專利名稱：半導(dǎo)體器件及其形成工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體器件和工藝領(lǐng)域。特別地，它涉及包含場絕緣區(qū)的半導(dǎo)體器件及其形成工藝。更特別地，它涉及在同一芯片上包含兩個或更多個具有不同特性的場絕緣區(qū)的半導(dǎo)體器件及其形成工藝。
背景技術(shù)：
集成電路制造通常要求各個有源和無源電路元件互相之間電絕緣。絕緣使電路連接可以與已構(gòu)圖表面鍍金屬一起形成，被絕緣的電路元件與鍍金屬相接觸。已提出了許多不同的技術(shù)來獲得有效的場絕緣，例如結(jié)絕緣、電介質(zhì)絕緣，以及它們的組合。盡管每種技術(shù)都尤其自身的優(yōu)點，然而缺點也依然存在。
隨著在單個芯片上安置更多的功能元件，制作能滿足每個功能元件的要求的絕緣區(qū)變得困難。在每個功能元件要求絕緣約束時更是這樣。特別地，對于片上系統(tǒng)解決方案，在單個芯片上會同時出現(xiàn)邏輯和存儲器件。在此情形中，對每個器件類型制作令人滿意的絕緣區(qū)可能尤其困難。特定地，盡管邏輯和存儲器件都要求一個大的器件密度，這兩種器件的絕緣要求也可能很不相同。
例如，存儲器件經(jīng)常要求具有圓滑拐角的溝道，而邏輯器件經(jīng)常要求窄的絕緣，拐角是否圓滑并不重要。存儲器件通常要求圓滑的拐角來避免進(jìn)行寫入和刪除步驟時溝道拐角處電場的增強(qiáng)。要避免電場增強(qiáng)的原因是，它們可能導(dǎo)致一些問題，包括——但不局限于——存儲單元耐久性和可靠性的降低。與存儲器件的要求相反，邏輯器件通常不要求溝道拐角圓滑，或者說不像存儲器件中要求的那么高。這樣，正如在這一實施例中所能看到的，單個芯片上的場絕緣要求可能會有很大差異。反過來，這個差異造成了制造上的困難，尤其是因為傳統(tǒng)的絕緣技術(shù)對所有不同絕緣區(qū)的處理即使不是一致的，也是類似的。這樣，使用傳統(tǒng)的技術(shù)，要在單個芯片上制作不同場絕緣區(qū)是很困難的，或者說是不可能的。
一種已有的制作圓滑溝道拐角的技術(shù)包含在高溫下生長厚溝道襯里氧化物。厚溝道氧化物襯里利用改變彎曲度來制作溝道拐角；然而，更厚的襯里常會長到溝道間距中。溝道中的生長可能會降低溝道墻之間的間隙距離，增加了需要由溝道填充氧化物工藝所填充的溝道的長寬比。由于長寬比的增加，填充溝道變得更困難，溝道不完整的可能性也隨之增加。
只要有源區(qū)之間的間隔與現(xiàn)今通常所用的存儲器件中的間距一樣大，那么溝道襯里厚度通常就不會對溝道填充工藝造成影響。然而，在不久的將來的器件中所可能見到的，隨著邏輯電路中電路密度的增加，要填充具有厚溝道襯里的窄溝道將變得日益困難。特別地，填充如此窄的溝道的努力可能會導(dǎo)致空白(溝槽中未被絕緣物完全填滿的空間)的增多，因多種原因，這很成問題。例如，空白能導(dǎo)致后續(xù)工藝步驟中的短路。而且，空白能在拋光步驟中聚集拋光殘渣，會導(dǎo)致完全不同的問題?？瞻走€能聚集過量的水汽，會導(dǎo)致其它問題。最后，在后續(xù)的工藝步驟中，空白可聚集一種或多種導(dǎo)電材料，這也會引起短路。
盡管通常認(rèn)為這些問題與溝道填充有關(guān)——填充窄溝道的困難和無法在單個芯片上處理不同的絕緣區(qū)——現(xiàn)有技術(shù)仍然利用單溝道集成方法。單溝道集成方法，盡管這樣的方法在解決技術(shù)中的這些問題方面顯示了一定的效用，上面所提到的特殊問題還普遍存在。因此，在單個芯片上制成具有不同特性(例如深度、拐角圓滑等等)的不同絕緣區(qū)溝道的能力將是很有利的。這一能力將提供，例如單個芯片上邏輯和存儲器件絕緣區(qū)的有效的分離。有了這一能力，將可使用標(biāo)準(zhǔn)氧化物工藝或任何CVD氧化物填充工藝來進(jìn)行充分填充，而不會形成空白。
上面所列舉的問題并不完全，而只是會削弱涉及絕緣區(qū)的已知器件和技術(shù)的效果之許多問題中的一些。可能還存在其它值得注意的問題；然而，上述那些足以說明現(xiàn)有技術(shù)中的方法并不能完全令人滿意。特別地，已有技術(shù)并沒有充分解決不同類型的器件對不同類型的絕緣的要求。因為已有技術(shù)同時處理各絕緣區(qū)，即使并非不可能，也很難于在單個芯片上形成具有不同特性的絕緣區(qū)。這樣就出現(xiàn)了這種情況，就是經(jīng)常會不適當(dāng)?shù)匦纬梢粋€或多個絕緣區(qū)；例如，要填充一個或多個溝道區(qū)而不形成空白，會很困難或者不可能。反過來，空白又會對器件性能產(chǎn)生不利影響。
附圖簡述下面以附圖作為實施例闡明本發(fā)明，當(dāng)然，本發(fā)明并不局限于這些附圖，在附圖中，類似的標(biāo)記表示類似的元件，在附圖中

圖1示出一個半導(dǎo)體器件，包括處于半導(dǎo)體器件襯底中的溝道中的第一絕緣區(qū)；圖2示出圖1的半導(dǎo)體器件，還包括溝道中的襯里；圖3示出圖2的半導(dǎo)體器件，還包括一些溝道中的第二絕緣區(qū)，這些溝道具有不同于圖1所示第一組絕緣區(qū)的溝道的特性。還示出了用于將第一和第二絕緣區(qū)互相之間有效地分離的光刻膠層。
圖4示出圖3的半導(dǎo)體器件，還包括溝道中的襯里；圖5示出圖4的半導(dǎo)體器件，溝道中已填充了絕緣物；以及圖6示出圖5的半導(dǎo)體器件，還包括相應(yīng)于第一和第二絕緣區(qū)的第一和第二組件區(qū)。
熟練的技術(shù)人員能理解圖中的元件都是簡單清楚地示出的，無需按比例畫出。例如，圖中一些元件的尺寸相對于其它元件來說被夸大了，這是為了幫助增進(jìn)對本發(fā)明的實施方案的理解。
例證實施方案描述在一個方面，本發(fā)明是包括場絕緣區(qū)、第一組件區(qū)和第二組件區(qū)的半導(dǎo)體器件。場絕緣區(qū)處在位于半導(dǎo)體器件襯底中的溝道中。第一組件區(qū)靠近第一溝道，而第二組件區(qū)靠近第二溝道。該半導(dǎo)體器件包括下列特點之一(a)第一溝道中的第一襯里，第二溝道中的第二襯里，其中第一襯里顯著厚于第二襯里；以及(b)第一組件區(qū)具有靠近第一溝道的第一邊沿，該邊沿具有第一曲率半徑，而第二組件區(qū)具有靠近第二溝道的第二邊沿，該邊沿具有第二曲率半徑，其中第一曲率半徑顯著大于第二曲率半徑。
在另一方面，本發(fā)明涉及形成半導(dǎo)體器件的工藝。形成溝道以確定第一組件區(qū)和第二組件區(qū)。溝道包括第一溝道和第二溝道。第一組件區(qū)靠近第一溝道，第二組件區(qū)靠近第二溝道。在第一溝道中形成第一襯里，在第二溝道中形成第二襯里。該半導(dǎo)體器件包括下列特點之一(a)第一襯里顯著厚于第二襯里；以及(b)第一組件區(qū)具有靠近第一溝道的第一邊沿，該邊沿具有第一曲率半徑，而第二組件區(qū)具有靠近第二溝道的第二邊沿，該邊沿具有第二曲率半徑，其中第一曲率半徑顯著大于第二曲率半徑。
首先來看圖1，其中示出了根據(jù)本發(fā)明某一實施方案的半導(dǎo)體器件10。所示出的有襯底11、第一溝道14、一般地表示為12的第一絕緣區(qū)(相應(yīng)于第一溝道14)、襯墊氧化物16，以及襯墊氮化物17。在某一實施方案中，襯底11可包括單晶半導(dǎo)體晶片、絕緣晶片上的半導(dǎo)體，或任何其它用于形成半導(dǎo)體器件的襯底。在某一實施方案中，襯墊氧化物16可具有大約100-160埃的厚度，但是應(yīng)當(dāng)理解，這個厚度可以變化很大。在另一實施方案中，襯墊氧化物16可具有大約145埃的厚度。襯墊氧化物16可以用本技術(shù)中已知的方法熱生長，也可以用其它任何合適的方式進(jìn)行生長。在某一實施方案中，襯墊氮化物17可具有大約800-2000埃的厚度，但是應(yīng)當(dāng)理解，這一范圍也是可以變化很大的。襯墊氮化物17可以是單層或復(fù)合層。特別地，襯墊氮化物可包括富硅氮化物、氮化硅、氮氧化硅，或它們的組合。在某一實施方案中，襯墊氮化物17可包括一層大約為200埃的富硅氮化物下層膜，該下層膜被厚度大約為1200埃的Si3N4層覆蓋。
第一溝道14可利用本技術(shù)中已知的不同方法的變化來形成。例如，溝道14可如下形成使用抗蝕層掩模板，然后通過腐蝕穿襯墊氮化物17、襯墊氧化物16以及部分襯底11來形成溝道。第一溝道14的深度可變化很大，這取決于要制作的器件的類型。然而，在某一實施方案中，溝道14的深度可以在大約2000至大約7000埃之間。與第一溝道14相關(guān)的是θ(theta)角。如圖所示，θ角定義為溝道14的側(cè)壁和溝道14的底部所形成的角度。盡管θ角的值根據(jù)要制作的器件而有很大不同，但在某一實施方案中，θ可等于或大于大約70度。在另一實施方案中，θ可在大約30至大約70度之間。要改變θ角，正如本技術(shù)中已知的，可能要改變一個或幾個工藝參數(shù)。例如，可能要調(diào)整反應(yīng)離子刻蝕的參數(shù)來獲得所需的θ角或溝道14的形狀。
下面看圖2，圖中示出了還包括第一溝道襯里20的半導(dǎo)體器件10。第一溝道襯里20可通過技術(shù)中已知的幾種方法中的任意一種來形成。例如，可通過首先“潛挖”或腐蝕襯底氧化物層16的一部分來形成第一溝道襯里20。正如本技術(shù)中已知的，這可通過將半導(dǎo)體器件10置于合適的腐蝕液中來完成。在某一實施方案中，這種溶液可包括HF的稀釋混合液。特定地，半導(dǎo)體器件10可浸入包括100∶1HF的溶液中。特定地，在這樣一個實施方案中，半導(dǎo)體器件10可在HF溶液中處理一段時間，這段時間可將襯墊氧化物16腐蝕到相當(dāng)于在測試晶片上腐蝕掉200埃氧化物的程度。
第一溝道襯里20的厚度可以有很大改變。然而，在某一實施方案中，第一溝道襯里20可在大約200至大約900埃之間。更特別地，在某一實施方案中，第一溝道襯里20可以是大約400埃。第一溝道襯里20可在上述潛挖腐蝕之后，通過將半導(dǎo)體器件10在大約960-1100攝氏度溫度下進(jìn)行熱氧化而形成。在某一實施方案中，溫度可以是大約1100攝氏度。正如本技術(shù)中已知的，第一溝道襯里20的厚度可通過參照測試晶片來確定。
參看圖2，可見半導(dǎo)體器件10的絕緣區(qū)包括曲率半徑為R的邊沿。曲率半徑R與第一溝道襯里20的圓滑拐角相關(guān)。第一溝道襯里20的拐角可通過本技術(shù)中已知的方法來做得圓滑。圓滑的程度可通過各種技術(shù)來進(jìn)行調(diào)整。例如，溫度的改變、襯墊氧化物16被潛挖程度的改變，以及第一溝道襯里20厚度的改變都可進(jìn)行調(diào)整以修改曲率半徑R。
下面看圖3，圖中示出了還包括抗蝕層31、一般地表示為32的第二絕緣區(qū)以及第二溝道32的半導(dǎo)體器件10?？刮g層31可首先像技術(shù)中已知的那樣進(jìn)行構(gòu)圖。特別地，可覆蓋并曝光抗蝕層31來形成所需的第二絕緣區(qū)圖形。在構(gòu)圖之后，可使用反應(yīng)離子刻蝕或其它任何本技術(shù)中已知的刻蝕方法，根據(jù)抗蝕層31中曝光的圖形來去掉部分襯墊氮化物層17、襯墊氧化物層16以及襯底11，以形成第二溝道34。
第二溝道34的深度可變化很大，這取決于要制作的器件類型。然而，在某一實施方案中，溝道34可具有大約2000至大約7000埃的深度。與第二溝道34相關(guān)的是(phi)角。如圖所示，角定義為溝道34的側(cè)壁和溝道34的底部所形成的角度。盡管角的值根據(jù)要制作的器件而有很大不同，但在某一實施方案中，θ可等于或大于大約70度。在另一實施方案中，可在大約30至大約70度之間。要改變角，正如本技術(shù)中已知的，可能要改變一個或幾個工藝參數(shù)。例如，可能要調(diào)整反應(yīng)離子刻蝕的參數(shù)來獲得所需的角或溝道34的形狀。在第二溝道34形成之后，通過本技術(shù)中已知的幾種方法任何一種來去掉抗蝕掩模層31。
參看圖3，可看出本公開的一些優(yōu)點。如圖所示，半導(dǎo)體器件10包括兩種不同的絕緣區(qū)，一般地以12和32表示。在每個區(qū)域之中是一組溝道，溝道14和34。由于第一絕緣區(qū)在第二絕緣區(qū)之前形成，并且對于第二絕緣區(qū)來說，第一絕緣區(qū)的形成是獨立的，這兩絕緣區(qū)可認(rèn)為是分離的。換句話說，第一絕緣區(qū)12和與其相關(guān)的溝道14的形成無需影響第二絕緣區(qū)和與其相關(guān)的溝道34的形成。在所示實施方案中，能夠做到分離，部分是因為工藝步驟的順序和抗蝕掩模層31的使用。特別地，在形成第二區(qū)時，抗蝕層31有效地掩罩了第一絕緣區(qū)。這樣，如果需要，這兩區(qū)域可設(shè)計成具有完全不同的特性。
特別地，由于絕緣區(qū)的分離，可形成深度、寬度或形狀與第二溝道34不同的第一溝道14。更特別地，溝道34可相應(yīng)于邏輯器件的絕緣，而溝道14可相應(yīng)于存儲器件的絕緣，后者常常需要更深或更潛的具有圓滑拐角的溝道。由于分離，θ角和角可大不相同。在某一實施方案中，θ可以是大約70度，而角可以是大約30度。
現(xiàn)在來看圖4，圖中示出了還包括第二溝道襯里36的半導(dǎo)體器件10。第二溝道襯里36可通過本技術(shù)中已知的幾種方法中的任意一種來形成。例如，可通過首先“潛挖”或腐蝕襯底氧化物層16的一部分來形成第二溝道襯里36。正如本技術(shù)中已知的，這可通過將半導(dǎo)體器件10置于合適的腐蝕液中來完成。在某一實施方案中，這種溶液可包括HF的稀釋混合液。特定地，半導(dǎo)體器件10可浸入包括100∶1HF的溶液中。特定地，在這樣一個實施方案中，半導(dǎo)體器件10可在HF溶液中處理一段時間，這段時間可將襯墊氧化物16腐蝕到相當(dāng)于在測試晶片上腐蝕掉200埃氧化物的程度。
第二溝道襯里36的厚度可以有很大改變。然而，在某一實施方案中，第二溝道襯里36可在大約200至大約900埃之間。更特別地，在某一實施方案中，第二溝道襯里36可以是大約100埃。在另一實施方案中，第二溝道襯里36可以是大約0至400埃。第二溝道襯里36可在用上述濕法腐蝕潛挖襯墊氧化物之后，通過將半導(dǎo)體器件10在大約960-1100攝氏度溫度下進(jìn)行熱氧化而形成。在某一實施方案中，溫度可以是大約1000攝氏度。正如本技術(shù)中已知的，第二溝道襯里36的厚度可通過參照測試晶片來確定。
熟練的技術(shù)人員能夠理解，在第二溝道襯底36的形成中，第一溝道襯里20的厚度會受到輕微的影響。特別地，在用于形成溝道襯里36的熱氧化步驟過程中，溝道襯里20會被進(jìn)一步——盡管很輕微——氧化，因而襯里20會加厚。盡管這是第一和第二絕緣區(qū)之間輕微關(guān)聯(lián)(襯里20的厚度并不完全獨立于襯里36的厚度)的例子，但是熟練的技術(shù)人員能夠理解，這一關(guān)聯(lián)實際很小，不會影響形成兩個或多個具有不同溝道特性的絕緣區(qū)的能力所帶來的巨大優(yōu)點。
例如，參看圖2和4，可以看出，兩絕緣區(qū)的獨立或者說分離可使它們形成兩個不同的曲率半徑。特別地，圖4中的半徑R2可以不同于圖2中的曲率半徑R1。半徑的不同可任意地或大或小，調(diào)整決定溝道襯墊拐角圓滑地工藝參數(shù)，但是在某一實施方案中這一差異可以是70％。特定地，在某一實施方案中，R1可比R2大大約70％。不但它們相關(guān)的角度可以不同，它們的厚度也可以改變。特別地，通過在襯里36形成過程中調(diào)整工藝條件，可以使襯里36厚于襯里20。在某一實施方案中，襯里20和36之間的厚度差異可以是大約5％。在其它實施方案中，這一差異可以任意地或小或大。
在同一襯底上形成具有顯著不同襯里厚度的不同溝道的能力是非常有利的。正如前面所提到的，面對絕緣場的一個問題就是襯里可以使完全填充溝道變得困難——即使并非不可能。特別地，如果襯里太厚，它會使溝道的寬度減小到填充而不形成空白變得不太可能的程度。然而，在單個襯底上制作不同類型的器件(例如，對于“片上系統(tǒng)”(SOC)應(yīng)用)時，這一問題就會發(fā)生；如果對某類器件需要更厚的溝道襯里，則其它類器件的襯里將必須同樣厚，因為絕緣工藝是相關(guān)的——對一組絕緣區(qū)所進(jìn)行的也要對另一組絕緣區(qū)進(jìn)行。相反，本公開可使絕緣的形成分離，從而，例如，存儲和邏輯器件可并排形成，盡管它們對溝道絕緣有不同的要求。
現(xiàn)在看圖5，圖中示出具有第一和第二溝道14和34的半導(dǎo)體器件10，第一和第二溝道14和34中填有絕緣材料以形成第一填滿溝道44和第二填滿溝道46。在某一實施方案中，可使用氧化物材料來填充這些溝道。在另一實施方案中，任何其它類型的絕緣材料都可使用，像本領(lǐng)域中已知的那樣。在圖5中，可看出已經(jīng)去掉了襯墊氮化物層17和襯墊氧化物層16。這些去除步驟可由本技術(shù)中已知的幾種方法中任意一種來進(jìn)行。在填充第一和第二溝道之后，可進(jìn)行一個或多個密實步驟，像本領(lǐng)域中已知的那樣。
正如本領(lǐng)域中已知的，將圖5中示出的半導(dǎo)體器件10進(jìn)行一個或多個拋光步驟來獲得平坦表面。由于不同溝道獨立的可控性，此處所示的填充步驟更可能導(dǎo)致沒有空白的完全填充的絕緣溝道。特別地，可形成不同絕緣區(qū)中的不同溝道，從而可獲得完全的、無空白的填充。
下面看圖6，圖中示出包括一般地示為50的第一組件區(qū)和一般地示為52的第二組件區(qū)的半導(dǎo)體器件10。這些組件區(qū)僅僅指與此處所描述的絕緣區(qū)相關(guān)的組件。特別地，第一組件區(qū)50相應(yīng)于那些作為絕緣區(qū)12的部分且被第一絕緣溝道14(或填滿溝道44)絕緣的所有組件。第二組件區(qū)52相應(yīng)于那些作為第二絕緣區(qū)32的部分且被第二絕緣溝道34(或填滿溝道46)絕緣的所有組件。
在所示實施方案中，第一組件區(qū)50相應(yīng)于集成電路器件的存儲列陣部分，而第二組件區(qū)52相應(yīng)于該集成電路器件的CMOS邏輯部分。圖6中所示的有電介質(zhì)層54、鈍化層66，以及導(dǎo)電層64，導(dǎo)電層64可以是任何導(dǎo)體，例如金屬。如圖所示，導(dǎo)電層64可與CMOS邏輯部分的源和/或漏區(qū)相連。源和漏區(qū)分別示為60和62。還示出了柵58和柵氧化物56。邏輯部分52和存儲列陣50可具有不同的具有非零絕對值的供電電位?？衫眠@些不同的供電電壓來提高兩種不同電路的工作特性。熟練的技術(shù)人員能認(rèn)識到，圖6中所示的元件可通過本技術(shù)中熟知的方法來形成，因此，這里將不再重復(fù)。
在前述說明中，參照特定實施方案描述了本發(fā)明。然而，熟練的技術(shù)人員能理解，只要不超出下面權(quán)利要求中所提出的本發(fā)明的范圍，可進(jìn)行各種調(diào)整和改變。因此，說明書和附圖只應(yīng)看作示例而不是限制，所有這樣的調(diào)整應(yīng)被包括在本發(fā)明的范圍中。
上面已對于特定實施方案描述了益處、其它優(yōu)點以及問題的解決方案。然而，這些益處、優(yōu)點、問題的解決方案，以及可導(dǎo)致任何益處、優(yōu)點以及解決方案發(fā)生或更明確的要素并不能認(rèn)作任何或所有權(quán)利要求的決定性的、必須的或基本的特點或要素。正如此處所用，術(shù)語“包含”、“由…構(gòu)成”或其任何其它變體是要覆蓋非排它包含，這樣，包含一列元件的工藝、方法、物品或設(shè)備并不僅包括那些元件，而可包括沒有明確列出的或這樣的工藝、方法、物品或設(shè)備所固有的其它元件。
權(quán)利要求
1.半導(dǎo)體器件，包含場絕緣區(qū)，位于處在半導(dǎo)體器件襯底中的溝道中，其中溝道包括第一溝道和第二溝道；以及第一組件區(qū)和第二組件區(qū)，其中第一組件區(qū)靠近第一溝道，而第二組件區(qū)靠近第二溝道；其中半導(dǎo)體器件包括選自下列組中的特征第一溝道中的第一襯里，和第二溝道中的第二襯里，其中第一襯里顯著厚于第二襯里；以及第一組件區(qū)具有靠近第一溝道、具有第一曲率半徑的第一邊緣，而第二組件區(qū)具有靠近第二溝道、具有第二曲率半徑的第二邊緣，其中第一曲率半徑顯著大于第二曲率半徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中第一襯里顯著厚于第二襯里；以及第一曲率半徑顯著大于第二曲率半徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中該半導(dǎo)體器件被設(shè)計成在第一供電電位和第二供電電位下工作，其中第一和第二供電電位都具有非零絕對值；以及第一和第二供電電位之間差別很大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中第一溝道具有第一深度；第二溝道具有第二深度；以及第一和第二深度之間差別很大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中第一和第二溝道都具有側(cè)壁和底部；以及第一角度定義為第一溝道中的側(cè)壁和底部所形成的角度；第二角度定義為第二溝道中的側(cè)壁和底部所形成的角度；以及第一角度與第二角度之間差別很大；以及第一角度大于大約70度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中第一襯里至少比第二襯里厚大約5％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中第一曲率半徑至少比第二曲率半徑大大約70％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中該半導(dǎo)體器件包括存儲列陣部分和邏輯部分；存儲列陣部分包括第一組件區(qū)和第一襯里；邏輯部分包括第二溝道，具有不同于第一溝道的深度；第二組件區(qū)，具有顯著小于第一曲率半徑的第二曲率半徑；以及第二襯里，顯著薄于第一襯里。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包含沿第二溝道或第一溝道底部的場溝停止摻雜區(qū)(field channel stop doped region)。
10.形成半導(dǎo)體器件的工藝，包含形成溝道，以確定第一組件區(qū)和第二組件區(qū)，其中溝道包括第一溝道和第二溝道；以及第一組件區(qū)靠近第一溝道；以及第二組件區(qū)靠近第二溝道；在第一溝道中形成第一襯里；以及在第二溝道中形成第二襯里，其中該半導(dǎo)體器件包括選自下列組中的特征第一襯里顯著厚于第二襯里；以及第一組件區(qū)具有靠近第一溝道、具有第一曲率半徑的第一邊緣，而第二組件區(qū)具有靠近第二溝道、具有第二曲率半徑的第二邊緣，其中第一曲率半徑顯著大于第二曲率半徑。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的工藝，其中第一襯里顯著厚于第二襯里；以及第一曲率半徑顯著大于第二曲率半徑。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的工藝，其中該半導(dǎo)體器件被設(shè)計成在第一供電電位和第二供電電位下工作，其中第一和第二供電電位都具有非零絕對值；以及第一和第二供電電位之間差別很大。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的工藝，其中第一溝道具有第一深度；第二溝道具有第二深度；以及第一和第二深度之間差別很大。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的工藝，其中第一和第二溝道都具有側(cè)壁和底部；以及第一角度定義為第一溝道中的側(cè)壁和底部所形成的角度；第二角度定義為第二溝道中的側(cè)壁和底部所形成的角度；以及第一角度與第二角度之間差別很大；以及第一角度大于大約70度。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的工藝，其中第一襯里至少比第二襯里厚大約5％。
16.根據(jù)權(quán)利要求10的工藝，其中第一曲率半徑至少比第二曲率半徑大大約70％。
17.根據(jù)權(quán)利要求10的工藝，其中該半導(dǎo)體器件包括存儲列陣部分和邏輯部分；存儲列陣部分包括第一組件區(qū)和第一襯里；邏輯列陣部分包括第二溝道，具有不同于第一溝道的深度；第二組件區(qū)，具有顯著小于第一曲率半徑的第二曲率半徑；以及第二襯里，顯著薄于第一襯里。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的工藝，進(jìn)一步包含沿第二溝道或第一溝道底部的場溝停止摻雜區(qū)(field channel stop doped region)。
19.根據(jù)權(quán)利要求10的工藝，其中第一襯里的形成在第一溫度下進(jìn)行；以及第二襯里的形成在顯著不同于第一溫度的第二溫度下進(jìn)行。
20.根據(jù)權(quán)利要求10的工藝，進(jìn)一步包括在第一和第二溝道以及第一和第二組件區(qū)上形成電介質(zhì)層；形成互連，它至少部分處于電介質(zhì)層中；以及在電介質(zhì)層和互連上形成鈍化層。
全文摘要
半導(dǎo)體器件及其形成工藝。半導(dǎo)體器件(10)包括處在位于半導(dǎo)體器件襯底(11)中的溝道(14)內(nèi)的場絕緣區(qū)(12)。該器件包括第一組件區(qū)和第二組件區(qū)。第一組件區(qū)靠近第一溝道，而第二組件區(qū)靠近第二溝道。該半導(dǎo)體器件包括下列特點之一(a)第一溝道(14)中的第一襯里(20)，和第二溝道(34)中的第二襯里(36)，其中第一襯里(20)顯著厚于第二襯里(36)；以及(b)第一組件區(qū)具有靠近第一溝道、具有第一曲率半徑的第一邊沿，而第二組件區(qū)具有靠近第二溝道(34)、具有第二曲率半徑(R2)的第二邊沿，其中第一曲率半徑顯著大于第二曲率半徑(R2)。
文檔編號H01L29/788GK1502127SQ01816323
公開日2004年6月2日 申請日期2001年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月18日
發(fā)明者蘭納·P·西英, 李池南, 蘭納 P 西英 申請人:摩托羅拉公司