專利名稱：液晶顯示設(shè)備陣列襯底及其制造方法
本專利申請要求2001年1月18日提交的第2001-2971號韓國專利申請的權(quán)益，在此一并引用供參考。
在辦公自動化(OA)和視頻設(shè)備方面，液晶顯示(LCD)設(shè)備得到廣泛應(yīng)用，因為它們具有重量輕、薄型設(shè)計以及功耗低的特性。在不同類型的LCD設(shè)備中，具有以陣列形式排列的薄膜晶體管和像素電極的有源陣列LCD(AM-LCD)可以提供較高分辨率并對顯示運(yùn)動圖像具有優(yōu)勢。典型LCD平板具有上襯底、下襯底以及插在它們之間的液晶材料層。例如，通常被稱為彩色過濾襯底的上襯底包括公共電極和彩色過濾器。通常被稱為陣列襯底的下襯底包括諸如薄膜晶體管(TFT)的開關(guān)單元和像素電極。
如上所述，LCD設(shè)備的運(yùn)行過程基于液晶分子的對準(zhǔn)方向依賴于在公共電極與像素電極之間施加的電場的原理。因此，液晶分子可以作為具有根據(jù)所施加電壓的極性變化的可變光學(xué)特性的光調(diào)制單元。
圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的LCD設(shè)備。在圖1中，LCD設(shè)備11包括上襯底5，通常稱為彩色過濾襯底；和下襯底22，通常稱為陣列襯底；以及插入它們之間的液晶材料層14。在上襯底5內(nèi)與下襯底22相對的表面上，以陣列矩陣形狀，成型黑陣列6和彩色過濾層8，并且黑陣列6和彩色過濾層8包括多個被黑陣列6相應(yīng)部分包圍的紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)彩色過濾器。此外，在上襯底5上成型公共電極18來覆蓋彩色過濾層8和黑陣列6。在下襯底22內(nèi)與上襯底5相對的表面上，以對應(yīng)于彩色過濾層8的陣列矩陣形狀，成型多個薄膜晶體管(TFT)“T”。這樣設(shè)置多條交叉柵線25和數(shù)據(jù)線27，即各TFT“T”與柵線25和數(shù)據(jù)線27的各交叉點(diǎn)相鄰。此外，在下襯底22的柵線25和數(shù)據(jù)線27確定的像素區(qū)“P”成型多個像素電極17。像素電極17包括具有良好透明性的透明導(dǎo)體材料，例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。
在圖1中，通過柵線25，對TFT“T”的柵極施加掃描信號，通過數(shù)據(jù)線27，對TFT“T”的源極施加數(shù)據(jù)信號。結(jié)果，通過操作TFT“T”，可以對液晶材料層14中的液晶分子進(jìn)行調(diào)節(jié)和排列，并對通過液晶材料層14的入射光進(jìn)行控制以顯示圖像。然而，由于分別在上襯底5和下襯底22上設(shè)置像素電極17和公共電極18，所以在上襯底5與下襯底22之間感應(yīng)的電場垂直于上襯底5和下襯底22的兩個相對表面。液晶顯示設(shè)備具有高透射率和高寬高(aperture ratio)比，并且因為上襯底5上的公共電極18作為接地，所以可以使液晶不受靜電的影響。
圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的陣列襯底像素的部分平面圖。在圖2中，陣列襯底22包括薄膜晶體管(TFT)“T”和位于由一對正交的柵線25和數(shù)據(jù)線27確定的各像素區(qū)“P”的像素電極17。在像素區(qū)“P”的一角設(shè)置TFT“T”，并且TFT“T”包括柵極32、源極33、漏極35以及半導(dǎo)體層34。接近柵線25與數(shù)據(jù)線27交叉點(diǎn)、在柵線25內(nèi)成型柵極32。源極33從數(shù)據(jù)線27開始在部分柵線25上橫向延伸。漏極35從設(shè)置在像素區(qū)“P”內(nèi)的像素電極17開始延伸，并與源極33分離以在半導(dǎo)體層34上形成通道區(qū)。
數(shù)據(jù)線27、源極34、漏極35以及像素電極17均由透明導(dǎo)體材料制造，例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。然而，由于與其它金屬材料比較，透明導(dǎo)體材料的電阻較高，所以由透明導(dǎo)體材料制成的數(shù)據(jù)線27會增加信號延遲，從而降低LCD設(shè)備的可靠性。因此，為了降低數(shù)據(jù)線27的電阻，通過電鍍金屬涂層，在數(shù)據(jù)線27的邊緣部分成型電阻低的附加金屬28。
圖3A至圖3F示出沿圖2所示的III-III的剖面圖，并示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有透明數(shù)據(jù)線和透明源極的陣列襯底的制造過程。
在圖3A中，清除襯底22上的有機(jī)材料和任何異物從而有助于與之后通過噴射過程在襯底22上沉淀的第一金屬層粘合。第一金屬層是諸如鋁或鋁釹合金(AlNd)的金屬。此后，利用第一掩模，形成第一金屬層的圖形以在橫向方向形成柵線25(如圖2所示)和作為柵線25的一部分的柵極32?；蛘?，柵線25和柵極32可以采用雙層結(jié)構(gòu)。例如，雙層結(jié)構(gòu)包括與壽命長、抗腐蝕的鉬(Mo)層或鉻(Cr)層層疊的鋁(Al)層。然后，在襯底22表面成型柵絕緣層41來覆蓋被制圖的第一金屬層。柵絕緣層41可以包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。在柵絕緣層41上順序成型純非晶硅(a-SiH)層45a和摻雜非晶硅(n+a-SiH)層47a。
圖3B示出形成有源層和歐姆接觸層的步驟。在圖3B中，利用第二掩模同時對純非晶硅層45a和摻雜非晶硅層47a進(jìn)行制圖以分別在柵絕緣層41上形成有源層45b和歐姆接觸層47b。或者，還可以通過利用被形成圖形的第一金屬作為掩模暴露背面來對純非晶硅層45a和摻雜非晶硅層47a形成圖形，以致在被形成圖形的第一金屬層上(即在圖2所示的柵線25上)形成有源層45b和歐姆接觸層47b。
圖3C示出形成數(shù)據(jù)線、源極、漏極以及像素電極的步驟。在圖3C中，在柵絕緣層41的整個表面上形成諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)體材料50，來覆蓋有源層45b和歐姆接觸層47b。此后，在透明導(dǎo)體材料50上形成光阻材料層52，然后，在光阻材料層52上套準(zhǔn)第三掩模54。
圖3D示出在光阻材料層52內(nèi)形成接觸部分的步驟。在圖3D中，光阻材料層52被顯影以暴露透明導(dǎo)體材料50的各部分。在透明導(dǎo)體材料50的數(shù)據(jù)部分“A”、源部分“B”、漏部分“C”以及像素部分“D”上保留剩余光阻材料層部分52a。具體地說，剩余光阻材料層部分52a的邊緣區(qū)域比其中心區(qū)域薄。
圖3E示出蝕刻剩余光阻材料層部分52a的步驟。在圖3E中，利用干刻蝕方法，對剩余光阻材料層部分52a進(jìn)行充分蝕刻，從而清除透明導(dǎo)體材料50(如圖3D所示)的被暴露部分。此外，還將剩余光阻材料層部分52a的邊緣區(qū)域清除以暴露被蝕刻的透明導(dǎo)體材料50的外圍部分“K”。
圖3F示出蝕刻被蝕刻的透明導(dǎo)體材料50的外圍部分“K”的步驟。在圖3F中，通過電鍍方法，對被蝕刻透明導(dǎo)體材料的外圍部分“K”電鍍第二金屬28。第二金屬28包括諸如銅(Cu)或鋁(Al)的低電阻材料。然后，從被蝕刻的透明導(dǎo)體材料50上清除所有剩余光阻材料層部分52a，并在襯底22上成型數(shù)據(jù)線27、源極33、漏極35以及像素電極17。源極33從數(shù)據(jù)線27開始延伸，漏極35從像素電極17開始延伸。源極33和漏極35互相分離并與柵極32的相對兩端重疊。因此，薄膜晶體管“T”包括柵極32，半導(dǎo)體層34以及源極33和漏極35。
然而，包括成型在其外圍區(qū)域內(nèi)的第二金屬28的數(shù)據(jù)線27存在問題。具體地說，由于成型在數(shù)據(jù)線27上的第二金屬28如此小，所以數(shù)據(jù)線27的電阻較高。因此，很難通過數(shù)據(jù)線27穩(wěn)定施加信號。
本發(fā)明的一個目的是提供一種改進(jìn)圖像質(zhì)量的LCD設(shè)備。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種減少處理步驟而形成陣列襯底的方法。
以下將對本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行詳細(xì)說明，并且根據(jù)以下內(nèi)容，或者通過實現(xiàn)本發(fā)明，本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯。利用書面說明及其權(quán)利要求以及附圖特別指出的結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)并獲得本發(fā)明目的和其它優(yōu)點(diǎn)。
為了實現(xiàn)這些以及其它優(yōu)勢并根據(jù)本發(fā)明用途，正如在此概括說明的那樣，液晶顯示設(shè)備陣列襯底包括襯底；多條柵線，橫向設(shè)置在襯底上；多條數(shù)據(jù)線，與多條柵線垂直設(shè)置；多個薄膜晶體管，與柵線和數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)相鄰，成型在襯底上，各薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、歐姆接觸層、源極以及漏極；多個像素電極，設(shè)置在由柵線與數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)確定的像素區(qū)，每個像素電極均與一個相應(yīng)的漏極相連；以及金屬層，成型在各數(shù)據(jù)線的整個表面上。
在另一方面，制造液晶顯示設(shè)備陣列襯底的方法包括在襯底上形成第一金屬層；形成柵線和柵極；形成柵絕緣層來覆蓋第一金屬層；在柵絕緣層上形成純非晶硅層和摻雜非晶硅層；在柵極上形成歐姆接觸層和有源層；在柵絕緣層上形成透明導(dǎo)體材料來覆蓋有源層和歐姆接觸層；在透明導(dǎo)體材料上形成光阻材料層；利用掩模對光阻材料層制圖；形成數(shù)據(jù)線、像素電極、源極以及漏極；以及在數(shù)據(jù)線的整個表面上形成第二金屬層。
顯然，上述一般說明和以下詳細(xì)說明是典型說明，并且對權(quán)利要求所述的本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步解釋。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明具有像素和數(shù)據(jù)線的典型陣列襯底的部分平面圖；圖5示出根據(jù)本發(fā)明的典型掩模的平面圖；以及圖6A至圖6F示出沿圖4所示的VI-VI的剖面圖，并示出根據(jù)本發(fā)明的陣列襯底的典型制造過程。
所示實施例的詳細(xì)說明以下將詳細(xì)說明所示的本發(fā)明實施例，本發(fā)明實施例的例子示于附圖。在任何可能之處，在所有附圖中，相同的參考編號指相同部分。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明具有像素和數(shù)據(jù)線的典型陣列襯底的部分平面圖。在圖4中，陣列襯底111包括薄膜晶體管(TFT)“T”以及成型在由一對柵線125和數(shù)據(jù)線127確定的各像素區(qū)“P”的像素電極117。在陣列襯底111上，以橫向方向設(shè)置柵線125，而以垂直于柵線125方向設(shè)置數(shù)據(jù)線127。TFT“T”可以包括柵極132、源極133、漏極135以及半導(dǎo)體層134，并且可以將TFT“T”設(shè)置在數(shù)據(jù)線127與柵線125交叉的像素區(qū)“P”的一角。在柵線125內(nèi)，靠近柵線125與數(shù)據(jù)線127的交叉點(diǎn)形成柵極132。此外，位于柵線125與數(shù)據(jù)線127交叉點(diǎn)的部分柵線125可以用作柵極132。源極133從數(shù)據(jù)線127開始在部分柵線125上橫向延伸。漏極135從設(shè)置在像素區(qū)“P”內(nèi)的像素電極117開始延伸，并且漏極135與源極133分離以在半導(dǎo)體層134上形成通道區(qū)。
數(shù)據(jù)線127、源極133、漏極135以及像素電極117可以包括諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)體材料。此外，還可以在數(shù)據(jù)線127和源極133的整個表面上形成附加金屬128。具體地說，可以利用附加金屬128覆蓋數(shù)據(jù)線127和源極133。
圖5示出根據(jù)本發(fā)明的典型掩模的平面圖。在圖5中，掩模154可以包括多個隙縫156，隙縫156形成在對應(yīng)于數(shù)據(jù)線127和源極133(如圖4所示)的部分內(nèi)，而在對應(yīng)于像素電極117和漏極135的部分內(nèi)沒有隙縫。具體地說，掩模154包括“A”區(qū)，具有多個隙縫156；以及“B”區(qū)，傳輸光線以在曝光過程中對光阻材料層進(jìn)行曝光。通過多個隙縫156的光衍射的結(jié)果是，當(dāng)對光阻材料層進(jìn)行曝光以形成數(shù)據(jù)線127和源極133時，光的數(shù)量和強(qiáng)度均降低。因此，對應(yīng)于“A”區(qū)的光阻材料層部分被輕微曝光，而對應(yīng)于“B”區(qū)的部分被充分曝光。此后，對于被暴露的透明導(dǎo)體材料的各部分，在干刻蝕過程中，對應(yīng)于“A”區(qū)的光阻材料層部分被清除。
圖6A至圖6F示出沿圖4所示的VI-VI的剖面圖，并示出根據(jù)本發(fā)明的陣列襯底的典型制造過程。在圖6A中，清除襯底111上的有機(jī)材料和任何異物從而有助于與之后利用噴射過程在襯底111上沉淀的第一金屬層粘合。第一金屬層可以是金屬材料，例如鋁(Al)、鋁釹合金(AlNd)、銅(Cu)、鎢(W)、鉻(Cr)或鉬(Mo)。利用第一掩模對第一金屬層進(jìn)行制圖以在橫向方向形成柵線125(如圖4所示)，并形成包括部分柵線125的柵極132。或者，柵線125和柵極132可以采用雙層結(jié)構(gòu)。例如，雙層結(jié)構(gòu)包括與壽命長、抗腐蝕的鉬(Mo)層或鉻(Cr)層層疊的鋁(Al)層。
此后，可以在襯底111的表面形成柵絕緣層141來覆蓋被制圖的第一金屬層。例如，柵絕緣層141可以包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。在襯底111上形成柵絕緣層141來覆蓋被制圖的第一金屬層后，在柵絕緣層141上順序形成純非晶硅(a-SiH)層145a和摻雜非晶硅(n+a-SiH)層147a。
在圖6B中，例如，利用第二掩模同時對純非晶硅層145a和摻雜非晶硅層147a進(jìn)行制圖，以在柵絕緣層141上形成有源層145b和歐姆接觸層147b。因此，半導(dǎo)體層134可以包括有源層145b和歐姆接觸層147b?；蛘?，還可以利用被制圖的第一金屬作為掩模，通過暴露背面的方法來對純非晶硅層145a和摻雜非晶硅層147a進(jìn)行制圖，以致在被制圖的第一金屬層(即在圖4所示的柵線125上)上形成有源層145b和歐姆接觸層147b。
在圖6C中，例如，在柵絕緣層141的整個表面上形成諸如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化錫(SnOx)或氧化銦(InOx)的透明導(dǎo)體材料150，來覆蓋有源層145b和歐姆接觸層147b。此后，在透明導(dǎo)體材料150上形成光阻材料層152，然后，在光阻材料層152上套準(zhǔn)用于曝光過程的第三掩模154。掩模154可以包括多個對應(yīng)于在后續(xù)步驟中形成的數(shù)據(jù)線127和源極133(如圖6所示)的隙縫156。或者，還可以通過采用多個針孔來代替多個隙縫156。
在圖6D中，在曝光過程之后，光阻材料層152被顯影以暴露透明導(dǎo)體材料150的各部分。因此，在透明導(dǎo)體材料150的數(shù)據(jù)部分“E”、源部分“F”、漏部分“G”以及像素部分“H”上保留剩余光阻材料層部分153。具體地說，剩余光阻材料層部分153邊緣區(qū)域的厚度比其中心區(qū)域的厚度薄。此外，由于光的衍射，對應(yīng)于數(shù)據(jù)部分“E”和源部分“F”的第一剩余光阻材料層部分153a的厚度可以比對應(yīng)于漏部分“G”和像素部分“H”的第二剩余光阻材料層部分153b的厚度薄?？梢郧宄庾璨牧蠈?52的剩余光阻材料層部分153。
在圖6E中，清除透明導(dǎo)體材料150(如圖6D所示)的被暴露部分。此外，還將第二剩余光阻材料層部分153b的邊緣區(qū)域清除以暴露被蝕刻透明導(dǎo)體材料150的外圍部分“K”。盡管對透明導(dǎo)體材料150(如圖6D所示)的暴露部分進(jìn)行刻蝕并暴露外圍部分“K”，但是可以將數(shù)據(jù)部分“E”和源部分“F”上的第一剩余光阻材料層部分153a清除，因為第一剩余光阻材料層部分153a的厚度比第二剩余光阻材料層部分153b的厚度薄。
在圖6F中，例如，可以利用電鍍方法，在被蝕刻透明導(dǎo)體材料的數(shù)據(jù)部分“E”、源部分“F”以及外圍部分“K”上形成附加金屬128。例如，第二金屬28包括電阻小的銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)或銀(Ag)。然后，清除第二剩余光阻材料層部分153b。并在襯底111上形成數(shù)據(jù)線127和源極133，在數(shù)據(jù)線127和源極133整個表面上分別成型有附加金屬128。此外，還在襯底111上形成漏極135和像素電極117，在漏極135和像素電極117的外圍區(qū)域上分別成型有附加金屬128。在圖6F中，源極133從數(shù)據(jù)線127開始延伸，而漏極135從像素電極117開始延伸。源極133和漏極135互相分離并與柵極132的相對兩端重疊。因此，薄膜晶體管“T”包括柵極132，半導(dǎo)體層34以及源極133和漏極135。
根據(jù)上述說明的本發(fā)明，由于通過同一個掩模過程，形成數(shù)據(jù)線和像素電極，所以減少了陣列襯底的制造步驟。不僅如此，還由于數(shù)據(jù)線和源極具有低電阻的附加金屬，所以改進(jìn)了LCD設(shè)備的圖像質(zhì)量并可以獲得具有高分辨率的大型LCD設(shè)備。
顯然，本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員，可以在本發(fā)明實質(zhì)范圍內(nèi)對根據(jù)本發(fā)明的陣列襯底進(jìn)行各種變換和調(diào)整。因此，本發(fā)明包括屬于所附權(quán)利要求及其等效物所述范圍的本發(fā)明的各種變換和調(diào)整。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示設(shè)備陣列襯底，該液晶顯示設(shè)備陣列襯底包括襯底；多條柵線，橫向設(shè)置在襯底上；多條數(shù)據(jù)線，與多條柵線垂直設(shè)置；多個薄膜晶體管，與柵線和數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)相鄰，成型在襯底上，各薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、歐姆接觸層、源極以及漏極；多個像素電極，設(shè)置在由柵線與數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)確定的像素區(qū)，每個像素電極均與一個相應(yīng)的漏極相連；以及金屬層，成型在各數(shù)據(jù)線的整個表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列襯底，其中在柵極上設(shè)置柵絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列襯底，其中在柵絕緣層上設(shè)置有源層，在有源層上設(shè)置歐姆接觸層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列襯底，其中在歐姆接觸層上設(shè)置源極和漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列襯底，其中源極從一條數(shù)據(jù)線開始延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列襯底，其中漏極從一條像素電極開始延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列襯底，其中漏極和源極均至少包括一透明導(dǎo)體材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列襯底，其中各數(shù)據(jù)線至少包括所述的透明導(dǎo)體材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列襯底，其中各像素電極均包括所述的透明導(dǎo)體材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列襯底，其中所述透明導(dǎo)體材料選自銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、氧化錫以及氧化銦。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列襯底，其中在多條柵線上設(shè)置柵絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列襯底，其中所述金屬層選自鋁(Al)、銅(Cu)、金(Au)和銀(Ag)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列襯底，其中在源極的整個表面上成型金屬層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列襯底，其中在多個像素電極的外圍部分成型金屬層。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列襯底，其中在漏極的外圍部分成型金屬層。
16.一種液晶顯示設(shè)備陣列襯底的制造方法，該方法包括下述步驟在襯底上形成第一金屬層；形成柵線和柵極；形成柵絕緣層來覆蓋第一金屬層；在柵絕緣層上形成純非晶硅層和摻雜非晶硅層；在柵極上形成歐姆接觸層和有源層；在柵絕緣層上形成透明導(dǎo)體材料來覆蓋有源層和歐姆接觸層；在透明導(dǎo)體材料上形成光阻材料層；利用掩模對光阻材料層制圖；形成數(shù)據(jù)線、像素電極、源極以及漏極；以及在數(shù)據(jù)線的整個表面上形成第二金屬層。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成柵線和柵極的步驟包括對第一金屬層進(jìn)行制圖。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成歐姆接觸層和有源層的步驟包括對摻雜非晶硅層和純非晶硅層進(jìn)行制圖。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述掩模包括多個隙縫和多個光屏蔽區(qū)。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成數(shù)據(jù)線、像素電極、源極以及漏極的步驟包括利用干蝕刻方法對透明導(dǎo)體材料進(jìn)行制圖。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中對透明導(dǎo)體材料進(jìn)行制圖的步驟包括在蝕刻透明導(dǎo)體材料的暴露部分時，清除形成在數(shù)據(jù)線和源極上的第一光阻材料層；以及在蝕刻透明導(dǎo)體材料的暴露部分時，清除形成在漏極和像素電極上的第二光阻材料層的外圍部分。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，該方法進(jìn)一步包括在源極的整個表面上形成第二金屬層的步驟。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，該方法進(jìn)一步包括在像素電極和漏極的外圍部分形成第二金屬層的步驟。
24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中對光阻材料層進(jìn)行制圖的步驟包括對光阻材料層套準(zhǔn)掩模、通過掩模的多個隙縫曝光以及顯影光阻材料層以暴露透明導(dǎo)體材料。
25.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成第二金屬層的步驟包括在數(shù)據(jù)線上電鍍第二金屬材料、在源極上電鍍第二金屬材料、在像素電極的外圍部分電鍍第二金屬材料、在漏極的外圍部分電鍍第二金屬材料以及從透明導(dǎo)體材料清除光阻材料層。
26.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中源極從一條數(shù)據(jù)線開始延伸。
27.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中漏極從一個像素電極開始延伸。
28.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述透明導(dǎo)體材料選自銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、氧化錫以及氧化銦。
29.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第二金屬層選自鋁(Al)、銅(Cu)、金(Au)和銀(Ag)。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種液晶顯示設(shè)備陣列襯底,該液晶顯示設(shè)備陣列襯底包括:襯底;多條柵線,橫向設(shè)置在襯底上;多條數(shù)據(jù)線,與多條柵線垂直設(shè)置;多個薄膜晶體管,與柵線和數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)相鄰,成型在襯底上,各薄膜晶體管包括:柵極、柵絕緣層、有源層、歐姆接觸層、源極以及漏極;多個像素電極,設(shè)置在由柵線與數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)確定的像素區(qū),每個像素電極均與一個相應(yīng)的漏極相連;以及金屬層,成型在各數(shù)據(jù)線的整個表面上。
文檔編號H01L29/43GK1366206SQ0210176
公開日2002年8月28日 申請日期2002年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月18日
發(fā)明者崔秉坮 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社