專利名稱：主動式有機發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種有機發(fā)光組件，特別是關(guān)于一種主動式有機發(fā)光顯示器(active matrix organic light emitting diode，簡稱AMOLED)及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著高科技的發(fā)展，視訊產(chǎn)品，特別是數(shù)字化的視訊或影像裝置已經(jīng)成為在一般日常生活中所常見的產(chǎn)品。這些數(shù)字化的視訊或影像裝置中，顯示器是一個重要組件，以顯示相關(guān)信息。使用者可由顯示器讀取信息，或進而控制裝置的運作。
為了配合現(xiàn)代生活模式，視訊或影像裝置的體積日漸趨于薄輕。傳統(tǒng)的陰極層射線顯示器，雖然仍有其優(yōu)點，但是其需占用大體積且耗電。因此，配合光電技術(shù)與半導(dǎo)體制造技術(shù)，面板式的顯示器已被發(fā)展出成為目前常見的顯示器產(chǎn)品，例如液晶顯示器或是主動式有機發(fā)光顯示器。
液晶顯示器的技術(shù)已發(fā)展有多年，是以較難有突破。然主動式有機發(fā)光顯示技術(shù)，為新發(fā)展技術(shù)，可與液晶顯示器一起成為顯示器的主流。主動式有機發(fā)光顯示器的最大的特色便是利用薄膜晶體管(thinfilm transistor，簡稱TFT)技術(shù)驅(qū)動有機發(fā)光二極管，且將驅(qū)動IC直接制做在面板上，達到體積輕薄短小及降低成本的需求，可運用在手機、PDA、數(shù)字相機及掌上型游戲機、便攜式DVD播放機及汽車導(dǎo)航器等中小尺寸面板上，將來甚至可運用在大尺寸面板如計算機及平面電視等。
一般主動式有機發(fā)光顯示器的薄膜晶體管所使用的源/漏極金屬與有機發(fā)光組件中的陰極之間僅隔著有機發(fā)光組件的有機發(fā)光層與薄膜晶體管上的護層(passivation layer)，假使源/漏極金屬過于粗糙，譬如是在濺鍍過程中有電弧(arcing)或是鋁金屬加熱后產(chǎn)生小丘狀(hillock)的凸起，則容易在護層沉積或有機發(fā)光層蒸鍍時產(chǎn)生缺陷，進而導(dǎo)致陰極與源/漏極金屬之間短路，而使畫面產(chǎn)生線缺陷或點缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種主動式有機發(fā)光顯示器及其制造方法，以避免發(fā)生源/漏極金屬因為具有小丘狀凸起，而在護層沉積或有機發(fā)光層蒸鍍時產(chǎn)生缺陷，進而導(dǎo)致陰極與源/漏極金屬之間短路，使畫面產(chǎn)生線缺陷或點缺陷凸起的問題發(fā)生。
根據(jù)上述與其它目的，本發(fā)明提出一種主動式有機發(fā)光顯示器，是由含有柵極、柵極絕緣層(gate insulating)、信道層(channel layer)與低粗糙度源/漏極金屬的薄膜晶體管以及含有陽極層(anode layer)、有機發(fā)光層(emitting layer)與陰極層(cathode layer)的有機發(fā)光組件所構(gòu)成，其配置為薄膜晶體管的柵極位于一基底上、信道層則位于柵極上，而柵極絕緣層是位于柵極與信道層間，低粗糙度源/漏極金屬則置于柵極兩側(cè)并覆蓋部分信道層與柵極絕緣層，其中低粗糙度源/漏極金屬的粗糙度需小于公知所采用的源/漏極金屬材質(zhì)，以避免發(fā)生小丘狀突起。另外，在信道層與低粗糙度源/漏極金屬間還包括一歐姆接觸層(ohm contact layer)。而有機發(fā)光組件的陽極層與低粗糙度源/漏極金屬的一端連結(jié)，陰極層則位于基底上，以及有機發(fā)光層位于陽極層與陰極層之間。此外，在薄膜晶體管與有機發(fā)光層之間還有一層護層。
本發(fā)明另外提出一種主動式有機發(fā)光顯示器的制造方法，包括提供一基底，再于基底上形成一柵極。然后，于基底上形成一柵極絕緣層，并覆蓋柵極。隨后，于柵極上形成一信道層，再于柵極兩側(cè)形成一低粗糙度源/漏極金屬，并覆蓋部分信道層。接著，于基底上形成一陽極層，并與低粗糙度源/漏極金屬的一端相連。然后，于基底上形成一護層，以覆蓋低粗糙度源/漏極金屬與信道層。之后，于基底上形成一有機發(fā)光層，再于有機發(fā)光層上形成一陰極層。
本發(fā)明因為選用低粗糙度源/漏極金屬，所以能夠避免源/漏極金屬因為具有小丘狀凸起，而在護層沉積或有機發(fā)光層蒸鍍時產(chǎn)生缺陷，進而導(dǎo)致陰極與源/漏極金屬之間短路，使畫面產(chǎn)生線缺陷或點缺陷凸起的問題發(fā)生。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明。


圖1是依照本發(fā)明的一較佳實施例的主動式有機發(fā)光顯示器的制作工藝步驟圖；圖2是依照本發(fā)明的一較佳實施例的主動式有機發(fā)光顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。
標號說明100提供一基底 102形成一柵極104覆蓋一層?xùn)艠O絕緣層 106形成并定義一信道層108形成并定義一歐姆接觸層110形成一低粗糙度源/漏極金屬112形成一陽極層114形成一護層116形成一有機發(fā)光層118形成一陰極層200基底202歐姆接觸層210薄膜晶體管 212柵極214柵極絕緣層 216信道層218低粗糙度源/漏極金屬 220有機發(fā)光組件222陽極層 224有機發(fā)光層226陰極層 230護層具體實施方式
圖1是依照本發(fā)明的一較佳實施例的主動式有機發(fā)光顯示器(active matrix organic light emitting diode，簡稱AMOLED)的制作工藝步驟圖，請參照圖1，于步驟100中，提供一基底。然后，于步驟102中，形成一柵極，再于步驟104中，覆蓋一層?xùn)艠O絕緣層(gateinsulating)，而這層?xùn)艠O絕緣層不但將柵極覆蓋，同時也將整個基底覆蓋住。
接著，于步驟106中，形成并定義一信道層(channel layer)，其材質(zhì)譬如是非晶硅(amorphous silicon，又稱a-Si)，這層信道層主要是形成于柵極上作為薄膜晶體管(thin film transistor，簡稱TFT)的信道。隨后，于步驟108中，形成并定義一歐姆接觸層(ohm contact layer)，其材質(zhì)譬如是n+非晶硅，歐姆接觸層是形成于信道層上，用以改善信道層與后續(xù)形成的源/漏極之間的接觸。
然后，于步驟110中，形成一低粗糙度源/漏極金屬，其材質(zhì)如鉬(molybdenum，即Mo)，其中低粗糙度源/漏極金屬的粗糙度(roughness)需低于鋁金屬的粗糙度，然而低粗糙度源/漏極金屬的粗糙度應(yīng)根據(jù)應(yīng)用于主動式有機發(fā)光顯示器上的實際情形來決定其數(shù)值大小，譬如3μ×3μ的范圍內(nèi)其粗糙度最好小于400埃。
之后，于步驟112中，形成一陽極層(anode layer)，其材質(zhì)例如是銦錫氧化物(indium tin oxide，簡稱ITO)，而且陽極層是位于柵極旁的柵極絕緣層上。接著，于步驟114中，形成一護層(passivationlayer)，以覆蓋包括信道層與源/漏極的薄膜晶體管，其中護層譬如是氮化層(nitrde layer)。然后，于步驟116中，形成一有機發(fā)光層(emittinglayer)于基底上。隨后，于步驟118中，形成一陰極層(cathode layer)于有機發(fā)光層上。
圖2則是依照本發(fā)明的一較佳實施例的主動式有機發(fā)光顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖，請參照圖2，主動式有機發(fā)光顯示器主要是由一薄膜晶體管210與一有機發(fā)光組件220所構(gòu)成，而本實施例的薄膜晶體管210含有一柵極212、一柵極絕緣層216、一信道層216與一低粗糙度源/漏極金屬218，其配置為柵極212位于一基底200上、信道層216則位于柵極212上，而柵極絕緣層214是位于柵極212與信道層216之間，并覆蓋柵極212與基底200，低粗糙度源/漏極金屬218則是配置于柵極212兩側(cè)，并覆蓋部分信道層216與柵極絕緣層214上。此外，在信道層216與低粗糙度源/漏極金屬218之間還包括一歐姆接觸層202。
請繼續(xù)參照圖2，本實施例的有機發(fā)光組件220含有一陽極層222、一有機發(fā)光層224與一陰極層226，其配置陽極層222與低粗糙度源/漏極金屬218的一端連結(jié)，并覆蓋于基底200上，而陰極層226位于基底200上，以及有機發(fā)光層224位于陽極層222與陰極層226之間。此外，在薄膜晶體管210與有機發(fā)光層224之間還有一層護層230。
如上所述，本發(fā)明的特征通過選用低粗糙度源/漏極金屬，因此可以防止公知在濺鍍過程中有電弧(arcing)或是作為源/漏極的鋁金屬于加熱后產(chǎn)生小丘狀(hillock)的凸起，而在護層沉積或有機發(fā)光層蒸鍍時產(chǎn)生缺陷，進而導(dǎo)致陰極與源/漏極金屬之間短路，而使畫面產(chǎn)生線缺陷或點缺陷的情形發(fā)生。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求書所界定為準。
權(quán)利要求
1.一種主動式有機發(fā)光顯示器，其特征在于包括一薄膜晶體管，含有一柵極、一柵極絕緣層、一信道層與一低粗糙度源/漏極金屬，其中該柵極位于一基底上；該信道層，位于該柵極上；該柵極絕緣層，位于該柵極與該信道層之間，并覆蓋該柵極與該基底；該低粗糙度源/漏極金屬，配置于該柵極兩側(cè)，并覆蓋部分該信道層與該柵極絕緣層上；一有機發(fā)光組件，含有一陽極層、一有機發(fā)光層與一陰極層，其中該陽極層與該低粗糙度源/漏極金屬的一端連結(jié)，并覆蓋于該基底上；該陰極層位于該基底上；該有機發(fā)光層位于該陽極層與該陰極層之間；一護層，位于該薄膜晶體管與該有機發(fā)光層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的主動式有機發(fā)光顯示器，其特征在于該低粗糙度源/漏極金屬的粗糙度低于鋁金屬的粗糙度。
3.如權(quán)利要求1所述的主動式有機發(fā)光顯示器，其特征在于該低粗糙度源/漏極金屬的粗糙度小于400埃。
4.如權(quán)利要求1所述的主動式有機發(fā)光顯示器，其特征在于該護層包括氮化層。
5.如權(quán)利要求1所述的主動式有機發(fā)光顯示器，其特征在于該信道層的材質(zhì)包括非晶硅。
6.如權(quán)利要求1所述的主動式有機發(fā)光顯示器，其特征在于還包括一歐姆接觸層位于該信道層與該低粗糙度源/漏極金屬之間。
7.如權(quán)利要求6所述的主動式有機發(fā)光顯示器，其特征在于該歐姆接觸層的材質(zhì)包括n+非晶硅。
8.一種主動式有機發(fā)光顯示器，其特征在于包括一薄膜晶體管，已形成有一柵極、一柵極絕緣層、一信道層與一低粗糙度源/漏極金屬，其中該低粗糙度源/漏極金屬，配置于該柵極兩側(cè)，并覆蓋部分該信道層與該柵極絕緣層；一有機發(fā)光組件，含有一陽極層、一有機發(fā)光層與一陰極層，其中該陽極層與該低粗糙度源/漏極金屬的一端連結(jié)，并覆蓋于該基底上；一護層，位于該薄膜晶體管與該有機發(fā)光層之間。
9.一種主動式有機發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于包括提供一基底；于該基底上形成一柵極；于該基底上形成一柵極絕緣層，并覆蓋該柵極；于該柵極上形成一信道層；于該柵極兩側(cè)形成一低粗糙度源/漏極金屬，并覆蓋部分該信道層；于該基底上形成一陽極層，并與該低粗糙度源/漏極金屬的一端相連；于該基底上形成一護層，以覆蓋該低粗糙度源/漏極金屬與該信道層；于該基底上形成一有機發(fā)光層；于該有機發(fā)光層上形成一陰極層。
10.如權(quán)利要求9所述的主動式有機發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于該低粗糙度源/漏極金屬的粗糙度低于鋁金屬的粗糙度。
11.如權(quán)利要求9所述的主動式有機發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于該低粗糙度源/漏極金屬的粗糙度小于400埃。
12.如權(quán)利要求9所述的主動式有機發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于該護層包括氮化層。
13.如權(quán)利要求9所述的主動式有機發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于該信道層的材質(zhì)包括非晶硅。
14.如權(quán)利要求9所述的主動式有機發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于形成該低粗糙度源/漏極金屬之前，還包括形成一歐姆接觸層于該信道層上。
15.如權(quán)利要求14所述的主動式有機發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于該歐姆接觸層的材質(zhì)包括n+非晶硅。
16.一種主動式有機發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于包括提供一基底；于該基底上形成一柵極、一柵極絕緣層及一信道層；于該柵極兩側(cè)形成一低粗糙度源/漏極金屬，并覆蓋部分該信道層；于該基底上形成一陽極層，并與該低粗糙度源/漏極金屬的一端相連；于該基底上形成一護層，以覆蓋該低粗糙度源/漏極金屬與該信道層；于該基底上形成一有機發(fā)光層；于該有機發(fā)光層上形成一陰極層。
全文摘要
一種主動式有機發(fā)光顯示器及其制造方法，是由含有柵極、柵極絕緣層、信道層與低粗糙度源/漏極金屬的薄膜晶體管與含有陽極層、有機發(fā)光層與陰極層的有機發(fā)光組件所構(gòu)成，其配置柵極位于一基底上、信道層則位于柵極上，而柵極絕緣層是位于柵極與信道層間，低粗糙度源/漏極金屬則置于柵極兩側(cè)并覆蓋部分信道層與柵極絕緣層。在信道層與低粗糙度源/漏極金屬間還包括一歐姆接觸層。另外，陽極層與低粗糙度源/漏極金屬的一端連結(jié)，陰極層位于基底上，以及有機發(fā)光層位于陽極層與陰極層之間。此外，在薄膜晶體管與有機發(fā)光層之間還有一護層。
文檔編號H01L27/15GK1499643SQ02149298
公開日2004年5月26日 申請日期2002年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月11日
發(fā)明者李信宏, 蕭調(diào)宏 申請人:友達光電股份有限公司