專利名稱：修正凸塊輪廓的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種修正凸塊輪廓的方法，且特別是有關(guān)于一種利用等離子體化學氣相沉積法以于凸塊的側(cè)壁形成高分子材料層，借此以修正凸塊輪廓的方法。


圖1所示，其繪示為一種具有非垂直側(cè)壁的凸塊剖面示意圖；圖2所示，其繪示為另一種具有非垂直側(cè)壁的凸塊剖面示意圖。
請參照圖1，圖中所示為在一基底100上的一凸塊102，其側(cè)壁與基底100表面之間具有一銳角夾角。另外，圖2中的基底100上的凸塊104，其側(cè)壁與基底100表面之間具有一鈍角夾角。換言之，凸塊102、104的側(cè)壁都不與基底100的表面垂直。
倘若凸塊102、104為一圖案化的光阻層，后續(xù)在以此凸塊102、104作為一蝕刻罩幕而進行一蝕刻制作工藝時，將可能因光阻層側(cè)壁厚度的不足以及不均勻之故，而使其于此蝕刻制作工藝中無法抵抗蝕刻反應的侵蝕。進而造成蝕刻制作工藝失敗。
另外，特別值得一提的是，倘若所形成的凸塊102為一圖案化的導電層時，由于凸塊102的頂部較凸塊102的底部寬，因此后續(xù)于此凸塊102上進行沉積制作工藝時，將非常容易于兩相鄰的凸塊102之間形成一孔隙(Void)。而此孔隙恐會對器件造成不良的影響。
本發(fā)明的另一目的是提供一種修正凸塊輪廓的方法，以避免于沉積制作工藝中，會于兩相鄰的凸塊之間形成孔隙。
本發(fā)明提出一種修正凸塊輪廓的方法，此方法首先提供一基底，且基底上已形成有一凸塊，其中此凸塊可以是一圖案化的光阻層或是一圖案化的導電層。接著，進行一兩步驟沉積制作工藝，以在凸塊的側(cè)壁形成一高分子材料層。其中，此高分子材料層由凸塊側(cè)壁的頂部向凸塊側(cè)壁的底部生長。且此高分子材料層以一等離子體增益型化學氣相沉積法(PECVD)所形成。其中，此兩步驟沉積制作工藝的一第一步驟的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例大于1.5。而此兩步驟沉積制作工藝的第一步驟的一偏壓電源小于500W。另外，此兩步驟沉積制作工藝的一第二步驟的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例小于1/2。而此兩步驟沉積制作工藝的第二步驟的一偏壓電源(Bias Power)大于500W。
本發(fā)明提出另一種修正凸塊輪廓的方法，此方法首先提供一基底，且基底上已形成有一凸塊，其中此凸塊可以是一圖案化的光阻層或是一圖案化的導電層。接著，進行一兩步驟沉積制作工藝，以在凸塊的側(cè)壁形成一高分子材料層。其中，此高分子材料層由凸塊側(cè)壁的底部向凸塊側(cè)壁的頂部生長。且此高分子材料層以一等離子體增益型化學氣相沉積法所形成。其中，此兩步驟沉積制作工藝的一第一步驟的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例小于1/2。而此兩步驟沉積制作工藝的第一步驟的一偏壓電源大于500W。另外，此兩步驟沉積制作工藝的一第二步驟的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例大于1.5。而此兩步驟沉積制作工藝的第二步驟的一偏壓電源小于500W。
本發(fā)明又提出一種修正凸塊輪廓的方法，此方法首先提供一基底，且基底上已形成有一凸塊，其中此凸塊的側(cè)壁并未垂直于基底的表面。而此凸塊可以是一圖案化的光阻層或是一圖案化的導電層。接著，進行一等離子體增益型化學氣相沉積制作工藝，以在凸塊的側(cè)壁形成一高分子材料層，進而使形成有高分子材料層的凸塊圖案的側(cè)壁能垂直于基底的表面。其中，當此凸塊的側(cè)壁與基底的表面之間距有一鈍角夾角時，此沉積制作工藝的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例大于1.5。此外，此沉積制作工藝的一偏壓電源小于500W。而當此凸塊的側(cè)壁與基底的表面的間距有一銳角夾角時，此沉積制作工藝的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例小于1/2。此外，此沉積制作工藝的一偏壓電源大于500W。
利用的本發(fā)明的方法將凸塊的輪廓修正之后，可使凸塊的側(cè)壁具有均勻的厚度，以使凸塊于在后續(xù)蝕刻制作工藝中具有足夠的抵抗能力。
利用本發(fā)明的方法可將凸塊的側(cè)壁修正成與基底表面垂直的側(cè)壁，如此后續(xù)于進行沉積制作工藝時，就不會產(chǎn)生有孔隙。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下
請參照圖3與圖4，首先提供一基底200，其中基底200上已形成有一凸塊202。其中凸塊202可以是一圖案化的光阻層或是一圖案化的導電層。
之后，在凸塊202的表面形成一高分子材料層204、206。本發(fā)明可控制于凸塊202表面形成兩種形式的高分子材料層204、206。其中之一的形式如圖3所示，形成于凸塊202側(cè)壁的頂部的高分子材料層204較形成于凸塊202側(cè)壁的底部的高分子材料層204厚。
另外，本發(fā)明的方法還可控制高分子材料層206形成如圖4的形式，意即形成于凸塊202側(cè)壁的底部的高分子材料層206較形成于凸塊202側(cè)壁的頂部的高分子材料層206厚。
其中，形成高分子材料層204、206的方法是以一等離子體增益型化學氣相沉積法而形成的。倘若欲形成第一種形式的高分子材料層204，于等離子體增益型化學氣相沉積法中所使用的一反應氣體為二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例大于1.5。而且，此等離子體增益型化學氣相沉積法中的一偏壓電源例如是小于500W。另外，于等離子體增益型化學氣相沉積法中的一壓力例如是10～50mTorr。且其變壓耦合式等離子體(Transformer Coupled Plasma，TCP)電源例如是500～2000W。于此等離子體增益型化學氣相沉積法中的一選擇性添加氣體例如是氬氣與一氧化碳，其中所添加的氬氣流量例如是50～500sccm，一氧化碳流量例如是50～500sccm。
倘若欲形成第二種形式的高分子材料層206，于等離子體增益型化學氣相沉積法中所使用的一反應氣體為二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例小于1/2。而且，此等離子體增益型化學氣相沉積法中的一偏壓電源例如是大于500W。另外，于等離子體增益型化學氣相沉積法中的一壓力例如是10～50mTorr，且其變壓耦合式等離子體電源例如是500～2000W。于此等離子體增益型化學氣相沉積法中的一選擇性添加氣體例如是氬氣與一氧化碳，其中所添加的氬氣流量例如是50～500sccm，一氧化碳流量例如是50～500sccm。
由于在凸塊表面所形成的高分子材料層的形式，可依據(jù)實際所需的情形而加以控制。因此，本發(fā)明可應用在先前所述的具有非垂直側(cè)壁的凸塊上，借此以修正凸塊的輪廓。其詳細的說明下。
圖5與圖6所示，其繪示為依照本發(fā)明第一實施例的修正凸塊輪廓的方法。
請參照圖5，倘若在基底100上所形成的凸塊102側(cè)壁并未垂直于基底100的表面，而是與基底100的表面具有一銳角夾角，則可利用上述于圖4中的形成高分子材料層206的方法來修補凸塊102的輪廓。由于所形成的高分子材料層206其于凸塊102側(cè)壁的底部的厚度會較厚，因此，經(jīng)過高分子材料層206的修飾之后，便可使具有高分子材料層的凸塊圖案的輪廓修正成具有垂直側(cè)壁的凸塊圖案。
另外，請參照圖6，倘若在基底100上所形成的凸塊104側(cè)壁并未垂直于其基底100的表面，而是與基底100的表面具有一鈍角夾角，則可利用上述于圖3中的形成高分子材料層204的方法來修補凸塊102的輪廓。由于所形成的高分子材料層204其于凸塊102側(cè)壁的頂部的厚度會較厚，因此，經(jīng)過高分子材料層204的修飾之后，便可使具有高分子材料層的凸塊圖案的輪廓修正成具有垂直側(cè)壁的凸塊圖案。第二實施例圖7與圖8所示，其繪示為依照發(fā)明第二實施例的以兩步驟沉積制作工藝于凸塊側(cè)壁形成高分子材料層的剖面示意圖。
請參照圖7與圖8，一基底200上已形成有一凸塊202。其中，凸塊202可以是一圖案化的光阻層或是一圖案化的導電層。
接著，進行一兩步驟沉積制作工藝，以在凸塊202的側(cè)壁形成一高分子材料層208。其中，本發(fā)明可控制高分子材料層208由凸塊202側(cè)壁的頂部向凸塊202側(cè)壁的底部生長。亦可控制高分子材料層208由凸塊202側(cè)壁的底部向凸塊202側(cè)壁的頂部生長。在本實施例中，此高分子材料層208以一等離子體增益型化學氣相沉積法所形成。
其中，倘若欲控制高分子材料層208由凸塊202側(cè)壁的頂部向凸塊202側(cè)壁的底部生長，則此兩步驟沉積制作工藝的一第一步驟的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例大于1.5。而此兩步驟沉積制作工藝的第一步驟的一偏壓電源小于500W。另外，此兩步驟沉積制作工藝的一第二步驟的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例小于1/2。而此兩步驟沉積制作工藝的第二步驟的一偏壓電源大于500W。此外，于等離子體增益型化學氣相沉積法中的一壓力例如是10～50mTorr，且其變壓耦合式等離子體電源例如是500～2000W。于此等離子體增益型化學氣相沉積法中的一選擇性添加氣體例如是氬氣與一氧化碳，其中所添加的氬氣流量例如是50～500sccm，一氧化碳流量例如是50～500sccm。
另外，倘若欲控制高分子材料層208由凸塊202側(cè)壁的底部向凸塊202側(cè)壁的頂部生長，則此兩步驟沉積制作工藝的一第一步驟的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例小于1/2。而此兩步驟沉積制作工藝的第一步驟的一偏壓電源大于500W。另外，此兩步驟沉積制作工藝的一第二步驟的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例大于1.5。而此兩步驟沉積制作工藝的第二步驟的一偏壓電源小于500W。此外，于等離子體增益型化學氣相沉積法中的一壓力例如是10～50mTorr，且其變壓耦合式等離子體電源例如是500～2000W。于此等離子體增益型化學氣相沉積法中的一選擇性添加氣體例如是氬氣與一氧化碳，其中所添加的氬氣流量例如是50～500sccm，一氧化碳流量例如是50～500sccm。
本發(fā)明的修正凸塊輪廓方法，可依照實際凸塊輪廓的情形而調(diào)變等離子體增益型化學氣相沉積制作工藝的參數(shù)，借此以控制所形成的高分子材料層的型態(tài)以及生長的方向，以使凸塊的輪廓能以最適合的方式加以修飾。
綜合以上所述，本發(fā)明具有下列優(yōu)點1、利用的本發(fā)明將凸塊的輪廓修正之后，可使凸塊的側(cè)壁具有均勻的厚度，以使凸塊于在后續(xù)蝕刻制作工藝中具有足夠的抵抗能力。
2、利用本發(fā)明的方法可將凸塊的側(cè)壁修正成與基底表面垂直的側(cè)壁，如此后續(xù)于進行沉積制作工藝時，就不會產(chǎn)生有孔隙。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許之更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求所界定為準。
權(quán)利要求
1.一種修正凸塊輪廓的方法，其特征在于包括提供一基底，該基底上已形成有一凸塊；進行一兩步驟沉積制作工藝，以在該凸塊的側(cè)壁形成一高分子材料層，其中該高分子材料層由該凸塊側(cè)壁的頂部往該凸塊側(cè)壁的底部生長。
2.權(quán)利要求1所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該凸塊包括一圖案化的導電層或一圖案化的光阻層。
3.權(quán)利要求2所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該圖案化的光阻層的底部還包括形成有一底部抗反射層。
4.權(quán)利要求1所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征于其中形成該高分子材料層的方法為一等離子體增益型化學氣相沉積法。
5.權(quán)利要求1所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該兩步驟沉積制作工藝的一第一步驟的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例大于1.5。
6.權(quán)利要求5所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該兩步驟沉積制作工藝的該第一步驟的一偏壓電源小于500W。
7.權(quán)利要求1所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該兩步驟沉積制作工藝的一第二步驟的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例小于1/2。
8.權(quán)利要求7所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該兩步驟沉積制作工藝的該第二步驟的一偏壓電源大于500W。
9.權(quán)利要求1所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該兩步驟沉積制作工藝的一選擇性添加氣體包括氬氣與一氧化碳。
10.權(quán)利要求1所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該兩步驟沉積制作工藝的一壓力為10～50mTorr。
11.權(quán)利要求1所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該兩步驟沉積制作工藝的一變壓耦合式等離子體電源為500～2000W。
12.一種修正凸塊輪廓的方法，其特征在于包括提供一基底，該基底上已形成有一凸塊；進行一兩步驟沉積制作工藝，以在該凸塊的側(cè)壁形成一高分子材料層，其中該高分子材料層由該凸塊側(cè)壁的底部往該凸塊側(cè)壁的頂部生長。
13.權(quán)利要求12所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該凸塊包括一圖案化的導電層或一圖案化的光阻層。
14.權(quán)利要求13所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該圖案化的光阻層的底部還包括形成有一底部抗反射層。
15.權(quán)利要求12所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中形成該高分子材料層的方法為一等離子體增益型化學氣相沉積法。
16.權(quán)利要求12所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該兩步驟沉積制作工藝的一第一步驟的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例小于1/2。
17.權(quán)利要求16所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該兩步驟沉積制作工藝的該第一步驟的一偏壓電源于大500W。
18.權(quán)利要求12所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該兩步驟沉積制作工藝的一第二步驟的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例大于1.5。
19.權(quán)利要求18所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該兩步驟沉積制作工藝的該第二步驟的一偏壓電源小于500W。
20.權(quán)利要求12所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該兩步驟沉積制作工藝的一選擇性添加氣體包括氬氣與一氧化碳。
21.權(quán)利要求12所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該兩步驟沉積制作工藝的一壓力為10～50mTorr。
22.權(quán)利要求12所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該兩步驟沉積制作工藝的一變壓耦合式等離子體電源為500～2000W。
23.一種修正凸塊輪廓的方法，其特征在于包括提供一基底，該基底上已形成有一凸塊，且該凸塊的側(cè)壁并未垂直于該基底的表面；進行一沉積制作工藝，以在該凸塊的側(cè)壁形成一高分子材料層，以使該凸塊的圖案的側(cè)壁能垂直于該基底的表面。
24.權(quán)利要求23所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該凸塊包括一圖案化的導電層或一圖案化的光阻層。
25.權(quán)利要求24所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該圖案化的光阻層的底部還包括形成有一底部抗反射層。
26.權(quán)利要求23所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中形成該高分子材料層的方法為一等離子體增益型化學氣相沉積法。
27.權(quán)利要求23所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中當該凸塊的側(cè)壁與該基底表面的間距有一鈍角夾角時，該沉積制作工藝的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例大于1.5。
28.權(quán)利要求27所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該沉積制作工藝的一偏壓電源小于500W。
29.權(quán)利要求23所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中當該凸塊的側(cè)壁與該基底表面的間距有一銳角夾角時，該沉積制作工藝的一反應氣體包括二氟甲烷(CH2F2)與八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷與八氟丁烯之間的一含量比例小于1/2。
30.權(quán)利要求29所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該沉積制作工藝的一偏壓電源大于500W。
31.權(quán)利要求23所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該沉積制作工藝的一選擇性添加氣體包括氬氣與一氧化碳。
32.權(quán)利要求23所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該沉積制作工藝的一壓力為10～50mTorr。
33.權(quán)利要求23所述的修正凸塊輪廓的方法，其特征在于其中該兩步驟沉積制作工藝的一變壓耦合式等離子體電源為500～2000W。
全文摘要
一種修正凸塊輪廓的方法，此方法首先提供一基底，且基底上已形成有一凸塊。接著，進行一兩步驟沉積制作工藝，以在凸塊的側(cè)壁形成一高分子材料層。其中，本發(fā)明于凸塊側(cè)壁形成高分子材料層的方法，可控制其由凸塊側(cè)壁的頂部向凸塊側(cè)壁的底部生長，也可控制其由凸塊側(cè)壁的底部往凸塊側(cè)壁的頂部生長。
文檔編號H01L21/768GK1466188SQ02140508
公開日2004年1月7日 申請日期2002年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月5日
發(fā)明者賴俊仁 申請人:旺宏電子股份有限公司