專利名稱：深結硼襯底擴散拋光片的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于制作PNP三極管和晶閘管的深結硼襯底擴散拋光片。
背景技術：
目前，半導體行業(yè)制作PNP三極管和晶閘管，均是采用外延片。其存在著制作成本偏高的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是用提供一種用于制作PNP三極管和晶閘管的深結硼襯底擴散拋光片。
為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明所采用的技術方案是深結硼襯底擴散拋光片，其特征它是采用如下步驟制備而成的1、硼預擴散其是在一定的溫度和氧氣、氮氣氣氛條件下，使硅片表面沉積一定的硼原子；2、硼主擴散是在一定的溫度和氧氣、氮氣氣氛條件下，通過高溫再擴使結深達到要求；3、減薄采用機械磨削方法，對主擴散后的硅片進行磨削；4、拋光采用拋光液拋去硅片經(jīng)減薄后表面存在損傷層，使其表面形成良好的鏡面；5、清洗使用電子清洗劑和水的混合液對拋光后的硅片進行清洗，以去除硅片表面存在的雜質和污染物。
本發(fā)明所提供的深結硼襯底擴散拋光片能完全代替現(xiàn)有的外延片，大大降低了制作PNP三極管和晶閘管成本。
具體實施例方式
深結硼襯底擴散拋光片，是采用如下步驟制備而成的1、硼預擴散其是在一定的溫度和氧氣、氮氣氣氛條件下，使硅片表面沉積一定的硼原子；2、硼主擴散是在一定的溫度和氧氣、氮氣氣氛條件下，通過高溫再擴使結深達到要求；
3、減薄采用機械磨削方法，對主擴散后的硅片進行磨削；4、拋光采用拋光液拋去硅片經(jīng)減薄后表面存在損傷層，使其表面形成良好的鏡面；5、清洗使用電子清洗劑和水的混合液對拋光后的硅片進行清洗，以去除硅片表面存在的雜質和污染物。
權利要求
1.深結硼襯底擴散拋光片，其特征它是采用如下步驟制備而成的(1)、硼預擴散其是在一定的溫度和氧氣、氮氣氣氛條件下，使硅片表面沉積一定的硼原子；(2)、硼主擴散是在一定的溫度和氧氣、氮氣氣氛條件下，通過高溫再擴使結深達到要求；(3)、減薄采用機械磨削方法，對主擴散后的硅片進行磨削；(4)、拋光采用拋光液拋去硅片經(jīng)減薄后表面存在損傷層，使其表面形成良好的鏡面；(5)、清洗使用電子清洗劑和水的混合液對拋光后的硅片進行清洗，以去除硅片表面存在的雜質和污染物。
全文摘要
本發(fā)明公開的深結硼襯底擴散拋光片，它是由硼預擴散、硼主擴散、磨片、拋光、清洗等工藝步驟制備而成的。通過上述方法制得的深結硼擴散拋光片能完全代替現(xiàn)有的外延片，從而大大降低了制作PNP三極管和晶閘管成本。
文檔編號H01L21/02GK1464526SQ0211420
公開日2003年12月31日 申請日期2002年6月13日 優(yōu)先權日2002年6月13日
發(fā)明者鄧建偉, 蔣小兵, 劉謀華, 劉清 申請人:衡陽科晶微電子有限公司