專利名稱：源側(cè)硼注入的非易失存儲(chǔ)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
廣義來說，本發(fā)明系關(guān)于制造如EEPROM閃速存儲(chǔ)裝置的一種改良方法。更詳言之，系關(guān)于一種具有不均勻溝道摻雜且有降低的短溝道效應(yīng)的非易失性閃速存儲(chǔ)裝置。
先前的技術(shù)

圖1b代表在先前的技術(shù)圖1a的核心區(qū)域11中一個(gè)典型存儲(chǔ)單元14的部分剖面圖。像這樣一個(gè)單元14通常包括在基底或P阱16內(nèi)的源極14b、漏極14a和溝道15；而疊置柵極結(jié)構(gòu)14c則覆蓋在溝道15之上。該疊置柵極14c又包含一層形成在P阱16表面上的薄柵極介電質(zhì)層17a(通常稱之為隧道氧化層)。該疊置柵極14c也包括一個(gè)多晶硅(polysilicon)浮置柵極17b，此浮置柵極覆蓋在隧道氧化層17a之上，而有一層內(nèi)多晶(interpoly)介電質(zhì)層17c則蓋覆在該浮置柵極17b之上。內(nèi)多晶介電質(zhì)層17c常常是多層絕緣體，像是氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層，即有兩層的氧化物層以夾心方式將一層氮化物層夾在中間。最后，有一個(gè)多晶硅控制柵極17d覆蓋在內(nèi)多晶介電質(zhì)層17c之上。每一個(gè)疊置柵極14c都耦合至一條字線上(WL0、WL1、...、WLn)，而漏極選擇晶體管的每一漏極則耦合至一條位線上(BL0、BL1、...、BLn)。根據(jù)疊置柵極結(jié)構(gòu)14c在溝道15內(nèi)所形成的電場，單元14的溝道15會(huì)在源極14b和漏極14a間導(dǎo)引電流。利用外圍的譯碼器和控制電路，每一個(gè)存儲(chǔ)單元14就能為了編程、讀取和擦除的功能而被尋址。
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界中，有一個(gè)追求更高裝置密度以增加電路速度和封裝密度的趨勢(shì)。要達(dá)到高密度就必須將半導(dǎo)體晶片上的裝置尺寸比例予以縮小，于此所謂的比例縮小乃是將裝置結(jié)構(gòu)和電路尺寸以等比例的方式縮小，以制造更小的裝置，而其功能卻要和較大而未縮小的裝置的參數(shù)相當(dāng)。為了達(dá)成此縮小比例的目的，需要愈來愈小的特征尺寸(feature size)。這包含包括柵極長度的特征寬度和間距。
對(duì)于小尺寸特征的需求，在閃速存儲(chǔ)裝置方面，有許多需要注意的地方，特別是關(guān)于保持品質(zhì)的一致性和可靠性。例如，當(dāng)特征尺寸縮小后，如縮小柵極的長度，尺寸(如柵極長度)的變化度就相對(duì)地增加。也就是當(dāng)尺寸縮小時(shí)，很難保持對(duì)關(guān)鍵尺寸的控制。當(dāng)柵極長度縮小時(shí)，短溝道效應(yīng)的發(fā)生機(jī)率就會(huì)增加。在某些例子當(dāng)中，氮化隧道氧化物層也會(huì)增加短溝道效應(yīng)。
當(dāng)源極和漏極之間的長度縮小時(shí)，短溝道效應(yīng)就會(huì)發(fā)生。短溝道效應(yīng)包括Vt衰減(Vt是臨界電壓)、漏極引發(fā)勢(shì)壘降低(DIBL)、以及多余欄漏。DIBL的發(fā)生多是在短溝道裝置中，由漏極電壓的應(yīng)用所引起。換言之，漏極電壓會(huì)引起表面勢(shì)的降低。
從前面所述敘的問題及關(guān)注的要點(diǎn)來看，有一個(gè)未滿足的需要是制造具有提高的整體性的改進(jìn)質(zhì)量的閃速存儲(chǔ)單元特別是對(duì)有短溝道效應(yīng)的次0.18□m閃速存儲(chǔ)單元而言。
本發(fā)明的一個(gè)方面系有關(guān)于一種制造閃速存儲(chǔ)單元的方法，該方法包括下列步驟提供一個(gè)其上有閃速存儲(chǔ)單元的基底；在該基底上形成一個(gè)自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜，該自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜會(huì)根據(jù)源極線而有相對(duì)應(yīng)的開口；穿過自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜中根據(jù)源極線而有的相對(duì)應(yīng)的開口，在基底內(nèi)注入第一類的源極雜質(zhì)；從基底上移除該自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜；清洗基底；以及注入中等劑量的第二類漏極注入離子，以在毗鄰閃速存儲(chǔ)單元的基底內(nèi)，形成一個(gè)源極區(qū)域和一個(gè)漏極區(qū)域。
本發(fā)明的另一個(gè)方面系關(guān)于一種制造閃速存儲(chǔ)單元的方法，該方法包括下列步驟提供一個(gè)在其上有閃速存儲(chǔ)單元的基底；在含有氧氣和任選的至少一種惰性氣體的氣氛中，加熱該基底；在該基底上形成一個(gè)自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜，該自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜會(huì)根據(jù)源極線而有相對(duì)應(yīng)的開口；穿過自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜中根據(jù)源極線而有的相對(duì)應(yīng)的開口，在基底內(nèi)注入第一類的源極雜質(zhì)；從基底上移除該自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜；清洗基底；加熱基底；以及注入中等劑量的第二類漏極注入離子，以在毗鄰閃速存儲(chǔ)單元的基底內(nèi)，形成一個(gè)源極區(qū)域和一個(gè)漏極區(qū)域。
本發(fā)明的又一個(gè)方面系關(guān)于一種制造閃速存儲(chǔ)單元的方法，該方法包括下列步驟提供一個(gè)其上有閃速存儲(chǔ)單元的基底；在該基底上形成一個(gè)自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜，該自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜會(huì)根據(jù)源極線而有相對(duì)應(yīng)的開口；穿過自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜中根據(jù)源極線而有的相對(duì)應(yīng)的開口，在基底內(nèi)注入第一類的源極雜質(zhì)；從基底上移除該自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜；清洗基底；在含有氧氣和任選至少一種惰性氣體的氣氛中，加熱該基底；以及注入中等劑量的第二類漏極注入離子，在毗鄰閃速存儲(chǔ)單元的基底內(nèi)，形成一個(gè)源極區(qū)域和一個(gè)漏極區(qū)域。
發(fā)明詳述本發(fā)明涉及制造具有非均勻溝道摻雜的非易失性閃速存儲(chǔ)裝置，結(jié)果提供了具有降低的短溝道效應(yīng)的非易失性閃速存儲(chǔ)裝置。在本發(fā)明中所參考的附圖中的標(biāo)示數(shù)字，也同樣地在通篇的文字說明中引用相同的數(shù)字以代表相同的元件。
配合所附的圖2-6，(其中的標(biāo)示數(shù)字也同樣在通篇的文字說明引用來表示相同的部分)可以理解本發(fā)明并認(rèn)識(shí)其優(yōu)點(diǎn)。
配合所附的圖2-6，將要展示的是改良的半導(dǎo)體的制造流程圖，用以詳細(xì)介紹如何制作閃速存儲(chǔ)裝置。本方法強(qiáng)調(diào)基底的核心區(qū)域內(nèi)的活性，該區(qū)域也是疊置存儲(chǔ)單元和選擇柵極晶體管依序放置的地方。就此而論，該基底包含兩區(qū)域，也就是外圍區(qū)域和核心區(qū)域；基底的核心區(qū)域包含兩塊面積，也就是疊置存儲(chǔ)單元面積。
參考圖2，圖中給出了基底30，其具有一個(gè)疊置存儲(chǔ)單元32和淺溝隔離區(qū)域41。該疊置存儲(chǔ)單元32是放置在基底30的核心區(qū)域的疊置存儲(chǔ)單元面積內(nèi)。淺溝隔離區(qū)域41包含一個(gè)如二氧化硅或氮化硅之類的絕緣材料。有一個(gè)疊置存儲(chǔ)單元32的基底30如下給出，但是其它任何合適的步驟也是可以使用的。
通?；?0是一個(gè)硅基底，任選在其上具有不同的元件、區(qū)域及/或?qū)拥龋话ń饘賹?，障礙層，介電質(zhì)層，裝置結(jié)構(gòu)，如有源硅區(qū)域或面積之類的有源區(qū)域，包含P阱、N阱、額外的多晶硅柵極、字線、源極區(qū)域、漏極區(qū)域、位線、基極、發(fā)射極、集電極、導(dǎo)體線、導(dǎo)體栓(conductive plug)等等的主動(dòng)元件和被動(dòng)元件。有第一氧化層40加在至少一部份的基底30上，或在整個(gè)基底30之上，其采用任何合適的方式如干氧化、濕氧化、快速熱氧化、或化學(xué)氣相沉積(CVD)。
任選利用氮化過程而將第一氧化層40氮化。于某些情況下，使用氮化的第一氧化層40會(huì)造成短溝道效應(yīng)。本發(fā)明的目的是將這些效應(yīng)最小化，因此能使氮化的第一氧化層40應(yīng)用于閃速存儲(chǔ)裝置中(氮化的隧道氧化層)。該氮化的第一氧化層40也會(huì)有助于改善隧道氧化可靠度。
利用任何合適的方法在該第一氧化層40之上生成第一多晶層42，例如實(shí)施原位摻雜方法。第一多晶層42可以是多晶硅，或者是摻雜的無定形硅。多晶硅系用CVD技術(shù)生成，而摻雜的無定形硅則是用原位摻雜方法所生成。第一摻雜的無定形硅層42(也標(biāo)示成Poly 1)然后形成疊置存儲(chǔ)單元的浮置柵極。生成該薄第一摻雜的無定形硅層所所用的摻雜子是磷或砷當(dāng)中至少的一種。
利用任何合適的方法，在Poly 1層42的至少一部份上給出介電質(zhì)層44，該介電質(zhì)層44最好是有三層的ONO多層介電質(zhì)層，也就是一層氧化物層44a，一層氮化物層44b，以及另外一層氧化物層44c。該介電質(zhì)層然后形成疊置存儲(chǔ)單元32的內(nèi)多晶介電質(zhì)層。
利用任何合適的方法，在基底的至少一部份上給出第二多晶層46，該第二多晶層46然后形成疊置存儲(chǔ)單元(也標(biāo)示成Poly 2)的控制柵極。該第二多晶層46由多晶硅或者是摻雜的無定形硅所制成。
雖然未于圖中表明，利用任何合適的方法，可以在Poly 2層的至少一部份上給出額外的層。例如，鈷或鎢硅化物層就可以在Poly 2層46的至少一部份上給出，而硅氧氮化物層就可以在硅化鎢層上給出。
不同適合的掩膜和蝕刻步驟用來在結(jié)構(gòu)(柵極被定義)的核心區(qū)域的疊置存儲(chǔ)單元面積之內(nèi)形成存儲(chǔ)單元。一個(gè)或多個(gè)光致抗蝕劑和/或硬掩膜和/或部份形成的疊置存儲(chǔ)單元(未于圖中展示)用來當(dāng)做掩膜。蝕刻通常是以一層接一層的方式進(jìn)行，以使蝕刻的選擇率達(dá)到最大。例如，對(duì)Poly 2層的蝕刻所使用化學(xué)方法和對(duì)氧化物的蝕刻的化學(xué)方法即不同。雖然圖中只展示一個(gè)疊置存儲(chǔ)單元32，許多單元也可以在該結(jié)構(gòu)的核心區(qū)域內(nèi)形成。在處理之前，該結(jié)構(gòu)也任選進(jìn)行清洗。該疊置閃速存儲(chǔ)單元32(以及圖7中的SONOS形式的存儲(chǔ)單元)可以有一個(gè)大約為0.18□m或者更小的寬度。
在流程中的這點(diǎn)上，有兩種可選的過程可以接著用來產(chǎn)生本發(fā)明的非均勻溝道摻雜裝置。此二種流程將于圖2-5當(dāng)中說明，而圖2-6的解說系沿著一條位線而展開。
參考圖3，于一個(gè)先期注入的氧化步驟之后，在該結(jié)構(gòu)上形成一個(gè)掩膜，留下一條曝光的Vss線。該先期注入的氧化步驟包括在含氧氣氛中加熱該結(jié)構(gòu)，加熱的時(shí)間夠長，因此可形成一層非常薄的氧化物層(未于圖中展示出來)。在一個(gè)實(shí)施方案中，該先期注入的氧化步驟包括在含氧和任選至少一種惰性氣體的氣氛中對(duì)該結(jié)構(gòu)加熱，加熱的溫度從大約400□C到大約1200□C，加熱的時(shí)間從大約1秒鐘至5分鐘。惰性氣體包括氮?dú)狻⒑?、氖氣、氬氣、氪氣、和氙氣。在另一個(gè)實(shí)施方案中，該先期注入的氧化步驟包括對(duì)該結(jié)構(gòu)加熱，加熱的溫度從大約500℃至大約是1100℃，而加熱的時(shí)間大約是10秒鐘至3分鐘。又在另一個(gè)實(shí)施方案中，該先期注入的氧化步驟包括對(duì)該結(jié)構(gòu)加熱，加熱的溫度從大約600℃至大約1000℃，而加熱的時(shí)間大約是15秒鐘至2分鐘。
形成掩膜48的步驟包括利用光致抗蝕劑或硬掩膜在該結(jié)構(gòu)上制版出一個(gè)自動(dòng)對(duì)齊源極(SAS)的掩膜，留下一個(gè)源極線開口50，以作為進(jìn)一步的處理之用。也就是說，掩膜48會(huì)在基底30上有開口50，穿過該開口，可以接著形成源極線。
在掩膜形成之后，有一個(gè)如硼的源極雜質(zhì)穿過掩膜48中的開口50，注入到曝光的源極線(到基底30的曝光部份)，因此形成源側(cè)注入離子52(即非均勻溝道摻雜)。該源極雜質(zhì)可以部份擴(kuò)散至Poly 1或浮置柵極的底下。源極雜質(zhì)可以是p型態(tài)或n型態(tài)，但優(yōu)選是p型態(tài)。
于其中的一個(gè)實(shí)施方案中，源極雜質(zhì)的注入能量從大約10keV到大約40keV，而劑量從大約1×1013原子/平方厘米(atoms/cm2)到大約5×1014atoms/cm2。在另一個(gè)實(shí)施方案中，源極雜質(zhì)的注入能量從大約15keV到大約30keV，而劑量從大約5×1013atoms/cm2到大約2×1014atoms/cm2。又在另一個(gè)實(shí)施方案中，源極的注入能量從大約15keV到大約25keV，而劑量從大約5×1013atoms/cm2到大約2×1014atoms/cm2。除了注入硼之外，也可以注入磷(使用相同的能量和劑量水平)。
參考圖4，在源極雜質(zhì)的注入之后將掩膜48移除，任選清洗該結(jié)構(gòu)，以及任選加熱該結(jié)構(gòu)足夠的時(shí)間以進(jìn)一步促進(jìn)硼52在柵極(Poly 1柵極42)底下的擴(kuò)散。在其中的一個(gè)實(shí)施方案中，該熱處理包括從大約300℃到大約1100℃的溫度對(duì)該結(jié)構(gòu)加熱，加熱的時(shí)間大約從1秒鐘至5分鐘。在另一個(gè)實(shí)施方案中，該熱處理包括從大約400℃到大約1000℃的溫度對(duì)該結(jié)構(gòu)加熱，加熱的時(shí)間大約從10秒鐘至3分鐘。又在另一個(gè)實(shí)施方案中，該熱處理包括從大約500℃到大約900℃的溫度對(duì)該結(jié)構(gòu)加熱，加熱的時(shí)間大約從15秒鐘至2分鐘。
參考圖5，所展示的是中等劑量漏極(MDD)注入的實(shí)施過程，其目的是形成源極54和漏極56區(qū)域。MDD注入可以促進(jìn)重度接面(heavyjunction)的形成。雜質(zhì)可以是p型態(tài)或n型態(tài)，但以n型態(tài)比較佳。特別是雜質(zhì)優(yōu)選為n+注入離子，如砷或磷。MDD注入雜質(zhì)優(yōu)選和源極雜質(zhì)是相反的；也就是當(dāng)源極雜質(zhì)是p型態(tài)時(shí)，MDD注入是n型態(tài)，而當(dāng)源極雜質(zhì)是n型態(tài)時(shí)，MDD注入是p型態(tài)。在一個(gè)實(shí)施方案中，MDD注入施行的條件是能量從大約30keV到大約60keV，而劑量從大約5×1013atoms/cm2到大約5×1015atoms/cm2。在另一個(gè)實(shí)施方案中，MDD注入施行的條件是能量從大約35keV到大約55keV，而劑量從大約1×1014atoms/cm2到大約1×1015atoms/cm2。
另一個(gè)可以選擇的方法流程如下。參考圖2，提供了有一個(gè)疊置存儲(chǔ)單元32和淺溝隔離區(qū)域41的基底30，就如前面已敘述的流程一樣。然而參考圖3，一個(gè)先期注入氧化的步驟并沒有實(shí)施，而只有在該結(jié)構(gòu)上制造一個(gè)掩膜48，留下一條曝光的Vss線。在掩膜48形成之后，硼(及/或磷)就穿過掩膜48中的開口50而注入至該曝光的源極線(到基底30的曝光部分)，形成源極側(cè)邊注入離子52。參考圖4，硼注入過程之后是將掩膜48移除，任選清洗該結(jié)構(gòu)，并執(zhí)行一個(gè)先期注入氧化步驟，并使其執(zhí)行足夠的時(shí)間以進(jìn)一步加速在柵極(Poly 1柵極42之下)之下硼52的擴(kuò)散過程，從而形成一個(gè)非常薄的氧化層(未于圖中標(biāo)示出來)。參考圖5，施行一個(gè)MDD注入，由此而形成源極54和漏極56區(qū)域。
第一和第二可選擇的流程之間的主要差異是第一可選擇的流程中的先期注入氧化步驟的實(shí)施在與圖3相關(guān)的步驟中，而第二可選擇的流程中的先期注入氧化步驟的實(shí)施是在與圖4相關(guān)的步驟。另外，所有在第一可選擇的流程中用于每一個(gè)別步驟的曾詳細(xì)敘述的參數(shù)，也同樣應(yīng)用在第二可選擇的流程的步驟中。
本發(fā)明也可以應(yīng)用到SONOS(硅、氧化物、氮化物、氧化物、硅)型態(tài)存儲(chǔ)裝置。參考圖6，所展示的是一個(gè)SONOS型態(tài)存儲(chǔ)裝置33，其具有根據(jù)本發(fā)明而形成的源極側(cè)邊硼注入離子52。該SONOS型態(tài)存儲(chǔ)裝置33的處理方法和圖2-5中的疊置閃速存儲(chǔ)單元32一樣。因此之故，圖6類似于圖5。本發(fā)明也可以應(yīng)用到NAND和NOR型態(tài)的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。
雖然未顯示，但是事實(shí)上施行一系列的掩膜和蝕刻步驟(如自對(duì)準(zhǔn)蝕刻步驟)，以在核心區(qū)域中形成選擇性柵極晶體管，在外圍區(qū)域形成高壓晶體管和低壓晶體管，也形成字線、接點(diǎn)、內(nèi)接點(diǎn)、外封的氧化層，如原硅酸四乙酯(teraethylorthosilicate(TEOS))、硼磷原硅酸四乙酯(borophosphotetraethylorthosilicate(BPTEOS))、磷硅酸玻璃(phosphosilicate glass(PSG))、或硼磷硅酸玻璃(borophosphosilicate glass(BPSG))等等。這些步驟可以在根據(jù)本發(fā)明形成存儲(chǔ)單元過程中及/或在此之后實(shí)施，而這些步驟已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知。
雖然本發(fā)明是根據(jù)一些特定的較佳實(shí)施方案進(jìn)行說明，然而顯然可以理解的是，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，他們經(jīng)過閱讀和理解本發(fā)明的說明和附圖，可以對(duì)本發(fā)明做一等效的變動(dòng)和修改。特別對(duì)前面敘述的元件(組合、裝置、電路等等)的不同功能，除非另有說明，所有用來描述這些元件的術(shù)語(包括任何所謂的“方法”)都是要指明任何可以具有前述元件特定功能的元件(也就是功能的等效性)，這些功能等效的組件，雖然在結(jié)構(gòu)上和本發(fā)明實(shí)施方案中所揭露的在此實(shí)施功能的結(jié)構(gòu)不相同，卻具有等效的特定功能。除此之外，盡管本發(fā)明的特征僅在若干實(shí)施方案中的一個(gè)中公開，這些特征也可以與一個(gè)或多個(gè)其它實(shí)施方案中的其它特征結(jié)合作為任何給定或特定應(yīng)用場合的所需的和有利的特征。
產(chǎn)業(yè)上的利用本發(fā)明的方法可用在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的制造領(lǐng)域，特別是，本發(fā)明的方法可用在制造如EEPROMs之類的非易失性閃速存儲(chǔ)裝置。
權(quán)利要求
1.一種制造閃速存儲(chǔ)單元(32)的方法，該方法包括提供一個(gè)在其上有閃速存儲(chǔ)單元(32)的基底(30)；在所述基底(30)上形成一個(gè)自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)，該自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)會(huì)根據(jù)源極線而有相對(duì)應(yīng)的開口(50)；穿過自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)中根據(jù)源極線而有的相對(duì)應(yīng)的開口(50)，在基底(30)內(nèi)注入第一類的源極雜質(zhì)(52)；從該基底(30)上移除該自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜；清洗基底(30)；以及注入中等劑量的第二類漏極注入離子，在毗鄰閃速存儲(chǔ)單元(32)的基底(30)內(nèi)，形成源極區(qū)域(54)和漏極區(qū)域(56)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述基底(30)上形成自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)之前，實(shí)施一個(gè)先期注入氧化步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括在注入源極雜質(zhì)之后，和注入中等劑量漏極注入離子之前，實(shí)施一個(gè)先期注入氧化步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括在注入源極雜質(zhì)之后，和注入中等劑量漏極注入之前，實(shí)施熱處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述源極雜質(zhì)的注入能量從大約15keV到大約30keV，而劑量從大約5×1013atoms/cm2到大約2×1014atoms/cm2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該中等劑量漏極注入離子的注入能量從大約30keV到大約60keV，而劑量從大約5×1013atoms/cm2到大約5×1015atoms/cm2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述閃速存儲(chǔ)單元(32)包括第一多晶層(42)、在第一多晶層(42)上的ONO多層介電質(zhì)(44)、以及在ONO多層介電質(zhì)(44)上的第二多晶層(46)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述閃速存儲(chǔ)單元(33)包括ONO電荷捕獲層(44)，和在ONO電荷捕獲層(44)上的多晶層(58)。
9.一種制造閃速存儲(chǔ)單元(32)的方法，該方法包括提供一個(gè)在其上有閃速存儲(chǔ)單元(32)的基底(30)；在含有氧氣和任選至少一種惰性氣體的氣氛中，加熱所述基底(30)，加熱的溫度從大約400℃到大約1200℃；在所述基底(30)上形成一個(gè)自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)，該自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)會(huì)根據(jù)源極線而有相對(duì)應(yīng)的開口(50)；穿過自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)中根據(jù)源極線而有的相對(duì)應(yīng)的開口(50)，在基底(30)內(nèi)注入第一類的源極雜質(zhì)(52)，其中源極雜質(zhì)的注入能量從大約10keV到大約40keV，而劑量從大約1×1013atoms/cm2到大約5×1014atoms/cm2；從基底(30)上移除該自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)；清洗基底(30)；加熱該基底(30)，加熱的溫度從大約300℃到大約1100℃；以及注入中等劑量的第二類漏極注入離子，在毗鄰閃速存儲(chǔ)單元(32)的基底(30)內(nèi)，形成源極區(qū)域(54)和漏極區(qū)域(56)，其中所述中等劑量漏極注入離子的注入能量從大約30keV到大約60keV，而劑量從大約5×1013atoms/cm2到大約5×1015atoms/cm2。
10.一種制造閃速存儲(chǔ)單元(32)的方法，該方法包括提供一個(gè)在其上有閃速存儲(chǔ)單元(32)的基底(30)；在所述基底(30)上形成一個(gè)自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)，該自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)會(huì)根據(jù)源極線而有相對(duì)應(yīng)的開口(50)；穿過自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)中根據(jù)源極線而有的相對(duì)應(yīng)的開口(50)，在基底(30)內(nèi)注入第一類的源極雜質(zhì)(52)，其中所述源極雜質(zhì)的注入能量從大約10keV到大約40keV，而劑量大約從1×1013atoms/cm2到大約5×1014atoms/cm2；從所述基底(30)上移除該自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)；清洗所述基底(30)；在包含氧和任選至少一種惰性氣體的氣氛中加熱該基底(30)，加熱的溫度從大約400℃到大約1200℃；以及注入中等劑量的第二類漏極注入離子，在毗鄰閃速存儲(chǔ)單元(32)的基底(30)內(nèi)，形成一個(gè)源極區(qū)域(54)和一個(gè)漏極區(qū)域(56)，其中該中等劑量漏極注入離子的注入能量從大約30keV到大約60keV，而劑量從大約5×1013atoms/cm2到大約5×1015atoms/cm2。
全文摘要
本發(fā)明的一個(gè)方面系有關(guān)于一種制造閃速存儲(chǔ)單元(32)的方法，該方法包括下列步驟提供一個(gè)在其上有閃速存儲(chǔ)單元(32)的基底(30)；在該基底(30)上形成一個(gè)自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)，該自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)會(huì)根據(jù)源極線而有相對(duì)應(yīng)的開口(50)；穿過自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)中根據(jù)源極線而有的相對(duì)應(yīng)的開口(50)，在基底(30)內(nèi)注入第一類的源極雜質(zhì)(52)；從基底(30)上移除該自動(dòng)對(duì)齊源極掩膜(48)；清洗基底(30)；以及注入第二類中等劑量漏極注入離子，以在毗鄰閃速存儲(chǔ)單元(32)的基底(30)內(nèi)，形成一個(gè)源極區(qū)域(54)和一個(gè)漏極區(qū)域(56)。
文檔編號(hào)H01L29/788GK1471728SQ01817852
公開日2004年1月28日 申請(qǐng)日期2001年8月6日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月30日
發(fā)明者何月松, S·哈達(dá), T·什蓋特, 張稷, 翹 申請(qǐng)人:先進(jìn)微裝置公司