專(zhuān)利名稱(chēng)：陶瓷電容器、導(dǎo)電性組合物及導(dǎo)電糊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
發(fā)明是關(guān)于陶瓷電容器、導(dǎo)電性組合物及導(dǎo)電糊。
背景技術(shù)：
在陶瓷電容器的制造過(guò)程中，在以Ba2O3系材料構(gòu)成的陶瓷電介質(zhì)基體的表面涂布導(dǎo)電糊，然后進(jìn)行烘烤而形成電容電極。
以往，在構(gòu)成電容電極的導(dǎo)電糊中含有鉛玻璃或者鉛化合物等鉛成分，由鉛成分對(duì)環(huán)境產(chǎn)生的惡劣影響受到指責(zé)。因此，要求從導(dǎo)電糊中去除鉛成分。
但是，如果從導(dǎo)電糊中去除鉛成分，會(huì)使導(dǎo)電糊中含有的玻璃的軟化點(diǎn)上升。該玻璃擔(dān)負(fù)使電容電極粘結(jié)在陶瓷電介質(zhì)基體上的機(jī)能，如果玻璃的軟化點(diǎn)上升，在電極膜燒結(jié)時(shí)熔融擴(kuò)散就變得不充分，因此電容電極和陶瓷電介質(zhì)基體之間的密合性降低。該結(jié)果，電容電極對(duì)陶瓷電介質(zhì)基體的粘結(jié)強(qiáng)度發(fā)生降低，而導(dǎo)致陶瓷電容器的可靠性降低。
作為避免這樣的電容電極的粘結(jié)強(qiáng)度降低的手段，在變更導(dǎo)電糊中含有的玻璃組成，使玻璃的軟化點(diǎn)極度降低的場(chǎng)合，在陶瓷電介質(zhì)基體和電容電極之間積存玻璃成分。因此，產(chǎn)生陶瓷電容器的靜電電容降低，或者介電損失增大等問(wèn)題。
如上所述，在構(gòu)成電容電極的導(dǎo)電糊中不含鉛成分的情況下，難以使粘結(jié)強(qiáng)度等可靠性和靜電電容或者介電損失等電容器特性并立。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供在電容電極中不含鉛成分的陶瓷電容器、以及在該電容電極中使用的導(dǎo)電性組合物。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供能夠避免電容電極對(duì)陶瓷電介質(zhì)基體的粘結(jié)強(qiáng)度降低的陶瓷電容器，以及在該電容電極中使用的導(dǎo)電性組合物。
本發(fā)明的又一個(gè)目的是提供能夠避免電容降低和介電損失增大的陶瓷電容器，以及在該電容電極中使用的導(dǎo)電性組合物。
為了達(dá)到上述目的，有關(guān)本發(fā)明的陶瓷電容器，包含陶瓷電介質(zhì)基體和電容電極，其特征在于，上述電容電極附著在上述陶瓷電介質(zhì)基體的外面，含有金屬、玻璃和Ba2O3，不含Pb或者任何Pb化合物，上述金屬包括Cu或者Ag的至少任一種。
在有關(guān)本發(fā)明的陶瓷電容器中，附著在陶瓷電介質(zhì)基體的外面的電容電極不含Pb或者任何Pb化合物。
而且，電容電極包含金屬、玻璃和Ba2O3，金屬包括Cu或者Ag的至少任一種。按照該組成，已證實(shí)在能夠避免電容電極對(duì)陶瓷電介質(zhì)基體的粘結(jié)強(qiáng)度降低的同時(shí)，能夠避免陶瓷電容器的電容降低及介電損失增大。
因此，是電容電極中不含鉛成分的陶瓷電容器，得到能夠避免電容電極對(duì)陶瓷電介質(zhì)基體的粘結(jié)強(qiáng)度降低、而且能夠避免電容降低及介電損失增大的陶瓷電容器。
電容電極的最佳組成，將Ba2O3對(duì)金屬全量的含量規(guī)定為0.1重量％～10.0重量％的范圍。另外，將玻璃對(duì)金屬全量的含量規(guī)定為0.1重量％～5.0重量％的范圍。
進(jìn)而，本發(fā)明還公開(kāi)了用于在陶瓷電介質(zhì)基體上形成電容電極的導(dǎo)電性組合物。該導(dǎo)電性組合物含有金屬、玻璃和Ba2O3，不含Pb或者任何Pb化合物，所述金屬包括Cu或者Ag的至少任一種。
通過(guò)混合上述的導(dǎo)電性組合物、粘合劑和溶劑，調(diào)制導(dǎo)電糊。再通過(guò)在陶瓷電介質(zhì)基體的外面涂布該導(dǎo)電糊，然后進(jìn)行烘烤，在陶瓷電介質(zhì)基體上就形成電容電極，而得到有關(guān)上述本發(fā)明的陶瓷電容器。
附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明參照是實(shí)施方式的附圖更具體地說(shuō)明本發(fā)明的其他目的、構(gòu)成和優(yōu)點(diǎn)。在此，

圖1是表示有關(guān)本發(fā)明的陶瓷電容器的一種實(shí)施方式的平面圖。
圖2是沿圖1的II-II線(xiàn)的放大斷面圖。
圖3是表示Ba2O3的含量和靜電電容的關(guān)系曲線(xiàn)圖。
圖4是表示Ba2O3的含量和介電損失的關(guān)系曲線(xiàn)圖。
圖5是表示Ba2O3的含量和粘結(jié)強(qiáng)度的關(guān)系曲線(xiàn)圖。
圖6是表示玻璃料含量和靜電電容的關(guān)系曲線(xiàn)圖。
圖7是表示玻璃料含量和介電損失的關(guān)系曲線(xiàn)圖。
圖8是表示玻璃料含量和粘結(jié)強(qiáng)度的關(guān)系曲線(xiàn)圖。
圖9是表示圖1和圖2中所示的陶瓷電容器的鉛焊過(guò)程的平面圖。
圖10是表示沿圖9的X-X線(xiàn)的放大端面圖。
最佳實(shí)施方式的說(shuō)明如圖1和圖2所示，有關(guān)本發(fā)明的陶瓷電容器包含陶瓷電介質(zhì)基體1、電容電極21和22。圖示的陶瓷電容器具備2個(gè)電容電極21、22，但電容電極的個(gè)數(shù)是任意的。
陶瓷電介質(zhì)基體1可以以BaTiO3系材料作為主成分構(gòu)成，但也可以以其他材料，例如以SrTiO3作為主成分構(gòu)成。另外，圖示的陶瓷電介質(zhì)基體1是圓板狀，但也可以是其他形狀，例如是方形板狀。陶瓷電介質(zhì)基體1，在厚度方向T看具有彼此相對(duì)的2個(gè)外面11、12。
電容電極21、22附著在陶瓷電介質(zhì)基體1的外面11、12上。更詳細(xì)地說(shuō)，1個(gè)電容電極21附著在陶瓷電介質(zhì)基體1的外面11上，另一個(gè)電容電極22附著在陶瓷電介質(zhì)基體1的外面12上，這2個(gè)電容電極21、22夾持陶瓷電介質(zhì)基體1而彼此相對(duì)。
在本發(fā)明中，附著在陶瓷電介質(zhì)基體1的外面的11、12上的電容電極21、22，不含Pb或者任何Pb化合物地構(gòu)成。
而且，電容電極21、22也含有金屬、玻璃和Ba2O3地構(gòu)成。作為用于構(gòu)成電容電極21、22的金屬，使用Cu或者Ag的至少一種。按照該組成，已證實(shí)在能夠避免電容電極21、22對(duì)陶瓷電介質(zhì)基體1的粘結(jié)強(qiáng)度降低的同時(shí)，能夠避免陶瓷電容器的電容降低及介電損失增大。
因此，是電容電極21、22中不含鉛成分的陶瓷電容器，得到能夠避免電容電極21、22對(duì)陶瓷電介質(zhì)基體1的粘結(jié)強(qiáng)度降低、而且能夠避免電容降低及介電損失增大的陶瓷電容器。
電容電極21、22的最佳組成，將Bi2O3對(duì)金屬全量的含量規(guī)定為0.1重量％～10.0重量％的范圍。另外，將玻璃對(duì)金屬全量的含量規(guī)定為0.1重量％～5.0重量％的范圍。
作為用于構(gòu)成電容電極21、22的玻璃，例如可以使用硼酸玻璃、硼硅酸鋅玻璃、或者這些玻璃的組合。作為硼酸玻璃的具體例子，例如可舉出SrO-B2O3-Al2O3-ZnO系玻璃。另外，作為硼硅酸鋅玻璃的具體例子，可舉出ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3-系玻璃。
可以在陶瓷電介質(zhì)基體1的外面11、12上涂布導(dǎo)電糊，然后進(jìn)行烘烤，而形成上述的電容電極21、22。可以通過(guò)混合導(dǎo)電性組合物、粘合劑和溶劑來(lái)調(diào)制用于此的導(dǎo)電糊。
導(dǎo)電性組合物可以含有金屬、玻璃和Bi2O3，不含Pb或者任何Pb化合物地構(gòu)成。上述金屬包含Cu或者Ag的至少一種地構(gòu)成。
以下，列舉實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，具體地說(shuō)明本發(fā)明的效果。
<實(shí)驗(yàn)1>
首先，混合金屬粉、玻璃料和Bi2O3，調(diào)制成7種導(dǎo)電性組合物。作為金屬粉，都使用Cu粉，作為玻璃料都使用SrO-B2O3-Al2O3-ZnO系玻璃。Bi2O3對(duì)金屬全量的含量規(guī)定為0.1重量％、2.0重量％、3.5重量％、6.0重量％、10.0重量％或者15.0重量％。
再在這7種導(dǎo)電性組合物中，分別混合粘合劑和溶劑調(diào)制成7種導(dǎo)電糊。作為粘合劑，使用有機(jī)粘合劑。
接著，使用這7種導(dǎo)電糊，制成試樣1～7的陶瓷電容器。在制作陶瓷電容器中使用的陶瓷電介質(zhì)基體是以Ba2O3系材料作為主成分、厚度0.5mm的圓板狀的陶瓷電介質(zhì)基體。在該陶瓷電介質(zhì)基體的相對(duì)的2個(gè)外面烘烤導(dǎo)電糊，構(gòu)成2個(gè)電容電極。電容電極的直徑為2.5mm。
接著，對(duì)試樣1～7的陶瓷電容器測(cè)定靜電電容、介電損失及電容電極對(duì)陶瓷電介質(zhì)基體的粘結(jié)強(qiáng)度。實(shí)驗(yàn)結(jié)果示于下述的表1中。
表1

如上所述，Bi2O3對(duì)金屬全量的含量最好達(dá)到0.1重量％以上。圖3表示Bi2O3含量和靜電電容的關(guān)系曲線(xiàn)。如圖所示，如果Bi2O3含量達(dá)到0.1重量％以上，靜電電容就大約集中在一定的范圍(1.11nF～1.16nF)內(nèi)。與此相反，如果Bi2O3含量小于0.1重量％，靜電電容就急劇地減少。即可以看到，在Bi2O3含量＝0.1重量％附近，存在與靜電電容相關(guān)的臨界點(diǎn)。
圖4表示Bi2O3含量和介電損失的關(guān)系曲線(xiàn)。如圖所示，如果Bi2O3含量達(dá)到0.1重量％以上，介電損失就大約集中在一定的范圍(1.59％～1.86％)內(nèi)。與此相反，如果Bi2O3含量小于0.1重量％，介電損失就急劇地增大。即可以看到，在Bi2O3含量＝0.1重量％附近，存在與介電損失相關(guān)的臨界點(diǎn)。
如上所述，Bi2O3對(duì)金屬全量的含量較好達(dá)到10.0重量％以下。圖5表示Bi2O3含量和粘結(jié)強(qiáng)度的關(guān)系曲線(xiàn)。如圖所示，電容電極對(duì)陶瓷電介質(zhì)基體的粘結(jié)強(qiáng)度存在隨Bi2O3含量增加而減少的傾向。在陶瓷電容器中，在確?？煽啃陨?，電容電極的粘結(jié)強(qiáng)度，要求最低限即1.00Kgf程度的值。如果Bi2O3含量達(dá)到10.0重量％以下，就可靠地得到1.00Kgf以上的粘結(jié)強(qiáng)度。
最好，Bi2O3含量達(dá)到2.0重量％以下。參照?qǐng)D5，如果Bi2O3含量達(dá)到2.0重量％以下，粘結(jié)強(qiáng)度顯示大約一定的高值(3.06Kgf～3.24Kgf)。與此相反，如果Bi2O3含量大于2.0重量％，粘結(jié)強(qiáng)度就急劇地減少。即可以看到，在Bi2O3含量＝2.0重量％附近，存在與粘結(jié)強(qiáng)度相關(guān)的臨界點(diǎn)。
接著，對(duì)試樣1～7的陶瓷電容器進(jìn)行電容電極的軟釬料潤(rùn)濕性評(píng)價(jià)(參照表1)。軟釬料潤(rùn)濕性的評(píng)價(jià)，在240℃的鉛錫共晶軟釬料中浸漬2秒，電容電極的全面積中，70％以上的面積被鉛錫共晶軟釬料潤(rùn)濕的場(chǎng)合作為○。僅不到70％的面積被鉛錫共晶軟釬料潤(rùn)濕的場(chǎng)合作為為×。
參照表1，包含在本發(fā)明范圍的試樣2～7的陶瓷電容器，電容電極的軟釬料潤(rùn)濕性都良好。
接著，對(duì)試樣1～7的陶瓷電容器進(jìn)行判定是否合格。在判定是否合格中，滿(mǎn)足下述條件1的場(chǎng)合作為合格，不滿(mǎn)足下述條件1的場(chǎng)合作為不合格。

參照表1，在包含在本發(fā)明范圍的試樣2～7中，使Bi2O3含量達(dá)到0.1重量％～10.0重量％的范圍的試樣2～6判定為合格。對(duì)于范圍以外的試樣號(hào)附加*。
<實(shí)驗(yàn)2>
首先，混合金屬粉、玻璃料和Bi2O3調(diào)制成5種導(dǎo)電性組合物。和先前的實(shí)驗(yàn)相同，作為金屬粉都使用Cu粉，作為玻璃料都使用SrO-B2O3-Al2O3-ZnO系玻璃。玻璃料的含量對(duì)金屬粉的全量規(guī)定為0.0重量％、0.1重量％、2.5重量％、5.0重量％、或者7.5重量％，Bi2O3對(duì)金屬粉的全量都規(guī)定為2.0重量％。
再?gòu)倪@5種導(dǎo)電性組合物調(diào)制成5種導(dǎo)電糊。導(dǎo)電糊的調(diào)制方法，和先前的實(shí)驗(yàn)1相同。
接著，使用這5種導(dǎo)電糊，制成試樣8～12的陶瓷電容器。陶瓷電容器的制作方法，和先前的實(shí)驗(yàn)1相同。
接著，對(duì)試樣8～12的陶瓷電容器測(cè)定靜電電容、介電損失、以及電容電極對(duì)陶瓷電介質(zhì)基體的粘結(jié)強(qiáng)度。實(shí)驗(yàn)結(jié)果示于下述的表2中。
表2

如上所述，玻璃料的含量對(duì)金屬粉的全量最好為5.0重量％以下。圖6是表示玻璃料含量和靜電電容的關(guān)系曲線(xiàn)圖。如圖所示，如果使玻璃料含量達(dá)到5.0重量％以下，靜電電容就集中在大約一定的范圍(1.18nF～1.10nF)內(nèi)。與此相反，如果使玻璃料含量大于5.0重量％，靜電電容就急劇地減少。即可以看到，在玻璃料含量＝5.0重量％的附近，存在與靜電電容相關(guān)的臨界點(diǎn)。
圖7是表示玻璃料含量和介電損失的關(guān)系曲線(xiàn)圖。如圖所示，如果使玻璃料含量達(dá)到5.0重量％以下，介電損失就集中在大約一定的范圍(1.59％～1.72％)內(nèi)。與此相反，如果使玻璃料含量大于5.0重量％，介電損失就急劇地增加。即可以看到，在玻璃料含量＝5.0重量％的附近，存在與介電損失相關(guān)的臨界點(diǎn)。
如上所述，玻璃料的含量對(duì)金屬粉的全量較好達(dá)到0.1重量％以上。圖8是表示玻璃料含量和粘結(jié)強(qiáng)度的關(guān)系曲線(xiàn)圖。如圖所示，粘結(jié)強(qiáng)度存在隨玻璃料含量的增加而增大的傾向。在陶瓷電容器中，在確保可靠性上，電容電極對(duì)陶瓷電介質(zhì)基體的粘結(jié)強(qiáng)度，要求最低限即1.00Kgf程度的值。如果玻璃料含量達(dá)到0.1重量％以上，就可靠地得到1.00Kgf以上的粘結(jié)強(qiáng)度。
最好，使玻璃料含量達(dá)到2.5重量％以上。如果使玻璃料含量達(dá)到2.5重量％以上，就得到3.06Kgf以上的高粘結(jié)強(qiáng)度。
接著，對(duì)試樣8～12的陶瓷電容器進(jìn)行評(píng)價(jià)電容電極的軟釬料潤(rùn)濕性(參照表2)。軟釬料潤(rùn)濕性的評(píng)價(jià)和先前的實(shí)驗(yàn)1相同。
參照表2，包含在本發(fā)明范圍的試樣9～12的陶瓷電容器，電容電極的軟釬料潤(rùn)濕性都良好。
接著，對(duì)試樣8～12的陶瓷電容器判定是否合格。判定是否合格的方法和先前的實(shí)驗(yàn)1相同。
參照表2，在包含在本發(fā)明范圍的試樣9～12中，玻璃的含量達(dá)到0.1重量％～5.0重量％范圍的試樣9～11，判定為合格。對(duì)于范圍以外的試樣號(hào)加*。
<實(shí)驗(yàn)3>
首先，混合金屬粉、玻璃料和Bi2O3，調(diào)制成2種導(dǎo)電性組合物。作為金屬粉，使用Cu粉末或者Ag粉。作為玻璃料都使用SrO-B2O3-Al2O3-ZnO系玻璃。玻璃料的含量對(duì)金屬粉的全量都規(guī)定為2.5重量％，Bi2O3的含量對(duì)金屬粉的全量都規(guī)定為2.0重量％。
再?gòu)倪@2種導(dǎo)電性組合物調(diào)制成2種導(dǎo)電糊。導(dǎo)電糊的調(diào)制方法和先前的實(shí)驗(yàn)1相同。
接著，使用這2種導(dǎo)電糊，制成試樣13、14的陶瓷電容器。陶瓷電容器的制作方法和先前的實(shí)驗(yàn)1相同。
接著，對(duì)試樣13、14的陶瓷電容器測(cè)定靜電電容、介電損失、電容電極對(duì)陶瓷電介質(zhì)基體的粘結(jié)強(qiáng)度以及電容電極的軟釬料潤(rùn)濕性。再進(jìn)行判定是否合格。這些測(cè)定和判定是否合格的方法和先前的實(shí)驗(yàn)1相同。實(shí)驗(yàn)結(jié)果示于下述的表3中。
表3

在表3中，如使用Cu粉的試樣13和使用Ag粉的試樣14進(jìn)行比較可知，即使使用Ag粉的試樣14，也和使用Cu粉的試樣13得到相同的結(jié)果。
因此推測(cè)，即使在使用Cu粉和Ag粉的混合物的場(chǎng)合，與僅使用Cu粉的試樣13和僅使用Ag粉的試樣14得到同樣的結(jié)果。
圖9是表示圖1和圖2所示的陶瓷電容器的釬焊過(guò)程的平面圖，圖10是沿圖9的X-X線(xiàn)的放大端面圖。如上所述，電容電極21、22的軟釬料潤(rùn)濕性良好，如圖9和圖10所示，引線(xiàn)導(dǎo)體31、32能夠容易地釬焊在電容電極21、22上。更詳細(xì)地說(shuō)，利用軟釬料41將引線(xiàn)導(dǎo)體31釬焊在電容電極21的表面，利用軟釬料42將引線(xiàn)導(dǎo)體32釬焊在電容電極21的表面。作為軟釬料41、42，例如使用鉛錫共晶軟釬料。
有關(guān)本發(fā)明的陶瓷電容器與電感器、電阻或者晶體管等其他的電路元件組合，結(jié)構(gòu)上可以形成一體化。作為具體例子，可舉出電容器與電感器組合的LC(電感電容)濾波器。
如上所述，按照本發(fā)明，能夠得到如下的效果。
(a)能夠提供在電容電極中不含鉛成分的陶瓷電容器以及在其中使用的導(dǎo)電性組合物。
(b)能夠提供能避免電容電極對(duì)陶瓷電介質(zhì)基體的粘結(jié)強(qiáng)度降低的陶瓷電容器以及在其中使用的導(dǎo)電性組合物。
(c)能夠提供能避免電容降低和介電損失增大的陶瓷電容器以及在其中使用的導(dǎo)電性組合物。
權(quán)利要求
1.陶瓷電容器，它是包含陶瓷電介質(zhì)基體、電容電極的陶瓷電容器，上述電容電極附著在上述陶瓷電介質(zhì)基體的外側(cè)，含有金屬、玻璃和Bi2O3，不含Pb或者任何Pb化合物，上述金屬包括Cu或者Ag的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容器，其中，上述陶瓷電介質(zhì)基體含有Ba2O3系材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的任一項(xiàng)所述的陶瓷電容器，其中，上述電容電極中，上述Bi2O3的含量對(duì)上述金屬的全量在0.1重量％～10.0重量％的范圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷電容器，其中，上述電容電極中，上述玻璃的含量對(duì)上述金屬的全量在0.1重量％～5.0重量％的范圍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2的任一項(xiàng)所述的陶瓷電容器，其中，上述玻璃包括硼酸玻璃或者硼硅酸鋅玻璃的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷電容器，其中，上述玻璃包括SrO-B2O3-Al2O3-ZnO系玻璃或者ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3系玻璃的至少一種。
7.導(dǎo)電性組合物，它是用于在陶瓷電介質(zhì)基體上形成電容電極的導(dǎo)電性組合物，含有金屬、玻璃和Bi2O3，不含Pb或者任何Pb化合物，上述金屬包括Cu或者Ag的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電性組合物，其中，上述Bi2O3的含量對(duì)上述金屬的全量在0.1重量％～10.0重量％的范圍。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電性組合物，其中，上述玻璃的含量對(duì)上述金屬的全量在0.1重量％～5.0重量％的范圍。
10.根據(jù)權(quán)利要求7～9中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性組合物，其中，上述玻璃包括硼酸玻璃或者硼硅酸鋅玻璃的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求7～9中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性組合物，其中，上述玻璃包括SrO-B2O3-Al2O3-ZnO系玻璃或者ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3系玻璃的至少一種。
12.導(dǎo)電糊，它是用于在陶瓷電介質(zhì)基體上形成電容電極的導(dǎo)電糊，含有導(dǎo)電性組合物、粘合劑和溶劑，上述導(dǎo)電性組合物是權(quán)利要求7～9中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性組合物，上述導(dǎo)電性組合物與粘合劑和溶劑相互混合。
13.導(dǎo)電糊，它是用于在陶瓷電介質(zhì)基體上形成電容電極的導(dǎo)電糊，含有導(dǎo)電性組合物、粘合劑和溶劑，上述導(dǎo)電性組合物是權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電性組合物，上述導(dǎo)電性組合物與粘合劑和溶劑相互混合。
14.導(dǎo)電糊，它是用于在陶瓷電介質(zhì)基體上形成電容電極的導(dǎo)電糊，含有導(dǎo)電性組合物、粘合劑和溶劑，上述導(dǎo)電性組合物是權(quán)利要求11所述的導(dǎo)電性組合物，上述導(dǎo)電性組合物與粘合劑和溶劑相互混合。
全文摘要
電容電極21、22，附著在陶瓷電介質(zhì)基體1的外面11、12，含有金屬、玻璃和Bi
文檔編號(hào)H01B1/14GK1419254SQ0214952
公開(kāi)日2003年5月21日 申請(qǐng)日期2002年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月13日
發(fā)明者三浦秀一, 丸野哲司, 工藤邦一, 安保美幸 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社