jié)劑層7的與端子焊點(diǎn)3對(duì)齊定位的區(qū)域可以通過在加熱同時(shí)沿一個(gè)方向擠壓樹脂而使之局部導(dǎo)電，其中該方向垂直于端子焊點(diǎn)3。
在第三種變型中，粘結(jié)劑層7、8可以由通過熱壓施加到晶片11的工作表面2和非工作表面4上或否則施加到加強(qiáng)片5和6上的粘結(jié)劑薄膜形成。加強(qiáng)片5和6然后分別熱壓到晶片11的工作表面2和非工作表面4上。
一旦加強(qiáng)片5和6已經(jīng)固定到晶片11的表面2和4上，晶片以傳統(tǒng)方式切割，以分別處理集成電路。為了利于這個(gè)操作，可以采取如下的措施，即，將加強(qiáng)片5和6形成為具有沿著切割工具和鋸將要跟隨的路徑延伸的厚度減小的區(qū)域。
在變型中，該方法可以包括在固定加強(qiáng)片6之前自集成電路的非工作表面減小其厚度的步驟。作為示例，這個(gè)步驟可以通過拋光非工作表面來執(zhí)行。這使得加強(qiáng)后的集成電路具有與未加強(qiáng)的集成電路相類似的厚度成為可能。
在下面對(duì)本發(fā)明第二實(shí)施例的描述中，與上述相同或相類似的元件被賦予以相同的附圖標(biāo)記。
參照?qǐng)D3，接線柱12在集成電路1仍然以晶片11形式彼此相關(guān)聯(lián)的同時(shí)形成在集成電路1的端子焊點(diǎn)3上。接線柱12可以通過絲網(wǎng)印刷制成。那么用于形成接線柱12的材料為銀填充的聚合物或焊膏。接線柱12也可以通過電化學(xué)生長(zhǎng)方法形成。
用于形成粘結(jié)劑層7的樹脂為電絕緣的，并且其利用旋涂工藝沉積在晶片11的集成電路1的工作表面2上。粘結(jié)劑層7的深度小于接線柱12的高度。
加強(qiáng)片5具有事先形成在其中的開口9，以接收接線柱12，然后加強(qiáng)片通過熱壓在粘結(jié)劑層7上而施加。在這種情況下，加強(qiáng)片5由絕緣材料，如熱塑材料制成。接線柱12稍微從加強(qiáng)片5中突出。
加強(qiáng)片6放置到位，并且晶片11以與前面相同的方式切割，而分別處理集成電路1。
當(dāng)然，本發(fā)明不局限于所述的實(shí)施例，在不超出如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明范圍前提下可以對(duì)其作出變動(dòng)。
尤其是，圖1中的集成電路的加強(qiáng)片5和6可以由不同金屬制成，更廣義地說，可以由不同材料制成。用于形成加強(qiáng)片5和6的材料優(yōu)選地是具有相等機(jī)械特性(例如，膨脹系數(shù)相似)的材料，從而有可能確保集成電路和晶片在溫度升高作用下不會(huì)象雙金屬片一樣翹曲。加強(qiáng)片5和6也可以為不同的厚度。從而，兩個(gè)加強(qiáng)片的厚度和可以大于或等于未加強(qiáng)的集成電路。
權(quán)利要求
1.一種用于獲得智能卡型便攜物品的集成電路，該集成電路具有其中帶端子焊點(diǎn)(3)的工作表面(2)和與工作表面相對(duì)的非工作表面(4)，其特征在于，加強(qiáng)片(5、6)覆蓋集成電路的每個(gè)表面。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，每個(gè)加強(qiáng)片(5、6)借助于一層粘結(jié)劑(7、8)固定到集成電路(1)的相應(yīng)表面(2、4)上。
3.如權(quán)利要求2所述的集成電路，其特征在于，每層粘結(jié)劑(7、8)的厚度足以補(bǔ)償相應(yīng)的加強(qiáng)片(5、6)和集成電路(1)之間的膨脹變化。
4.如權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的集成電路，其特征在于，工作表面(2)的端子焊點(diǎn)(3)設(shè)置有從加強(qiáng)片(5)突出的接線柱(12)。
5.如權(quán)利要求1到4中任一項(xiàng)所述的集成電路，其特征在于，至少一個(gè)加強(qiáng)片(5、6)由金屬制成。
6.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的集成電路，其特征在于，加強(qiáng)片(5、6)具有類似的機(jī)械特性，如類似的膨脹系數(shù)。
7.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的集成電路，其特征在于，加強(qiáng)片(5、6)基本上厚度相同。
8.一種加強(qiáng)集成電路(1)的方法，該集成電路分別具有其中帶端子焊點(diǎn)(3)的工作表面(2)和與工作表面相反的非工作表面(4)，其特征在于，該方法包括以下步驟在集成電路以晶片(11)形式彼此相關(guān)聯(lián)時(shí)將加強(qiáng)片(5、6)沉積到集成電路的每個(gè)表面上；以及通過切割晶片來分別處理集成電路。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，至少一個(gè)加強(qiáng)片(5、6)通過在初始真空下粘結(jié)而固定。
10.如權(quán)利要求8和9所述的方法，在將加強(qiáng)片(5)固定到集成電路工作表面(2)上的方面，所述加強(qiáng)片具有用于與端子焊點(diǎn)(3)對(duì)齊放置的開口(9)，其特征在于，加強(qiáng)片通過借助于一層感光粘結(jié)劑(7)粘結(jié)于工作表面上而固定到后者上，并且在加強(qiáng)片已經(jīng)粘結(jié)到位后，粘結(jié)劑層曝光于穿過其的輻射，而粘結(jié)劑層被曝光的區(qū)域借助于溶劑蝕刻。
11.如權(quán)利要求8和9所述的方法，在將加強(qiáng)片(5)固定到集成電路工作表面(2)上的方面，所述加強(qiáng)片具有用于與端子焊點(diǎn)(3)對(duì)齊放置的開口(9)，其特征在于，加強(qiáng)片通過借助于粘結(jié)劑層(7)粘結(jié)到工作表面上而固定到后者上，粘結(jié)劑層(7)在端子焊點(diǎn)(3)上已經(jīng)形成接線柱(12)之后擴(kuò)散在工作表面上，粘結(jié)劑層的厚度小于接線柱的高度。
12.如權(quán)利要求8到11中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，該方法包括在將加強(qiáng)片(6)沉積到非工作表面(4)上之前從集成電路的非工作表面(4)減小集成電路的厚度的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種集成電路，該集成電路具有其中帶端子焊點(diǎn)(3)的工作表面(2)和與工作表面相反的非工作表面(4)。相應(yīng)的加強(qiáng)片(5、6)覆蓋集成電路的各表面。本發(fā)明也提供了一種加強(qiáng)集成電路的方法。
文檔編號(hào)H01L23/498GK1411589SQ01806007
公開日2003年4月16日 申請(qǐng)日期2001年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月10日
發(fā)明者索菲·吉拉德, 斯蒂法妮·普羅沃斯特, 米歇爾·古爾勒 申請(qǐng)人:施藍(lán)姆伯格系統(tǒng)公司