專利名稱：納米線發(fā)光元件及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種發(fā)光元件及顯示裝置，特別是指一種納米線發(fā)光元件及顯示裝置，
目前發(fā)光二極管(LED)無(wú)論是CaN是藍(lán)，綠光或AlGaInP四元是紅、黃光，其發(fā)光二極管元件內(nèi)部發(fā)光層發(fā)光效率都很高，但由于發(fā)光二極管內(nèi)部各層材料的折射及吸光問(wèn)題，以致使發(fā)光二極管元件的外部實(shí)際光輸出其發(fā)光效率并不高，大部分的光都無(wú)法被取出，因此有些人為了使發(fā)光二極管亮度增強(qiáng)，采取了各種方式如將發(fā)光二極管晶粒表面粗造化，或采用透明基板(如HP專利技術(shù))等 ，都可以大幅提高LED的亮度。
今若采用納米單晶線來(lái)制作發(fā)光二極管(LED)，則每一根納米線均為一發(fā)光點(diǎn)，而由于納米線的直徑為僅有數(shù)十納米(約20nm)，遠(yuǎn)小于發(fā)光波長(zhǎng)(350nm-520nm)，因此光可直接透過(guò)射出，沒(méi)有折射問(wèn)題因此大部分LED所發(fā)出的光均可射出，故其發(fā)光效率可大幅提升，將數(shù)千根納米線集合成一發(fā)光點(diǎn)約0.5mm-3mm即為本發(fā)明“納米線發(fā)光元件及顯示裝置”基本結(jié)構(gòu)，將復(fù)數(shù)個(gè)發(fā)光點(diǎn)組合起來(lái)可形成一“納米線平面光源”或“納米線平面顯示器”。
由于目前成長(zhǎng)納米線材大都為氧化鋅(ZnO)，氮化鎵(CaN)，砷化鎵(CaAs)或硅(Si)等半導(dǎo)體材料，今將納米線制成具有P、N介面的發(fā)光二極管(LED)，由于它每一根具有高發(fā)光效率，是現(xiàn)今四元(AlGalnP)高亮度發(fā)光二極管(LED)的數(shù)倍以上，且可容易制成平面顯示器不需昂貴的投資設(shè)備即可完成，故納米線發(fā)光二極管及顯示裝置，可能成為下一代平面顯示器或平面電視的主流產(chǎn)品，因?yàn)樗哂蟹磻?yīng)速度快、低電壓驅(qū)動(dòng)、壽命長(zhǎng)、耐候佳等特性，是現(xiàn)今所有顯示器所沒(méi)有的特性功能。
納米線材料可成長(zhǎng)在同質(zhì)基板上(如

圖1所示)，如在硅基板上成長(zhǎng)硅(Si)納米線或在砷化鎵(GaAs)基板上成長(zhǎng)砷化鎵(GaAs)納米線，納米線亦可成長(zhǎng)在異質(zhì)基板上如氧化鋁(Al2O3)基板上成長(zhǎng)ZnO或GaN納米線等，將ZnO、GaN，GaAs等納米線材料選擇成長(zhǎng)在透明導(dǎo)電基板上，如SiC，ZnO、GaN單晶基板本身具導(dǎo)電性，且透光良好，但以上透明導(dǎo)電單晶材料成本高且面積不大，若設(shè)計(jì)將納米線成長(zhǎng)于鍍有透明導(dǎo)電膜(ITO、ZnO或類鉆石)玻璃基板上(或石英玻璃基板上)，則可大幅降低生產(chǎn)成本，且可大面積生產(chǎn)，形成平面顯示器或發(fā)光元件。
以納米線材制成發(fā)光元件其主要成長(zhǎng)納米線材料可為GaAs、Si、ZnO、GaN、ZnSe等，將ZnO，GaN、ZnSe等半導(dǎo)體材料成長(zhǎng)在透明導(dǎo)電基板(或鍍有透明導(dǎo)電膜ITO、ZnO或類鉆石的玻璃)上并加入其它不同的成分使成長(zhǎng)形成具有P、N介面的結(jié)構(gòu)的奈術(shù)線，并封裝成型如此可形成發(fā)藍(lán)光或紫外光(波長(zhǎng)480nm-350nm)的發(fā)光二極管元件，并在其基板表面上涂上紅、藍(lán)、綠三基色(R、C、B)的螢光粉即可成為彩色平面顯示器，或涂上紅、藍(lán)、綠(R、C、B)三顏色混合的螢光粉即可成為三波長(zhǎng)白色光平面照明光源，此為現(xiàn)今世界上首創(chuàng)的產(chǎn)品。
納米線發(fā)光二極管的制作方法，例如氧化鋅(ZnO)納米線1.首先在透明導(dǎo)電基板或鍍有透明導(dǎo)電膜(ZnO)的玻璃上鍍很薄的一層金屬觸媒(如金)約50-500A厚(厚度決定納米線粗細(xì))。
2.利用加溫方式(約650℃)使薄金屬觸媒層集聚成許多納米金屬觸媒點(diǎn)，但金屬觸媒不能與底材產(chǎn)生合金作用。
3.于熱處理管爐中加溫同時(shí)通入氣體，利用VLS(氣相—液相—固相法)，將欲成長(zhǎng)納米線的氣相化合物溶入金屬觸媒所形成的液相中，才能析出單晶納米線；先成長(zhǎng)N型ZnO納米線后，再成長(zhǎng)P型ZnO納米線如此形成第一基板。
4.取另一基板使其中一面鍍有可與金的金屬觸媒形成低溫共晶熔接(Eutectic)的材料，并具有光反射的金屬材料膜層如Sn(Sn20％共晶點(diǎn)溫度278℃)或Sb(Sb25.4％共晶點(diǎn)溫度360℃)或Si(Si3.16％共晶點(diǎn)溫度363℃)或Ge(Ge12.5％共晶點(diǎn)溫度361℃)或Bi(Bi89.4％共晶點(diǎn)溫度241℃)或Pb(Pb85.4％共晶點(diǎn)溫度212.5℃)，如此形成第二基板。
5.將第二基板直接蓋合在第一基板上，使第一基板上納米線頂端的金屬觸媒(如Au)元素與第二基板的Sn元素接觸，利用加溫方式使兩基板的金屬層Sn-Au共晶接合在一起。
6.在第一基板與第二基板上加入一DC順向電流、電壓后，納米線發(fā)光二極管LED就會(huì)發(fā)光，即形成本發(fā)明利用納米線發(fā)光二極管所制作的“納米線發(fā)光元件及顯示裝置”的基本結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明“納米線發(fā)光元件及顯示裝置”中，若采用GaN材料則成長(zhǎng)納米線的金屬觸媒應(yīng)為鐵(Fe)薄膜，且在P與N極介面上再加上成長(zhǎng)單一量子井或多量子井結(jié)構(gòu)，則可提高納米線發(fā)光二極管的亮度。
納米線發(fā)光二極管以數(shù)千根或數(shù)萬(wàn)根為一區(qū)塊，形成一發(fā)光點(diǎn)或形成一發(fā)光面(大面積)，由于直接采用ZnO或ZnSe或GaN單晶線體，該納米線發(fā)光二極管可產(chǎn)生藍(lán)光或綠光或紫外光等波長(zhǎng)。
若直接形成紫外光波長(zhǎng)，可直接在透明基板的另面涂上一層三基色混合螢光粉(R、G、B)使產(chǎn)生白光，可用于照明光源。若在各發(fā)光點(diǎn)涂上紅、藍(lán)、綠三基色各色螢光粉則可形成全彩顯示器，為全世界第一個(gè)全彩無(wú)機(jī)納米線發(fā)光二極管顯示器，具有反應(yīng)速度快、低壓驅(qū)動(dòng)、超薄、耐侯性強(qiáng)等特點(diǎn)，為未來(lái)顯示器的主流。
“納米線發(fā)光元件及顯示裝置”的制作方法1、取第一透明導(dǎo)電基板(或鍍有透明導(dǎo)電膜ITO、ZnO或類鉆石的玻璃)將欲成長(zhǎng)納米線發(fā)光二極管先規(guī)劃好區(qū)塊以曝光顯影方式使要成長(zhǎng)的區(qū)塊才有鍍薄金屬觸媒膜層約50-500A(如金)。
2、以加溫方式使金屬觸媒膜形成納米金屬觸媒點(diǎn)。
3、先成長(zhǎng)N(或P)形半導(dǎo)體材料再成長(zhǎng)P(或N型)半導(dǎo)體材料。
4、第二基板鍍有與金屬觸媒(如金)共晶合金的材料(如Sn、Sb或Pb等)。
5、將第二基扳與第一基板接合，并以加溫方式使金屬觸媒(如金)與共晶合金的材料(如如Sn、Sb或Pb等)產(chǎn)生合金焊接。
6、于第一透明基板上在各發(fā)光點(diǎn)相對(duì)位置涂上各色螢光粉，使產(chǎn)生R、G、B三顏色光，即可形成納米線LED顯示器。
本發(fā)明“納米線發(fā)光元件及顯示裝置”的制作方法，可將所有納米線LED制成紫外光再外加三基色(R、G、B)螢光粉，利用紫外光激發(fā)螢光粉使產(chǎn)生R、G、B三顏色；另一方法可全制成發(fā)藍(lán)光，將其中二發(fā)光點(diǎn)以色轉(zhuǎn)換方式涂螢光粉，其中一色利用藍(lán)光激發(fā)綠色螢光粉產(chǎn)生綠色光，一色利用藍(lán)光激發(fā)紅色螢光粉產(chǎn)生紅色光，另一色則不經(jīng)過(guò)色轉(zhuǎn)換，如此亦可形成全彩功能。
納米線白光LED的制作方法其主要在藍(lán)光納米線LED面板上加上黃色的螢光粉(YAGCe)，利用黃、藍(lán)互補(bǔ)色即可形成白色光。另一種方法也可以使納米線LED全部發(fā)紫外光，并在納米線LED發(fā)光面板上涂上R、G、B三色混合的螢光粉使產(chǎn)生白光。
另本發(fā)明人亦研究出以紫光(波長(zhǎng)295nm-425nm)激發(fā)三色混合的螢光粉，亦可產(chǎn)生三波長(zhǎng)白光者其中紅色螢光粉為3.5MgO·0.5MgF2·GeO2Mn或6MgO·As2O5Mn藍(lán)色螢光粉為ZnSCu，Al或Ca2MgSi2O7Cl綠色螢光粉為BaMgAl10O17Eu，Mn或(Sr、Ca、Ba、Mg)10(PO4)6Cl2Eu以緊外光(波長(zhǎng)350nm-395nm)激發(fā)三色混合的螢光粉，亦可產(chǎn)生三波長(zhǎng)白光者其中紅色螢光粉為Y202SEu藍(lán)色螢尤扮為BaMgAl10O17Eu或(Sr、Ca、Ba、Mg)10(PO4)6Cl2Eu或BaMg2Al16O27Eu綠色螢光粉為BaMgAl10O17Eu，Mn納米線被發(fā)現(xiàn)才二年左右時(shí)間，目前研究單位尚在研究如何應(yīng)用的階段時(shí)，本人首先將其運(yùn)用在平面顯示器與平面照明光源上，仍是一大革新進(jìn)步產(chǎn)品，它具有各種優(yōu)良的特性與低生產(chǎn)成本的能力，可望成為下一代全彩平面顯示器與照明光源的主流產(chǎn)品。
圖12是本發(fā)明納米線發(fā)光元件及顯示裝置實(shí)施例二為通明導(dǎo)電層的透明基板鍍金屬觸媒剖面圖；圖13是本發(fā)明納米線發(fā)光元件及顯示裝置實(shí)施例二為透明導(dǎo)電層及金屬觸媒的透明基板成長(zhǎng)納米線示意圖；圖14是本發(fā)明納米線發(fā)光元件及顯示裝置實(shí)施例二蓋合基板與金屬觸媒層共晶合金接合的剖面圖；圖15是本發(fā)明納米線發(fā)光元件及顯示裝置實(shí)施例二蓋合基板上耐溫型光阻層經(jīng)曝光，顯影及去光阻的示意圖；圖16是本發(fā)明納米線發(fā)光元件及顯示裝置實(shí)施例二成品結(jié)構(gòu)圖；圖17是本發(fā)明納米線發(fā)光元件及顯示裝置加螢光粉成品結(jié)構(gòu)圖；圖18是本發(fā)明納米線發(fā)光元件及顯示裝置加三色螢光粉成品結(jié)構(gòu)圖。
2，在上述基板絕緣層6表面，上一層光阻層7(如圖4所示)。
3，選區(qū)曝光顯影(如圖5所示)，并以蝕刻方式將曝光顯影區(qū)8的絕緣層6去除(如圖6所示)。
4、再于透明基板4上鍍上一層金屬觸媒3(如Au)層約50A-500A(如圖7所示)并加熱(約650℃)使金的金屬觸媒形成納米金點(diǎn)。
5、去除光阻層7后(如圖8所示)再將透明基板4送至爐管中以VLS法(氣相—液相—固相法)成長(zhǎng)納米線，于納米線成長(zhǎng)中加入不同成份，使納米線形成具有N型(或P型)半導(dǎo)體納米線10和P型(或N型)半導(dǎo)體納米線11成P-N介界的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)(如圖9所示)。
6，將蓋合基板12蓋合至有成長(zhǎng)納米線的基板上，使蓋合基板與下蓋基板左右各預(yù)留有接線端點(diǎn)(如圖10所示)，利用加溫方式使蓋合基板12內(nèi)面鍍有可與金屬觸媒層形成共晶合金材料13(如Sn、Sb或Pb)能與納米線頂端的金屬觸媒3金元素產(chǎn)生共晶熔接。
7、在接合處四周涂以接合膠14以利接合蓋合基板12與透明基板4，并防止水氣滲入元素中。
8、通電即可看見(jiàn)光從透明基板4表面射出。
2、于上述透明基板4上鍍一層金屬觸媒層3厚約50A-500A，再上光阻，利用曝光顯影方式做選區(qū)蝕刻出所需要的金屬觸媒層3(如圖12所示)。
3、于爐管中成長(zhǎng)納米線使成長(zhǎng)具有N型(或P型)半導(dǎo)體納米線10和P型(或N型)半導(dǎo)體納米線11成P-N介界的發(fā)光二極管的構(gòu)造(如圖13所示)。
4，于蓋合基板12上使其內(nèi)面鍍有可與金屬觸媒層形成共晶合金材料13(如Sn、Sb或Pb)等元素(如圖14所示)。
5、于蓋合基板12和與金屬觸媒層形成共晶合金材料13(Sn或Sb)上一層耐溫型光阻層15，并曝光顯影將不要的光阻去除，剩下的耐溫型光阻層15加溫烤使之定型當(dāng)作支撐柱作用(如圖15所示)。
6、將上述的蓋合基板12配有成長(zhǎng)納米線發(fā)光二極管的透明基板蓋合(如圖16所示)，利用加溫方式使納米線的頂端金屬觸媒層3元素與蓋合基板12內(nèi)面的與金屬觸媒層形成共晶合金材料13(Sn或Sb)產(chǎn)生共晶熔接。
7、于蓋合后的接合處涂接合膠14以防止水氣滲入基板內(nèi)。
8、通電即可在玻璃基板4處射出光。
實(shí)施例一與實(shí)施例二之間除了制程不同外，其結(jié)構(gòu)最大的不同在于支撐柱材料的不同，實(shí)施例一采用無(wú)機(jī)的SiO2當(dāng)絕緣層6，而實(shí)施例二則采用耐溫型光阻層15(最高耐溫約280℃，約十分鐘沒(méi)問(wèn)題)，元件于短時(shí)間經(jīng)過(guò)回焊爐共晶接合時(shí)，超過(guò)350℃的時(shí)間僅有幾秒鐘，故元件并不會(huì)受影響，若納米線發(fā)光元件為發(fā)紫外光波長(zhǎng)，則必須采用實(shí)施例一其元件都為無(wú)機(jī)物，不會(huì)受UV光照射而產(chǎn)生裂化，但如發(fā)藍(lán)光及納米線共晶接合為低溫型(如金與錫共晶熔接點(diǎn)溫度為278℃)，則可使用實(shí)施例二可節(jié)省成本。
納米白光LED的制作方法其主要在藍(lán)光納米線LED面板上加上黃色的螢光粉(YAGCe)，利用黃、藍(lán)互補(bǔ)色即可形成白色光。另也可以使納米線LED全部發(fā)紫外光，并在納米線LED面板上涂上紅、藍(lán)、綠三色混之螢光粉使產(chǎn)生白光(如圖17所示)。
若在各發(fā)光點(diǎn)涂上紅、藍(lán)、綠三基色各色螢光粉(如圖18所示)則可形成全彩顯示器，為全世界第一個(gè)全彩無(wú)機(jī)納米線發(fā)光二極管顯示器，具有反應(yīng)速度快、低壓驅(qū)動(dòng)、超薄，耐后性強(qiáng)等特點(diǎn)，為未來(lái)顯示器的主流。
綜上所述本發(fā)明“納米線發(fā)光元件及顯示裝置”可制作出高效率的發(fā)光元件，如LED單體亦可制作出平面顯示器，還可做出平面白色光源，由于納米線LED為無(wú)機(jī)材料，壽命長(zhǎng)，發(fā)光效率高(至少達(dá)20流明以上)、省電、環(huán)保、低電壓，安全、反應(yīng)速度快、視角大又薄，為集所有顯示器的優(yōu)點(diǎn)于一身，仍為當(dāng)今世界顯示器最佳的選擇。
權(quán)利要求
1.一種納米線發(fā)光元件及顯示裝置，包括一透明導(dǎo)電基板；一蓋合基板，其一表面鍍有金屬層，用以連接納米線發(fā)光元件；一納米線發(fā)光元件，由復(fù)數(shù)根納米線發(fā)光二極管所構(gòu)成，其中每一根納米線均具有P型及N型及發(fā)光層的結(jié)構(gòu)；一絕緣層支撐柱，用以支撐透明導(dǎo)電基板及蓋合基板；由透明導(dǎo)電基板與蓋合基板疊合，中間由絕緣層支撐柱支撐，在兩支撐柱空間則設(shè)置納米線發(fā)光元件，利用蓋合基板內(nèi)面金屬層及透明導(dǎo)電基板作為電極導(dǎo)體，并使納米線發(fā)光元件所發(fā)出的光由透明導(dǎo)電基板面射出。
2，如權(quán)利要求1所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置，其特征在于，其中透明導(dǎo)電基板，為一種具有透明且導(dǎo)電的材料如ZnO、GaN、SiC單晶基板或一種在透明基板如玻璃、石英玻璃基板上鍍透明導(dǎo)電膜如ITO、ZnO、類鉆石膜層。
3，如權(quán)利要求1所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置，其特征在于，其中納米線發(fā)光元件材料為GaN，ZnSe、GaAs、ZnO或Si等半導(dǎo)體發(fā)光材料所形成。
4.如權(quán)利要求1所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置，其特征在于，其中納米線發(fā)光二極管可成長(zhǎng)于透明導(dǎo)電基板或蓋合基板上。
5，如權(quán)利要求1所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置，其特征在于，其絕緣層支撐柱可制作于蓋合基板上。
6.如權(quán)利要求1所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置，其特征在于，其絕緣層支撐柱，可以為二氧化硅或耐溫型光阻或其它耐溫絕緣材質(zhì)。
7.如權(quán)利要求1所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置，其特征在于，其絕緣層支撐柱厚度約3um-10um。
8.一種納米線發(fā)光元件及顯示裝置的制造方法，其特征在于，包含以下步驟在透明導(dǎo)電基板上鍍一絕緣層，并在表面上一層光阻層，經(jīng)選區(qū)曝光顯影，并以蝕刻方式將曝光顯影區(qū)的絕緣層去除，使透明導(dǎo)電層上兩側(cè)各形成一絕緣層支撐柱；再于透明導(dǎo)電基板上鍍一層金屬觸媒，并除光阻層；后將透明導(dǎo)電基板放入反應(yīng)腔體中以氣相—液相—固相法成長(zhǎng)納米線，于納米線成長(zhǎng)中加入不同成份，使納米線形成具有PN半導(dǎo)體介面的納米線；在蓋合基板上鍍上一層能與納米線頂端的金屬觸媒元素產(chǎn)生共晶熔接的材料；將蓋合基板蓋合至有納米線的透明導(dǎo)電基板上，使蓋合基板與透明導(dǎo)電基板左右各預(yù)留有接線端點(diǎn)，然后利用加溫方式使蓋合基板內(nèi)面鍍有能與金屬觸媒產(chǎn)生共晶熔接的材料，能與納米線頂端的金屬觸媒元素產(chǎn)生共晶熔接，在接合處四周涂以接合膠即完成。
9，如權(quán)利要求8所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置的制造方法，其特征在于，其中所述納米線發(fā)光二極管以復(fù)數(shù)個(gè)構(gòu)成一發(fā)光區(qū)塊，并以單數(shù)或復(fù)數(shù)個(gè)發(fā)光區(qū)塊，構(gòu)成平面光源或平面顯示器等裝置。
10.如權(quán)利要求8所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置的制造方法，其特征在于，所成長(zhǎng)的納米線發(fā)光二極管可發(fā)藍(lán)光、紫光或紫外光。
11.如權(quán)利要求8或10所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置的制造方法，其特征在于，發(fā)藍(lán)光的納米發(fā)光元件，于發(fā)光面涂覆黃色螢光材料產(chǎn)生兩波長(zhǎng)白光或涂上紅色綠色的螢光材料使產(chǎn)生三波長(zhǎng)白光。
12.如權(quán)利要求8或10所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置的制造方法，其特征在于，發(fā)藍(lán)光的納米發(fā)光元件，于發(fā)光面各發(fā)光點(diǎn)上涂上綠色或紅色螢光層材料利用藍(lán)光作波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換使涂有綠色螢光層材料的地方產(chǎn)生綠色光，使涂有紅色螢光層材料的地方產(chǎn)生紅色光，未涂螢光層材料的地方產(chǎn)生藍(lán)色光，使產(chǎn)生紅、藍(lán)、綠全彩顯示裝置。
13.如權(quán)利要求8或10所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置的制造方法，其特征在于，發(fā)紫光的納米發(fā)光元件，于發(fā)光面涂覆紅藍(lán)綠各色波長(zhǎng)的螢光層材料，產(chǎn)生紅、藍(lán)、綠各色波長(zhǎng)的光形成全彩顯示裝置，或涂覆紅、藍(lán)、綠混合的螢光層材料使產(chǎn)生白光。
14.如權(quán)利要求13所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置的制造方法，其特征在于，其中發(fā)紫光的納米發(fā)光元件，其使用的螢光層材料，紅色螢光層材料為3.5MgO·0.5MgF2·GeO2Mn或6MgO·As2O5Mn，藍(lán)色螢光層材料為ZnSCu，Al或Ca2MgSi2O7Cl，綠色螢光層材料為BaMgAl10O17Eu，Mn或(Sr、Ca、BaMg)10(PO4)，6C12Eu。
15.如權(quán)利要求8或10所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置的制造方法，其特征在于，發(fā)紫外光的納米線發(fā)光元件，于發(fā)光面涂覆紅、藍(lán)，綠各色波長(zhǎng)的螢光層材料，產(chǎn)生紅、藍(lán)、綠各色波長(zhǎng)的光形成全彩顯示裝置，或涂覆紅、藍(lán)、綠混合的螢光層材料使產(chǎn)生白光。
16.如權(quán)利要求15所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置的制造方法，其特征在于，其中發(fā)紫外光的納米線發(fā)光元件，其使用的螢光層材料，紅色螢光層材料為Y2O2SEu，藍(lán)色螢光粉為BaMgAl10O17Eu或(Sr、Ca、Ba、Mg)10(PO4)6Cl2Eu或BaMg2Al160O27Eu，綠色螢光粉為BaMgAl10O17Eu，Mn。
17，如權(quán)利要求8所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置的制造方法，其特征在于，其絕緣層支撐柱可制作于蓋合基板上，再將蓋合基板蓋合至透明導(dǎo)電基板上。
18.如權(quán)利要求8所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置的制造方法，其特征在于，其透明導(dǎo)電基板上鍍一層金屬觸媒厚度約50A-500A。
19.如權(quán)利要求2所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置的制造方法，其特征在于，其中納米線發(fā)光二極管的金屬觸媒為金則其共晶接合材料為Sn、Sb、Pb、Si、Ge，Bi或其它可與金屬觸媒共晶合金材料。
20.如權(quán)利要求8所述的納米線發(fā)光元件及顯示裝置的制造方法，其特征在于，其中納米線發(fā)光二極管可成長(zhǎng)于透明導(dǎo)電基板或蓋合基板上。
全文摘要
本發(fā)明納米線發(fā)光元件及顯示裝置是將半導(dǎo)體材料制作成納米單晶線或納米單晶柱，將納米線成長(zhǎng)在透明導(dǎo)電基板(或鍍有透明導(dǎo)電膜的玻璃基板)上并制作成P、N介面的結(jié)構(gòu)，利用其納米線的尖端有一導(dǎo)電金屬觸媒(如金)，將另一基板其表面鍍導(dǎo)電金屬膜層如Sn、Sb或Pb等材料，其材料可與納米線頂端的金屬觸媒材料形成低溫共晶焊接，如此即可形成具有正、負(fù)(P、N)極性的納米線發(fā)光元件。將復(fù)數(shù)個(gè)納米線發(fā)光元件制作成點(diǎn)矩陣狀，即可形成納米線發(fā)光二極管平面顯示裝置，其特點(diǎn)為自發(fā)光且發(fā)光效率高，又是無(wú)機(jī)材料耐候性佳，壽命長(zhǎng)，為下一代平面顯示器及照明最佳元件之一。
文檔編號(hào)H01L33/00GK1453884SQ0211837
公開(kāi)日2003年11月5日 申請(qǐng)日期2002年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月25日
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