專(zhuān)利名稱(chēng)：Cof組件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及非接觸ID卡等類(lèi)型的COF組件的制造方法。
例如一種制造方法，使IC芯片墊(突起電極)對(duì)位于樹(shù)脂薄膜基板上形成的天線電路的電極，然后按壓IC芯片，倒裝片結(jié)合之后，在樹(shù)脂膜基板和IC芯片間的微小間隙(或微小空隙)中填充樹(shù)脂進(jìn)行密封，即底部充填制造方法。
另外的一種制造方法，將半硬化的各向異型導(dǎo)電薄膜粘貼在樹(shù)脂薄膜基板上形成的天線電路的電極部，之后使IC芯片墊(突起電極)對(duì)位于天線電路的電極，然后加熱按壓IC芯片，進(jìn)行接合，與此同時(shí)使各向異型導(dǎo)電薄膜硬化。
如上所述這些制造方法都是將IC芯片以形成天線電路的基板面上反復(fù)堆積的形態(tài)進(jìn)行安裝。為此所述操作限制了組件的薄型化。
例如特公平3-70272號(hào)公報(bào)中公開(kāi)提出，由安裝芯片安裝用孔的樹(shù)脂膜基板和形成電極的IC芯片構(gòu)成，并且使所述的電極露出基板面上將IC卡插入芯片安裝用孔，固定之后在所述基板面上形成所述電極連接的電路圖形的制造方法(下面將該方法稱(chēng)作IC芯片埋入式制造方法)。
但是該公知的IC芯片埋入式制造方法將IC芯片插入設(shè)于樹(shù)脂薄膜基板上的芯片安裝用孔時(shí)，需要設(shè)有芯片安裝用孔比IC芯片大，為了在插入的IC芯片和芯片安裝用孔之間形成微小間隙(或微小空隙)，在所述微小間隙中填充基板和同質(zhì)樹(shù)脂，再通過(guò)熱壓使兩者融接。
為此在融接時(shí)，薄樹(shù)脂薄膜基板本身容易變形，并且通過(guò)加壓IC芯片移動(dòng)，芯片位置離散產(chǎn)生不固定的問(wèn)題，因?yàn)樵撛颍趯C芯片插入芯片安裝用孔固定之后的基板面上形成電路圖形時(shí)，難以正確地相對(duì)電極形成，也就是難以在規(guī)定以上位置沒(méi)有脫離的狀態(tài)形成電路圖形，品質(zhì)穩(wěn)定性差。
作為一種解決方法，也有提按取代所述熱壓，采用樹(shù)脂注入法，但由于工序復(fù)雜需要長(zhǎng)時(shí)間處理，都不適合COF組件批量生產(chǎn)，難以采用。
本發(fā)明的目的是為了解決以上問(wèn)題，第1目的是在于利用IC芯片埋入式制造方法得到COF組件的場(chǎng)合，可以將IC芯片埋設(shè)在位置不偏移規(guī)定以上的狀態(tài)，得到具有一定品質(zhì)的COF組件。另外第2目的在于實(shí)現(xiàn)具有一定品質(zhì)的COF組件批量生產(chǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)第2目的，用加熱后的錐形金屬模型，按壓所述樹(shù)脂膜基板，形成所述芯片安裝用孔，或者形成導(dǎo)體圖形的晶片用研消用旋轉(zhuǎn)刀具切削，切削面形成錐形面，做成形成電極的所述IC芯片等。
圖2是顯示切斷圖5的晶片得到的錐形IC芯片圖。
圖3是顯示切斷圖6的晶片得到的錐形IC芯片圖。
圖4是顯示將晶片切成芯片尺寸的實(shí)施形態(tài)的圖。
圖5是顯示用于制作錐形IC芯片的晶片的一個(gè)實(shí)例圖。
圖6是顯示用于制作錐形IC芯片的晶片的另一實(shí)例圖。
圖7是顯示鈍化膜形成形態(tài)的圖。
圖8是圖5局部放大圖。
圖9是圖6局部的放大圖。


圖10是顯示在芯片安裝用錐形孔上形成突起部的實(shí)施形態(tài)圖。
圖11是顯示COF組件圖。
圖12是顯示補(bǔ)充充填密封劑或粘接劑形態(tài)的圖，(a)是顯示補(bǔ)充充填前的狀態(tài)圖，(b)是顯示孔版印刷的補(bǔ)充充填形態(tài)圖。
圖13是顯示另外補(bǔ)充充填密封劑或粘接劑實(shí)施形態(tài)的圖，(a)是顯示補(bǔ)充充填前的狀態(tài)圖，(b)是顯示樹(shù)脂膜基板上涂敷密封劑或粘接劑狀態(tài)圖，(c)是除去一部分樹(shù)脂膜基板上涂敷的密封劑或粘接劑，露出錐形IC芯片的電極的狀態(tài)圖。
實(shí)施本發(fā)明的最佳狀態(tài)本發(fā)明如圖1中所示，向樹(shù)脂膜基板1設(shè)有的芯片安裝用錐形孔2插入形成電極3的錐形IC芯片4，再用密封劑或粘接劑5固定制造COF組件。
為此樹(shù)脂薄膜基板1只要是絕緣性物質(zhì)任何一種樹(shù)脂制品都可以，為了在其上加工芯片安裝用錐形孔2，選擇適于加工的物質(zhì)，例如聚酯類(lèi)合金薄膜基板等。其加工方法也和選擇的樹(shù)脂薄膜基板1的有關(guān)，據(jù)此選擇規(guī)定的加工方法。例如在聚酯類(lèi)合金薄膜基板場(chǎng)合，選擇利用加熱的錐形金屬模型使其受壓的方法。利用該方法可以迅速地加工一具有定精度的錐形安裝用錐形孔2。
更具體地說(shuō)將形成多個(gè)和錐形IC芯片4具有相似形的突起的鎳制金屬模型加熱到240℃，使其壓在聚酯類(lèi)合金薄膜基板上，壓10秒之后，迅速冷卻金屬模型，冷卻到80℃之后，除去金屬模型，可以加工孔螺距縱橫10mm、開(kāi)口部1.2mm×1.6mm、深度50μm的芯片安裝用錐形孔2。
另外，芯片安裝用錐形孔2呈非貫通孔設(shè)置，這里所述的非貫通孔也可以是在樹(shù)脂膜基板1上先加工貫通孔后，通過(guò)特定的方法將所述的貫通孔的一開(kāi)口端閉塞后的非貫通孔。芯片安裝用錐形孔2相對(duì)錐形IC芯片4的形狀設(shè)置為特定形狀，一般設(shè)為平面看為正方形或長(zhǎng)方形。
芯片安裝用錐形孔2的深度D對(duì)應(yīng)形成電極3的錐形IC芯片4的厚度選擇特定深度，即選擇將錐形IC芯片4插入芯片安裝用錐形孔2的深度，以使電極3露出基板面上，同時(shí)其錐形角度θa一般選擇45度。但是根據(jù)需要可以在45度～60度范圍選擇所定的角度，而且，其加工模型也可以根據(jù)需要選擇特定的模型。
一方面形成電極3的錐形IC芯片4的錐形角度θb(參照?qǐng)D2，3)以和芯片安裝用錐形孔2的θa相同的角度設(shè)置，這樣的錐形IC芯片4也可以是利用任何一種方法制造得到的。
例如如圖4所示，只要將形成用于構(gòu)成IC芯片的電極的導(dǎo)體圖形6的晶片7切成芯片尺寸制造成其切面形成錐形面就可以，而且此時(shí)使用的切消法例如使用圓盤(pán)體研消用旋轉(zhuǎn)刀具16。也可以使用其他任何一種方式的切削手段，所述的切削方法適合形成電極3的錐形IC芯片4的批量生產(chǎn)。
另外錐形IC芯片4設(shè)置成平面看為正方形或長(zhǎng)方形，其整個(gè)四方側(cè)面設(shè)為錐形角度θb。另外形成導(dǎo)體圖形6的晶片7優(yōu)選如圖5，6所示，介由鈍化膜形成用于絕緣導(dǎo)體圖形6的絕緣圖形8。也可以不這樣形成。但是此時(shí)需要將切削晶片7得到的IC芯片4固定在基板上，之后形成絕緣圖形8。所述的鈍化膜為如圖7所示包覆晶片表面(即芯片表面)的鈍化膜15。
另外導(dǎo)體圖形6如圖8中顯示的圖5局部放大圖，在下層第1導(dǎo)體層9(導(dǎo)體圖形電極)上形成有襯板金屬層10的二層結(jié)構(gòu)，或者如圖9中顯示的如圖6局部放大圖，在下層第1導(dǎo)體層9(導(dǎo)體圖形電極)上形成襯板金屬層10的二層結(jié)構(gòu)，同時(shí)在襯板金屬層10上形成有第2導(dǎo)體層11的三層結(jié)構(gòu)等，任何一種都可以。
其中，利用襯板金屬層10可以防止第1導(dǎo)體層7的劣化，所用的襯板金屬層10也起著保證IC芯片電極和外部電極連接的作用，因此將圖5，6所示的晶片7切成芯片尺寸，形成電極3，可得到錐形IC芯片4a，4b(參照?qǐng)D2，3)。
另外，優(yōu)選先將形成有電極3的IC芯片4a或4b插入樹(shù)脂薄膜基板1的芯片安裝用錐形孔2，在芯片安裝用錐形孔2上涂附特定量的密封劑或粘接劑5。但是，根據(jù)需要也可以涂附在形成有電極3的錐形IC芯片4的下面(插入芯片安裝用錐形孔2側(cè)的下面)等。
另外，為了涂好密封劑或粘接劑5的液體，優(yōu)選圖10中所示的在芯片安裝用錐形孔2上形成底面突起12或側(cè)面突起13。或者優(yōu)選在圖11所示在孔底面設(shè)有放出孔20。通過(guò)設(shè)有該放出孔20，可以避免向芯片安裝用錐形孔2插入錐形IC芯片4后，密封劑或粘接劑5在熱硬化時(shí)逃出空氣。
另外，密封劑或粘接劑5可以選擇環(huán)氧類(lèi)、丙烯酸類(lèi)或聚酰亞胺類(lèi)等特定的物質(zhì)，而且一般只在孔底面涂附(參照?qǐng)D1)就可以。但是根據(jù)需要也可以在孔一側(cè)面或兩面涂附，同時(shí)涂附方法也可以使用轉(zhuǎn)印銷(xiāo)方法等，任何方法都可以。
而且對(duì)應(yīng)芯片安裝用錐形孔2的錐形IC芯片4的插入方法也可以是多個(gè)芯片安裝用錐形孔2一起插入或單個(gè)插入，任何一種都可以。一般由于前者困難，選擇后者。例如也可以用吸氣型噴嘴使錐形IC芯片4保持吸附轉(zhuǎn)移，依次插入所定部位的芯片安裝用錐形孔2。
經(jīng)過(guò)上述的各工序，可以將形成電極3的錐形IC芯片4插入設(shè)于樹(shù)脂薄膜基板1上的芯片安裝用錐形孔2，用密封劑或粘接劑5使其固定，然后如圖11中所示，錐形IC芯片4的電極3連接的電路圖形14利用例如絲網(wǎng)印刷等適當(dāng)?shù)姆椒?，在?shù)脂薄膜基板1上形成，并且電路圖形14形成的基板面整體用樹(shù)脂薄膜等密封。
如上所述，本發(fā)明將芯片安裝用孔和IC芯片設(shè)成錐形，而且用密封劑或粘接劑將IC芯片固定在芯片安裝用孔上。為此可以將IC芯片埋設(shè)在規(guī)定以上不脫離的位置狀態(tài)，在向基板面上形成電路圖形時(shí)，相對(duì)IC芯片電極正確地形成，即可以形成電路圖形為規(guī)定以上的位置不脫離的狀態(tài)，可以得到一定品質(zhì)的COF組件。
另外在對(duì)應(yīng)所述芯片安裝用錐形孔2涂附密封劑或粘接劑5等時(shí)，過(guò)多地涂附時(shí)，錐形IC芯片4插入時(shí)多余的密封劑或粘接劑5被擠向樹(shù)脂薄膜基板面上，阻礙電路圖形14(參照?qǐng)D11)的形成。為防止所述現(xiàn)象，優(yōu)選不向整個(gè)芯片安裝用錐形孔涂附2密封劑或粘接劑5，將假設(shè)固定錐形IC芯片4所必須的少量的密封劑或粘接劑5局部涂附在芯片安裝用錐形孔2。
但是，在該情況下由于在插入其中而臨時(shí)固定的錐形IC芯片4與芯片安裝用錐形孔2間形成了微小的空隙，所以最好在真空氛圍下在該間隙補(bǔ)充填充密封劑或粘接劑5。
例如在圖12(a)中顯示的狀態(tài)，使芯片安裝用錐形孔2和錐形IC芯片4相互具有錐形面接觸，而且，通過(guò)在芯片安裝用錐形孔2的底角部相互分離涂附的密封劑或粘接劑5a和5b，臨時(shí)固定錐形IC芯片4，在這種情況下，如圖12b所示，也可以利用設(shè)于孔底面的填充孔21，在真空氛圍下，將密封劑或粘接劑5孔版印刷，補(bǔ)充填充。
在同一圖中，供給孔版22上的密封劑或粘接劑5通過(guò)涂刷器23的移動(dòng)，從孔版22的開(kāi)口24擠入填充孔21，填充到所述空隙中。另外填充孔21也可以和放出孔合用。
圖13顯示另外的實(shí)施例，該實(shí)施例中和所述的圖12實(shí)施例不同，不使芯片安裝用錐形孔2和錐形IC芯片4相互具有錐形面接觸，在兩者間介有密封劑或粘接劑5。
這種情況下，在真空氛圍下，在錐形IC芯片4的電極3露出的樹(shù)脂薄膜基板1的面上，涂附特定厚度的密封劑或粘接劑5，由此填充到芯片安裝用錐形孔2和錐形IC芯片4間的微小的空隙中。
然后為了使密封劑或粘接劑5包覆的錐形IC芯片4的電極3露出，除去該部分的密封劑或粘接劑5。后者作為密封劑或粘接劑5優(yōu)選感光性絕緣材料，在使用該材料時(shí)，現(xiàn)像，除去，使錐形IC芯片4的電極3露出。
在所述的任何一個(gè)例子中，真空氛圍都保持在13.3Pa～665Pa的范圍。這樣本發(fā)明中限于將芯片安裝用孔以及IC芯片設(shè)為錐形，但任何一種密封劑或粘接劑的涂附形態(tài)都可以。
上述對(duì)涉及的IC芯片埋入式制造方法，概略了該流程，下面對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
實(shí)施例1將在表面上形成有鋁電極(導(dǎo)體圖形6的第1導(dǎo)體層9)的晶片里面研磨，得到厚度為50μm的晶片7。另外，每一個(gè)表面的IC芯片的面積為1.6mm×2.0mm，而且在該外周?chē)康膶?duì)角位置上形成一對(duì)一邊為100μm的正方形的鋁電極。
所述的晶片7用弱酸性溶液處理，除去電極表面的氧化膜，活性處理后，在90℃的無(wú)電解鎳液中浸漬20分鐘，只在鋁電極上形成約3μm的鎳鍍層，然后在90℃的無(wú)電解金鍍液中浸漬10分鐘，在鎳層上形成約0.1μm的金鍍層。
該鎳/金鍍層為用于防止鋁電極劣化，切實(shí)保持IC芯片的電極和外部端子的連接的襯板金屬層10(一般稱(chēng)作UBM)。
使用絲網(wǎng)印刷機(jī)，將阻焊層印刷在除去鋁電極形成部的晶片上面，之后用UV等進(jìn)行紫外光照射，使其硬化，形成厚度20μm的絕緣圖形8。
然后利用絲網(wǎng)印刷機(jī)，使銀粒子分散在開(kāi)口的鋁電極形成部(沒(méi)有形成絕緣圖形8的地方)的導(dǎo)電漿印刷充填，加熱硬化，形成導(dǎo)體圖形6的第2導(dǎo)體層11(參照?qǐng)D6，9)。
然后將該晶片7的表面(形成導(dǎo)體圖形6的一面)粘貼在支撐薄膜上，之后使用斜切前端的鉆石刀片，從里面一側(cè)切為1.6mm×2.0mm的芯片尺寸，得到形成有電極3的錐形角度θb45度的錐形IC芯片4b(參照?qǐng)D3)。
然后從支撐薄膜上取下錐形IC芯片4b，排列成由鎳電鍍法得到的托板。
一方面厚度為100μm的聚酯類(lèi)合金薄膜構(gòu)成的樹(shù)脂薄膜基板1上，使用芯片形狀相當(dāng)?shù)耐黄鸩啃纬伤Ｐ偷逆囍平饘倌Ｐ?，加工多個(gè)芯片安裝用錐形孔2。此時(shí)將鎳制金屬模型加入到240℃，擠壓樹(shù)脂膜基板10秒鐘，加壓按壓，之后急速冷卻，冷卻到80℃時(shí)脫離模型。
這樣形成的芯片安裝用錐形孔2，其開(kāi)口尺寸為1.6mm×2.0mm，深度D為70μm，錐形角度θa45度，孔螺距縱方向?yàn)?0mm，橫方向?yàn)?0mm。
然后將低粘度的環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的密封劑或粘接劑5涂附在芯片安裝用錐形孔2(參照?qǐng)D1)，此時(shí)使用轉(zhuǎn)印銷(xiāo)進(jìn)行微量轉(zhuǎn)印涂附。
然后，利用在前端中央部開(kāi)口吸氣孔的直徑為1.5mm的噴嘴，使所述的托板錐形IC芯片4b保持吸著轉(zhuǎn)移，將其插入芯片安裝用錐形孔2，使其固定。
這時(shí)，可以將錐形IC芯片4b的上面和樹(shù)脂薄膜基板1的上面連接，使兩者之間不形成臺(tái)階，同時(shí)迅速插入固定。
這樣可以容易地相對(duì)樹(shù)脂薄膜基板1，將錐形IC芯片4安裝成使電極3露出到該基板面上的狀態(tài)，然后在所述的基板面上形成連接錐形IC芯片4的電極的電路圖形14，即使用絲網(wǎng)印刷機(jī)，使銀粒子大約分散70％的導(dǎo)電漿印刷，形成電路寬度1mm，厚度約25μm的電路圖形14。
電路圖形14的兩端在錐形IC芯片4的多個(gè)電極上延長(zhǎng)，可以形成和芯片電極導(dǎo)通的閉合電路1圈的天線。
最后在埋入安裝錐形IC芯片4的樹(shù)脂薄膜基板1的上面，在200℃熱層壓由厚度100μm的聚酯類(lèi)合金薄膜構(gòu)成的覆蓋膜，然后將其切成10mm×50mm的卡片尺寸，得到厚度約200μm的薄型非接觸終端。
實(shí)施例2利用和所述實(shí)施例1相同的方法，得到厚度為50μm的晶片7上涂附保護(hù)膜，使其干燥，之后利用光掩膜僅使鋁電極部(導(dǎo)體圖形6的第1導(dǎo)體層9部)曝光，顯像除去，使其露出鋁電極。
然后等離子體處理晶片7，除去電極表面的氧化膜，之后利用噴射依次將TiW、Au積層成約0.5μm、0.05μm厚，最后剝離阻焊層。鋁電極(第1導(dǎo)體層9)以外的部分積層金屬層被除去，只在鋁電極上形成合計(jì)約0.55μm厚的襯板金屬層10。
然后將晶片7整面涂附感光性環(huán)氧樹(shù)脂，再曝光顯像和加熱硬化處理，在除去鋁電極形成部的晶片整面上形成厚度15μm的絕緣圖形8(參照?qǐng)D5)。
然后利用和實(shí)施例1相同的方法全切成芯片尺寸(只切晶片)，得到形成電極3的錐形角度θb為45度的錐形IC芯片4a(參照?qǐng)D2)。
然后利用和實(shí)施例1相同的工序，插入固定樹(shù)脂薄膜基板1的芯片安裝用錐形孔2。此時(shí)，將錐形IC芯片4a的上面(電極3形成的一面)和樹(shù)脂薄膜基板1的上面連接成兩者之間不形成臺(tái)階，迅速插入固定。
這樣可以容易地相對(duì)樹(shù)脂薄膜基板1，將錐形IC芯片4a安裝成使電極3露出到該基板面上的狀態(tài)。
然后在所述的基板1上，形成連接錐形IC芯片4的電極的電路圖形14，即使用絲網(wǎng)印刷機(jī)，使銀粒子大約分散70％的導(dǎo)電漿印刷，形成厚度約30μm的電路圖形14，此時(shí)也同時(shí)在襯板金屬層10上充填印刷所述導(dǎo)電漿。
電路圖形14的兩端在錐形IC芯片4的多個(gè)電極上延長(zhǎng)，可以形成和芯片電極導(dǎo)通的閉合電路1圈的天線。
然后和實(shí)施例1同樣，在220℃熱層壓同樣的覆蓋膜，將其切成10mm×50mm的卡片大小，得到厚度約200μm的薄型非接觸終端。
實(shí)施例3將表面只形成鋁電極(導(dǎo)體圖形6的第1導(dǎo)體層9部)的晶片7粘貼在支承膜上之后，使用斜切前端的鉆石刀片，從里面一側(cè)切為(只切晶片)0.6mm×0.8mm的芯片大小，得到形成電極3的錐形角度θb為45度的錐形IC芯片4b。其上形成以螺距100μm的16個(gè)50μm角的電極3，不形成絕緣圖形。
然后從支撐薄膜上取下錐形IC芯片4b，排列于由鎳電鍍法制成的托板。
一方面，在厚度為100μm的聚酯薄膜制成的樹(shù)脂薄膜基板1上，利用UV紫外光法加工錐形角度θa45度芯片安裝用錐形孔2，之后使用轉(zhuǎn)印銷(xiāo)在孔底微量轉(zhuǎn)印芯片安裝用錐形孔2上粘度低的環(huán)氧類(lèi)密封劑5，然后用前端直徑0.5mm、在中央部開(kāi)0.2mm吸氣孔的噴嘴使所述托盤(pán)的錐形IC芯片4保持吸附，轉(zhuǎn)移，使其插入芯片安裝用錐形孔2固定。
在其上也可以將錐形IC芯片4的上面(電極3形成的一面)和樹(shù)脂薄膜基板1的上面連接兩者之間不形成臺(tái)階，同時(shí)迅速插入固定。
然后將樹(shù)脂薄膜1的上面整面涂附感光性環(huán)氧樹(shù)脂，再經(jīng)過(guò)曝光顯像和加熱硬化處理，在除去鋁電極部(第1導(dǎo)體層9部)的晶片整面上形成厚度10μm的絕緣圖形8。
所述的樹(shù)脂薄膜基板1用堿性溶液處理，除去鋁電極表面的氧化膜，活性處理后，在85℃的無(wú)電解鎳液中浸漬15分鐘，只在鋁電極上形成約2μm的鎳鍍層，然后在90℃的無(wú)電解金鍍液中浸漬5分鐘，在鎳鍍層上形成約0.05μm的金鍍層，也就是形成襯板金屬層10。
利用噴射在樹(shù)脂薄膜基板1的整面形成0.6μm厚的鋁膜，之后在其上涂敷保護(hù)膜，使其干燥，再通過(guò)曝光顯像形成配線電路圖，之后使用鋁腐蝕液，除去保護(hù)膜開(kāi)口部的鋁，形成鋁的電路圖形14。
實(shí)施例4除鋁電極部之外的晶片整面形成厚度10μm的絕緣圖形8，其工序和實(shí)施例3相同。
然后利用等離子體除去電極表面的氧化膜，之后利用噴射依次將Ni成膜0.05μm厚、鋁成膜0.6μm厚，將保護(hù)膜涂敷在所述的氧化鋁上，使其干燥，然后通過(guò)曝光顯像形成配線電路圖，之后使用氧化鋁腐蝕液，除去保護(hù)膜開(kāi)口部的鋁，形成鋁的電路圖形14。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性如上所述，本發(fā)明利用IC芯片埋入式制造方法，在得到COF組件的場(chǎng)合，可以將IC芯片以不脫離規(guī)定以上的位置狀態(tài)埋設(shè)，可以相對(duì)IC芯片電極正確地(不發(fā)生脫離規(guī)定以上的位置)形成電路圖形，可以得到具有一定的品質(zhì)的COF組件。
另外，利用加熱的錐形金屬模型處理樹(shù)脂薄膜基板，形成芯片安裝用孔，或者利用研消用旋轉(zhuǎn)刀具將形成導(dǎo)體圖形的晶片切削，形成切面為錐形面，通過(guò)制備形成電極的IC芯片，可以實(shí)現(xiàn)一定品質(zhì)的COF組件的批量生產(chǎn)。
權(quán)利要求
1.一種COF組件的制造方法，具有設(shè)有芯片安裝用孔的樹(shù)脂薄膜基板和形成電極的IC芯片，將所述IC芯片插入所述芯片安裝用孔固定，使所述電極露出在基板面上，之后在所述基板面上形成連接所述電極的電路圖形，其特征在于，將所述芯片安裝用孔和所述IC芯片設(shè)成錐形，而且用密封劑或粘接劑將所述IC芯片固定在所述芯片安裝用孔中。
2.如權(quán)利要求1所述的COF組件的制造方法，其特征為，在真空氛圍下將密封劑或粘接劑補(bǔ)充填充在所述芯片安裝用孔固定的IC芯片和所述芯片安裝用孔之間的間隙中。
3.如權(quán)利要求1或2所述的COF組件的制造方法，其特征為，用加熱的錐形金屬模型加壓所述樹(shù)脂薄膜基板，形成所述芯片安裝用孔。
4.如權(quán)利要求1或2或3所述的COF組件的制造方法，其特征為，形成導(dǎo)體圖形的晶片切成芯片大小，制成形成所述電極的IC芯片時(shí)，切消的切面為錐形面。
5.如權(quán)利要求4所述的COF組件的制造方法，其特征為，使用研消用旋轉(zhuǎn)刀具進(jìn)行切削，使所述切面形成錐形面。
6.如權(quán)利要求5所述的COF組件的制造方法，其特征為，所述芯片安裝用孔和所述IC芯片的錐形角度設(shè)為同一角度。
7.如權(quán)利要求6所述的COF組件的制造方法，其特征為，所述導(dǎo)體圖形具有襯板金屬層。
8.如權(quán)利要求7所述的COF組件的制造方法，其特征為，形成使所述導(dǎo)體圖形絕緣的絕緣圖形。
全文摘要
本發(fā)明的COF組件的制造方法由安裝有安裝用芯片用孔的樹(shù)脂膜基板和形成電極的IC芯片構(gòu)成，將所述IC芯片插入所述芯片安裝用孔固定，以使所述電極露出基板面之上，之后在所述基板面上形成連接所述電極的電路圖形的COF組件，其中使所述芯片安裝用孔和所述IC芯片設(shè)成錐形，再用密封劑或粘接劑將所述IC芯片固定在所述芯片安裝用孔上。
文檔編號(hào)H01L29/06GK1421019SQ01807479
公開(kāi)日2003年5月28日 申請(qǐng)日期2001年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月4日
發(fā)明者秋田雅典, 森俊裕, 伊藤釭司 申請(qǐng)人:東麗工程株式會(huì)社