專利名稱：光刻投射設(shè)備和用它制造器件的方法及制成的器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻投射設(shè)備，包括輻射系統(tǒng)，用于提供波長等于或小于250nm的電磁射線投射射束；支撐構(gòu)件，用于支撐構(gòu)圖裝置，構(gòu)圖裝置用于按預(yù)定的圖形對(duì)所述投射射束構(gòu)圖；襯底臺(tái)，用于固定襯底；以及投射系統(tǒng)，用于將已構(gòu)圖的射束投射到襯底的目標(biāo)部分。
背景技術(shù)：
本文中用的術(shù)語“構(gòu)圖裝置”從廣泛的描述而言，是指該裝置可賦予入射的射線射束有構(gòu)圖的橫截面，對(duì)應(yīng)要在襯底的目標(biāo)部分構(gòu)成的圖形；本文中還用了術(shù)語“光閥”。通常，所述的圖形應(yīng)對(duì)應(yīng)在目標(biāo)部分中形成的、諸如集成電路或其它器件(這在以下會(huì)描述)的器件中的特定的功能層。這種構(gòu)圖裝置的實(shí)例包括-掩模，掩模的概念在光刻技術(shù)中是公知的。它包括的掩模類型例如有二元型，交替相移型，衰減相移型，以及各種混合的掩模型。代替射線射束中的這種掩膜安排，使投射到掩模上的射線按掩模上的圖形選擇地透射(在透射掩模的情況下)或反射(在反射掩模的情況下)。在用掩模的情況下，支撐構(gòu)件通常是掩模臺(tái)，它保證掩模保持在入射射線射束中預(yù)定的位置中，它可以按需要相對(duì)射束移動(dòng)。
-可編程反射鏡陣列，這種器件的一個(gè)實(shí)例是矩陣-可尋址表面，有粘滯彈性控制層和反射表面。這種設(shè)備的基本原理是，(例如)反射表面的尋址區(qū)域反射入射光作為衍射光，而非尋址區(qū)域反射入射光作為非衍射光，利用適當(dāng)?shù)倪^濾器可以從反射光中濾掉所述的非衍射光，只留下衍射光；按此方式，射束將按矩陣-可尋址表面的尋址圖形構(gòu)圖。用適當(dāng)?shù)碾娮友b置可以執(zhí)行所需的矩陣尋址。有關(guān)這種反射鏡陣列的更多的信息已由例如美國專利US 5296891和US5523193公開，這些文獻(xiàn)在本文中引作參考。在可編程反射鏡陣列的情況下，所述支撐構(gòu)件可以是支架或支持臺(tái)，它可以按需要固定或移動(dòng)。
-可編程LCD陣列。這種結(jié)構(gòu)的實(shí)例已在美國專利US 5229872中公開，該文獻(xiàn)在本文中引作參考。如上所述，這種情況下的支撐構(gòu)件可以是支架或支持臺(tái)，它可以按需要固定或移動(dòng)。
為了簡化描述，本文的其余內(nèi)容可以是在某些位置，具體針對(duì)包括掩模和掩模臺(tái)的實(shí)例本身的內(nèi)容，這些實(shí)例中的基本原理應(yīng)視為上述構(gòu)圖裝置的廣義內(nèi)容。
光刻投射設(shè)備可用于例如制造集成電路(IC)。在這種情況下，構(gòu)圖裝置可以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于IC單個(gè)層的電路圖形，該圖形可以是在已涂有射線敏感材料層(保護(hù)層)的襯底(硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如包括一個(gè)或更多模)成像。通常，單晶片包含通過投射系統(tǒng)順序輻射的相鄰多個(gè)部分的整個(gè)網(wǎng)絡(luò)。當(dāng)前的設(shè)備中，用在掩模臺(tái)上的掩模構(gòu)圖，使兩種不同類型的機(jī)器之間有差別。一種類型的光刻投射設(shè)備中，通過整個(gè)掩模圖形對(duì)目標(biāo)部分曝光的方式輻射每個(gè)目標(biāo)部分；這種設(shè)備通常叫做晶片分級(jí)器(wafer stepper)。在通稱為分級(jí)掃描設(shè)備的交替設(shè)備中，通過用投射射束按規(guī)定的參考方向(“掃描方向”)順序掃描掩模圖形，輻射每個(gè)目標(biāo)部分，同時(shí)按與該方向平行或不平行的方向同步掃描襯底臺(tái)；通常，由于投射系統(tǒng)有放大系數(shù)M(通常＜1)。所以，掃描襯底臺(tái)的掃描速度V是掃描掩模臺(tái)的掃描速度的M倍。此處所述的關(guān)于光刻設(shè)備的更多的信息已在美國專利US 6046792中公開。該文獻(xiàn)在本文中引作參考。
用光刻投射設(shè)備的制造方法中，圖形(例如，掩模中的圖形)可以是在至少已部分涂有射線敏感材料層(保護(hù)層)的襯底上成像。在該成像的步驟之前，襯底可以進(jìn)行各種處理，例如，涂底膜，保護(hù)涂層，和軟烘烤。曝光后，襯底可以進(jìn)行其它處理，例如，曝光后烘烤(PEB)，顯影，堅(jiān)膜烘烤和成像特征測(cè)量/檢查。該過程陣列用作例如IC的器件的各個(gè)單層的圖形基礎(chǔ)。之后，已構(gòu)圖的膜層可以進(jìn)行各種處理，例如，腐蝕，離子注入(摻雜)，金屬化，氧化，化學(xué)機(jī)械拋光等，所有的處理均是為了研磨掉單個(gè)的膜層。如果需要幾層膜層，之后，整個(gè)過程及其變形對(duì)每一層新膜層均要重復(fù)。最后，襯底(晶片)上將出現(xiàn)器件陣列。用切割、鋸等技術(shù)把這些器件相互分開。安裝在載體上的單個(gè)器件連接到引出線等。有關(guān)制造方法的進(jìn)一步的信息，例如已由書名為“Microchip FabricationA Practical Guide to Semiconductor Processing”，ThirdEdition，by Peter van Zant，McGraw Hill Publishing Co，1997，ISBN 0-07-067250-4公開。該文獻(xiàn)在本文中引作參考。
為簡單起見，投射系統(tǒng)以下叫做“透鏡”；但是，該術(shù)語從廣義上說是指各種類型的投射系統(tǒng)，例如包括拆射系統(tǒng)，反射系統(tǒng)，反折射系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還包括按射線投射射束的指向、構(gòu)形或控制中的任何一種設(shè)計(jì)類型操作的元件，這些元件也可以共同地或單獨(dú)地作為透鏡。光刻設(shè)備的類型可以是有兩個(gè)或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多掩模臺(tái))。在這種“多級(jí)”設(shè)備中，可以平行使用附加的臺(tái)，或在一個(gè)或更多臺(tái)上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，同時(shí)，其它的一個(gè)或更多臺(tái)進(jìn)行曝光。雙級(jí)光刻設(shè)備例如已在美國專利US 5969441和國際專利WO-98/40791中公開，這兩篇文獻(xiàn)在本文中引作參考。
為了減小用光刻投射設(shè)備成像的部件的尺寸，就要減小輻射射線的波長。紫外線(UV)的波長小于200nm，因而，當(dāng)前希望的波長是193nm，157nm，或126nm。而且，希望遠(yuǎn)紫外線(EUV)的波長小于50nm，例如13.5nm。合適的UV射線源包括Hg燈，和準(zhǔn)分子激光器。要求的EUV源包括激光產(chǎn)生的等離子體源，設(shè)在存儲(chǔ)環(huán)或同步回旋加速器中的電子束的路徑周圍的放電源和波動(dòng)器或扭動(dòng)器(wigglers)。
在EUV射線的情況下，投射系統(tǒng)通常有反射鏡陣列，掩模將是反射的，如本文引作參考的WO-99/57596所公開的。
在這種短波長下操作的設(shè)備對(duì)污染顆粒存在的敏感度明顯高于那些在較高波長下操作的設(shè)備對(duì)污染顆粒存在的敏感度。諸如碳?xì)浠衔锓肿拥奈廴绢w粒和水蒸氣可以從外部源引入系統(tǒng)的、或者它們可以在光刻設(shè)備本身中產(chǎn)生。污染顆粒例如包括碎片，和用EUV射線射束、設(shè)備中用的塑料、或粘結(jié)劑和潤滑劑蒸發(fā)所產(chǎn)生的分子從襯底析出的副產(chǎn)物。
這些污染物會(huì)吸附到系統(tǒng)中的光學(xué)元件上，引起射線射束的透射損失。用波長例如為157nm的射線時(shí)，每層光學(xué)表面上形成的污染顆粒只有一層或幾個(gè)單層時(shí)，所觀察到的透射損失約為1％。這種透射損失被認(rèn)為是高的不可接受。而且要求該系統(tǒng)的投射射束的強(qiáng)度均勻性一般不低于0.2％。光學(xué)元件上固定的污染顆粒會(huì)使該要求不能滿足。
上述的光學(xué)元件的清洗方法包括用臭氧作清洗材料。但是臭氧是極不穩(wěn)定的材料，它形成后只能保持幾個(gè)小時(shí)。如果用臭氧清洗光學(xué)表面，就必需就地形成臭氧，或在鄰近清洗開始前形成臭氧。用臭氧發(fā)生器可以達(dá)到這種目的。制造臭氧的特殊步驟本身極不方便。而且另外的清洗方法不能用這種不穩(wěn)定的清洗材料。
Bloomstein等人提出了用更穩(wěn)定的分子氧與UV射線化合進(jìn)行清洗的方法，見T.M.Bloomstein，M.Rothschild，V.Liberman，D.Hardy，N.N.EfremovJr.and S.T.Palmacci，SPIE(Optical Microlithography XIII Ed.C.J.Progler)，Vol.4000(2000)，1537-1545。按Bloomstein等人提出的方法，由于波長為157nm的射線的吸收作用，所以，氧的實(shí)際量限制在10至1000ppm的范圍內(nèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種光刻投射設(shè)備，能更有效的清洗一個(gè)或多個(gè)光學(xué)元件。
按照本發(fā)明在本文第一段所述的光刻設(shè)備能實(shí)現(xiàn)該目的和其它目的。該設(shè)備還包括用于給所述設(shè)備的空間中供給洗滌氣體的供氣源。所述的空間包含設(shè)置成與投射射束相互作用的光學(xué)元件。其中，所述的洗滌氣體包括分壓(partialpressure)為1×10-4Pa至1Pa的分子氧。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過把較低分壓的穩(wěn)定的分子氧加到洗滌氣體中可對(duì)光刻投射設(shè)備中的光學(xué)元件進(jìn)行清洗，其中洗滌氣體被饋送到投射射束通過的空間。分子氧本身作為清洗劑是無效的，用它與UV射線結(jié)合。UV射線使氧裂化產(chǎn)生氧基，氧基是極有效的清洗劑。用洗滌氣體中的所述的低濃度的清洗劑，能清洗光學(xué)元件，同時(shí)，由于氧對(duì)UV射線的吸收作用，而使射線的透射損失可以接受，用它把掩模圖形投射到目標(biāo)部分上。
按本發(fā)明清洗后，可以增大射線射束的透射或反射，也可以改善均勻性。因此，發(fā)明提供了對(duì)光刻投射設(shè)備中的光學(xué)元件極有效的清洗方法。這避免了使用諸如臭氧的不穩(wěn)定材料。最重要的是，不必為在分開的清洗設(shè)備中清洗元件，而費(fèi)很多時(shí)間把例如透鏡的光學(xué)元件從光刻投射設(shè)備拆卸下來。
按本發(fā)明的另一方面，提供一種器件的制造方法，包括以下步驟提供襯底，它至少部分涂覆射線敏感材料層；提供其波長等于或小于250nm的電磁射線的射線射束；用構(gòu)圖裝置使投射射束具有橫截面構(gòu)圖；
把已構(gòu)圖的射線射束投射到射線敏感材料層的目標(biāo)部分；和通過用所述的投射射束輻射內(nèi)含被設(shè)置成與投射射束作用的所述光學(xué)元件的空間，并給所述的空間輸入其總分壓為1×10-4Pa至1Pa的含分子氧的洗滌氣體，來清洗在光刻投射設(shè)備中的光學(xué)元件。
盡管在本文中是以本發(fā)明的設(shè)備用于制造IC作為具體的參考，但是應(yīng)清楚地知道，本發(fā)明的設(shè)備也還有許多其它的用途。例如，可以用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)，控制和檢測(cè)磁疇存儲(chǔ)器、液晶顯示板、薄膜磁頭等的圖形。本行業(yè)的技術(shù)人員將會(huì)發(fā)現(xiàn)，在其它用途中用的術(shù)語“光柵(reticle)”，“晶片”，“模(die)”等，在本文中分別用更通用的術(shù)語“掩?！?，“襯底”，“目標(biāo)部分”代替。
本文獻(xiàn)中用的術(shù)語“射線”，“射束”包括各種類型的電磁射線，包括波長例如為365nm，248nm，193nm，157nm或126nm的紫外線(UV)，和波長范圍例如在5-20nm、如12.5nm的遠(yuǎn)的紫外線(EUV或XUV)或軟紫外線，以及顆粒射束，例如離子射束或電子束。


以下將結(jié)合附圖參考實(shí)施例進(jìn)一步描述發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)。其中圖1是按本發(fā)明的光刻投射設(shè)備的示意圖；圖2是按本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光系統(tǒng)的示意圖；和圖3是按本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光系統(tǒng)局部示意圖；附圖中相同的部件用相同的參考數(shù)字指示。
具體實(shí)施例方式
圖1是按本發(fā)明的光刻投射設(shè)備的示意圖，該設(shè)備包括輻射系統(tǒng)LA、IL，用于提供UV或EUV的投射射束PB；第一物體臺(tái)(掩模臺(tái))MT，用于固定掩模MA，例如，掩模原版，并連接到第一定位裝置，以相對(duì)于產(chǎn)品PL精確定位掩模；第二物體臺(tái)(襯底或晶片臺(tái))MT，用于固定襯底W，例如，涂有保護(hù)層的硅晶片，并連接到第二定位裝置，以相對(duì)于產(chǎn)品PL精確定位襯底；投射系統(tǒng)(“透鏡”)PL，例如，反射鏡組，用于把掩模MA的已輻射部分的成像到固定在襯底臺(tái)WT上的襯底W的露出區(qū)域C上。
如這里所示的設(shè)備是反射型，即，有反射掩模。但是，通常它也可以是例如透射型的。
輻射系統(tǒng)可包括產(chǎn)生UV或EUV輻射射束PB的源LA，例如，Hg燈、準(zhǔn)分子激光器、激光生成等離子源、放電等離子源或設(shè)在存儲(chǔ)環(huán)或同步旋轉(zhuǎn)加速器中的電子束路徑周圍的波動(dòng)器或扭動(dòng)器。使該射束通過各種光學(xué)元件，這些光學(xué)元件包括在發(fā)光系統(tǒng)IL中-例如，射束構(gòu)形鏡片、積分器和聚光器-還包括在輻射系統(tǒng)中，以使產(chǎn)生的射束PB在橫截面有預(yù)定的形狀和強(qiáng)度分布。
射束PB隨后被固定在掩模臺(tái)MT上的掩模MA阻斷，掩模MA選擇性的反射射束PB，射束PB通過透鏡PL，它使射束PB在襯底W的露出面積C上聚焦。借助干涉位移測(cè)試儀IF，用第二定位裝置可以使襯底臺(tái)WT準(zhǔn)確移動(dòng)，以按射束PB的路徑定位不同的露出面積C。同樣，用第一定位裝置使掩模MA相對(duì)于射束PB的路徑準(zhǔn)確定位。通常物體臺(tái)MA移動(dòng)，借助長沖程模(粗定位)和短沖程模(細(xì)定位)實(shí)現(xiàn)WT，這在在圖1中沒有清楚地畫出。在晶片分級(jí)器(與分級(jí)-和-掃描裝置相對(duì)設(shè)置)的情況下，晶片臺(tái)WT可以只連接到短沖程定位器，以細(xì)調(diào)掩模的取向和定位，或者，使其簡單固定。
可按兩個(gè)不同的模式使用上述的裝置1.按分級(jí)-和-重復(fù)(分級(jí))模式，掩模臺(tái)MT基本保持靜止，整個(gè)掩模圖像一次(即一次“閃光”)投射到露出面積C上。之后，襯底臺(tái)WT按X和/或Y方向移動(dòng)，以用射束PB輻射不同的露出面積C；2.按分級(jí)-和-掃描(掃描)模式，應(yīng)用情況大致相同，只是給定的露出面積C不是用一次閃光來曝光。掩模臺(tái)MT按規(guī)定的方向(即，所謂的“掃描方向”，例如，Y方向)按速度V移動(dòng)，使射線射束PB在掩模圖像上掃描；同時(shí)，襯底臺(tái)WT按相同或相反的方向按V＝Mv的速度移動(dòng)，式中M是透鏡PL的大小，透鏡PL的典型放大倍數(shù)(通常是M＝1/4或1/5)。按此方式，將曝光較大的露出面積，而不會(huì)引起清析度降低。
本發(fā)明的實(shí)施例中，要清洗的光學(xué)元件是發(fā)光設(shè)備中的光學(xué)元件。但是，本發(fā)明可以除去系統(tǒng)中的任何光學(xué)元件上的污染物，例如，除去投射系統(tǒng)中的掩?；蚬鈱W(xué)元件上的污染物。本發(fā)明可以同時(shí)或分開用于一個(gè)或幾個(gè)光學(xué)元件。
圖2更詳細(xì)顯示出按本發(fā)明的具體實(shí)施例的發(fā)光系統(tǒng)的一部分。由洗滌氣體供應(yīng)源4給發(fā)光系統(tǒng)中的內(nèi)裝光學(xué)元件3的空間2供給洗滌氣體，空間2可以是含液態(tài)或氣態(tài)洗滌氣體的壓力容器。含分子氧的洗滌氣體經(jīng)可以包括閥門的噴嘴5供給空間2?，F(xiàn)在，用源LA產(chǎn)生的UV或EUV射線輻射含有氧的空間2。本實(shí)施例中，在曝光的同時(shí)進(jìn)行輻射分級(jí)，即，用射線射束PB分裂氧。
用波長約等于或小于250nm的UV或EUV射線輻射時(shí)，空間2中的氧分子分裂，形成氧基。形成的氧基是高效清潔劑，能清除光學(xué)元件表面上的氫氧化合物或其它的污染顆粒。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，內(nèi)裝要清洗的光學(xué)元件的空間用基本上惰性的氣體清潔。這種情況下洗滌氣體中有少量氧分子存在。洗滌氣體中，可以包含光刻設(shè)備中適用的與氧一起的任何氣態(tài)組分。典型的洗滌氣體中含有與分子氧一起的諸如稀有氣體或氮?dú)獾亩栊詺怏w中的一種或混合氣體。最優(yōu)選的惰性氣體是氬氣、氦氣和氮?dú)?，例如，超純氮?dú)狻?br> 本發(fā)明最優(yōu)選的洗滌氣體只由一種或多種惰性氣體和氧構(gòu)成。因此，最好除去氣體中的污染物。通常用凈化器除去洗滌氣體中的氫氧化物。本發(fā)明中，可以用凈化器除去大多數(shù)氫氧化物而不影響氧的存在。
洗滌氣體中存在的分子氧的總體積量的典型范圍是1ppb至10ppm。在大氣環(huán)境中這些體積量分別等于分壓1×10-4Pa和1Pa。如果氧的體積量小于約1ppb，那么從光學(xué)元件除去的污染物可能不夠，除非進(jìn)行幾小時(shí)的清潔處理，這本身是不期望的。而且低于約1ppb的濃度無法檢測(cè)。
或者如果氧的體積濃度約10ppm以上，則分子氧對(duì)射線射束的吸收通常會(huì)高，以使透射度下降到低于可以接受的水平。由于射線射束的這種吸收造成的透射損失量取決于要清潔的光學(xué)系統(tǒng)的路徑長度。例如，通常，射束的傳遞系統(tǒng)的路徑長度要大大長于發(fā)光系統(tǒng)的路徑長度。在規(guī)定的相同的分子氧濃度下，由于射束的傳遞系統(tǒng)中的UV-吸收而使透射度減少10％等于至發(fā)光系統(tǒng)中的透射只減少1％左右。因此在發(fā)光系統(tǒng)中分子氧的濃度在1ppm左右是可以接受的。系統(tǒng)的路徑長度越長，要求濃度越低，例如是300或400ppb。
本發(fā)明第一實(shí)施例的一個(gè)變化中，對(duì)內(nèi)裝要清潔的光學(xué)元件的空間抽真空。本實(shí)施例中，洗滌氣體的組分最好基本上只有含氧或氧氣的混合物。洗滌氣體在低分壓下引入空間?？臻g中的分子氧的壓力必須足夠高，以在合適的時(shí)間內(nèi)有效清潔掉光學(xué)元件上的污染物。但是，分子氧的壓力足夠低時(shí)，射線射束的透過度不會(huì)降低到可以接受的水平以下。存在的氧的典型的總分壓范圍在1×10-4Pa至1Pa。如果氧分壓低于約1×10-4Pa，要除去足夠量的污染物則必須進(jìn)行幾小時(shí)的清潔處理。相反，如果氧分壓高于1Pa，分子氧對(duì)(E)UV射線的吸收高，造成射線透過度的下降達(dá)到不能接受的程度。如上述的，所用氧的最大允許用量與要清洗的系統(tǒng)的路徑長度及其相關(guān)。
如果需要，可用傳感器6監(jiān)測(cè)污染程度。傳感器6通過測(cè)試要清潔的光學(xué)元件對(duì)(E)UV射線的反射或吸收而起作用。如圖2所示，光學(xué)元件可以是反射型的，因此，傳感器6可以測(cè)試(E)UV射線的反射率。但是如果光學(xué)元件是透射型的，則傳感器6可以設(shè)置在能測(cè)射線透過光學(xué)元件的程度的位置。
(E)UV射線的吸收程度可用于指示污染物覆蓋光學(xué)元件的程度。本實(shí)施例中，系統(tǒng)通常要清洗掉除氧以外的全部(E)UV吸收劑，它們的濃度是已知的，而且最好保持不變。因此，所觀察到的任何(E)UV吸收，除了被認(rèn)為是氧的存在而造成的外，都是因?yàn)槲廴疚锏拇嬖谠斐傻?。傳感器可以按此方式用于監(jiān)測(cè)污染量，以及光學(xué)系統(tǒng)的污染量的改變。
可以在清潔前和/或清潔后使用傳感器指示有問題的光學(xué)元件是否清潔到足夠曝光的程度，或者光學(xué)元件是否需要進(jìn)一步清洗。要求這種檢測(cè)過程能正常使用，它可以確定什么時(shí)間光學(xué)元件需要清潔。也可以在清潔處理過程中使用傳感器。按上述方法進(jìn)行清潔處理，并同時(shí)進(jìn)行輻射，用傳感器6監(jiān)測(cè)所述射線的吸收。當(dāng)傳感器指示吸收量低于足夠量時(shí)，光學(xué)元件的污染量是可以接受的，這時(shí)，停止清潔處理。
圖3示出發(fā)明的第三實(shí)施例，它與第二實(shí)施例系統(tǒng)的差別如下。本實(shí)施例中，還設(shè)置有UV或EUV射線源7。源7發(fā)射波長等于或低于250nm的射線。這種射線的合適的源與以上參考源LA所述的源相同。
本實(shí)施例中，用波長短于250nm的UV或EUV射線輻射光學(xué)元件3，同時(shí)投射EUV射線已構(gòu)圖的射束，最好用UV射線，UV射線對(duì)分子氧的選擇性分裂優(yōu)于EUV射線。例如，在氧的情況下，最好用波長約為157nm的UV射線。按此方式，可以用洗滌氣體中較低濃度的氧，以確保洗滌劑對(duì)EUV射線較低的吸收。因此，可以清潔光學(xué)元件3，同時(shí)，用以可以接受的透射損失對(duì)晶片曝光。
還注意到，在用投射射束PB曝光前/后，用源7發(fā)射的UV或EUV射線輻射位于空間2中的光學(xué)元件3。最好在曝光前進(jìn)行輻射，因此，能提供清潔的光學(xué)元件，以提高曝光過程中的透射度和均勻程度。本實(shí)施例中，源7發(fā)射的射線描述成指向光學(xué)元件3。但是，射線束也可以不直接指向光學(xué)元件而是指向其它的方向，例如，射線束跨過光學(xué)元件。
如上述的，可按需要用傳感器6監(jiān)測(cè)污染程度。
上述的實(shí)施例中，描述了掩?；蚬鈻?，它也可以包括薄層。在掩模與薄層之間的空間中，可以供給含分子氧的洗滌氣體，以按上述的清潔工藝除去所述空間中的污物。
雖然我們已對(duì)上述具體實(shí)施例進(jìn)行了描述，但應(yīng)當(dāng)清楚本發(fā)明還能用其它方式實(shí)施。因此，以上描述不限制發(fā)明。
權(quán)利要求
1，一種光刻投射設(shè)備，包括輻射系統(tǒng)，用于提供波長等于或低于250nm的電磁射線的投射射束；支撐構(gòu)件，用于支撐構(gòu)圖裝置，所述構(gòu)圖裝置用于對(duì)投射射束按預(yù)定圖形構(gòu)圖；襯底臺(tái)，用于固定襯底；投射系統(tǒng)，用于把已構(gòu)圖的射束投射到所述襯底的目標(biāo)部分上；氣體供給源，用于給所述設(shè)備中的空間供給洗滌氣體，所述空間內(nèi)設(shè)有與所述投射射束相互作用的光學(xué)元件，其中，所述洗滌氣體包含總分壓為1×10-4Pa至1Pa的分子氧。
2，按權(quán)利要求1的設(shè)備，其中，所述洗滌氣體還包含惰性氣體，最好包含氦氣、氬氣、氮?dú)饧捌浠旌蠚怏w，所述洗滌氣體包含的分子氧的總體積量為1ppb至10ppm。
3，按權(quán)利要求1的設(shè)備，其中，所述的空間基本上是抽真空的。
4，按權(quán)利要求1的設(shè)備，還包括用于提供波長等于或低于250nm的電磁射線的電磁射線源，并設(shè)置成給所述的光學(xué)元件供給這樣的射線。
5，一種器件制造方法，包括以下步驟提供襯底，所述襯底至少部分涂覆射線敏感材料層；提供波長等于或低于250nm的電磁射線的投射射束；用構(gòu)圖裝置對(duì)所述投射射束的橫截面形成圖形；將已構(gòu)圖的射線射束投射到所述射線敏感層的目標(biāo)部分上；和通過用所述的射線射束輻射內(nèi)裝與所述投射射束相互作用的光學(xué)元件的空間，并給所述空間提供包含總分壓為1×10-4Pa至1Pa的分子氧的洗滌氣體，來清潔所述設(shè)備內(nèi)的光學(xué)元件。
6，按權(quán)利要求5的方法，其中，所述洗滌氣體還包括惰性氣體，最好包含氦氣、氬氣、氮?dú)饧捌浠旌蠚怏w，所述洗滌氣體包含的分子氧的總體積量為1ppb至10ppm。
7，按權(quán)利要求5的方法，其中，所述空間基本上是抽真空的。
8，按權(quán)利要求5的方法，還包括以下步驟提供波長等于或低于250nm的另一電磁射線射束；和用所述另一電磁射線射束輻射所述的光學(xué)元件，同時(shí)將所述已構(gòu)圖的射線射束投射到所述目標(biāo)部分上。
全文摘要
在分子氧存在的情況下，通過用波長短于250nm的UV或EUV射線輻射內(nèi)裝光學(xué)元件的空間，可以就地清洗光刻投射設(shè)備中用的光學(xué)元件。用除了含有常用的洗滌氣體組分外還含有少量分子氧的洗滌氣體清洗所述空間。該方法也可以用在抽真空的空間中，給空間引入低壓分子氧。該方法避免使用諸如臭氧的不穩(wěn)定的材料。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1474234SQ0215187
公開日2004年2月11日 申請(qǐng)日期2002年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月19日
發(fā)明者W·范塞克, B·M·默藤斯, H·梅林, N·B·科斯特爾, W 范塞克, 科斯特爾, 默藤斯 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司