專利名稱：芯片頻率調(diào)整的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種頻率調(diào)整的方法，尤其是指一種芯片頻率調(diào)整的方法。
背景技術(shù)：
目前在電子領(lǐng)域中，大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路的應(yīng)用日益普遍，各種集成電路的重要性能參數(shù)之一是工作頻率。工作頻率規(guī)定了芯片工作時(shí)的運(yùn)算速度，在芯片功能相同的情況下，芯片頻率越高，運(yùn)算能力就越強(qiáng)，以計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的CPU為例，同樣是奔騰4系列的CPU，有1.8GHz的，有2.0GHz的，他們的內(nèi)部功能結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝是完全一致的，是由同一片晶圓上切割下來的，所不同的只是它們能夠穩(wěn)定工作的頻率。由于晶圓制作過程中晶體內(nèi)部的微小差異，以及半導(dǎo)體制程工藝中的不確定因素，導(dǎo)致來自同一晶圓上的不同芯片能夠穩(wěn)定工作的頻率是不同的。
由于存在這樣的技術(shù)特點(diǎn)，目前電子領(lǐng)域業(yè)界通用的處理方法是將芯片切割后進(jìn)行測(cè)試，，確定芯片能夠長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作的最大頻率，比較最大工作頻率，預(yù)留出10％-20％的余量保護(hù)，作為該芯片的最終頻率。同樣以CPU為例，在完成芯片切割后，通過專用頻率測(cè)試設(shè)備，對(duì)芯片能夠穩(wěn)定工作的最大頻率進(jìn)行確定，如為2GHz，在預(yù)留10％的上限保護(hù)后，按照1.8GHz作為產(chǎn)品的出廠設(shè)定。
芯片工作頻率在決定芯片運(yùn)算速度的同時(shí)，對(duì)芯片的使用壽命也有很大的影響，因?yàn)橥瑯拥墓ぷ麟妷合?，不同?fù)荷的任務(wù)量需要的工作電流是不同的，產(chǎn)生的發(fā)熱量也就不同，如果芯片總是滿負(fù)荷工作就會(huì)需要較高的輸入電流，整體發(fā)熱量就會(huì)提高，大大縮短了芯片的使用壽命。
而在實(shí)際的使用當(dāng)中，只有很少一部分應(yīng)用需要芯片按照100％處理能力去工作，以CPU為例，大多數(shù)時(shí)間里各種應(yīng)用只用到CPU50％-70％的處理能力，只有很少的應(yīng)用是需要CPU長(zhǎng)時(shí)間滿負(fù)荷工作的。這樣就造成了如下缺點(diǎn)一方面CPU在本來不需要提供很高處理能力的時(shí)候仍按照較高的頻率工作，浪費(fèi)了資源，縮短了芯片的使用壽命；另一方面，在需要最大處理能力的時(shí)候，又因?yàn)槌鰪S設(shè)置中預(yù)留的保護(hù)設(shè)置限制了芯片沒能發(fā)揮最大的處理能力，同樣造成了浪費(fèi)。
又以顯示卡為例來說，在實(shí)際的應(yīng)用當(dāng)中，作為普通商用用戶和家用用戶，有70％以上的應(yīng)用需要的圖形處理能力都僅是簡(jiǎn)單的2D運(yùn)算及很少一部分3D運(yùn)算，以Nvidia公司的geforce2系列MX400的處理能力而言，只用到了不足40％。而對(duì)于少數(shù)的專業(yè)圖形用戶或3D游戲用戶，系統(tǒng)中配置的顯示卡又沒有作到“物盡其用”。
這就像是一個(gè)最大功率150W的燈泡，廠家為了保險(xiǎn)起見，設(shè)置成了100W，家里平時(shí)使用只需要50W就足夠了，由于無(wú)法調(diào)節(jié)，只能白白浪費(fèi)了許多電能；而有時(shí)又需要130W，雖然燈泡本身可以按照130W工作，但因?yàn)槌鰪S設(shè)置的限制，沒能發(fā)揮它最大的作用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，提供芯片頻率調(diào)整的方法，能夠當(dāng)需要處理任務(wù)量較小的工作時(shí)候，芯片按照降低的頻率工作，延長(zhǎng)芯片壽命、節(jié)約能源。
本發(fā)明的次要目的在于，提供芯片頻率調(diào)整的方法，能夠當(dāng)需要處理任務(wù)量較大的工作時(shí)候，芯片按照較高的頻率工作，充分發(fā)揮芯片的處理能力。
為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供的芯片頻率調(diào)整的方法，基本出發(fā)點(diǎn)是希望能夠根據(jù)所需要處理的任務(wù)量，動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)芯片的工作頻率，達(dá)到充分發(fā)揮芯片處理能力和有效提高芯片使用壽命的目的，另外，在提高處理能力的控制上采取芯片溫度上限保護(hù)，不能無(wú)限制的提高芯片頻率。
一種芯片頻率調(diào)整的方法，它包括如下步驟第一步驟設(shè)定芯片額定任務(wù)量，設(shè)定芯片安全溫度；第二步驟一固定間隔時(shí)間后測(cè)量芯片溫度，如果芯片溫度不高于芯片安全溫度，則進(jìn)入第三步驟；否則，進(jìn)入第六步驟；
第三步驟監(jiān)測(cè)芯片的實(shí)際任務(wù)量；第四步驟比較實(shí)際任務(wù)量和芯片額定工作量，選擇對(duì)應(yīng)實(shí)際工作量的合適的頻率P1；第五步驟修改已調(diào)入內(nèi)存部分的芯片BIOS信息，調(diào)整芯片工作頻率為P1，并返回第二步驟。
第六步驟將芯片實(shí)際工作頻率保持在一固定頻率值，保持一定時(shí)間間隔后再次測(cè)量芯片溫度，如果芯片溫度仍高于安全溫度，則循環(huán)本步驟；否則，進(jìn)入第三步驟。
另一種芯片頻率調(diào)整的方法，它包括如下步驟第一步驟設(shè)定芯片額定任務(wù)量，設(shè)定芯片安全溫度；第二步驟一固定間隔時(shí)間后測(cè)量芯片溫度，如果芯片溫度不高于芯片安全溫度，則進(jìn)入第三步驟；否則，進(jìn)入第六步驟；第三步驟監(jiān)測(cè)芯片的實(shí)際任務(wù)量；第四步驟比較實(shí)際任務(wù)量和芯片額定工作量，選擇對(duì)應(yīng)實(shí)際工作量的合適的頻率P1；第五步驟修改已調(diào)入內(nèi)存部分的芯片BIOS信息，調(diào)整芯片工作頻率為P1，并返回第二步驟。
第六步驟將芯片實(shí)際工作頻率保持在一固定頻率值，保持一定時(shí)間間隔后進(jìn)入第二步驟。
再一種芯片頻率調(diào)整的方法，它包括如下步驟第一步驟設(shè)定芯片額定任務(wù)量，設(shè)定芯片安全溫度；第二步驟一固定間隔時(shí)間后測(cè)量芯片溫度和監(jiān)測(cè)芯片的實(shí)際任務(wù)量；第三步驟如果芯片溫度高于芯片安全溫度，并且芯片的實(shí)際任務(wù)量大于額定任務(wù)量時(shí)，則返回第二步驟；否則，進(jìn)入第四步驟；第四步驟比較實(shí)際任務(wù)量和芯片額定工作量，選擇對(duì)應(yīng)實(shí)際工作量的合適的頻率P1；第五步驟修改已調(diào)入內(nèi)存部分的芯片BIOS信息，調(diào)整芯片工作頻率為P1，并返回第二步驟。
所述的芯片頻率調(diào)整的方法，其中上述方法中第二步驟中的固定間隔時(shí)間根據(jù)不同的芯片可以設(shè)計(jì)為100秒，也可以設(shè)計(jì)為0.1秒；第六步驟中的一定時(shí)間間隔可以設(shè)計(jì)為30分鐘，也可以設(shè)計(jì)為0.1秒；第六步驟中的固定頻率值可以設(shè)計(jì)為額定頻率的80％，也可以設(shè)計(jì)為額定頻率的90％。上述時(shí)間間隔和固定頻率的設(shè)定，根據(jù)不同的芯片實(shí)際工作中任務(wù)量變化的情況和芯片自身的特點(diǎn)，可以靈活設(shè)定。
上述三種芯片頻率調(diào)整的方法，其中選擇對(duì)應(yīng)實(shí)際工作量的合適的頻率P1的步驟如下a、如果T1小于T0*0.8，則進(jìn)入步驟d，否則進(jìn)入步驟b；b、如果T1小于T0，則不調(diào)整芯片頻率，結(jié)束流程，否則進(jìn)入步驟c；c、如果T1小于T0*1.1，則調(diào)整芯片頻率為額定頻率的105％，結(jié)束流程，否則調(diào)整芯片頻率為額定頻率的110％，結(jié)束流程；d、如果T1小于T0％*0.6，則進(jìn)入步驟e，否則調(diào)整芯片頻率為額定頻率的80％，結(jié)束流程；e、如果T1小于T0*0.4，則調(diào)整芯片頻率為額定頻率的40％，否則調(diào)整芯片頻率為額定頻率的60％。
本發(fā)明所指的芯片，必須滿足以下幾個(gè)條件1、芯片頻率可以通過外部程序動(dòng)態(tài)調(diào)整；2、芯片的任務(wù)量，可以通過軟件進(jìn)行測(cè)試；3、芯片的任務(wù)量是在一定范圍內(nèi)波動(dòng)變化的，但相對(duì)較穩(wěn)定，變化不是非?？臁?br> 滿足上述要求的芯片，包括但不限于如下種類顯示卡，網(wǎng)卡，聲卡和CPU。
通過以上發(fā)明，可以作到有多大的任務(wù)，提供多大的處理能力，物盡其用，實(shí)現(xiàn)了當(dāng)需要處理任務(wù)量較小的時(shí)候，芯片本身按照較低的頻率工作，一方面節(jié)約能源、另一方面延長(zhǎng)芯片壽命；當(dāng)需要處理任務(wù)量較大的時(shí)候，芯片按照較高的頻率工作，當(dāng)然，是在確保不會(huì)對(duì)芯片造成損壞的情況下充分發(fā)揮芯片的處理能力。
推廣開來，以上發(fā)明的思路還可以應(yīng)用到其他處理器產(chǎn)品上。計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的芯片基本都可以滿足以上要求，可以采取類似的控制和調(diào)節(jié)方式；在單片機(jī)及工控機(jī)上因?yàn)閼?yīng)用的任務(wù)量較單一固定，就不適于此方法了。


圖1是本發(fā)明第一較佳實(shí)施例流程頻率調(diào)整流程圖；圖2是本發(fā)明第一較佳實(shí)施例流程頻率上限保護(hù)模塊流程圖；圖3是本發(fā)明第二較佳實(shí)施例流程圖；圖4是本發(fā)明第三較佳實(shí)施例流程圖；圖5是本發(fā)明的設(shè)定頻率的判斷流程圖。
具體實(shí)施例方式
在本實(shí)施例中，以顯示卡芯片為例。
本發(fā)明提供的芯片頻率調(diào)整的方法，其核心步驟就是監(jiān)測(cè)芯片的實(shí)際工作量，在限制芯片溫度的情況下，調(diào)整芯片頻率以適合芯片的實(shí)際工作量。
在第一較佳實(shí)施例中，本發(fā)明設(shè)計(jì)成兩個(gè)可以互相調(diào)用的程序，一個(gè)主程序，即調(diào)整頻率程序，該程序隨著系統(tǒng)啟動(dòng)，常駐內(nèi)存，實(shí)時(shí)監(jiān)控芯片的任務(wù)量變化情況，并執(zhí)行相應(yīng)的調(diào)節(jié)功能；另外一個(gè)輔助程序，即溫度上限保護(hù)模塊程序，由于芯片在長(zhǎng)期超過額定頻率工作時(shí)會(huì)有較大的發(fā)熱量，為了避免由于常時(shí)間超頻導(dǎo)致的芯片溫度過高對(duì)芯片造成損害，需要一個(gè)芯片溫度監(jiān)控裝置，在芯片溫度高于初試設(shè)定的芯片最高工作溫度后，調(diào)用保護(hù)程序，將芯片頻率降低到合理范圍，并將駐留內(nèi)存的主程序暫時(shí)掛起，在一定時(shí)間后，芯片可以在這個(gè)時(shí)間內(nèi)依靠自身散熱裝置降低到正常的工作溫度，再次激活原有主程序。
需要說明的是當(dāng)系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)，此信息被調(diào)到系統(tǒng)內(nèi)存的特定區(qū)域，所以，以上的參數(shù)修改只針對(duì)內(nèi)存中信息修改，并不會(huì)修改芯片自身的BIOS信息。
如圖1、圖2所示，T0是初始化時(shí)對(duì)芯片工作量的確定，即芯片任務(wù)量為100％時(shí)的狀態(tài)。TT0是根據(jù)芯片工作特點(diǎn)和散熱條件設(shè)定的最大安全工作溫度。P0是芯片的出廠設(shè)置的額定頻率。為了保證對(duì)芯片的頻率調(diào)節(jié)是實(shí)時(shí)自動(dòng)進(jìn)行的，需要一個(gè)常駐內(nèi)存的檢測(cè)軟件，定期檢測(cè)芯片的工作負(fù)荷。在本例中為每間隔100S測(cè)試一次，該時(shí)間間隔可以根據(jù)不同的芯片應(yīng)用需求自行設(shè)置。
本發(fā)明實(shí)施例包括如下步驟第一步驟設(shè)定芯片額定任務(wù)量為T0，設(shè)定芯片安全溫度為TT0；第二步驟100S后測(cè)量芯片溫度TT1，如果溫度TT1不高于芯片安全溫度TT0，則進(jìn)入第三步驟；如果溫度TT1高于芯片安全溫度TT0，則進(jìn)入第六步驟，上限保護(hù)模塊流程。
第三步驟監(jiān)測(cè)芯片的實(shí)際任務(wù)量T1。
第四步驟比較實(shí)際任務(wù)量T1和芯片額定工作量T0，選擇對(duì)應(yīng)實(shí)際工作量T1的合適的頻率P1；第五步驟修改已調(diào)入內(nèi)存部分的芯片BIOS信息，調(diào)整芯片工作頻率為P1，并返回第二步驟。
第六步驟上限保護(hù)模塊流程將芯片實(shí)際工作頻率下降到額定頻率P0的80％，保持30分鐘，30分鐘后再次測(cè)量芯片溫度TT1，如果芯片溫度TT1仍高于安全溫度TT0，則循環(huán)本步驟；如果芯片溫度TT1不高于安全溫度TT0，則進(jìn)入第三步驟。
在本實(shí)施例中，第四步驟中P1和P0的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下

本實(shí)施例中，設(shè)置了提高芯片頻率模塊和降低頻率模塊。當(dāng)監(jiān)測(cè)到芯片的任務(wù)量大于額定任務(wù)量的時(shí)候(即T1＞T0)時(shí)，程序啟動(dòng)升高芯片頻率模塊，提高芯片工作頻率；當(dāng)發(fā)現(xiàn)芯片的任務(wù)量已經(jīng)低于額定任務(wù)量的20％，即T1≤T0*0.8時(shí)，程序啟動(dòng)降低芯片頻率模塊，降低芯片工作頻率；否則，即T0*0.8＜T1≤T時(shí)，不調(diào)整芯片工作頻率，跳轉(zhuǎn)到等待時(shí)間間隔指令，等待下一次判斷。當(dāng)然，也可以選擇其他頻率分級(jí)方式。
從以上對(duì)應(yīng)關(guān)系可以看出，對(duì)芯片頻率的提升被限制在原有頻率的10％以內(nèi)，這樣設(shè)置的原因是芯片本身的性能余量一般在15％-20％的范圍內(nèi)，為了保證關(guān)鍵應(yīng)用時(shí)系統(tǒng)的穩(wěn)定性以及考慮到芯片顆粒的個(gè)體情況有所不同，在本發(fā)明中保留了10％左右的安全余量。
如圖5所示，下面說明設(shè)定頻率的判斷流程如下a、如果T1小于T0*0.8，則進(jìn)入步驟d，否則進(jìn)入步驟b；b、如果T1小于T0，則不調(diào)整芯片頻率，結(jié)束流程，否則進(jìn)入步驟c；c、如T1小于T0*1.1，則調(diào)整芯片頻率為額定頻率的105％，結(jié)束流程，否則調(diào)整芯片頻率為額定頻率的110％，結(jié)束流程；d、如果T1小于T0％*0.6，則進(jìn)入步驟e，否則調(diào)整芯片頻率為額定頻率的80％，結(jié)束流程；e、如果T1小于T0*0.4則調(diào)整芯片頻率為額定頻率的40％，否則調(diào)整芯片頻率為額定頻率的60％；當(dāng)然，也可以采取其他判斷流程，實(shí)現(xiàn)芯片頻率的設(shè)定。
如圖3所示，本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例。
一種芯片頻率調(diào)整的方法，它包括如下步驟第一步驟設(shè)定芯片額定任務(wù)量，設(shè)定芯片安全溫度；第二步驟一固定間隔時(shí)間后測(cè)量芯片溫度，如果芯片溫度不高于芯片安全溫度，則進(jìn)入第三步驟；否則，進(jìn)入第六步驟；第三步驟監(jiān)測(cè)芯片的實(shí)際任務(wù)量；第四步驟比較實(shí)際任務(wù)量和芯片額定工作量，選擇對(duì)應(yīng)實(shí)際工作量的合適的頻率P1；第五步驟修改已調(diào)入內(nèi)存部分的芯片BIOS信息，調(diào)整芯片工作頻率為P1，并返回第二步驟。
第六步驟將芯片實(shí)際工作頻率保持在一固定頻率值，保持一定時(shí)間間隔后進(jìn)入第二步驟。
第二較佳實(shí)施例與第一較佳實(shí)施例的區(qū)別在于，將上限保護(hù)模塊流程與頻率調(diào)整流程融合在一起，不單獨(dú)設(shè)計(jì)上限保護(hù)模塊流程。
如圖4所示，本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例。
一種芯片頻率調(diào)整的方法，它包括如下步驟第一步驟設(shè)定芯片額定任務(wù)量T0，設(shè)定芯片安全溫度TT0；第二步驟100秒后測(cè)量芯片溫度TT1和監(jiān)測(cè)芯片的實(shí)際任務(wù)量T1；第三步驟如果芯片溫度TT1高于芯片安全溫度TT0，并且芯片的實(shí)際任務(wù)量T1大于額定任務(wù)量T0時(shí)，則返回第二步驟；否則，進(jìn)入第四步驟；第四步驟比較實(shí)際任務(wù)量T1和芯片額定工作量T0，選擇對(duì)應(yīng)實(shí)際工作量T1的合適的頻率P1；第五步驟修改已調(diào)入內(nèi)存部分的芯片BIOS信息，調(diào)整芯片工作頻率為P1，并返回第二步驟。
本實(shí)施例與第一較佳實(shí)施例的區(qū)別在于，不單獨(dú)設(shè)計(jì)溫度上限保護(hù)模塊流程。
當(dāng)?shù)谝淮螠y(cè)量，芯片溫度TT1高于芯片安全溫度TT0，并且芯片的實(shí)際任務(wù)量T1大于額定任務(wù)量T0時(shí)，由于未調(diào)整芯片的頻率，因此芯片維持原來的額定頻率，芯片可以利用固定間隔時(shí)間100秒進(jìn)行散熱。
如果100秒后第二次測(cè)量，芯片溫度TT1仍高于芯片安全溫度TT0，并且芯片的實(shí)際任務(wù)量T1仍大于額定任務(wù)量T0時(shí)，則仍維持額定頻率；如果100秒后第二次測(cè)量，芯片溫度TT1仍高于芯片安全溫度TT0，但芯片的實(shí)際任務(wù)量T1小于額定任務(wù)量T0時(shí)，就可以下調(diào)芯片頻率；如果100秒后第二次測(cè)量，芯片溫度TT1低于芯片安全溫度TT0，就可以按照實(shí)際任務(wù)量T1調(diào)整芯片頻率，不論上調(diào)或下調(diào)都可以。
權(quán)利要求
1.一種芯片頻率調(diào)整的方法，其特征在于它包括如下步驟第一步驟設(shè)定芯片額定任務(wù)量，設(shè)定芯片安全溫度；第二步驟一固定間隔時(shí)間后測(cè)量芯片溫度，如果芯片溫度不高于芯片安全溫度，則進(jìn)入第三步驟；否則，進(jìn)入第六步驟；第三步驟監(jiān)測(cè)芯片的實(shí)際任務(wù)量；第四步驟比較實(shí)際任務(wù)量和芯片額定工作量，選擇對(duì)應(yīng)實(shí)際工作量的合適的頻率P1；第五步驟修改已調(diào)入內(nèi)存部分的芯片BIOS信息，調(diào)整芯片工作頻率為P1，并返回第二步驟；第六步驟將芯片實(shí)際工作頻率保持在一固定頻率值，保持一定時(shí)間間隔后再次測(cè)量芯片溫度，如果芯片溫度仍高于安全溫度，則循環(huán)本步驟；否則，進(jìn)入第三步驟。
2.一種芯片頻率調(diào)整的方法，其特征在于它包括如下步驟第一步驟設(shè)定芯片額定任務(wù)量，設(shè)定芯片安全溫度；第二步驟一固定間隔時(shí)間后測(cè)量芯片溫度，如果芯片溫度不高于芯片安全溫度，則進(jìn)入第三步驟；否則，進(jìn)入第六步驟；第三步驟監(jiān)測(cè)芯片的實(shí)際任務(wù)量；第四步驟比較實(shí)際任務(wù)量和芯片額定工作量，選擇對(duì)應(yīng)實(shí)際工作量的合適的頻率P1；第五步驟修改已調(diào)入內(nèi)存部分的芯片BIOS信息，調(diào)整芯片工作頻率為P1，并返回第二步驟；第六步驟將芯片實(shí)際工作頻率保持在一固定頻率值，保持一定時(shí)間間隔后進(jìn)入第二步驟。
3.一種芯片頻率調(diào)整的方法，其特征在于它包括如下步驟第一步驟設(shè)定芯片額定任務(wù)量，設(shè)定芯片安全溫度；第二步驟一固定間隔時(shí)間后測(cè)量芯片溫度和監(jiān)測(cè)芯片的實(shí)際任務(wù)量；第三步驟如果芯片溫度高于芯片安全溫度，并且芯片的實(shí)際任務(wù)量大于額定任務(wù)量時(shí)，則返回第二步驟；否則，進(jìn)入第四步驟；第四步驟比較實(shí)際任務(wù)量和芯片額定工作量，選擇對(duì)應(yīng)實(shí)際工作量的合適的頻率P1；第五步驟修改已調(diào)入內(nèi)存部分的芯片BIOS信息，調(diào)整芯片工作頻率為P1，并返回第二步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的芯片頻率調(diào)整的方法，其特征在于其中第二步驟中的固定間隔時(shí)間為100秒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的芯片頻率調(diào)整的方法，其特征在于其中第二步驟中的固定間隔時(shí)間為0.1秒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芯片頻率調(diào)整的方法，其特征在于其中第六步驟中的一定時(shí)間間隔為30分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芯片頻率調(diào)整的方法，其特征在于其中第六步驟中的一定時(shí)間間隔為5分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芯片頻率調(diào)整的方法，其特征在于其中第六步驟中的固定頻率值為額定頻率的80％。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的芯片頻率調(diào)整的方法，其特征在于其中第四步驟中選擇對(duì)應(yīng)實(shí)際工作量的合適的頻率P1的步驟如下a、如果T1小于T0*0.8，則進(jìn)入步驟d，否則進(jìn)入步驟b；b、如果T1小于T0，則不調(diào)整芯片頻率，否則進(jìn)入步驟c；c、如果T1小于T0*1.1，則調(diào)整芯片頻率為額定頻率的105％，否則調(diào)整芯片頻率為額定頻率的110％；d、如果T1小于T0％*0.6，則進(jìn)入步驟e，否則調(diào)整芯片頻率為額定頻率的80％；e、如果T1小于T0*0.4，則調(diào)整芯片頻率為額定頻率的40％，否則調(diào)整芯片頻率為額定頻率的60％。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的芯片頻率調(diào)整的方法，其特征在于其中芯片是指顯示卡，網(wǎng)卡，聲卡或CPU中的一種。
全文摘要
本發(fā)明提供芯片頻率調(diào)整的方法，定期測(cè)量芯片溫度，能夠根據(jù)所需要處理的任務(wù)量，修改已調(diào)入內(nèi)存部分的芯片BIOS信息，動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)芯片的工作頻率，調(diào)整芯片工作頻率為適合實(shí)際工作的頻率，達(dá)到充分發(fā)揮芯片處理能力和有效提高芯片使用壽命的目的，另外，在提高處理能力的控制上采取芯片溫度上限保護(hù)，不能無(wú)限制的提高芯片頻率?？梢宰鞯接卸啻蟮娜蝿?wù)，提供多大的處理能力，實(shí)現(xiàn)了當(dāng)需要處理任務(wù)量較小的時(shí)候，芯片本身按照較低的頻率工作，一方面節(jié)約能源、另一方面延長(zhǎng)芯片壽命；當(dāng)需要處理任務(wù)量較大的時(shí)候，芯片按照較高的頻率工作。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1501463SQ0215051
公開日2004年6月2日 申請(qǐng)日期2002年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月12日
發(fā)明者劉江, 劉 江 申請(qǐng)人:聯(lián)想(北京)有限公司