專利名稱：S波段五位電控衰減器模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型與S波段步進衰減器有關(guān)。
技術(shù)背景已有的S波段步進衰減器多采用開關(guān)線加電阻衰減網(wǎng)絡實現(xiàn)，步長最好能作到0.5dB；插入損耗大，一個S波段五位電控衰減器插損通常為3～4dB；駐波系數(shù)較大，通常為VSWR≤1.5；衰減時相位變化較大，通常為10°以內(nèi)；驅(qū)動電流很大，通常五位步衰需要±150mA的電流。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種體積小、耗電小、衰減精度高、插損小、駐波系數(shù)小及無相位式集成化的S波段五位電控衰減器模塊。
本實用新型是這樣實現(xiàn)的本實用新型S波段五位電控衰減器模塊，由PIN二極管四位步進衰減器(1)與一個雙端吸收的電控衰減器(2)連接組成，步進衰減器(1)有射頻輸入端口(J1)分別通過衰減網(wǎng)絡(Li、Ri、Ci)與直流控制端口(E1，E2，E3，E4)連接，電控衰減器(2)有射頻輸出端口(J2)和直流控制端口(E5)，輸出端口(J2)與輸入端口(J1)之間有并聯(lián)的二極管串聯(lián)支路。
本實用新型射頻輸入端口(J1)一路經(jīng)過正相串連的二極管(D7，D8)與輸出端口(J2)連接，另一端路經(jīng)過反相串連的二極管(D5，D6)與輸出端口連接，二極管(D7、D8)之間有衰減網(wǎng)絡(R5、R6、R7)，輸入端口(J1)與控制端口(E1，E2，E3，E4)之間為并聯(lián)的衰減網(wǎng)絡(L1、R1、C1，L2、R2、C2，L3、R3、C3，L4、R4、C4)。
本實用新型輸入端(J1)與隔直電容(C5)連接，輸出端口與隔直電容(C6)連接。
本實用新型采用加載線原理來設(shè)計一種新型的高精度低步長的步進衰減器。用此原理設(shè)計的步進衰減器步長可以作到0.1dB，且具有插入損耗小、駐波系數(shù)小、衰減時無相位變化、驅(qū)動電流小等優(yōu)點。有其它設(shè)計方法難以到達的優(yōu)良性能。


圖1實用新型的框圖。
圖2實用新型的電路原理圖。
圖3實用新型的主視圖。
圖4實用新型的俯視圖。
圖5實用新型的左視圖。
具體實施方式
本實用新型由一個高精度PIN二極管四位步進衰減器(1)和一個雙端吸收的電控衰減器(2)組成。其中步進衰減器采用四組加載線原理實現(xiàn)，吸收式的電控衰減器采用開關(guān)線原理實現(xiàn)。射頻信號從J1輸入，如果不需要衰減時，(E1，E2，E3，E4)四個直流控制端口都外加+4.8v的信號，(D1，D2，D3，D4)四個開關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)，衰減網(wǎng)絡對射頻信號不起作用，射頻信號直接從主傳輸線到衰減器(2)上。如果需要某一位衰減，直流控制端Ei(i＝1～4)外加-4.8v信號，Di(i＝1～4)開關(guān)打通，LiRiCi(i＝1～4)組成的衰減網(wǎng)絡起作用，射頻信號產(chǎn)生第i位衰減量的衰減，其中i＝1時衰減量ΔA1＝0.2dB，i＝2時，衰減量ΔA2＝0.4dB；i＝3時，衰減量ΔA3＝0.8dB；i＝4時衰減量ΔA4＝1.6dB。四位步進衰減器經(jīng)組合共有15種衰減狀態(tài)，步長為0.2dB，最大衰減量為3dB。吸收式的電控衰減器由開關(guān)線原理實現(xiàn)，當直流控制端E5外加+4.8v信號時，D5、D6支路被打通，射頻信號由此支路通過不發(fā)生衰減，當E5外加-4.8v信號時，D7、D8支路被打通，射頻信號沿D7、D8支路傳輸，由R5、R6、R7組成的衰減網(wǎng)絡生產(chǎn)15dB的衰減。不論走那個支路射頻信號都從J2端口輸出，其中C5，C6為隔直電容，阻止直流信號的泄漏。
本實用新型選用RT/dusoid 5880電路材料，通過光刻、腐蝕、電鍍等工藝制成電路基片，經(jīng)過處理的電路基片用合金焊料燒結(jié)在模塊殼體內(nèi)，PIN二極管、MOS電容等心片通過粘片、鍵合等工藝在電路基片上進行二次集成，經(jīng)過調(diào)試和篩選達到我們所要求的指標。
本實用新型中模塊的主要電參數(shù)如下(I)工作頻率3.1～3.4G11z(II)各端口駐波比＜1.35(III)插入損耗＜1.60(IV)基本衰減量0.2dB，0.4dB，0.8dB，1.6dB，15dB(V)衰減精度≤0.0dB(ΔA≤1dB)≤0.15dB(ΔA≤3dB)(VI)15位幅度起伏≤±0.7dB(VII)插入相位偏差(＜3dB＜4°)
權(quán)利要求1.S波段五位電控衰減器模塊，其特征在于由PIN二極管四位步進衰減器(1)與一個雙端吸收的電控衰減器(2)連接組成，步進衰減器(1)有射頻輸入端口(J1)分別通過衰減網(wǎng)絡(Li、Ri、Ci)與直流控制端口(E1，E2，E3，E4)連接，電控衰減器(2)有射頻輸出端口(J2)和直流控制端口(E5)，輸出端口(J2)與輸入端口(J1)之間有并聯(lián)的二極管串聯(lián)支路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的衰減器模塊，其特征在于射頻輸入端口(J1)一路經(jīng)過正相串連的二極管(D7，D8)與輸出端口(J2)連接，另一端路經(jīng)過反相串連的二極管(D5，D6)與輸出端口連接，二極管(D7、D8)之間有衰減網(wǎng)絡(R5、R6、R7)，輸入端口(J1)與控制端口(E1，E2，E3，E4)之間為并聯(lián)的衰減網(wǎng)絡(L1、R1、C1，L2、R2、C2，L3、R3、C3，L4、R4、C4)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的的衰減器模塊，其特征在于輸入端口(J1)與隔直電容(C5)連接，輸出端口與隔直電容(C6)連接。
專利摘要本實用新型為S波段五位電控衰減器模塊，模塊為電路基片，焊結(jié)在殼體內(nèi)，模塊由PIN二極管四位步進衰減器(1)與一個雙端吸收的電控衰減器(2)連接組成，步進衰減器(1)有射頻輸入端口(J
文檔編號H01P1/22GK2526988SQ0222157
公開日2002年12月18日 申請日期2002年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月8日
發(fā)明者王韌, 王雪松 申請人:王韌