專利名稱：光接收器件及含有該光接收器件的光接收模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到光接收器件及含有該光接收器件的光接收模塊。
背景技術(shù)：
用于遙控的光接收模塊中所包含的光接收器件通常包括紅外光光接收器件。通常所知，這種光接收器件的實例有圖9所示沿襯底厚度方向或圖10所示沿襯底表面制作的PIN型二極管組成光接收部分的那些光接收器件。在圖9中，參考數(shù)字101代表P型層，參考數(shù)字102代表P+層，參考數(shù)字103代表N+層，參考數(shù)字104代表SiO2絕緣層，參考數(shù)字105代表N型電極，以及參考數(shù)字106代表P型電極。圖9所示的結(jié)構(gòu)具有這樣的缺點，即長波長成分的光產(chǎn)生的載流子擴散(箭頭Lp所示)到達P+層102并產(chǎn)生光電流。另一方面，在圖10中，參考數(shù)字201代表耗盡層(其厚度用W表示)，參考數(shù)字202代表P+層，參考數(shù)字203代表做成環(huán)形的N+層，參考數(shù)字204代表SiO2絕緣層，參考數(shù)字205代表N型電極，以及參考數(shù)字206代表P型電極。圖10所示的結(jié)構(gòu)具有這樣的缺點，即長波長成分的光產(chǎn)生的載流子207即使出現(xiàn)在耗盡層201以外，在載流子207的擴散長度(Lp)內(nèi)也會產(chǎn)生光電流。這樣，在常規(guī)的光接收器件中，接收比所需波長更長的光會引起誤動作。
像這樣的光接收器件通常以蓋有可見光屏蔽樹脂的形式來使用，以防可見光引起的誤動作。而且，這樣的光接收器件對電磁噪音是極敏感的，這也會在與之結(jié)合的光接收模塊中引起誤動作。為避免這一點，在光接收模塊中加入導(dǎo)電膜(金屬化膜)，或在模塊外殼的光接收窗口配備網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。另一方面，在樹脂封裝而非金屬殼的光接收模塊中，在所用的光接收器件表面制作網(wǎng)狀的金屬導(dǎo)電膜。
在使用紅外光接收模塊的照明設(shè)備中，可見光的影響是使用覆蓋有可見光屏蔽樹脂的光接收模塊或光接收器件來克服的。然而，事實上，照明設(shè)備裝有帶通濾波器等來減輕熒光燈光的影響，因為熒光燈光含有的光成分跨越其光譜的許多波長。而且，近年來，日益普遍地一起使用多盞熒光燈或使用更高亮度的熒光燈，因而比以前更加注意因熒光燈光譜中特定波長(例如，1,013nm)光成分引起的光接收模塊的誤動作。為此，光接收模塊實際上或是在蓋有可見光屏蔽樹脂的光接收器件頂部配備干涉濾光器，以使接收的信號濾除了光譜中不需要的特定波長光成分，或是在可見光屏蔽樹脂中嵌有干涉濾光器。
這就要增加制作光接收模塊的零件和組裝工序的數(shù)目，因而增大了成本。而且，對于干涉濾光器嵌在光屏蔽樹脂中的情形，由于干涉濾光器的安裝精度、樹脂從干涉濾光器脫落以及其他因素，很難達到滿意的可靠性。
而且，對于封裝在樹脂中的光接收模塊，在內(nèi)部的光接收表面上制作有網(wǎng)狀的金屬導(dǎo)電膜，在光接收器件表面直接制作這樣的導(dǎo)電元件等于在其上形成平行板電容器。這就增加了器件的電容，因而縮短了含有這種器件的光接收模塊可接收信號的距離。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種光接收器件和光接收模塊，即使其接收光的波長大于所需的波長也不會產(chǎn)生誤動作。本發(fā)明的另一個目的是提供一種光接收器件和光接收模塊，即使其接收光的波長不是所需要者等也不會產(chǎn)生誤動作而且不增大器件的電容。本發(fā)明還有一個目的是提供一種光接收模塊，它不會響應(yīng)于不需要的特定波長等的光而產(chǎn)生誤動作，而且在光接收窗口不需要帶通濾波器、干涉濾波器或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
為達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明在光接收器件中，在低雜質(zhì)濃度的襯底上制作第一導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層作為光接收部分，第一和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層安排在襯底上表面的同一方向上，在襯底下表面制作一低載流子壽命層。此低載流子壽命層可為第一和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層。作為選擇，此低載流子壽命層可為在襯底中摻入某種雜質(zhì)如金，形成深能級層。此第一和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層之一可被與另一個第一和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層保持同電位的電極屏蔽。根據(jù)本發(fā)明，光接收模塊是將上述的光接收器件用絕緣材料固定在引線框上來制作的。
作為選擇，根據(jù)本發(fā)明，光接收模塊包含引線框、固定在引線框上的光接收器件、以及將引線框與光接收器件封在一起的絕緣樹脂。在這里，光接收器件包含低雜質(zhì)濃度的襯底；在襯底下表面制作的短載流子壽命層；在襯底上表面制作的預(yù)定厚度的第一導(dǎo)電類型高雜質(zhì)濃度層；在襯底上表面制作的環(huán)繞著第一導(dǎo)電類型高雜質(zhì)濃度層的第二導(dǎo)電類型高雜質(zhì)濃度層，此第一和第二導(dǎo)電類型高雜質(zhì)濃度層一起作為光接收部分；在襯底上表面制作的絕緣層；以及在絕緣層上制作的電極，它與第一導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層保持同電位以屏蔽第二導(dǎo)電類型高雜質(zhì)濃度層。而且，短載流子壽命層被絕緣樹脂固定在引線框上，


圖1表示實施本發(fā)明的光接收器件的剖面圖。
圖2為圖1的光接收器件平面圖。
圖3表示實施本發(fā)明的另一種光接收器件的平面圖。
圖4為光譜靈敏度特性圖。
圖5表示實施本發(fā)明的光接收模塊的平面圖。
圖6表示實施本發(fā)明的另一種光接收器件的平面圖。
圖7為圖6的光接收器件的剖面圖。
圖8為表示實施本發(fā)明的另一種光接收模塊的示意剖面圖。
圖9為常規(guī)實例的示意剖面圖。
圖10為另一種常規(guī)實例的示意剖面圖。
具體實施例方式
下面將參照附圖來描述本發(fā)明的實施方式。圖1為表示本發(fā)明第一實施方式的光接收器件剖面圖，圖2為其平面圖。光接收器件1具有在低雜質(zhì)濃度襯底2上表面制作的光接收部分3，和在襯底2下表面制作的短載流子壽命層4。
襯底2為，例如，第一導(dǎo)電類型(P型)的Si襯底，具有4×1013cm-3或更低的器件雜質(zhì)濃度，厚300μm。此襯底2被制備為高阻的，例如比電阻為500Ωcm或更高，作為(P-)層2a。在襯底2的下表面，擴散N型雜質(zhì)如磷(P)制作第二導(dǎo)電類型(N型)的高雜質(zhì)濃度層4作為短載流子壽命層，其深度為150μm。在圖中為方便起見，此第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層4被標(biāo)作(N+B)。此N型高雜質(zhì)濃度層4是如此制備的，使之具有(當(dāng)用Si襯底時)高于1×1016cm-3的雜質(zhì)濃度，在此濃度下從載流子壽命(縱軸)與雜質(zhì)濃度(橫軸)的特性圖(未示出)上觀察到，隨著載流子濃度的逐漸升高，載流子壽命開始急劇縮短，因此，例如制備為具有3×1018cm-3的雜質(zhì)濃度。
光接收部分3包含在襯底2上表面沿同一方向安排的第一導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層30和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層31。在圖中為方便起見，第一導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層30被標(biāo)作P+，第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層31被標(biāo)作(N+F)。第一導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層30是在襯底2上表面的環(huán)形區(qū)域中擴散P型雜質(zhì)如硼(B)制成的。此雜質(zhì)層30被制備成3×1019cm-3的雜質(zhì)濃度，深3μm。另一方面，第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層31是在襯底2上表面被層30環(huán)繞的區(qū)域中擴散N型雜質(zhì)如磷(P)制成的。此雜質(zhì)層31被制備成具有20Ω/□的薄層電阻，深(厚度)1-2μm。
在襯底2的表面上制作膜5，例如氧化硅膜(SiO2)作為表面保護和抗反射膜。膜5的某些部分用光刻除去以與第一和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層30和31′接觸。在膜5上，汽相淀積金屬如鋁并用光刻除去其不需要的部分以形成P型側(cè)和N型側(cè)的電極6和7。
現(xiàn)在，將說明此實施方式的光接收器件的工作。首先，量子效率R，即入射在光接收器件1上的光沿深度方向以量子效率被轉(zhuǎn)換為光電流，由下式給出，R＝1-exp(-αW)/(1+αLp)。這里W代表低雜質(zhì)濃度區(qū)2a的厚度(即，施加反向偏壓時耗盡層擴展的厚度)，α代表給定波長的光的吸收系數(shù)，Lp代表襯底背面高濃度層4中載流子的擴散長度。因此，對低雜質(zhì)濃度區(qū)2a給以充分的厚度W就可增大效率R，換言之，對不需要的特定波長的光就要限制厚度W。然而，在圖9所示的光接收器件和前面的描述中，即使限制低雜質(zhì)濃度區(qū)101的厚度，那些產(chǎn)生在高雜質(zhì)濃度層107中屬于擴散長度Lp的載流子也產(chǎn)生光電流，使得不能充分減少長波長光成分的影響。另一方面，在圖10所示光接收器件上表面制作的光接收部分中，由于施加平行于襯底上表面的電場，可降低耗盡層201沿深度方向的擴展，而耗盡層是光接收的有效區(qū)域，但產(chǎn)生在耗盡層外屬于擴散長度的載流子也產(chǎn)生光電流，這也不能充分減少長波長光成分的影響。
與之對照，在本發(fā)明的第一實施方式中，如圖1和2所示，制作在低雜質(zhì)濃度區(qū)2a背面的高雜質(zhì)濃度層4用來使低雜質(zhì)濃度區(qū)2a的厚度限制為根據(jù)上述公式計算的厚度W。這就能使產(chǎn)生在高雜質(zhì)濃度層4中的載流子在產(chǎn)生光電流之前被迅速消除。這里，背表面的高雜質(zhì)濃度層是與上表面的電極(P型側(cè)和N型側(cè)的電極6和7)無關(guān)的，即彼此電絕緣的。
按照這種方法，高雜質(zhì)濃度層4使低雜質(zhì)濃度區(qū)2a(耗盡層)的厚度W限制為最佳厚度，并且還縮短了達到高雜質(zhì)濃度層4的不需要光成分產(chǎn)生的載流子壽命(即，縮短Lp)，防止其擴散。這樣就能充分截除不需要的光成分(長波長光成分)。
在此實施方式中，為消除波長為1,000nm的光，取P型低雜質(zhì)濃度區(qū)2a的厚度W為90μm。這里，背面的高雜質(zhì)濃度層4具有1μm的載流子擴散長度，對于波長1,000nm的光其光吸收系數(shù)為7×101cm-1。圖4表示圖1所示光吸收器件的光譜靈敏度特性曲線A和圖9所示光接收器件的光譜靈敏度特性曲線B。此圖表明，在這里波長為1,000nm的入射光接收靈敏度降為常規(guī)得到者的1/6。
圖3表示光接收器件1修改的實施方式。此光接收器件與圖1所示和上述者有同樣的內(nèi)部結(jié)構(gòu)但其表面形狀不同。具體地講，這里，在平面圖中看到的高雜質(zhì)濃度層30被做成從三面而非四面圍繞著高雜質(zhì)濃度層31。而且，P型側(cè)和N型側(cè)的電極6和7被安排在光接收器件的異側(cè)而非并列。
圖5為實施本發(fā)明的光接收模塊8主要部分的平面圖，光接收模塊加有光接收器件1。此光接收模塊8具有裝在金屬引線框9上的光接收器件1，它們由模塑一起封在含有屏蔽可見光成分的絕緣樹脂10中。這里，光接收器件1由導(dǎo)電粘合劑裝在與其他引線框部分13和14分開的中間引線框部分12上，使得光接收器件1與其他引線框部分電絕緣。在兩側(cè)的引線框部分13和14與P型側(cè)和N型側(cè)電極6和7之間焊有金絲連線15a和15b等以提取光接收器件1探測的信號。
圖6和7表示光接收器件1的另一種實施方式，其中在光接收表面提供了電磁屏蔽。圖7是沿圖6所示A-A線截取的剖面圖。此光接收器件的結(jié)構(gòu)與圖1所示者相似，除了襯底2和光接收部分3的導(dǎo)電類型按其材料是N或P型而完全相反、在襯底2表面有屏蔽電極16、以及其他方面以外。具體說來，低雜質(zhì)濃度的襯底2，例如N型Si襯底，其器件雜質(zhì)濃度為4×1013cm-3或更低，厚度300μm。制作在襯底2背面的短載流子壽命層4做成與襯底2導(dǎo)電類型相同，即N型的高雜質(zhì)濃度層。此N型高雜質(zhì)濃度層4被制備成，例如，雜質(zhì)濃度3×1018cm-3，深(厚度)150μm。
光接收部分3包括第一導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層32和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層33，都安排在襯底2上表面的相同方向上。在此圖中，為方便起見，第一導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層32標(biāo)作P+，第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層33標(biāo)作(N+F)。第一導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層32是在襯底2表面的中間部分擴散P型雜質(zhì)如硼(B)制成的。此雜質(zhì)層32被制備成具有20Ω/□的薄層電阻，深1-2μm。另一方面，第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層33是在襯底2上表面環(huán)繞層32的區(qū)域擴散N型雜質(zhì)如磷制成的。此層31被制備成具有3×1019cm-3的雜質(zhì)濃度，深(厚度)3μm。
在襯底2表面上制作絕緣膜5，例如，氧化硅(SiO2)作為表面保護和抗反射膜。膜5的一些部分用光刻除去以便與第一和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層32和33接觸。在膜5上汽相淀積金屬如鋁并用光刻除去其不需要的部分而形成P型側(cè)和N型側(cè)的電極60和70。制作在絕緣膜5上的N型側(cè)電極70做得寬于層33。P型側(cè)電極60做成環(huán)形，使之除了在制作N型側(cè)電極70的區(qū)域外從上面完全蓋住層33，從而形成屏蔽電極16。
圖8表示實施本發(fā)明的光接收模塊8，它含有圖6和7所示的光接收器件1。此光接收模塊8含有光接收器件1和裝在公共引線框9上用來驅(qū)動光接收器件的IC17，它們用樹脂10模塑封在一起形成單塑模結(jié)構(gòu)。這里樹脂10為含屏蔽可見光材料的絕緣樹脂，但塑?？捎昧硪环N樹脂制作。
一般說來，光探測器和驅(qū)動IC制作在一個芯片上的單片結(jié)構(gòu)要損失光探測器的光接收靈敏度。為此，此光接收模塊8采用兩片結(jié)構(gòu)將光接收器件1與驅(qū)動器IC17聯(lián)合起來而具有高速工作和高靈敏度的優(yōu)點。具體說來，在引線框9上，光接收器件1用絕緣粘合劑18來固定，而IC17則用導(dǎo)電粘合劑19來固定。這樣，在光接收器件1與IC17間所需的唯一附加連接是前者的N型側(cè)電極70與后者的放大電路部分用金絲20等構(gòu)成的連線。光接收器件1的P型側(cè)電極60由金絲21等連接至引線框9而與地電位相連。
如上所述，將光接收器件1用絕緣粘合劑18固定在公共引線框9上，然后用連線21連接引線框9與電極60，電極60與層32相連，層32是在光接收器件1上表面形成的光接收表面，這就能實現(xiàn)一種結(jié)構(gòu)，其易受電磁噪音影響的光接收器件1被夾在同電位的上、下層之間，從而達到了有效的電磁屏蔽。而且，層33的表面也可由屏蔽電極16來屏蔽。
為使電磁屏蔽更有效，圖8所示的光接收模塊可有一種結(jié)構(gòu)，使光接收器件1的側(cè)面由與引線框9的同電位層擋住。具體說來，與光接收器件1側(cè)面等高的側(cè)壁22與引線框9做成一體，此側(cè)壁22也用作電磁屏蔽。作為選擇，引線框9的一部分可做成下陷的部分，使光接收器件1座在其中。即使單個這樣的側(cè)壁22擋住光接收器件1的一個側(cè)面也可起電磁屏蔽作用，但提供多個這樣的側(cè)壁擋住更多的器件側(cè)面是優(yōu)選的，更為優(yōu)選的是擋住光接收器件1的所有四個側(cè)面。這些側(cè)壁22在結(jié)構(gòu)關(guān)系上不是絕對必須的，但對達到更佳的屏蔽效果卻是有用的。
上述實施方式討論的是，作為實例，PIN光電二極管型光接收器件1。然而本發(fā)明不僅適用于這種特殊類型的光接收器件而且也適用于通用的PN型光電二極管以及將光接收器件與作為驅(qū)動器的IC集成在同一襯底上。
上述實施方式討論了一些實例，其中N型高雜質(zhì)濃度層被用作短載流子壽命層4。然而，也可代之以P型高雜質(zhì)濃度層。向襯底摻入雜質(zhì)如金產(chǎn)生深能級形成有助于縮短載流子壽命的一層，因此也能用這樣一層作為層4。上述實施方式有如下優(yōu)點。
(1)使光接收器件本身具有截止濾波器功能，即，降低了長波光的靈敏度。通常，照明設(shè)備裝有帶通濾波器等來減輕熒光燈光的影響，因為熒光燈光含有的光成分跨越其光譜的許多波長。而且近年來，日益普遍地一起使用多盞熒光燈或使用更高亮度的熒光燈，因而比過去更加注意光接收模塊對熒光燈光譜中特定波長(例如，1,013nm)光成分引起的誤動作。為此，實際上光接收模塊或是使用在蓋有可見光屏蔽樹脂的光接收器件頂部配備干涉濾光器，以使接收的信號濾除了光譜中不需要的特定波長的光成分，或是在可見光屏蔽樹脂中嵌有干涉濾光器。這就要增加制作光接收模塊的零件和組裝工序的數(shù)目，因而增大了成本并對其尺寸有了限制。所有這些問題都可克服，因而能夠?qū)崿F(xiàn)便宜、超小型的光接收模塊。
(2)對于干涉濾光器嵌在樹脂中的情形，由于干涉濾光器的安裝精度、樹脂從干涉濾光器上脫落及其他因素，很難達到滿意的可靠性。這樣的不穩(wěn)定性可被排除。而且，能防止在結(jié)處(即，耗盡層外)產(chǎn)生載流子，因而抑制了擴散的載流子，只留下漂移的載流子，從而達到快速響應(yīng)。
(3)光接收器件本身，在其上面和側(cè)面?zhèn)溆须姶牌帘喂δ?。?dāng)金屬導(dǎo)體件用作電磁屏蔽時，入射光被金屬導(dǎo)體件反射，因此金屬導(dǎo)體件減小了有效光接收面積(入射光損失)。這可被克服。用金屬導(dǎo)體件作為電磁屏蔽減小了有效光接收面積，因此金屬導(dǎo)體件在光接收器件表面上不能占過大的面積。這就導(dǎo)致不充分的電磁屏蔽。與此對照，在上述實施方式中，光接收器件表面本身用作屏蔽層，提供了充分的電磁屏蔽。對于封在樹脂中的光接收模塊，在內(nèi)部的光接收表面上制作有網(wǎng)狀金屬導(dǎo)體件，在光接收器件表面上直接制作這樣的導(dǎo)體件等于在此形成平行板電容器。這就增大了器件電容，因而縮短了加有這種光接收器件的光接收模塊可接收信號的距離。與此對照，在上述的實施方式中，能夠防止增大器件電容，因而可避免縮短加有這種光接收器件的光接收模塊可接收信號的距離。由于光接收器件本身具有電磁屏蔽功能，這就無須通常在光接收模塊內(nèi)裝備的防電磁噪音導(dǎo)電膜(金屬化膜)，或甚至通常配置在模塊外殼光接收窗口內(nèi)的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。用這種方法就能消除電磁屏蔽的分立件，因而實現(xiàn)了超小型光接收模塊。在上述實施方式中，可一起使用電磁屏蔽分立件，這樣就能達到遠比常規(guī)結(jié)構(gòu)優(yōu)越的電磁屏蔽效果，雖然限制了小型化。
(4)另一個優(yōu)點是，如圖6和7所示的實施方式，使與一個電極70(提取信號的電極)相連的層33由另一個電極60(連接預(yù)定電位的電極)覆蓋，就能夠改變，如果需要，電極形狀和器件P型和N型層的安排。
工業(yè)適用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠使噪音影響降至最低因而防止誤動作。能夠減少零件和組裝工序數(shù)目。能夠防止增大器件電容因而達到快速響應(yīng)。能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。按照這種方法，本發(fā)明在性能、設(shè)計、制造和成本方面都是所希望的，因此可在光接收器件和光接收模塊如紅外遙控器方面找到廣泛應(yīng)用。
權(quán)利要求
1.一種光接收器件，在低雜質(zhì)濃度的襯底上沿襯底上表面的同一方向制作有第一導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層，使之起光接收部分的作用，其中在襯底下表面制作有短載流子壽命層。
2.一種權(quán)利要求1的光接收器件，其中短載流子壽命層為第一或第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層。
3.一種權(quán)利要求1的光接收器件，其中短載流子壽命層是對襯底摻入雜質(zhì)如金形成深能級而成的。
4.一種權(quán)利要求1的光接收器件，其中第一和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層之一被電極屏蔽，此電極與另一個第一和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層保持同電位。
5.一種光接收器件包含低雜質(zhì)濃度的襯底；制作在襯底下表面的短載流子壽命層；在襯底上表面制作的第一導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層，它具有預(yù)定的厚度；在襯底上表面制作的第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層，它環(huán)繞第一導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層，第一和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層一起作為光接收部分；在襯底上表面制作的絕緣層；以及在絕緣層上制作的電極，與第一導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層保持同電位來屏蔽第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層。
6.一種權(quán)利要求5的光接收器件，其中電極寬于第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層，并且制作成平行于第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層，絕緣層夾于其間。
7.一種光接收模塊，包含引線框和固定在引線框上的光接收器件，其中光接收器件的制作包括在低雜質(zhì)濃度的襯底上制作第一導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層作為光接收部分，第一和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層在襯底上表面沿同一方向排列，然后在襯底下表面制作短載流子壽命層，用絕緣材料將短載流子壽命層固定在引線框上。
8.一種光接收模塊，包含引線框、固定在引線框上的光接收器件、以及將引線框和光接收器件封在一起的絕緣樹脂，其中光接收器件包含低雜質(zhì)濃度的襯底；制作在襯底下表面的短載流子壽命層；制作在襯底上表面?zhèn)染哂蓄A(yù)定厚度的第一導(dǎo)電類型高雜質(zhì)濃度層；制作在襯底上表面?zhèn)拳h(huán)繞第一導(dǎo)電類型高雜質(zhì)濃度層的第二導(dǎo)電類型高雜質(zhì)濃度層，第一和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層一起作為光接收部分；制作在襯底上表面的絕緣層；以及制作在絕緣層上與第一導(dǎo)電類型高雜質(zhì)濃度層保持同電位的電極，以屏蔽第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層，短載流子壽命層用絕緣材料固定在引線框上。
9.一種如權(quán)利要求8所述的光接收模塊，其中短載流子壽命層與引線框相連。
全文摘要
光接收器件具有在第一導(dǎo)電類型的低雜質(zhì)濃度襯底上制作的第一導(dǎo)電類型高雜質(zhì)濃度層和環(huán)繞之的第二導(dǎo)電類型高雜質(zhì)濃度層，使之作為光接收部分。第一和第二導(dǎo)電類型的高雜質(zhì)濃度層是在襯底上表面沿同一方向排列的。短載流子壽命層制作于襯底下表面。這樣，不需要的光成分產(chǎn)生的載流子到達短載流子壽命層時就有較短的壽命，使得可以充分截除不需要的長波光成分。
文檔編號H01L31/02GK1441970SQ01812621
公開日2003年9月10日 申請日期2001年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月11日
發(fā)明者西村晉 申請人:三洋電機株式會社, 鳥取三洋電機株式會社