專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
專利說明半導(dǎo)體器件 [發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)城]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，尤其是涉及為了將密封有一個(gè)或多個(gè)芯片的半導(dǎo)體器件層疊在一起用的半導(dǎo)體器件，或者是將密封有一個(gè)或多個(gè)芯片的半導(dǎo)體器件層疊在一起了的半導(dǎo)體器件。近年來，為了適應(yīng)電子裝置的小型化、高功能化的要求，用于電子裝置的半導(dǎo)體器件的小型化、高功能化的研究開發(fā)正取得令人矚目的進(jìn)展。尤其與之相關(guān)的，將密封有芯片的多個(gè)半導(dǎo)體器件層疊起來，以提高半導(dǎo)體器件安裝密度的技術(shù)已被提出多種。
以下就有關(guān)現(xiàn)有的進(jìn)行層疊的半導(dǎo)體器件的若干種形態(tài)作一簡單說明。


圖10是示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的簡略剖面圖(例如參照特開平9-153561號公報(bào))。在該圖中，6為芯片、7為芯片6上的電極焊接區(qū)與引線作電連接的導(dǎo)線、31A、31B為半導(dǎo)體器件、32為密封芯片6的封裝、32a為封裝32上表面、32c為封裝32的下表面、33為從封裝32的內(nèi)部向外部延伸的引線。
如圖10所示，半導(dǎo)體器件31A、31B的引線33在封裝32的內(nèi)部，其一端經(jīng)導(dǎo)線7連接到芯片6。而且，引線33露出在封裝32的上表面32a一側(cè)，緊貼著封裝32，從封裝32的側(cè)面延伸到下表面32c的端部。在這里，露出在封裝32上表面32a一側(cè)的引線33的上表面與封裝32的上表面32a之間的臺階差非常小，其臺階差比引線33的板材厚度要小。
對上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件而言，在下層半導(dǎo)體器件31A上表面32一側(cè)露出的引線33上，要裝載配置在上層半導(dǎo)體器件31B下表面32b的引線33的前端部，經(jīng)雙方引線33的鍵合，完成半導(dǎo)體器件31A、31B的層疊。
圖11是現(xiàn)有的另一種半導(dǎo)體器件的簡略剖面圖(例如參照特開平8-139270號公報(bào))。在該圖中，41A、41B為半導(dǎo)體器件，42為密封芯片的封裝，43是由封裝42內(nèi)部向外部延引的引線。
如圖11所示，半導(dǎo)體器件41A、41B的引線43在封裝42的外部不緊貼于封裝42，而向封裝42下表面的區(qū)域外(即對應(yīng)于下表面投影面的區(qū)域外)延伸。在這里，從封裝42的下表面到配置在下表面區(qū)域外的引線43的前端部，確保有充分的高度。
對上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件而言，在下層半導(dǎo)體器件41A的引線43上，裝載配置在上層半導(dǎo)體器件41B下表面區(qū)域外的引線43的前端部，將雙方的引線43鍵合起來，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件41A、41B的層疊。對上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件而言，因其形態(tài)而存在著各種問題。
首先對具有圖10所示形態(tài)的半導(dǎo)體器件來說，半導(dǎo)體器件經(jīng)層疊后，引線結(jié)合部分的目測檢查很困難，出現(xiàn)引線鍵合不良時(shí)手工修復(fù)也很困難，這是第一個(gè)問題。
通常對經(jīng)層疊的半導(dǎo)體器件來說，為了確認(rèn)其短期及長期的工作質(zhì)量，對引線結(jié)合部分用目測來檢查有無焊接不良等鍵合不良的故障。當(dāng)發(fā)現(xiàn)焊接不良等故障時(shí)，用烙鐵等工具對其引線結(jié)合部位進(jìn)行手工修復(fù)。
但是，對具有圖10所示形態(tài)的半導(dǎo)體器件來說，上下層半導(dǎo)體器件幾乎是緊貼著層疊在一起的，所以對引線結(jié)合部位的整個(gè)周邊區(qū)域難以進(jìn)行目測檢查。另外，烙鐵等修復(fù)用具也難以插入該狹窄的間隙進(jìn)行手工修復(fù)作業(yè)。
另外，對具有圖11所示形態(tài)的半導(dǎo)體器件來說，在層疊半導(dǎo)體器件時(shí)，由于多條引線前端部的不整齊(指未能確保平面度的狀態(tài))，因而難以確保良好的引線鍵合，這是第二個(gè)問題。
即，對圖11的半導(dǎo)體器件來說，引線是呈懸臂式延伸的，并且在延伸部位有兩處呈彎曲的結(jié)構(gòu)，因而在加工上難以確保多條引線前端部的平面度。而且，在具有此不整齊性的引線前端部還要鍵合到具有不整齊性的下層引線上，并且鍵合時(shí)其連接部位未被固定，因而極難確保引線有良好的鍵合性。
在這里，就上述第二個(gè)問題而言，圖10的半導(dǎo)體器件比圖11的半導(dǎo)體器件有優(yōu)越性。也就是說，圖10的半導(dǎo)體器件，其引線無懸臂結(jié)構(gòu)，并且引線結(jié)合部位被固定在封裝上，所以能確保比較良好的引線鍵合性。
另一方面，就上述第一個(gè)問題而言，圖11的半導(dǎo)體器件比圖10的半導(dǎo)體器件有優(yōu)越性。也就是說，圖11的半導(dǎo)體器件，其引線結(jié)合部位不是緊貼在封裝上形成的，所以引線結(jié)合部位的目視檢查及手工修復(fù)作業(yè)比較容易。
對此，作為圖10及圖11的半導(dǎo)體器件的共同問題是層疊半導(dǎo)體器件時(shí)，若上層半導(dǎo)體器件出現(xiàn)疊置錯位，則難以確保引線結(jié)合部位有充分的鍵合強(qiáng)度，這是第三個(gè)問題。
也就是說，層疊半導(dǎo)體器件時(shí)所用的疊置裝置的位置精度不高時(shí)，有時(shí)不能把上層半導(dǎo)體器件筆直地疊置在下層半導(dǎo)體器件上。在這種場合下，在下層半導(dǎo)體器件上的多條引線結(jié)合部位上，與之相對應(yīng)的上層半導(dǎo)體器件的多條引線前端部出現(xiàn)錯位，在如此疊置的場合下，不能確保引線結(jié)合部位上有必要的鍵合面積，從而招致鍵合強(qiáng)度的下降。
本發(fā)明是為解決上述問題而進(jìn)行的，在可層疊的半導(dǎo)體器件上能比較容易地做到引線結(jié)合部位的目測確認(rèn)和手工修復(fù)作業(yè)，引線鍵合性比較高，即使上下層半導(dǎo)體器件出現(xiàn)疊置錯位，也能提供在引線結(jié)合部位鍵合強(qiáng)度下降較小的可靠性高的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明第一方面所述的半導(dǎo)體器件，具備密封單個(gè)或多個(gè)芯片的封裝；以及在上述封裝內(nèi)部，與上述單個(gè)或多個(gè)芯片進(jìn)行電連接、同時(shí)從上述封裝的內(nèi)部向外部延伸的多條引線，在上述封裝上表面，具備突出面和對該突出面有臺階差的平臺面，上述多條引線在上述平臺面上具備為在上述封裝上方層疊另外的半導(dǎo)體器件用的引線結(jié)合部，上述引線結(jié)合部的引線寬度，比上述引線中的其他部分的引線寬度要寬。
另外，本發(fā)明第二方面所述的半導(dǎo)體器件，在上述第一方面所述的發(fā)明中，上述突出面配置在上述封裝上表面的中央部位，上述平臺面配置在上述封裝上表面的周邊部位或兩端部位。
另外，本發(fā)明第三方面所述的半導(dǎo)體器件，在上述第一方面或第二方面所述的發(fā)明中，上述突出面與上述平臺面的臺階差，做得比上述引線的厚度大。
另外，本發(fā)明第四方面所述的發(fā)明的半導(dǎo)體器件，在上述第一方面至第三方面的任一方面所述的發(fā)明中，上述多條引線在上述封裝下表面的下方，向該下表面外側(cè)延伸。
另外，本發(fā)明第五方面所述的發(fā)明的半導(dǎo)體器件，在上述第一方面至第三方面的任一方面所述的發(fā)明中，上述多條引線在上述封裝下表面的下方，向?qū)?yīng)于該下表面內(nèi)側(cè)的上述引線結(jié)合部的位置延伸。
另外，本發(fā)明第六方面所述的發(fā)明的半導(dǎo)體器件，是將第五方面所述的多個(gè)半導(dǎo)體器件層疊在一起的產(chǎn)物。
另外，本發(fā)明第七方面所述的發(fā)明的半導(dǎo)體器件，在第一方面至第五方面的任一方面所述的半導(dǎo)體器件的上述引線結(jié)合部上，鍵合上述另外的半導(dǎo)體器件的引線的前端部，將上述半導(dǎo)體器件與上述另外的半導(dǎo)體器件層疊在一起。[圖1]本發(fā)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件的簡略俯視圖。圖1所示半導(dǎo)體器件中沿A-A線的簡略剖面圖。被層疊于圖1所示半導(dǎo)體器件上的半導(dǎo)體裝置的簡略俯視圖。圖3所示半導(dǎo)體器件中沿B-B線的簡略剖面圖。示出本發(fā)明實(shí)施例1中層疊了的半導(dǎo)體器件的簡略俯視圖。圖5所示半導(dǎo)體器件中沿C-C線的簡略剖面圖。示出圖5半導(dǎo)體器件中引線結(jié)合部附近的簡略斜視圖。示出本發(fā)明實(shí)施例2中層疊了的半導(dǎo)體器件的簡略剖面圖。示出圖8半導(dǎo)體器件中引線結(jié)合部附近的簡略斜視圖。示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的簡略剖面圖。示出現(xiàn)有的另一半導(dǎo)體器件的簡略剖面圖。以下就本發(fā)明的實(shí)施例參照附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，各圖中相同或相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)以相同符號，其重復(fù)說明適當(dāng)簡化或省略。
實(shí)施例1以下，在圖1～圖7，就本發(fā)明的實(shí)施例1進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1為示出本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件的簡略俯視圖。另外，圖2是圖1所示的半導(dǎo)體器件在A-A線的簡略剖面圖。
在圖1、圖2中，1是可層疊的半導(dǎo)體器件，2是用樹脂等密封芯片的封裝，2a是封裝2的突出面，2b是封裝2的平臺面，2c是封裝2的下表面，3是由封裝2內(nèi)部向外部延伸的多條引線，3a是在封裝2的上方為層疊其他半導(dǎo)體器件而設(shè)在引線3上的引線結(jié)合部，3b是為在下方半導(dǎo)體器件或電路基板上裝載半導(dǎo)體器件用的引線前端部，5是兩面裝載芯片的模墊，6a、6b是芯片，7是芯片6a、6b上的電極焊接區(qū)與引線3作電連接的導(dǎo)線。
在這里，在封裝的上表面上，將突出面2a設(shè)在上表面的中央部位，對突出面2a有臺階差的平臺面2b設(shè)在上表面的兩端部位。也就是說，如圖2所示，封裝的橫截面呈“凸”字形狀。另外，封裝2的上表面2a的臺階差，即突出面2a與平臺面2b之高低差比引線3的板材厚度t要大。
另外，如圖2所示，在封裝內(nèi)部，引線3的一端經(jīng)導(dǎo)線7與芯片6a、6b連接。然后，引線3經(jīng)封裝2的平臺面2b的上面，再經(jīng)兩處彎曲，在低于封裝2的下表面2 c的下方，向下表面2c的外側(cè)延伸。
另外，如圖1所示，在封裝2的平臺面2b上面，引線結(jié)合部3a與引線3形成為一體。引線結(jié)合部3a的引線寬度L2，經(jīng)沖壓等加工成比引線3的其他部分的引線寬度L1要寬。于是，如后所述，在具有較大表面積的引線結(jié)合部3a上，鍵合上層半導(dǎo)體器件的引線前端部，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的層疊。
另外，有如上結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件1，是經(jīng)過以下工序形成的。
首先，在引線框架上形成的模墊5的一面上，鍵合由晶片切下來的芯片6b。然后，在芯片6b與引線框架上形成的引線3之間用導(dǎo)線鍵合法接上導(dǎo)線7。此后，引線框架的上下面被反轉(zhuǎn)，在模墊5的另一面上，鍵合芯片6a。然后，在芯片6a與引線3之間用導(dǎo)線鍵合法接上導(dǎo)線7。
然后，封裝2的平臺面2b的位置經(jīng)形成分型線的模具，使封裝2成形。其后經(jīng)引線框架的切斷工序，最后經(jīng)引線成形(彎曲加工)工序形成引線3的彎曲部分，獲得具有所要求形態(tài)的半導(dǎo)體器件1。
下面，在圖3、圖4上，就層疊在上述半導(dǎo)體器件1上的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖3是層疊在圖1、圖2所示半導(dǎo)體器件1上的半導(dǎo)體器件的簡略俯視圖。圖4是圖3所示半導(dǎo)體器件中沿B-B線的簡略剖面圖。
在圖3、圖4中，11是半導(dǎo)體器件，12是封裝，12a是封裝12的上表面，12c是封裝12的下表面，13是引線，13b是為在下方半導(dǎo)體器件1上疊置半導(dǎo)體器件11的引線前端部，5是模墊，6a、6b是芯片，7是導(dǎo)線。
在這里，如圖4所示，在封裝12內(nèi)部，引線13的一端經(jīng)導(dǎo)線7與芯片6a、6b連接。然后，引線13在封裝12的側(cè)面附近被彎曲，向封裝12的下表面12c的區(qū)域外延伸。在這里，從封裝12的下表面12c到引線的前端部13b確保有足夠的高度。
另外，如圖3所示，半導(dǎo)體器件11的引線13是按大致均一的引線寬度L3形成的。于是，其引線寬度L3比上述圖1、圖2的半導(dǎo)體器件1的引線結(jié)合部3a的引線寬度L2要小。
其次，在圖5～圖7中，就上述兩個(gè)半導(dǎo)體器件1、11層疊后的半導(dǎo)體器件進(jìn)行說明。圖5是示出本實(shí)施例1的層疊后的半導(dǎo)體器件的簡略俯視圖。圖6是圖5所示半導(dǎo)體器件中沿C-C線的簡略剖面圖。另外，圖7是示出圖5半導(dǎo)體器件的引線結(jié)合部附近的簡略斜視圖。
如圖6所示，在圖1及圖2所示的半導(dǎo)體器件1的上面，安裝了圖3及圖4所示的半導(dǎo)體器件11。
詳而言之，首先在下層半導(dǎo)體器件1的引線結(jié)合部3a上涂上焊膏。然后，使下層半導(dǎo)體器件1的引線結(jié)合部3a與上層半導(dǎo)體器件11的引線前端部13b進(jìn)行對位，在引線結(jié)合部3a之上疊置引線前端部13b。然后，采用回流法，將引線結(jié)合部3a與引線前端部13b鍵合起來。
如上所述，如圖5及圖7所示，下層半導(dǎo)體器件1的引線結(jié)合部3a的引線寬度L2，做得比上層半導(dǎo)體器件11的引線前端部13b的引線寬度L3要充分地大。
因此，上層半導(dǎo)體器件11對下層半導(dǎo)體器件1，即使不能以筆直的姿勢疊置，引線前端部13b也不會脫離引線結(jié)合部3a，因而能確保雙方的接觸面。
另外，如圖6及圖7所示，在層疊了的半導(dǎo)體器件上，引線結(jié)合部3a與引線前端部13b之連接部，是朝向半導(dǎo)體器件的外部設(shè)置的。為此，對該連接部分的整個(gè)周圍區(qū)域可較容易地進(jìn)行目測檢查，在出現(xiàn)鍵合不良時(shí)，也能較容易地對這部分伸進(jìn)烙鐵等手工修復(fù)用具進(jìn)行修復(fù)作業(yè)。因此，由于對層疊了的半導(dǎo)體器件的次品增強(qiáng)了檢查與削減的措施，作為所謂多芯片封裝成的成品率也得到提高。
此外，如圖6及圖7所示，就下層半導(dǎo)體器件1而言，引線3的全長的大部分是由平臺面2b等支撐的，剩下的極少部分呈懸臂式結(jié)構(gòu)。從而，下層半導(dǎo)體器件1的引線前端部3b可以做得“不整齊”較少。
從此，在該半導(dǎo)體器件1之上，即使有不整齊的某種引線前端部13b的半導(dǎo)體器件11被層疊，因其鍵合對象--引線結(jié)合部3a固定在封裝2的平臺面2b上，所以通過對引線前端部13b加壓，其位置也不會移動。從而，引線結(jié)合部3a與引線前端部13b之鍵合比較容易。
如上所述，按本實(shí)施例1構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，可較容易地做到引線結(jié)合部的目測確認(rèn)和手工修復(fù)作業(yè)，引線的鍵合性較高，即使上下層半導(dǎo)體器件出現(xiàn)疊置錯位，也能提供引線結(jié)合部鍵合強(qiáng)度下降少的可靠性高的半導(dǎo)體器件。
另外，在本實(shí)施例1中，兩個(gè)半導(dǎo)體器件1、11被層疊在一起。與此相對照，在將更多的半導(dǎo)體器件層疊在一起的場合，也可應(yīng)用本發(fā)明。在這種場合下，例如，通過使被安裝的所有各層的半導(dǎo)體器件都與本實(shí)施例1所示的下層半導(dǎo)體器件1有同樣的結(jié)構(gòu)，就能得到與本實(shí)施例1同樣的效果。在這里，本實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件在結(jié)構(gòu)上，越是上層的半導(dǎo)體器件，其尺寸就越將逐漸變小。
另外，在本實(shí)施例1中，曾假設(shè)密封在封裝2內(nèi)部的芯片6a、6b為多芯片，但密封在封裝2內(nèi)部的芯片數(shù)目并無此限制，例如，單芯片也可以。在這種場合下，也能得到與本實(shí)施例1同樣的效果。
另外，在本實(shí)施例1中，多條引線3是被均等地配置在封裝2的兩端部(2個(gè)方向)，但多條引線3的配置并無此限制。例如，對多條引線被配置在封裝周邊部(4個(gè)方向)的半導(dǎo)體器件而言，在封裝的周邊部設(shè)平臺部，在該平臺部再形成引線結(jié)合部，也可以獲得與本實(shí)施例1同樣的效果。
實(shí)施例2
以下，在圖8、圖9中，詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施例2。圖8是示出在本發(fā)明實(shí)施例2中被層疊了的半導(dǎo)體器件的簡略剖面圖。另外，圖9是示出圖8的半導(dǎo)體器件中的引線結(jié)合部附近的簡略斜視圖。
本實(shí)施例2在被層疊的半導(dǎo)體器件的層數(shù)為3層這一點(diǎn)上，各層被層疊的半導(dǎo)體器件具有同一結(jié)構(gòu)這一點(diǎn)上，以及半導(dǎo)體器件的引線前端部向內(nèi)側(cè)彎曲這一點(diǎn)上，即主要在以上諸點(diǎn)上與上述實(shí)施例1不同。
在圖8、圖9中，21A、21B、21C為半導(dǎo)體器件，22為封裝，22a為封裝22的突出面，22b為封裝22的平臺面，22c為封裝的下表面，23為多條引線，23a為引線結(jié)合部，23b為引線前端部。
在這里，被層疊的各個(gè)半導(dǎo)體器件21A、21B、21C的結(jié)構(gòu)大致相同。詳細(xì)而言，封裝22的上表面的中央部位設(shè)有突出面，在上表面的兩端部位設(shè)有對突出面22a有臺階差的平臺面22b。另外，突出面22a與平臺面22b的臺階差遠(yuǎn)比引線23的板材厚度為大。
另外，如圖8所示，在封裝內(nèi)部，引線23的一端經(jīng)導(dǎo)線7被連接到芯片6a、6b。然后，引線23通過封裝22的平臺面22b的上面，再在兩處被彎曲，向比封裝22的下表面22c還在下方的下表面22c內(nèi)側(cè)的引線結(jié)合部22b相對應(yīng)的位置延伸。也就是說，引線23在封裝22的外部，形成“C”字狀彎曲。
另外，如圖9所示，在封裝22的平臺面22b的上面，引線結(jié)合部23a與引線23形成為一體。與上述實(shí)施例1同樣，引線結(jié)合部23a的引線寬度做得比引線23的其他部位的引線寬度要大。
然后，如圖8、圖9所示，三個(gè)半導(dǎo)體器件21A、21B、21C被安裝在一起。
詳而言之，在下層半導(dǎo)體器件21A的引線結(jié)合部23a的上面，中層半導(dǎo)體器件21B的引線前端部23b經(jīng)焊膏而被鍵合。然后，在中層半導(dǎo)體器件21B的引線結(jié)合部23a的上面，上層半導(dǎo)體器件21C的引線前端部23b經(jīng)焊膏而被鍵合。
如上所述，引線結(jié)合部23a的引線寬度，與在此處被鍵合的引線前端部23b的引線寬度相比，做得充分大。
因此，即使上層的半導(dǎo)體器件21B、21C不能以筆直的姿態(tài)被疊置在下層的半導(dǎo)體器件21A、21B時(shí)，引線前端部23b也不會脫離引線結(jié)合部23a，能夠確保雙方的接觸面。
另外，如圖8及圖9所示，在被層疊了的半導(dǎo)體器件中，引線結(jié)合部23a與引線前端部23b連接部，其整個(gè)周邊區(qū)域被設(shè)在從半導(dǎo)體器件的外部可目視的位置上。因此，對其連接部分可較容易地進(jìn)行目測檢查，在出現(xiàn)鍵合不良時(shí)，也能較容易地對這部分伸進(jìn)烙鐵等手工修復(fù)用具進(jìn)行修復(fù)。
另外，如圖8及圖9所示，各層半導(dǎo)體器件21A、21B、21C的引線23，與上述實(shí)施例1相同，形成引線前端部23b的“不整齊”較少的結(jié)構(gòu)。
另外，這些引線前端部23b被鍵合到固定在封裝22的平臺面22b上的引線結(jié)合部23a上，可以做到在穩(wěn)固的基礎(chǔ)上進(jìn)行穩(wěn)定的鍵合。從而比較容易進(jìn)行引線結(jié)合部23a與引線前端部23b的鍵合。
如上所述，對按本實(shí)施例2構(gòu)成的半導(dǎo)體器件來說，也和上述實(shí)施例1的一樣，能夠比較容易地做到引線結(jié)合部的目視確認(rèn)和手工修復(fù)作業(yè)，引線的鍵合性較高，即使上下層半導(dǎo)體器件出現(xiàn)疊置錯位，也能提供引線結(jié)合部鍵合強(qiáng)度下降較少的可靠性較高的半導(dǎo)體器件。
另外，在本實(shí)施例2中，由于同一結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件21A、21B、21C可以層疊在一起，因而幾乎可無限制地增加層疊層數(shù)。
另外可知，本發(fā)明并不限定于上述各實(shí)施例，在本發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，除各實(shí)施例啟示的以外，各實(shí)施例可作適當(dāng)?shù)淖兏?。此外，上述?gòu)件的數(shù)目、位置和形狀等并不限定于上述實(shí)施例，在實(shí)施本發(fā)明方面，可選取適當(dāng)?shù)臄?shù)目、位置和形狀等。本發(fā)明是如上構(gòu)成的，因而層疊的半導(dǎo)體器件的引線鍵合性比較高，即使出現(xiàn)層疊半導(dǎo)體器件之間的疊置錯位，也能提供引線結(jié)合部鍵合強(qiáng)度下降較少的可靠性較高的半導(dǎo)體器件。另外，層疊了的半導(dǎo)體器件的引線結(jié)合部的目視確認(rèn)和手工修復(fù)作業(yè)比較容易進(jìn)行，因而次品的檢出率高，可以提供成品率高的半導(dǎo)體器件。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，具備密封單個(gè)或多個(gè)芯片的封裝；以及在上述封裝內(nèi)部與上述單個(gè)或多個(gè)芯片進(jìn)行電連接、同時(shí)從上述封裝的內(nèi)部向外部延伸的多條引線，其特征在于上述封裝的上表面具備突出面和對該突出面有臺階差的平臺面；上述多條引線在上述平臺面上具備為在上述封裝上方層疊另外的半導(dǎo)體器件用的引線結(jié)合部；以及上述引線結(jié)合部的引線寬度，比上述引線中的其他部分的引線寬度要寬。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于將上述突出面配置在上述封裝上表面的中央部位，將上述平臺面配置在上述封裝上表面的周邊部位或兩端部位。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述突出面與上述平臺面的臺階差，比上述引線的厚度大。
4.如權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述多條引線在上述封裝下表面的下方，向該下表面外側(cè)延伸。
5.如權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述多條引線在上述封裝下表面的下方，向?qū)?yīng)于該下表面內(nèi)側(cè)的上述引線結(jié)合部的位置延伸。
6.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于將權(quán)利要求5所述的多個(gè)半導(dǎo)體器件層疊在一起。
7.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于在權(quán)利要求1～5的任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體器件的上述引線結(jié)合部上，鍵合上述另外的半導(dǎo)體器件的引線的前端部，將上述半導(dǎo)體器件與上述另外的半導(dǎo)體器件層疊在一起。
全文摘要
本發(fā)明的課題是，提供一種對引線結(jié)合部的目視確認(rèn)和使手工修復(fù)作業(yè)能夠較容易地做到、引線鍵合性較高，即使出現(xiàn)上下層半導(dǎo)體器件的疊置錯位，引線結(jié)合部的鍵合強(qiáng)度下降也較小的可靠性高的半導(dǎo)體器件。封裝2的上表面設(shè)有突出面2a和與突出面2a有臺階差的平臺面2b，多條引線3在平臺面2b設(shè)有將另外的半導(dǎo)體器件層疊在封裝2的上方用的引線結(jié)合部3a，引線結(jié)合部3a的引線寬度L2比引線3上其他部分的引線寬度L1要大。
文檔編號H01L23/495GK1405882SQ0212062
公開日2003年3月26日 申請日期2002年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月18日
發(fā)明者道井一成, 笠谷泰司 申請人:三菱電機(jī)株式會社