專利名稱：編碼布植工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種編碼布植工藝(Code Implantation)，且特別是有關(guān)于一種罩幕式只讀存儲(chǔ)器的自行對(duì)準(zhǔn)(Self-alignment)的編碼布植工藝。
背景技術(shù)：
一般罩幕式只讀存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)包括數(shù)條位線(Bit Line，BL)以及橫跨于位線上的數(shù)條多晶硅字符線(Word Line，WL)。而位于字符線下方以及兩相鄰位線之間的區(qū)域則是存儲(chǔ)單元的通道區(qū)。對(duì)某些罩幕式只讀存儲(chǔ)器而言，其程序化的方法是利用于通道中植入離子與否，來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)“0”或“1”。而此種將離子植入于特定的通道區(qū)域的工藝又稱為編碼布植工藝。
通常罩幕式只讀存儲(chǔ)器的編碼布植工藝，是首先利用一光罩將形成于基底上的光阻層圖案化，而暴露欲編碼的通道區(qū)。接著，再以此圖案化的光阻層為罩幕進(jìn)行一離子植入工藝，以將離子植入于預(yù)定編碼的通道域中。然而，罩幕式只讀存儲(chǔ)器的編碼布植工藝中用來作為編碼罩幕的光罩，通常會(huì)因電路設(shè)計(jì)的需求而在同一光罩上形成單一(Isolated)圖案區(qū)與密集(Dense)圖案區(qū)。然而，在進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)移的曝光步驟時(shí)，由于單一圖案區(qū)的曝光的光強(qiáng)度較密集圖案區(qū)的曝光的光強(qiáng)度為強(qiáng)，因此容易使密集圖案區(qū)與單一圖案區(qū)中的曝光圖案因?yàn)楣鈱W(xué)鄰近效應(yīng)(Optical Proximity Effect，OPE)，而使關(guān)鍵尺寸產(chǎn)生偏差。如此，將會(huì)使罩幕式只讀存儲(chǔ)器在進(jìn)行通道離子植入步驟時(shí)，導(dǎo)致離子植入?yún)^(qū)塊的位置發(fā)生對(duì)不準(zhǔn)(Misalignment)的現(xiàn)象，進(jìn)而造成只讀存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元內(nèi)的資料錯(cuò)誤，影響存儲(chǔ)器的操作性能，使產(chǎn)品的可靠性降低。
公知方法中，為了解決罩幕式只讀存儲(chǔ)器的編碼罩幕的密集圖案區(qū)與單一圖案區(qū)的曝光圖案的關(guān)鍵尺寸不一致的問題，大多是利用光學(xué)鄰近校正法(Optical Proximity Correction，OPC)或是相移式光罩(Phase Shift Mask，PSM)技術(shù)等等。其中，光學(xué)鄰近校正法是利用輔助圖案的設(shè)計(jì)以消除鄰近效應(yīng)所造成的關(guān)鍵尺寸偏差現(xiàn)象。然而，此種方式必須設(shè)計(jì)具有特殊圖案的光罩。因此，其除了光罩制作較為費(fèi)時(shí)之外，更提高了制造光罩的困難度與制造成本。此外，在光罩制造完成之后，要進(jìn)行光罩圖案的缺陷改良(Debug)也極為不易。
另外，在目前的微影工藝中，若是使用248nm波長的光源來進(jìn)行曝光工藝，其曝光分辨率的極限僅能達(dá)到形成關(guān)鍵尺寸約為0.18～0.16微米左右的圖案。為了提高曝光分辨率，公知方法中有利用193nm波長的光原來進(jìn)行曝光工藝。然而，此種方式非但曝光機(jī)臺(tái)本身的成本較高，而且與其搭配使用的光阻材料也較為昂貴。
再者，倘若編碼布植工藝中所使用的編碼罩幕有對(duì)準(zhǔn)失誤或是關(guān)鍵尺寸產(chǎn)生偏差的問題時(shí)，將會(huì)使原先預(yù)定植入于通道區(qū)中的偏碼離子擴(kuò)散至埋入式位線中，使得埋入式位線中的離子濃度改變，進(jìn)而影響埋入式位線的電流。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種罩幕式只讀存儲(chǔ)器的編碼布植工藝，在不需光學(xué)鄰近校正法以及相移式光罩技術(shù)的前提下，便能避免公知方法因編碼罩幕層發(fā)生關(guān)鍵尺寸偏差以及對(duì)準(zhǔn)失誤而會(huì)產(chǎn)生的問題。
本發(fā)明的另一目的是提供一種罩幕式只讀存儲(chǔ)器的編碼布植工藝，以避免編碼離子擴(kuò)散至埋入式位線中。
本發(fā)明提出一種罩幕式只讀存儲(chǔ)器的編碼布植工藝，其首先在一基底中形成多條埋入式位線，接著在基底的表面形成一柵氧化層。之后，在柵氧化層上依序形成一多晶硅層與一材料層。之后，以垂直于埋入式位線的方向圖案化多晶硅層與材料層，以形成多條字符線與位于字符線頂部的一頂蓋層。之后，在基底的上方形成一介電層，覆蓋頂蓋層。其中介電層與頂蓋層之間具有一蝕刻選擇比。繼之，利用一回蝕刻工藝或一化學(xué)機(jī)械研磨工藝移除部分介電層，直到頂蓋層暴露出來。之后，在介電層與頂蓋層上形成具有一線/間距圖案的一光阻層，其中線/間距圖案所延伸的方向與頂蓋層所延伸的方向不相同。在本發(fā)明中，光阻層的線/間距圖案所延伸的方向與頂蓋層所延伸的方向垂直。然后，將光阻層所暴露出的頂蓋層移除，以形成一開口，暴露出存儲(chǔ)單元的通道區(qū)上方的字符線。之后，于基底的上方形成一編碼罩幕層。最后以編碼罩幕層、介電層與留下的頂蓋層為一罩幕進(jìn)行一離子植入步驟，以于一預(yù)定編碼通道區(qū)植入一離子。
本發(fā)明提出一種罩幕式只讀存儲(chǔ)器的編碼布植工藝，其首先在一基底中形成多條埋入式位線，接著在基底的表面形成一柵氧化層。之后，在柵氧化層上依序形成一多晶硅層、一蝕刻終止層與一材料層，其中材料層與蝕刻終止層之間具有一蝕刻選擇比，且在此材料層可以使用多晶硅材質(zhì)。之后，以垂直于埋入式位線的方向圖案化多晶硅層、蝕刻終止層與材料層，以形成多條字符線與位于字符線頂部的一頂蓋層，其中在字符線與頂蓋層之間有一終止層。之后，在基底的上方形成一介電層，覆蓋頂蓋層。其中介電層與頂蓋層之間具有一蝕刻選擇比。繼之，利用一回蝕刻工藝或一化學(xué)機(jī)械研磨工藝移除部分介電層，直到頂蓋層暴露出來。之后，在介電層與頂蓋層上形成具有一線/間距圖案的一光阻層，其中線/間距圖案所延伸的方向與頂蓋層所延伸的方向不相同。在本發(fā)明中，光阻層的線/間距圖案所延伸的方向與頂蓋層所延伸的方向垂直。然后，將光阻層所暴露出的頂蓋層移除以形成一開口，暴露出字符線上方的終止層，其中開口對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)單元的通道區(qū)。之后，于在基底的上方形成一編碼罩幕層。最后以編碼罩幕層、介電層與留下的頂蓋層為一罩幕進(jìn)行一離子植入步驟，以于一預(yù)定編碼通道區(qū)植入一離子。
本發(fā)明的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的編碼布植工藝，由于頂蓋層與介電層已先將所有存儲(chǔ)單元的通道區(qū)暴露出來，因此后續(xù)于其上方所形成編碼罩幕層而進(jìn)行離子植入步驟時(shí)，編碼離子便能精準(zhǔn)且自行對(duì)準(zhǔn)的植入于預(yù)定編碼布植的通道區(qū)中。
在公知技術(shù)中，光學(xué)鄰近校正法或相移式光罩技術(shù)是用來解決密集圖案區(qū)與單一圖案區(qū)的關(guān)鍵尺寸產(chǎn)生偏差的問題。然而，本發(fā)明利用頂蓋層與介電層的配合，便可以不需利用耗時(shí)且昂貴的光學(xué)鄰近校正法或相移式光罩技術(shù)。
本發(fā)明的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的編碼布植工藝，其僅需利用248nm的波長的曝光機(jī)臺(tái)，因此可以降低工藝成本。


圖1A至圖1D是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的罩幕式只讀存儲(chǔ)器元件的編碼布植工藝的流程剖面示意圖；圖2是圖1D的俯視圖；圖3是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的于存儲(chǔ)器元件上形成一編碼罩幕層后的俯視圖；以及圖4A至圖4D是依照本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的罩幕式只讀存儲(chǔ)器元件的編碼布植工藝之流程剖面示意圖。
100基底102埋入式位線104柵氧化層106字符線107終止層108頂蓋層
110介電層112光阻層114開口120預(yù)定編碼布植的通道區(qū)300編碼罩幕層302單一圖案區(qū)的開口304密集圖案區(qū)的開口具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例圖1A至圖1D所示，其為依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的罩幕式只讀存儲(chǔ)器元件的編碼布植工藝的流程剖面示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D1A，首先在一基底100中形成多條埋入式位線102。接著，利用一熱氧化法以在基底100的表面上形成一柵氧化層104。繼之，在柵氧化層104上形成多條字符線106以及位于字符線106頂部的頂蓋層108。
其中，形成字符線106與頂蓋層108的方法例如是先在柵氧化層104上全面性的形成一導(dǎo)電層(未繪示)，并且在導(dǎo)電層上形成一材料層(未繪示)，之后以垂直于埋入式位線的方向圖案化導(dǎo)電層與材料層，以形成字符線106與頂蓋層108。值得注意得是，字符線106與頂蓋層108之間具有一蝕刻選擇比。在本實(shí)施例中，字符線106的材質(zhì)例如是多晶硅，而頂蓋層108的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1B，在基底100上方未形成有字符線106與頂蓋層108之處形成一介電層110。其中，形成介電層110的方法例如是先在基底100的上方全面性的形成一介電層(未繪示)，覆蓋頂蓋層108。之后，利用一化學(xué)機(jī)械研磨法或一回蝕刻法移除部分介電層，直到頂蓋層108暴露出來。
特別值得注意的是，介電層110與頂蓋層108之間具有一蝕刻選擇比。在本實(shí)施例中，倘若頂蓋層108的材質(zhì)是使用氧化硅，則介電層110的材質(zhì)可以為氮化硅或氮氧化硅。倘若頂蓋層108的材質(zhì)是使用氮化硅或氮氧化硅，則介電層110的材質(zhì)則為氧化硅。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D1C與圖1D，在介電層110與頂蓋層108上形成具有線/間距圖案的光阻層112。其中，光阻層112的線/間距圖案所延伸的方向與頂蓋層108所延伸的方向不同。在本實(shí)施例中，光阻層112的線/間距圖案所延伸的方向與頂蓋層108所延伸的方向垂直。
繼之，移除未被光阻層112覆蓋的頂蓋層108，而形成開口114(如圖1D所示)，其中開口114暴露出存儲(chǔ)單元的通道區(qū)上方的字符線106。在此，由于頂蓋層108與介電層110之間具有一蝕刻選擇比，因此形成開口114的蝕刻過程中，被暴露出的介電層110并不會(huì)被移除掉。再者，由于字符線106與頂蓋層108之間具有一蝕刻選擇比，因此于形成開口114的蝕刻步驟會(huì)自動(dòng)停止在字符線106上。
圖2所示，其為圖1D的俯視簡圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，開口114暴露出存儲(chǔ)單元的通道區(qū)上方的字符線106，且開口114的周圍是由介電層110與保留下的頂蓋層108a所包圍。
圖3所示，其是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的于存儲(chǔ)器元件上形成一編碼罩幕層后的俯視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3與圖1D，在將光阻層112移除之后，在基底100的上方形成一編碼罩幕層300(如圖3所示)。其中，編碼罩幕層300上具有一單一圖案區(qū)的開口302與一密集圖案區(qū)的開口304。由于光學(xué)鄰近效應(yīng)的緣故，會(huì)使得密集圖案區(qū)的開口304與單一圖案區(qū)的開口302的關(guān)鍵尺寸產(chǎn)生偏差，甚至無法將密集圖案區(qū)的開口304解析出來。
然而，由于本發(fā)明在編碼罩幕層300的底下還有介電層110與頂蓋層108。因此，雖然編碼罩幕層300上的開口302、304有關(guān)鍵尺寸偏差以及無法將密集圖案區(qū)的開口解析出的問題，但在編碼罩幕層300、介電層118與頂蓋層108a三結(jié)構(gòu)的配合之下，可將預(yù)定編碼的通道區(qū)精準(zhǔn)的暴露出來。如此，后續(xù)于進(jìn)行離子植入步驟時(shí)，編碼離子便能精確的植入于預(yù)定編碼的通道區(qū)中。
最后，以編碼罩幕層300、介電層110以及保留下的頂蓋層108a為罩幕進(jìn)行一離子植入步驟，以于一預(yù)定編碼通道區(qū)120植入一離子。
第二實(shí)施例圖4A至圖4D是依照本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的罩幕式只讀存儲(chǔ)器元件的編碼布植工藝的流程剖面示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D4A，首先在一基底100中形成多條埋入式位線102。接著，利用一熱氧化法以在基底100的表面上形成一柵氧化層104。繼之，在柵氧化層104上形成多條字符線106以及位于字符線106頂部的頂蓋層108，而且在字符線106與頂蓋層108之間還包括形成有一終止層107。
其中，形成字符線106、終止層與頂蓋層108的方法例如是先在柵氧化層104上全面性的形成一導(dǎo)電層(未繪示)，在導(dǎo)電層上形成一蝕刻終止層(未繪示)，并且在蝕刻終止層上形成一材料層(未繪示)。之后以垂直于埋入式位線的方向圖案化導(dǎo)電層、蝕刻終止層與材料層，以形成字符線106、終止層107與頂蓋層108。
值得注意得是，終止層107與頂蓋層108之間具有一蝕刻選擇比。在本實(shí)施例中，倘若字符線106的材質(zhì)是使用多晶硅，由于多晶硅字符線106與頂蓋層108之間形成有一終止層107，因此在此頂蓋層108的材質(zhì)可以使用與字符線106相同的多晶硅材質(zhì)。當(dāng)然，頂蓋層108亦可以使用其它與字符線108不相同的材質(zhì)。而終止層107的材質(zhì)例如為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D4B，在基底100上方未形成有字符線106、終止層107與頂蓋層108之處形成一介電層110。其中，形成介電層110的方法例如是先在基底100的上方全面性的形成一介電層(未繪示)，覆蓋頂蓋層108。之后，利用一化學(xué)機(jī)械研磨法或一回蝕刻法移除部分介電層，直到頂蓋層108暴露出來。
特別值得注意的是，介電層110與頂蓋層108之間具有一蝕刻選擇比，且頂蓋層108與終止層107之間亦具有一蝕刻選擇比。在本實(shí)施例中，倘若頂蓋層108的材質(zhì)是使用多晶硅，則介電層110的材質(zhì)可以為氮化硅或氮氧化硅，終止層107的材質(zhì)可以使用氧化硅。倘若頂蓋層108的材質(zhì)是使用多晶硅，而介電層110的材質(zhì)是使用氧化硅，終止層107的材質(zhì)則是使用氮化硅或氮氧化硅。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D4C與圖4D，在介電層110與頂蓋層108上形成具有線/間距圖案的光阻層112。其中，光阻層112的線/間距圖案所延伸的方向是與頂蓋層108所延伸的方向不同。在本實(shí)施例中，光阻層112的線/間距圖案所延伸的方向與頂蓋層108所延伸的方向垂直。
繼之，移除未被光阻層112覆蓋的頂蓋層108，而形成開口114(如第4D圖所示)，其中開口114暴露出字符線106上方的終止層107，且開口114對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)單元的通道區(qū)。在此，由于頂蓋層108與介電層110之間具有一蝕刻選擇比，因此形成開口114的蝕刻過程中，被暴露出的介電層110并不會(huì)被移除掉。而且，由于終止層107與頂蓋層108之間具有一蝕刻選擇比，因此于形成開口114的蝕刻步驟會(huì)自動(dòng)停止在終止層107上。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D3與圖4D，在將光阻層112移除之后，在存儲(chǔ)器元件的上方形成一編碼罩幕層300(如圖3所示)。同樣的，由于光學(xué)鄰近效應(yīng)之故，會(huì)使得編碼罩幕層300上的密集圖案區(qū)的開口304與單一圖案區(qū)的開口302的關(guān)鍵尺寸產(chǎn)生偏差，甚至無法將密集圖案區(qū)的開口304解析出來。
而由于本發(fā)明在編碼罩幕層300的底下還有介電層110與頂蓋層108。因此，雖然編碼罩幕層300上的開口302、304有關(guān)鍵尺寸偏差以及無法將密集圖案區(qū)的開口解析出的問題，但在編碼罩幕層300、介電層110與頂蓋層108a三結(jié)構(gòu)的配合之下，可將預(yù)定編碼的通道區(qū)精準(zhǔn)的暴露出來。如此，后續(xù)于進(jìn)行離子植入步驟時(shí)，編碼離子便能自行對(duì)準(zhǔn)的植入于預(yù)定編碼的通道區(qū)中。
最后，以編碼罩幕層300、介電層110以及保留下的頂蓋層108a為罩幕進(jìn)行一離子植入步驟，以于一預(yù)定編碼通道區(qū)120植入一離子。
綜合以上所述，本發(fā)明具有下列優(yōu)點(diǎn)1.本發(fā)明的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的編碼布植工藝，由于頂蓋層與介電層已先將所有存儲(chǔ)單元的通道區(qū)暴露出來，因此后續(xù)于其上方所形成編碼罩幕層而進(jìn)行離子植入步驟時(shí)，編碼離子便能會(huì)精準(zhǔn)且自行對(duì)準(zhǔn)的植入于預(yù)定編碼布植的通道區(qū)中。
2.在公知技術(shù)中，光學(xué)鄰近校正法或相移式光罩技術(shù)用來解決密集圖案區(qū)與單一圖案區(qū)的關(guān)鍵尺寸產(chǎn)生偏差之問題。然而，本發(fā)明利用頂蓋層與介電層的配合，便可以不需利用耗時(shí)且昂貴的光學(xué)鄰近校正法或相移式光罩技術(shù)。
3.本發(fā)明的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的編碼布植工藝，其僅需利用248nm的波長的曝光機(jī)臺(tái)，因此可以降低工藝成本。
權(quán)利要求
1.一種編碼布植工藝，其特征是，該工藝包括在一基底的表面形成一柵氧化層；在該柵氧化層上形成多條字符線，其中該些字符線頂部的形成有一頂蓋層；在該基底的上方形成一介電層，覆蓋該頂蓋層；移除部分該介電層，直到該頂蓋層暴露出來；在該介電層與該頂蓋層上形成具有一線/間距圖案的一光阻層，其中該線/間距圖案所延伸的方向與該頂蓋層所延伸的方向不相同；移除該光阻層所暴露出的該頂蓋層；以及進(jìn)行一離子植入步驟，以于一預(yù)定編碼通道區(qū)植入一離子。
2.如權(quán)利要求1所述的編碼布植工藝，其特征是，該些字符線與該頂蓋層之間具有一蝕刻選擇比。
3.如權(quán)利要求1所述的編碼布植工藝，其特征是，該頂蓋層與該介電層之間具有一蝕刻選擇比。
4.如權(quán)利要求1所述的編碼布植工藝，其特征是，該些字符線的材質(zhì)包括多晶硅。
5.如權(quán)利要求1所述的編碼布植工藝，其特征是，該頂蓋層的材質(zhì)包括氧化硅，該介電層的材質(zhì)包括氮化硅或氮氧化硅。
6.如權(quán)利要求1所述的編碼布植工藝，其特征是，該頂蓋層的材質(zhì)包括氮化硅或氮氧化硅，該介電層的材質(zhì)包括氧化硅。
7.如權(quán)利要求1所述的編碼布植工藝，其特征是，該線/間距圖案所延伸的方向與該頂蓋層所延伸的方向垂直。
8.如權(quán)利要求1所述的編碼布植工藝，其特征是，移除部分該介電層，直到該頂蓋層暴露出來的方法包括一回蝕刻法或一化學(xué)機(jī)械研磨法。
9.如權(quán)利要求1所述的編碼布植工藝，其特征是，更包括將該光阻層移除，之后在該基底的上方形成一編碼罩幕層，再進(jìn)行該離子植入步驟。
10.如權(quán)利要求1所述的編碼布植工藝，其特征是，形成該些字符線與該頂蓋層的方法包括在該柵氧化層上形成一導(dǎo)電層；在該導(dǎo)電層上形成一材料層；以及圖案化該材料層與該導(dǎo)電層，以形成該些字符線以及位于該些字符線頂部的該頂蓋層。
11.一種編碼布植制程，其特征是，該方法包括在一基底的表面形成一柵氧化層；在該柵氧化層上形成多條字符線以及位于該些字符線頂部的一頂蓋層，其中該些字符線與該頂蓋層之間更形成有一終止層；在該基底的上方形成一介電層，覆蓋該頂蓋層；移除部分該介電層，直到該頂蓋層暴露出來；在該介電層與該頂蓋層上形成具有一線/間距圖案的一光阻層，其中該線/間距圖案所延伸的方向與該頂蓋層所延伸的方向不相同；移除該光阻層所暴露出的該頂蓋層；以及進(jìn)行一離子植入步驟，以于一預(yù)定編碼通道區(qū)植入一離子。
12.如權(quán)利要求11所述的編碼布植工藝，其特征是，該終止層與該頂蓋層之間具有一蝕刻選擇比。
13.如權(quán)利要求11所述的編碼布植工藝，其特征是，該頂蓋層與該介電層之間具有一蝕刻選擇比。
14.如權(quán)利要求11所述的編碼布植工藝，其特征是，該些字符線的材質(zhì)與該頂蓋層的材質(zhì)相同。
15.如權(quán)利要求11所述的編碼布植工藝，其特征是，該些字符線的材質(zhì)與該頂蓋層的材質(zhì)不相同。
16.如權(quán)利要求11所述的編碼布植工藝，其特征是，該些字符線的材質(zhì)包括多晶硅。
17.如權(quán)利要求11所述的編碼布植工藝，其特征是，該頂蓋層的材質(zhì)包括多晶硅，該終止層的材質(zhì)包括氮化硅或氮氧化硅，該介電層的材質(zhì)包括氧化硅。
18.如權(quán)利要求11所述的編碼布植工藝，其特征是，該頂蓋層的材質(zhì)包括多晶硅，該終止層的材質(zhì)包括氧化硅，該介電層的材質(zhì)包括氮化硅或氮氧化硅。
19.如權(quán)利要求11所述的編碼布植工藝，其特征是，該線/間距圖案所延伸的方向與該頂蓋層所延伸的方向垂直。
20.如權(quán)利要求11所述的編碼布植工藝，其特征是，移除部分該介電層，直到該頂蓋層暴露出來的方法包括一回蝕刻法或一化學(xué)機(jī)械研磨法。
21.如權(quán)利要求11所述的編碼布植工藝，其特征是，更包括將該光阻層移除，之后在該基底的上方形成一編碼罩幕層，再進(jìn)行該離子植入步驟。
22.如權(quán)利要求11所述的編碼布植工藝，其特征是，形成該些字符線與該頂蓋層的方法包括在該柵氧化層上形成一導(dǎo)電層；在該導(dǎo)電層上形成一蝕刻終止層；在該蝕刻終止層上形成一材料層；以及圖案化該材料層、該蝕刻終止層與該導(dǎo)電層。
全文摘要
一種編碼布植工藝，其首先在一基底上形成一柵氧化層與多條字符線，其中字符線的頂部的更形成有一頂蓋層。之后，在未形成有字符線與頂蓋層的基底上方形成一介電層。接著，在介電層與頂蓋層上形成具有一線/間距圖案的一光阻層，其中線/間距圖案所延伸的方向與頂蓋層所延伸的方向不相同。繼之，將光阻層所暴露出的頂蓋層移除。之后，進(jìn)行一離子植入步驟，以于一預(yù)定編碼通道區(qū)植入一離子。
文檔編號(hào)H01L21/8246GK1501479SQ0214939
公開日2004年6月2日 申請(qǐng)日期2002年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月12日
發(fā)明者張慶裕 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司