專利名稱：半導(dǎo)體膜、半導(dǎo)體膜的形成方法、及半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，特別涉及將半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行平坦的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
圖5表示經(jīng)多結(jié)晶化的多晶硅膜的表面狀態(tài)，圖6表示沿圖5中的A-A線的現(xiàn)有的薄膜晶體管的制造過(guò)程的剖面圖。
步驟1(圖6(a))在由玻璃、石英玻璃等構(gòu)成的絕緣性基板10上，以CVD法形成由SiN和/或SiO2膜構(gòu)成的絕緣性膜11。采用CVD法使非晶硅膜(以下稱‘a(chǎn)-Si膜’)12成膜于其上。
步驟2(圖6(b))以XeCl、KrF、ArF等線狀的準(zhǔn)分子激光(ExcimerLaser)14，針對(duì)該a-Si膜12由一方向另一方進(jìn)行掃描照射并進(jìn)行退火處理，將a-Si膜12溶解再結(jié)晶化而使其多結(jié)晶化成為多晶硅膜(以下稱為‘p-Si膜’)13。
此時(shí)，對(duì)于a-Si膜12的表面以準(zhǔn)分子激光14向箭頭方向(圖中左方向)掃描照射，由此a-Si膜12即溶解而再結(jié)晶化。即，以激光照射14而加熱的a-Si膜12在溶融后被冷卻再結(jié)晶化成為p-Si膜。然而，此時(shí)各結(jié)晶的粒子將互撞隆起而產(chǎn)生突起部100。
步驟3(圖6(c))在p-Si膜13上，以CVD法全面形成由SiO2膜構(gòu)成的柵極絕緣膜14。然后，采用濺鍍法形成由鉻(Cr)、鉬(Mo)等的高融點(diǎn)金屬構(gòu)成的金屬膜，并采用來(lái)自微影技術(shù)及RIE(Reactive IonEtching活性化離子蝕刻)法的干式蝕刻技術(shù)加工成預(yù)定形狀，而形成柵極電極15。
然后，在形成P通道型TFT時(shí)，將柵極電極15作為屏蔽，而隔著柵極絕緣膜14對(duì)于p-Si膜13注入硼(B)等P型離子，而在形成N通道型TFT時(shí)，則注入磷(P)等N型離子。由此，由作為主動(dòng)層的p-Si膜13的柵極電極15所覆蓋的部分將成為通道區(qū)13c，而該兩側(cè)的部分則成為源極區(qū)13s以及漏極區(qū)13d。
然后，采用CVD法形成SiO2膜單體、或由SiO2膜與SiN膜的2層構(gòu)成的層間絕緣膜16。
步驟4(圖6(d))然后，在與漏極區(qū)13d對(duì)應(yīng)的位置，使貫通層間絕緣膜16與柵極絕緣膜14的第1接觸孔17，形成到達(dá)p-Si膜13，并在該第1接觸孔17部分，形成由鋁等金屬構(gòu)成的漏極電極19。該漏極電極19的形成，例如在形成有第1接觸孔17的層間絕緣膜16上，濺鍍而堆積的同時(shí)，并以填充于第1接觸孔17的鋁進(jìn)行圖案化的方式而形成。
然后，在層間絕緣膜16漏極及電極19上形成平坦化絕緣膜20，以使表面平坦化。該平坦化絕緣膜20，涂布樹(shù)脂溶液并進(jìn)行燒成，可填埋柵極電極15、漏極電極19引起的凹凸以使表面平坦化。
而且，在源極區(qū)13s上，形成貫通平坦化絕緣膜20、層間絕緣膜16以與柵極絕緣膜14的第2接觸孔21，并在該第2接觸孔21部分，與源極13s連接而形成擴(kuò)展于丙烯樹(shù)脂層上的顯示電極22。該顯示電極22，在形成有第2接觸孔21的平坦化絕緣膜15上，層積透明導(dǎo)電膜，例如ITO(Indium thin Oxide氧化銦錫)，然后，在其透明導(dǎo)電膜上涂布光阻膜之后，形成預(yù)定的電極圖案，并利用HBr氣體以及Cl2以作為蝕刻氣體，并通過(guò)干式蝕刻法、例如RIE法而將露出的透明導(dǎo)電膜蝕刻，形成顯示電極22。
然而，依據(jù)上述所示的現(xiàn)有制造方法制造的TFT，在a-Si膜被激光照射而溶融再結(jié)晶化時(shí)，各結(jié)晶的粒子將相互碰撞，而形成該相互碰撞之處隆起的突起部100。因此，形成于該p-Si膜13表面的突起部100的上層的柵極絕緣膜14的厚度，在突起部100產(chǎn)生之處將變薄。例如，該突起部100，p-Si膜13的厚度在約40nm時(shí)，將與其厚度相同成為約40nm。因此，p-Si膜13與柵極電極15之間無(wú)法取得充分的絕緣，或是在突起部100的高度較柵極絕緣膜14的厚度大時(shí)，將產(chǎn)生p-Si膜13與柵極電極15短路的缺點(diǎn)。
另外，由于電場(chǎng)因施加于突起部100的電壓而集中，造成絕緣破壞，而產(chǎn)生p-Si膜13與柵極電極15短路的缺點(diǎn)。
而且，針對(duì)p-Si膜13而施加的柵極電極15的電壓，將在絕緣性基板內(nèi)產(chǎn)生不均勻，其結(jié)果將有形成特性不一致的TFT的缺點(diǎn)。在采用該TFT于液晶顯示裝置等的顯示裝置時(shí)，將有在顯示畫面內(nèi)產(chǎn)生不均勻的缺點(diǎn)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體膜是，將表面具有凹凸的半導(dǎo)體膜氧化，并去除該表面氧化膜，由此而將上述半導(dǎo)體膜進(jìn)行平坦化的半導(dǎo)體膜。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體膜是，對(duì)基板上的非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜照射激光，而將多結(jié)晶化的多晶半導(dǎo)體膜的表面氧化，并去除因該氧化而形成的表面氧化膜，由此而將上述半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行平坦化的半導(dǎo)體膜。
而且，本發(fā)明的半導(dǎo)體膜是，對(duì)基板上的非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜照射激光，而使多結(jié)晶化的多晶半導(dǎo)體膜的表面以高壓氧化環(huán)境氧化，并去除因該氧化所形成的表面氧化膜，由此而將上述半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行平坦化的半導(dǎo)體膜。
本發(fā)明的半導(dǎo)體膜的形成方法包括將表面具有凹凸的半導(dǎo)體膜的表面氧化而形成表面氧化膜的步驟；以及去除該表面氧化膜、而使上述半導(dǎo)體膜的表面的凹凸減少的步驟。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體膜的形成方法包括在基板上形成非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜的步驟；對(duì)該非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜照射激光、而將非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜重整成多晶半導(dǎo)體膜的步驟；在高壓環(huán)境中將該多晶半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行氧化的步驟；以及將該經(jīng)氧化的氧化多晶半導(dǎo)體膜去除的步驟。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括在基板上形成非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜的步驟；對(duì)該非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜照射激光、而將非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜重整成多晶半導(dǎo)體膜的步驟；在高壓氧化環(huán)境中將該多晶半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行氧化的步驟；將該經(jīng)氧化的氧化多晶半導(dǎo)體膜去除、而露出上述多晶半導(dǎo)體膜的步驟；在該多晶半導(dǎo)體膜形成源極及漏極之后、形成覆蓋該多晶半導(dǎo)體膜的絕緣膜的步驟；以及在該絕緣膜上形成柵極電極的步驟。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括在基板上形成柵極電極的步驟；形成覆蓋該柵極電極的柵極絕緣膜的步驟；在上述柵極電極的上方形成非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜的步驟；對(duì)該非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜照射激光、而將非晶直半導(dǎo)體膜重整成多晶半導(dǎo)體膜的步驟；在高壓氧化環(huán)境中、將該多晶半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行氧化的步驟；將該經(jīng)氧化的氧化多晶半導(dǎo)體膜去除、而露出上述多晶半導(dǎo)體膜的步驟；在該多晶半導(dǎo)體膜形成源極和漏極的步驟。
圖2是在液晶顯示裝置中采用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法時(shí)的剖面圖。
圖3是用于本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的高壓氧化裝置的剖面圖。
圖4是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體膜的擴(kuò)大剖面圖。
圖5是表示照射激光后的半導(dǎo)體膜的表面的立體圖。
圖6是現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程剖面圖。
符號(hào)說(shuō)明10絕緣性基板，11絕緣性膜，12a-Si膜，13p-Si膜，14準(zhǔn)分子激光，15柵極電極，16層間絕緣膜，17第1接觸孔，19漏極電極，20平坦化絕緣膜，21第2接觸孔，22顯示電極，23定向膜，24定向液晶，30對(duì)向電極基板，31對(duì)向電極，32定向膜，100突起部，101表面氧化膜去除后的p-Si膜的微小突起部。


圖1是表示本發(fā)明的TFT的制造過(guò)程的剖面圖，圖2是表示采用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法而制造的液晶顯示裝置的剖面圖。
步驟1(圖1(a))在玻璃、石英玻璃等構(gòu)成的絕緣性基板10上，采用CVD法等而形成SiO2膜單體、或由SiN膜及SiO2膜的層積膜所構(gòu)成的絕緣膜11。這是為了防止來(lái)自由玻璃構(gòu)成的絕緣性基板10的鈉(Na)離子等的不純物，浸入在其上形成的半導(dǎo)體膜(p-Si膜)。如果采用無(wú)浸入不純物之慮的無(wú)堿玻璃基板等情況，則未必需要。
另外，在本發(fā)明中，絕緣性基板10，也包含表面呈絕緣性的基板。即，也可以是在半導(dǎo)體基板上堆積由SiO2膜單體、或是SiN膜及SiO2膜等層積膜所構(gòu)成的絕緣性膜。
在絕緣性膜11上面，采用CVD法而形成a-Si膜12。該a-Si膜12的膜厚，為30nm～100nm，在本實(shí)施例中設(shè)為55nm。
步驟2(圖1(b))對(duì)于該a-Si膜12，以波長(zhǎng)308nm線狀的準(zhǔn)分子激光，由一方向另一方(圖中是朝向左方向)掃描照射并進(jìn)行退火處理，而將a-Si膜12溶融再結(jié)晶化并使其多結(jié)晶化而成為p-Si膜。
此時(shí)，對(duì)于a-Si膜的表面通過(guò)準(zhǔn)分子激光照射，而使a-Si膜溶融并進(jìn)行再結(jié)晶化。即，由激光照射而加熱的a-Si膜在溶融后雖被冷卻并再結(jié)晶化，但此時(shí)各結(jié)晶的粒子因互撞、而在該互撞處隆起并產(chǎn)生突起100。
就激光來(lái)說(shuō)，也可使用上述波長(zhǎng)λ＝308nm的XeCl準(zhǔn)分子激光，而且也可使用波長(zhǎng)λ＝193nm的ArF準(zhǔn)分子激光。
步驟3(圖1(c))將形成p-Si膜13的基板10放入高壓氧化裝置內(nèi)進(jìn)行高壓氧化。例如，就高壓氧化的條件來(lái)說(shuō)，以壓力200MPa、裝置內(nèi)環(huán)境溫度為570℃進(jìn)行70分鐘高壓氧化。
結(jié)果，在p-Si膜13的表面即形成作為氧化硅膜的表面氧化膜13a。該表面氧化膜的厚度約為30nm。
此時(shí)，p-Si膜13的氧化，因從該表面開(kāi)始進(jìn)行一致化，故與其它平坦部相比較，受氧化的表面的面積較寬廣的突起100的部分與平坦部相比較，將有更多受到氧化。
步驟4(圖1(d))將p-Si膜13的表面進(jìn)行氧化后，采用氟化氫(HF)將該表面氧化膜13a蝕刻去除，并使p-Si膜13露出。
結(jié)果，產(chǎn)生于p-Si膜13的突起部100即去除，而p-Si膜13的表面成為微小突起101，并大致平坦化。
步驟5(圖1(e))在p-Si膜13上，以CVD法全面形成由SiO2膜所構(gòu)成的柵極絕緣膜14。然后，采用濺鍍法形成由Cr、Mo等高熔點(diǎn)金屬所構(gòu)成金屬膜，并采用來(lái)自微影技術(shù)及RIE法的干式蝕刻技術(shù)加工成預(yù)定形狀，而形成柵極電極15。
然后，將柵極電極15作為屏蔽，隔著柵極絕緣膜14，而將P型或N型的離子注入至p-Si膜13。即，按照應(yīng)該形成的TFT的類型，將P型或N型的離子注入至未被柵極電極15覆蓋的p-Si膜13。
在形成P通道型的TFT時(shí)，注入硼(B)等的P型離子，而形成N通道型的TFT時(shí)，則注入磷(P)等的N型離子。由此，在作為主動(dòng)層的p-Si膜13中以柵極電極15覆蓋的部份成為通道區(qū)13c，該兩側(cè)的部分成為源極區(qū)13s以及漏極區(qū)13d。
之后，采用CVD法，形成SiO2膜單體、或是由SiO2膜與SiN膜的2層所構(gòu)成的層間絕緣膜16。
在與漏極區(qū)13d對(duì)應(yīng)的位置，使貫通層間絕緣膜16的第1接觸孔17，形成到達(dá)p-Si膜13，并于該第1接觸孔17部分，形成由鋁等金屬構(gòu)成的漏極電極19。該漏極電極19的形成，例如在形成有第1接觸孔17的層間絕緣膜16上，濺鍍而堆積的同時(shí)，并以將填充于第1接觸孔17的鋁進(jìn)行圖案化的方式而形成。
接著，在形成漏極電極19的層間絕緣膜16及漏極電極19上形成平坦化絕緣膜20，以使表面平坦化。該平坦化絕緣膜20，涂布丙烯樹(shù)脂溶液并進(jìn)行燒成而形成丙烯樹(shù)脂層，該丙烯樹(shù)脂層，可填埋柵極電極15、漏極電極19引起的凹凸以使表面平坦化。
而且，在源極區(qū)13s上，形成貫通平坦化絕緣膜20、層間絕緣膜16以與柵極絕緣膜14的第2接觸孔21，并在該第2接觸孔21部分，與源極13s連接而形成擴(kuò)展于丙烯樹(shù)脂層上的顯示電極22。該顯示電極22，在形成有第2接觸孔21的平坦化絕緣膜20上，層積透明導(dǎo)電膜，例如ITO(Indium thin Oxide氧化銦錫)，然后，在其透明導(dǎo)電膜上涂布光阻膜之后，形成預(yù)定的電極圖案，并利用HBr氣體以及Cl2以作為蝕刻氣體，并通過(guò)干式蝕刻法、例如RIE法而蝕刻透明導(dǎo)電膜，形成顯示電極22。
然后，在顯示電極22及平坦化絕緣膜20上，以印刷法或是旋鍍(spinner)法形成由聚亞酰胺(polyimide)或SiO2膜等構(gòu)成，以使液晶24定向的定向膜23。
結(jié)果，以驅(qū)動(dòng)液晶的TFT作為開(kāi)關(guān)元件的液晶顯示裝置的單側(cè)的TFT基板10即完成。
其次，在由無(wú)堿玻璃等所構(gòu)成的作為絕緣基板的對(duì)向電極基板30上，從該基板30側(cè)面依次在基板全面形成ITO膜等透明導(dǎo)電膜所構(gòu)成的對(duì)向電極31之后，在其上形成由用于定向液晶24的聚亞酰胺、SiO2膜等所構(gòu)成的定向膜32。
如此，與上述TFT基板10相對(duì)向設(shè)置對(duì)向電極基板30，并在TFT基板10與對(duì)向電極基板30之間的周邊，采用由具有粘合性的樹(shù)脂所構(gòu)成的密封劑，將兩基板10、30粘合，并在兩基板間10、30填充液晶24，即完成如圖2所示的液晶顯示裝置。
在此，圖3是表示高壓氧化裝置的剖面圖。
高壓氧化裝置200，是由耐壓容器201與設(shè)置于其內(nèi)部的反應(yīng)管210所構(gòu)成。
由SUS制成的圓筒狀的耐壓容器201，在其兩端設(shè)置耐壓容器蓋202、203，由其保持氣密。在耐壓容器蓋203中，設(shè)有氫氣導(dǎo)入口204與氧氣導(dǎo)入口205。
另外，反應(yīng)管210呈圓筒狀，在其兩端設(shè)有反應(yīng)管蓋211、212，由此使反應(yīng)管210的內(nèi)部保持氣密。另在反應(yīng)管210的周圍，設(shè)有用于加熱反應(yīng)管210內(nèi)的加熱器213。而且，來(lái)自設(shè)置于耐壓容器蓋203的氣體導(dǎo)入口204、205的氣體導(dǎo)入配管，被設(shè)置于反應(yīng)管210的內(nèi)部。
在該反應(yīng)管210中，具有由氫氣導(dǎo)入口204導(dǎo)入的氫氣、與由氧氣導(dǎo)入口205導(dǎo)入的氧氣混合燃燒以產(chǎn)生水蒸汽的燃燒部220；以及通過(guò)該水蒸汽及加熱而氧化的氧化膜生成部230。在該氧化膜生成部230上承載有形成p-Si膜13的絕緣性基板10。
另外，反應(yīng)管210內(nèi)，由來(lái)自高壓加氣閥214的高壓氣體而變?yōu)楦邏?。并且，耐壓容?01內(nèi)，也通過(guò)高壓氣閥206而由高壓氣體變?yōu)楦邏毫Α?br> 在此，說(shuō)明高壓氧化裝置的動(dòng)作。
將耐壓容器201的耐壓容器蓋202打開(kāi)并卸除反應(yīng)管蓋211，而將形成p-Si膜13的絕緣基板10導(dǎo)入至氧化膜生成部230。然后裝上反應(yīng)管蓋211，并將耐壓容器蓋202關(guān)閉。然后，通過(guò)導(dǎo)入自氣閥206及氣閥214的高壓氣體，以使耐壓容器201內(nèi)以及反應(yīng)管210內(nèi)變?yōu)楦邏骸?br> 然后，在由氫氣導(dǎo)入口204以約為3立升/分的流量導(dǎo)入氫氣至燃燒部220的同時(shí)，由氧氣導(dǎo)入口205以約為3立升/分的流量導(dǎo)入氧氣至燃燒部220。由此，在燃燒部220燃燒兩氣體而產(chǎn)生水蒸汽。通過(guò)該水蒸汽，反應(yīng)管210內(nèi)將成為高壓水蒸汽環(huán)境，在導(dǎo)入至氧化膜生成部230中的在絕緣性基板10上成膜的p-Si膜13的表面被氧化，而使作為表面氧化膜的SiO2膜產(chǎn)生。
反應(yīng)管210內(nèi)的燃燒部220與氧化膜生成部230，由各加熱器213加熱至約570℃。
在p-Si膜13的表面形成表面氧化膜13a之后，打開(kāi)反應(yīng)管210的氣閥215及耐壓容器201的氣閥207，將高壓水蒸汽排出至外部，并打開(kāi)耐壓容器蓋202及反應(yīng)管蓋211，以取出絕緣性基板10。如此一來(lái)，形成于絕緣性基板10上的表面氧化膜13a，如上述制造步驟所示，通過(guò)以HF蝕刻去除而作成表面平坦的p-Si膜13。
在此，作為主動(dòng)層的p-Si膜的突起，一旦突出穿過(guò)在其上形成的絕緣膜，則非但無(wú)法獲得絕緣性，且將與其絕緣膜上的導(dǎo)電層產(chǎn)生短路，故不希望其突起過(guò)高。
圖4是表示經(jīng)高壓氧化的p-Si膜的突起部附近的擴(kuò)大剖面圖。在該圖中，t0為形成于絕緣性基板10的氧化前的p-Si膜13的膜厚，t1為p-Si膜13與氧化膜13a的膜厚，t2為表面氧化膜13a的突起部的厚度(高度)，t3為氧化膜去除后的p-Si膜13的突起部的厚度(高度)，t4為p-Si膜的突起部的膜厚(高度)，t5為形成于p-Si膜表面的氧化膜的厚度。另外，圖中虛線表示氧化前的p-Si膜。在本實(shí)施例中，t0＝55nm、t1＝70nm、t2＝30nm、t3＝10nm、t4＝30nm、t5＝30nm。
如該圖所示，與p-Si膜形成時(shí)的突起的高度t4相比較，將表面高壓氧化形成表面氧化膜并去除其表面氧化膜后的p-Si膜的凹凸101的厚度(高度)t3，將變?yōu)闃O小。
就表面氧化膜去除后的p-Si膜的突起部的殘余的厚度來(lái)說(shuō)，以約略保持形成于上層的絕緣膜的絕緣性程度的厚度約25nm以下為最理想。
如上所示，以高壓氧化法將p-Si膜的表面所產(chǎn)生的突起形成表面氧化膜，并將其去除的方式，而使p-Si膜的表面平坦，由此，可使p-Si膜13與柵極電極15之間獲得充分的絕緣。另外，在突起部100的高度較柵極絕緣膜14的厚度更大時(shí)，也以去除所產(chǎn)生的表面氧化膜13a而進(jìn)行平坦化的方式，而不會(huì)發(fā)生p-Si膜13與柵極電極15短路的情況。
另外，也不會(huì)發(fā)生因施加于突起100的電壓、而使電場(chǎng)集中的情況。
而且，也不會(huì)發(fā)生對(duì)于施加于柵極電極15的電壓的p-Si膜13所施加的電壓，在絕緣性基板內(nèi)產(chǎn)生變異，其結(jié)果使得特性不一致的TFT形成。然后，在將其TFT采用于液晶顯示裝置等的顯示裝置時(shí)，也不會(huì)有在顯示畫面內(nèi)產(chǎn)生變異的情況發(fā)生。
而且，由于采用高壓氧化時(shí)的加熱溫度，較形成p-Si膜的絕緣性基板(例如玻璃基板)的耐熱溫度600℃程度為低，故無(wú)須采用高溫耐熱的基板(例如石英基板)。即，包含其它步驟在內(nèi)大約以在600℃以下的處理溫度，即可形成半導(dǎo)體裝置。
另外，在上述實(shí)施例中，雖針對(duì)將本發(fā)明應(yīng)用于柵極電極在多晶半導(dǎo)體膜的上側(cè)的所謂頂柵極型TFT的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明不局限于此，也可應(yīng)用于柵極電極在多晶半導(dǎo)體膜的下側(cè)的所謂底柵極型TFT等，可以達(dá)到本發(fā)明的效果。
根據(jù)本發(fā)明，由于可采用高壓氧化法，有效地去除p-Si膜的表面產(chǎn)生的突起，而使表面平坦，故可獲得良好特性的半導(dǎo)體裝置。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體膜，其特征在于通過(guò)將表面具有凹凸的半導(dǎo)體膜氧化，并將該表面氧化膜去除，而將所述半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行平坦化。
2.一種半導(dǎo)體膜，其特征在于通過(guò)對(duì)基板上的非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜照射激光，使多結(jié)晶化的多晶半導(dǎo)體膜的表面氧化，并去除因該氧化而形成的表面氧化膜，而將所述半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行平坦化。
3.一種半導(dǎo)體膜，其特征在于通過(guò)對(duì)基板上的非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜照射激光，使多結(jié)晶化的多晶半導(dǎo)體膜的表面以高壓氧化環(huán)境氧化，并去除因該氧化所形成的表面氧化膜，而將所述半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行平坦化。
4.一種半導(dǎo)體膜的形成方法，其特征在于包括將表面具有凹凸的半導(dǎo)體膜的表面氧化、而形成表面氧化膜的步驟；以及去除該表面氧化膜、而使所述半導(dǎo)體膜的表面的凹凸減少的步驟。
5.一種半導(dǎo)體膜的形成方法，其特征在于包括在基板上形成非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜的步驟；對(duì)該非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜照射激光、而將非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜重整成多晶半導(dǎo)體膜的步驟；在高壓環(huán)境中將該多晶半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行氧化的步驟；以及將該經(jīng)氧化的氧化多晶半導(dǎo)體膜去除的步驟。
6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括在基板上形成非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜的步驟；對(duì)該非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜照射激光、而將非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜重整成多晶半導(dǎo)體膜的步驟；在高壓氧化環(huán)境中將該多晶半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行氧化的步驟；將該經(jīng)氧化的氧化多晶半導(dǎo)體膜去除、而露出所述多晶半導(dǎo)體膜的步驟；在該多晶半導(dǎo)體膜形成源極及漏極之后、形成覆蓋該多晶半導(dǎo)體膜的絕緣膜的步驟；以及在該絕緣膜上形成柵極電極的步驟。
7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括在基板上形成柵極電極的步驟；形成覆蓋該柵極電極的柵極絕緣膜的步驟；在所述柵極電極的上方、形成非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜的步驟；對(duì)該非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜照射激光、而將非晶直半導(dǎo)體膜重整成多晶半導(dǎo)體膜的步驟；在高壓氧化環(huán)境中、將該多晶半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行氧化的步驟；將該經(jīng)氧化的氧化多晶半導(dǎo)體膜去除、而露出所述多晶半導(dǎo)體膜的步驟；以及在該多晶半導(dǎo)體膜上形成源極和漏極的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，對(duì)形成于絕緣性基板(10)上的a－Si膜(12)照射激光(14)而成為p－Si膜(13)，而且將該p－Si膜(13)進(jìn)行高壓氧化而形成表面氧化膜(13a)。然后，通過(guò)去除該表面氧化膜(13a)，而將p－Si膜(13)表面所產(chǎn)生的突起部(100)的高度降低，可以使p－Si膜(13)的表面平坦。由此，可去除在半導(dǎo)體膜產(chǎn)生的突起而獲得使該表面平坦的半導(dǎo)體膜，同時(shí)使用該半導(dǎo)體膜而提供具有良好特性的半導(dǎo)體裝置。
文檔編號(hào)H01L21/336GK1395287SQ0212516
公開(kāi)日2003年2月5日 申請(qǐng)日期2002年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月29日
發(fā)明者森本佳宏 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社